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Optical and transport properties of p-i-n GaAs/AlAs resonant tunneling diode

Awan, Iram Taj 26 May 2014 (has links)
Made available in DSpace on 2016-06-02T20:15:34Z (GMT). No. of bitstreams: 1 6298.pdf: 2980031 bytes, checksum: d9fadac3020cef27afdab409a8566e9d (MD5) Previous issue date: 2014-05-26 / Universidade Federal de Minas Gerais / In this thesis, we have investigated the optical and transport properties of a p-i-n GaAs-AlAs resonant tunneling diode (RTD). The possibility of controlling and significantly varying the density of carriers accumulated at different layers of this structure simply by applying an external bias makes it very useful to investigate various fundamental issues. Furthermore, the process of tunneling that critically depends on the alignment from confined energy levels and the injection of carriers that attain quasi - equilibrium distribution at distinct accumulation layers makes this structure very special for analyzing optical properties in general, and in special, spin-polarization effects when an external magnetic field is applied to the RTD. Particularly, two emission bands were observed for the quantum well (QW) of our structure and were associated to the recombination of electrons and holes that tunnel into the QW and may recombine either as an exciton involving the fundamental states of the QW or a transition involving an acceptor state in the QW. It was also observed that the relative intensity of these emission bands strongly depend on the applied bias voltage. The optical recombination involving acceptors states becomes relatively more efficient as compared to the excitonic recombination for higher densities of electrons in the QW. This effect was discussed considering how the electron carrier density depends on the applied voltage and other effects such the capture rate of holes by the acceptors and electron and hole differences concerning mobility, effective mass and tunneling processes. We have also investigated spin properties of the tunneling carriers in our device by measuring the polarization-resolved electroluminescence from the quantum well (QW) and the contact layers under low temperatures and high magnetic fields, up to 15 T. Under these conditions, we have observed that the QW emission presents a large negative polarization degree which depends on the external applied bias voltage. The VII QW spin polarization shows oscillations and abrupt changes at the electron resonant peak. The results are mainly attributed to the abrupt changes of intensity of the two QW emission lines. Furthermore, the contact-layer emission have also shown voltage dependent emission lines that were attributed to the two-dimensional electron gas formed at the accumulation layer under an applied bias. The contact-layer emission presents a large negative polarization degree which is also voltage dependent. The QW spin polarization degree was discussed considering different effects such as the presence of neutral acceptors in the QW, the voltage control of carrier densities in the device, hole and electron tunneling processes and the spin injection of spin polarized two-dimensional gases formed at the accumulation layers. / Neste trabalho, estudamos as propriedades óticas e de transporte de diodos de tunelamento ressonante de GaAs-AlAs do tipo p-i-n. Observamos duas emissões no poço quântico (QW) que foram associadas a recombinação e eletrons e buracos que tunelam no QW e que podem recombinar com os níveis confinados no QW ou com o nível de impureza aceitadora no QW. Foi observado que a intensidade relativa dessas bandas é bastante sensível a voltage aplicada. Em particular, a emissão ótica relativa a impureza mostrou ser mais eficiente na condição de voltagem que resulta em alta densidade de portadores no QW. Estudamos também efeitos de spin nesses dispositivos na presença de altos campos magnéticos de até 15T. Observamos que polarização de spin de portadores é controlada por voltagem aplicada. Em particular, observamos que a polarização de spin apresenta fortes oscilações e variações abruptas dependendo da voltagem aplicada no dispositivo . Esse efeito foi associado a mudanças importantes de densidade de carga acumulada no QW em função da voltage aplicada. Foi também observado uma emissão fortemente dependente da voltagem na região dos contatos que foi associada a formação de uma gas bidimensional de eletrons (2DEG) com alto grau de polarização circular. A polarização de spin no QW foi associada a presença de impurezas , efeitos de injeção de portadores spin polarizados no QW, variação de densidade de portadores no QW, processos de tunelamento de eletrons e buracos e etc.
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Caracterização elétrica, dielétrica e anelástica de transições de fase em cerâmicas de Pb (Fe1/2Nb1/2)O3

Fraygola, Bárbara Maraston 20 September 2007 (has links)
Made available in DSpace on 2016-06-02T20:16:42Z (GMT). No. of bitstreams: 1 1700.pdf: 3329271 bytes, checksum: ced6b5fbac85d5a15900ad128f39d9a6 (MD5) Previous issue date: 2007-09-20 / Financiadora de Estudos e Projetos / El Niobato de plomo y hierro Pb(Fe1/2Nb1/2)O3 es un material multiferroico: es ferroeléctrico a temperaturas inferiores a 383K y antiferromagnético a temperaturas inferiores a 143K, presentando propiedades magnetoelétricas abajo de esta temperatura. Existen en la literatura controversias en cuanto al número de transiciones de fases para este material, y en particularmente, sobre la existencia de dos transiciones entre fases ferroeléctricas entre la temperatura de Curie y 250K. En este trabajo fueran medidas la atenuación y la velocidad ultrasónicas, la resistividad eléctrica, el coeficiente piroeléctrico y la permisividad dielétrica en cerámicas de PFN. Las medidas inelásticas presentan anomalías a 353K, 315K, 250K e 172K que pueden asociarse a la transición para-ferroeléctrica, a las dos transiciones de fases entre fases ferroeléctricas propuestas en la literatura, y a la transición para-antiferromagnética. La permisividad dieléctrica solamente registra anomalías en la región de transición para-ferroeléctrica, mientras que el coeficiente piroeléctrico registra el mismo comportamiento que el observado para las constantes elásticas. A través de medidas eléctricas observamos un cambio en la energía de activación alrededor de la temperatura de ordenamiento magnético, mostrando a altas temperaturas un comportamiento diferenciado para muestras sinterizadas por caminos distintos. Correlacionando los resultados en la región de transición de fase paraantiferromagnética proponemos que el acoplamento magnetoelétrico envuelve necesariamente contribuciones elásticas (acoplamiento via strain). Proponemos además que este acoplamiento entre la magnetización y el strain es del tipo piezomagnético. La diferencia en temperaturas en anomalías correspondientes a la transición para-antiferromagnética obtenidas experimentalmente con la temperatura de Neél está prevista en la literatura y está asociada al desorden en la red cristalina. Esta dependencia con el desorden fue comprobada al obtener-se anomalías a temperaturas diferentes en la región de ordenamiento magnético para muestras tratadas térmicamente en atmósfera oxidante. Encontramos una anomalía adicional a 115K, ya reportada anteriormente en medidas magnéticas, asociadas a una nueva transición debida a la interacción magnetoeléctrica. / O Niobato de Ferro e Chumbo 3 2 / 1 2 / 1 ) ( O Nb Fe Pb (PFN) é um material multiferróico: é ferroelétrico a temperatura inferiores a 383K e antiferromagnético a temperaturas inferiores a 143K e apresenta propriedades magnetoelétricas abaixo desta temperatura. Existem também na literatura controvérsias quanto ao número de transições de fase e, particularmente sobre a existência de duas transições de fases entre fases ferroelétricas entre a temperatura de Curie e 250K. Neste trabalho foram medidas a atenuação e a velocidade ultra-sônicas,a resistividade elétrica, o coeficiente piroelétrico e a permissividade dielétrica em cerâmicas de PFN. As medidas anelásticas apresentam anomalias a 353K, 315K, 250K e 172K que podem associar-se á transição para-ferroelétrica, ás duas transições de fase entre fases ferroelétricas propostas na literatura, e á transição para-antiferromagnética. A permissividade dielétrica somente registra anomalias na região de transição para-ferroelétrica, enquanto que o coeficiente piroelétrico registra o mesmo comportamento que as constantes elásticas. Através de medidas elétricas observamos uma mudança na energia de ativação em torno da temperatura de ordenamento magnético, apresentandose a altas temperaturas um comportamento diferenciado para as amostras sinterizadas por vias e temperaturas diferentes. Correlacionando os resultados na região de transição de fase paraantiferromagnética propomos que o acoplamento magnetoelétrico envolve necessariamente contribuições elásticas (via strain). Propomos que o acoplamento entre a magnetização e o strain é um acoplamento do tipo piezomagnético. A diferença em temperatura das anomalias correspondentes a transição paraantiferromagnética obtidas experimentalmente com a temperatura de Neél está prevista na literatura e está associada ao desordem na rede cristalina. Esta dependência foi comprovada ao obter-se anomalias a temperaturas diferentes na região de ordenamento magnético para amostras tratadas termicamente em atmosfera oxidante. Encontramos uma anomalia adicional a 115K, já reportada anteriormente em medidas magnéticas, associada a uma nova transição devida à interação magnetoelétrica.
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Processamento e caracterização de cerâmicas eletroópticas do sistema ferroelétrico (Pb1-xLax)TiO3

Badillo, Fernando Andrés Londoño 04 August 2006 (has links)
Made available in DSpace on 2016-06-02T20:16:45Z (GMT). No. of bitstreams: 1 1982.pdf: 24286598 bytes, checksum: 32a93fa9238fceeb0d34dcefb57ca4dd (MD5) Previous issue date: 2006-08-04 / Financiadora de Estudos e Projetos / The ferroelectric titanate of lead modified with Lanthanum metal system (or PLT) is the most studied of the perovskite structure. It is known that ceramic bodies with specify compositions and adequately chemical preparations can present transparency. However, a quantitative or qualitative analysis of its electro-optics characteristics was not carried through. Therefore, in this work it was ceramic preparation of PLT and the characterization and analysis of concentration of Lanthanum metal and the conditions of processing influence in its microstructural, dielectric, ferroelectrics, optic, structural and electro-optics properties. In this work the solid state was used in the obtained of PLT, using the nominal formula (Pb1-xLax)TiO3, with 0.18_ x _ 0.23. Ceramic bodies had been firing by the uniaxial Hot Pressing technique. Heat treatments in conventional oven under O2 and PbO atmosphere, had been used for the improvement of the transmitance of the samples. In the DRX analysis it was observed formation of perovskite phase with tetragonal symmetry as principal in the powder with little variation of the tetragonalidade factor in function of the Lanthanum metal concentration. For the densitied ceramics, it was meet perovskite phase with tetragonal symmetry and an reduction of the tetragonalidade factor of with the increase of the Lanthanum metal concentration. The grain average size of the ceramic bodies linearly increased with the Lanthanum metal concentration, presenting distinct dependence for each composition in relation to the heat treatment. The dielectric and ferroelectrics properties had been affected by the high conductivity presented for the ceramic bodies with less than 20h of thermal treatment. Such conductivity, as well as the opacity and the yellow color observed in the samples, was associated with the presence of the phase PbO in the grain boundaries. However, high values of transmitance in the next infra-red and visible region and less dielectric losses in low frequencies could have been observed in samples with 20h thermal treatment, depending on the Lanthanum metal concentration. For x=0.23, the highest concentration of analyzed La, the ceramic bodies thermal treatments presented a reduction in the transmittance, probably due ix to the effect of light scattering of rich Lanthanum metal phases precipitated in the grain boundaries (even though it was not detected for DRX). For the first time, the electro-optic coefficients could have been considered for PLT ceramics. The results had shown the importance of thermal treatment after-hot pressing and the concentration of Lanthanum metal in the obtaining of the transparent ceramic bodies with structural, microstructural, electric and optic properties adjusted for the technological applications. / O sistema ferroelétrico titanato de chumbo modificado com lantânio (ou PLT) encontra-se entre os mais conhecidos com estrutura perovskita. Sabe-se, também, por um único trabalho na literatura, que corpos cerâmicos de PLT em composições especificas e preparados adequadamente podem apresentar transparência. Contudo uma análise quantitativa, ou mesmo qualitativa de suas características eletro-ópticas ainda não foi realizada. Por isso, neste trabalho propôs-se a preparação de cerâmicas de PLT para a caracterização e análise da influencia da concentração de lantânio e das condições de processamento em suas propriedades estruturais, microestruturais, dielétricas, ferroelétricas, ópticas e eletro-ópticas. Este trabalho utilizou o processo de síntese por reação de estado sólido na obtenção de pós cerâmicos do sistema ferroelétrico de titanato de chumbo modificado com lantânio, utilizando a fórmula nominal (Pb1-xLax)TiO3, com 0,18 _ x _ 0,23. Corpos cerâmicos foram densificados pela técnica de prensagem uniaxial a quente, tratamentos térmicos, em forno convencional em atmosfera de O2 e PbO, foram utilizados para melhora do grau de transmitância das amostras. Com a análise por difração de raios X observou-se a formação de fase perovskita com simetria tetragonal como majoritária, nos pós com pouca variação do fator de tetragonalidade em função da concentração de lantânio. Para as cerâmicas densificadas, encontrou-se a fase perovskita com simetria tetragonal e uma diminuição acentuada do fator de tetragonalidade com o aumento da concentração de lantânio. O tamanho médio de grão dos corpos cerâmicos aumentou linearmente com a concentração de lantânio, apresentando dependência distinta para cada composição em relação ao tempo de tratamento térmico. As propriedades dielétricas e ferroelétricas foram fortemente afetadas pela alta condutividade apresentada pelos corpos cerâmicos densificados com menos de 20h de tratamento térmico. Tal condutividade, assim como a opacidade e a cor avermelhada observada nas amostras, foi associada à presença da fase de PbO em forma amorfa nos contornos de grão. Contudo altos valores de transmitância na região do visível e infravermelho próximo e menores perdas dielétricas em baixas freqüências puderam ser observadas em amostras com tratamento térmico de 20h, dependendo da concentração de lantânio. Para x=0,23, a mais alta concentração de La analisada, os corpos cerâmicos tratados termicamente apresentaram uma redução na transmitância provavelmente devido ao efeito de espalhamento de luz de fases ricas em lantânio precipitado nos contornos de grão (embora não detectadas por difração de raios X). Pela primeira vez, os coeficientes eletro-ópticos de cerâmicas de PLT puderam ser estimados. Os resultados obtidos mostraram a importância de tratamento térmico pós-prensagem a quente e da concentração de lantânio na obtenção corpos cerâmicos de PLT transparentes com propriedades estruturais, microestruturais, elétricas e ópticas adequadas a aplicações tecnológicas.
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Estudo de efeitos quânticos nas propriedades eletrônicas de nanofios semicondutores

Dias, Mariama Rebello de Sousa 02 March 2010 (has links)
Made available in DSpace on 2016-06-02T20:16:46Z (GMT). No. of bitstreams: 1 2847.pdf: 4261056 bytes, checksum: 63327b86f7f4260929f02341e1e0ca39 (MD5) Previous issue date: 2010-03-02 / Universidade Federal de Sao Carlos / The growth and characterization of semiconductor nanowires systems have attracted increasing interest due to their potential technological application, like, photo-detectors, optoelectronic devices and their promising features for quantum information processing and photonic applications. The goal of this work is the characterization of properties of semiconductor nanowires. The study was started within the framework of classical electrodynamics and this model for light-scattering was contrasted with experimental results from the photoluminescence. This classical model has been published in the literature without a concrete discussion and its application range is often not compatible with the analyzed experimental phenomenology. Thus, we have introduced quantum elements to elucidate a consistent phenomenology with the results obtained in the experiments. Through the k.p method, using in particular the Luttinger Hamiltonian, the effects of biaxial confinement and strain were analyzed in the valence band of semiconductor nanowires. This study was complemented with the description of optical properties. For the conduction band states, we were able to introduce the spin-orbit interaction since analytical results, successfully obtained from the simulation of the valence band, could be directly used in this new calculation. / Os estudos recentes, tanto da síntese quanto da caracterização, de sistemas de nanofios semicondutores se tornaram atraentes devido sua importância tecnológica na construção de fotodetectores, dispositivos opto-eletrônicos e seu uso potencial no processamento de informação quântica e aplicações fotônicas. O presente trabalho propõe a caracterização de propriedades de nanofios semicondutores. Iniciou-se o estudo nos marcos da eletrodinâmica clássica, no qual o espalhamento da luz foi contrastado com resultados experimentais de fotoluminescência encontrados na literatura. Os modelos clássicos aparecem na literatura sem uma discussão procedente e seus marcos de aplicação muitas vezes não são compatíveis com a fenomenologia experimental analisada. Assim, nos foi possível introduzir elementos quânticos para elucidarmos uma fenomenologia coerente com os resultados obtidos pelos nossos colaboradores experimentais. Através do método k.p, em particular pelo Hamiltoniano de Luttinger, analisamos os efeitos do confinamento biaxial e de strain na banda de valência de nanofios semicondutores. Complementando a abordagem de propriedades óticas, finalizamos esta dissertação analisando os efeitos da interação spin-órbita na banda de condução, uma vez que os resultados analíticos, satisfatoriamente obtidos para o estudo da banda de valência, poderiam ser utilizados nesse novo cálculo.
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Síntese e caracterização de compósitos multiferroicos de manganita La: Sr e titanatos de Ba e Sr

Paranhos, Rafael Rodrigo Garofalo 18 March 2011 (has links)
Made available in DSpace on 2016-06-02T20:16:48Z (GMT). No. of bitstreams: 1 3948.pdf: 2098241 bytes, checksum: 0b554283c942172b9f364fe518595bcf (MD5) Previous issue date: 2011-03-18 / Universidade Federal de Sao Carlos / In this paper, we seek to prepare composite multiferroics extrinsic whose potential for technological applications, especially in the electronics industry, and the possibility of new phenomena of fundamental scientific interest made the subject multiferroics has attracted attention and efforts of the scientific community. Such composites have in its constitution the combination of ferroelectric barium titanate, strontium titanate in paraelectric and the ferromagnetic lanthanum-strontium manganite. This choice is due to the interesting magnetic properties of manganites and its strong coupling between the magnetic properties, electrical and estrututrais, leading to the occurrence of giant magnetostrição [1]. The ferroelectric chosen has a structure compatible with that of the manganite. Moreover, the possibility of adjusting the ferromagnetic transition temperature of the manganite, through chemical doping could make room for the optimization of their properties at room temperature. The synthesis method chosen was the Pechini chemical route, featuring good conditions of uniformity in their characteristics and the final conformation of the specimen was (0-3) For the characterization of the samples was proposed a protocol starting from the structural characterizations and chemical profiles using X-ray diffraction, microstructural through the electron microscope using a high-resolution physical characterizations of relative density, resistivity, dielectric and ferroelectric properties and, finally, analysis of magnetoelectric coupling. The results that deserve mention are the correct phase formation in composite materials and a good densification of the bodies of evidence, above 90%. We can observe the deterioration of electrical properties in composite materials / Neste trabalho, buscamos preparar compósitos multiferroicos extrínsecos cujo potencial para aplicações tecnológicas, em especial na indústria eletrônica, e a possibilidade de ocorrência de novos fenômenos fundamentais de interesse científico fizeram com que o tema multiferroicos tenha atraído a atenção e os esforços da comunidade científica. Tais compósitos apresentam em sua constituição a combinação do ferroelétrico titanato de bário, do paraelétrico titanato de estrôncio e com o ferromagnético manganita de lantânio-estrôncio. Esta escolha se deve às interessantes propriedades magnéticas das manganitas e seu forte acoplamento entre as propriedades magnéticas, elétricas e estrututrais, levando à ocorrência de magnetostrição gigante [1]. O ferroelétrico escolhido tem uma estrutura compatível com a da manganita. Além disso, a possibilidade do ajuste da temperatura de transição ferromagnética da manganita, através de dopagem química, poderia abrir espaço para a otimização das suas propriedades à temperatura ambiente. O método de síntese escolhido foi a rota química Pechini, por apresentar boas condições de uniformidade em suas características finais e a conformação do corpos de provas foi a (0-3) Para a caracterização das amostras foi proposto um protocolo de caracterizações partindo da estrutural e química, utilizando os perfis de difratometria de raios-X, passando pela microestrutural utilizando um microscópio eletrônico de alta resolução, caracterizações físicas de densidade relativa, resistividade, propriedades dielétricas e ferroelétricas e, finalizando, análise do acoplamento magnetoelétrico. Os resultados que merecem destaque são a correta formação de fase nos materiais compósitos e uma boa densificação dos corpos de provas, acima de 90%. Pode-se observar a deterioração das propriedades elétricas nos materiais compósitos
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Estudo das propriedades estruturais através de espectroscopia Raman de amostras de grafite de poucas camadas (GPC) obtidas por clivagem mecânica

Gavelán, Ricky Nelson Burgos 25 August 2011 (has links)
Made available in DSpace on 2016-06-02T20:16:49Z (GMT). No. of bitstreams: 1 4454.pdf: 4088543 bytes, checksum: b829b174ad1b522d296bc77ec8d4012b (MD5) Previous issue date: 2011-08-25 / Financiadora de Estudos e Projetos / In this work, We report studies on samples of graphite few layers obtained from micromechanical techniques of cleaving Manual of highly oriented pyrolytic graphite (HOPG). In order to checking the number of layers in each sample, each was physically characterized by spectroscopic measurements using the Raman technique. We studied the ratio of the intensities of the first-order band permitted G, and the second-order band resonance G′(2D) (IG=I2D), from Raman spectroscopy, provides useful information about stacking of graphite layers to verify the presence of few layers in the samples. The results of this study show that by Raman spectroscopy is possible to obtain information from the structural composition of the material and allows knowing the stacking of graphite layers in the samples. Since was used HOPG, there is no information of the size of crystallite represented by disorder induced D band , since this material has long range crystalline symmetry where the crystal size is much larger than the spot of laser used for the measurements. / Neste trabalho realizamos estudos em amostras de grafite de poucas camadas obtidas a partir de técnica clivagem manual micro-mecânica de grafite pirolítica altamente orientada (HOPG). Visando a verificação do numero de camadas em cada amostra, cada uma delas foi caracterizada fisicamente através de medidas espectroscópicas utilizando a técnica de Raman. Foram estudadas a razão entre as intensidades da banda permitida em primeira ordem G, e a banda de ressonância dupla G′(2D) (IG=I2D), da espectroscopia Raman, que fornece informação do empilhamento das camadas de grafite para verificar a presença de poucas camadas nas amostras. Os resultados obtidos neste trabalho mostram que através da espectroscopia Raman é possível obter informação sobre a estrutura do material, e permite conhecer o empilhamento das camadas nas amostras de grafite. Sendo que, foi utilizado grafite pirolítica altamente orientada HOPG, não se tem informação do tamanho do cristalito representado pela banda induzida pela desordem D, já que este material possui uma simetria cristalina de longo alcance onde o tamanho do cristal é muito maior que o spot do laser usado para as medidas.
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Ondas de spin em paredes de domínio unidimensionais em monocamadas magnéticas

Caprara, Leandro Peres 16 August 2012 (has links)
Made available in DSpace on 2016-06-02T20:16:49Z (GMT). No. of bitstreams: 1 4517.pdf: 1547785 bytes, checksum: 6effb94c4a1e222fb3264328e57ccfc6 (MD5) Previous issue date: 2012-08-16 / Financiadora de Estudos e Projetos / Recent investigations on ferromagnetic monolayers predict the existence of spinwave modes without gap in the spectrum, even in the presence of anisotropy. These excitations propagate within the domain walls that exist in the monolayer, hence in quasione- dimensional structures. They are different from the known bulk-modes whose spectrum presents anisotropy gap and whose propagation may cover all the monolayer's extension. Moreover, since they do not have gap in the spectrum, the predicted modes are not associated to an activation temperature and must influence low-temperature observable physical properties. In the present work, a theoretical study is presented for a single ferromagnetic monolayer with domain walls and the response toan oscillating magnetic field. Gapless spin-wave modes' resonances are studied in the results. / Investigações recentes em monocamadas ferromagnéticas prevêem a existência de modos de onda de spin sem gap no espectro, mesmo na presença de anisotropia. Estas excitações propagam-se no interior das paredes de domínio existentes na monocamada, portanto em estruturas quase unidimensionais. Elas distinguem-se dos modos já conhecidos cujo espectro possui gap de anisotropia e cuja propagação pode cobrir toda extensão da monocamada. Além disso, por não terem gap no espectro, os modos previstos não associam uma temperatura de ativação e devem influenciar as propriedades físicas observáveis a baixas temperaturas. Este trabalho apresenta um estudo teórico de uma monocamada ferromagnética com paredes de domínio e a resposta a um campo magnético oscilante. As ressonâncias dos modos de onda de spin sem gap são estudadas como resultado.
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Fabricação e caracterização de dispositivos baseados em nanofitas de Óxido de Estanho (SnO2)

Araujo, Luana Santos 06 August 2012 (has links)
Made available in DSpace on 2016-06-02T20:16:50Z (GMT). No. of bitstreams: 1 4597.pdf: 4969541 bytes, checksum: 0c4ad3622ff1fff329715957974221ed (MD5) Previous issue date: 2012-08-06 / Financiadora de Estudos e Projetos / The structural and transport features of tin oxide nanobelts synthesized by the vapor-solid method combined with the carbothermal reduction process were investigated in this work. The samples synthesized were characterized by using experimental techniques such as scanning and transmission electron microscopy and x-ray diffraction. The nanobelts were found to be single crystals of rutile-type structure with a well defined growth direction. Electronic devices based on single nanobelt and on nanobelts dispersion were fabricated to measure the electronic properties of these samples. The semiconductor behavior was observed by the electron transport measurements data performed on a single nanobelt device, which pointed to the variable range hopping process as the main transport mechanism in a large range of temperature (77 K <T <250 K). The characteristics and the charging processes at the interface between metal and semiconductor were used as a basic tool in the investigation of conduction mechanisms. Experimental curves obtained from nanobelts dispersion devices were described by a model based on the thermionic emission theory. The model allowed the analysis of different Schottky barriers on the same device and allowed the study of barrier dependence on the metal work function and the existence of interface states. The experimental values of the Schottky barriers showed independence with the metal work function metal used but a very high correlation with the Bardeen model. This result is a consequence of the presence of interface states that induce Fermi level to show a fixed value around the charge neutral level resulting in the independence between the Schottky barriers and the metal contacts. / Neste trabalho foram investigadas caracteristicas estruturais e de transporte eletronico em nanofitas de oxido estanho sintetizadas pelo metodo vapor-solido aliado ao processo de reducao carbotermica. Estudamos as caracteristicas estruturais das amostras sintetizadas utilizando-se tecnicas experimentais como microscopias eletronicas de varredura e de transmissao e difracao de raios-x e comprovou-se que sao monocristais com estrutura do tipo rutilo e apresentam uma direcao preferencial de crescimento bem definida. Para as medidas de caracterizacao eletronica foram fabricados dispositivos de uma unica nanofita e dispositivos constituidos de uma dispersao de nanofitas. O estudo dos mecanismos de transporte eletronico foi realizado com dispositivos de unica nanofita e mostrou caracteristicas de um material semicondutor, apresentando o mecanismo de hopping de alcance variavel em um grande intervalo de temperaturas (77 K < T < 250 K), identificado como principal processo de transporte eletronico. As caracteristicas e os processos na interface entre o metal e o semicondutor foram usados como ferramenta basica para as investigacoes dos mecanismos de conducao. Mostrou-se, a partir da teoria da emissao termionica, um modelo que permitiu descrever bem as curvas experimentais, obtidas atraves de medidas realizadas em dispositivos com dispersao de nanofitas. O modelo de duas barreiras permitiu uma analise da formacao de diferentes barreiras Schottky num mesmo dispositivos permitindo ainda, um estudo sobre a dependencia da barreira com a funcao trabalho do metal e com a existencia de estados de interface. Atraves dos valores experimentais obtidos para as barreiras Schottky observou-se uma independencia destes valores com a funcao trabalho do metal usado, mas uma concordancia muito grande com o modelo de Bardeen. Esse resultado e consequencia da presenca de estados de interface que induzem o nivel de Fermi a apresentar um valor fixo em torno do nivel neutro de carga tornando a formacao da barreira Schottky independente do metal usado para os contatos
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Estudo por espalhamento Raman dos efeitos de desordem química e estrutural no espectro de fônos do InSb indentado.

Joya, Miryam Rincón 20 July 2004 (has links)
Made available in DSpace on 2016-06-02T20:16:50Z (GMT). No. of bitstreams: 1 DissMRJ.pdf: 5435479 bytes, checksum: 91dfb5aa0e471a72ea9d77884113df60 (MD5) Previous issue date: 2004-07-20 / Financiadora de Estudos e Projetos / Neste trabalho foi feito um estudo das modificações sofridas pelo antimoneto do índio (InSb) crescido na direção[100° quando submetido a realização de testesde microindentações mecânicas e a laser pulsado fentosegundos. Foram feitas, além de amostras cristalinas, microindentações no material usinado no regime dúctil em diferentes condições. Do mesmo modo estudou-se o material submetido a pressão hidrostática e por impacto. Os estudos topográficos e tomográficos das amostras foram feitos por meio de espectroscopia micro-Raman com diferentes comprimentos de onda das luz de excitação. Esta é uma técnica não dstrutiva que permitiu fazer microanálises em pequenas regiões (da ordem de microns) tanto superficial como em profundidade e nos proporcionou informação qualitativa da transformação tanto estrutural quanto química do material. Os deslocamentos das frequências dos fônons e o surgimento de novos modos Raman ativos nos permitiram analisar as transações de fase na microindentação e em torno dela. Durante as microindentações e microusinagem o material está sujeito a deformações e um alto grau de estresse localizado. Após a indentação (descarga) o material tende a se recuperar das deformações que aconteceram durante o processo. Esta recuperação não é total, o que gera estresse residual e amorfização na amostra. Os novos picos Raman ativos são atribuidos a uma nova fase cristalina, a wurtzita, nas indentações mecânicas e por impacto (mudança de estrutura); e uma migração do antimonio à superfície (desordem química) na indentação a laser. Do mesmo modo, aparecem as bandas amorfas que dão informação da desordem estrutural. Também empregou-se microscopia eletrônica de varredura (MEV) espectroscopia de energia (EDS) para avaliar as dimensões dos danos e as mudanças na superfície do material.
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Estudo do modo coletivo massivo do líquido de Fermi ferromagnético

Brentan, Henrique Brito 25 February 2014 (has links)
Made available in DSpace on 2016-06-02T20:16:53Z (GMT). No. of bitstreams: 1 5942.pdf: 2991636 bytes, checksum: 971f07181d7641c2643453df1caeaee5 (MD5) Previous issue date: 2014-02-25 / Financiadora de Estudos e Projetos / The present dissertation is divided in 4 chapters. From chapter 1 to 2, we review some basic concepts of the normal Fermi liquid theory (a set of interacting fermions in correspondence with the Fermi gas) such as quasiparticles, some equilibrium properties, and we also derive the kinetic equation for spin waves in presence and in absence of an external magnetic field. The main purpose of this work is the study of the massive mode (which has a gap in the energy spectrum, &#969;(q=0)&#8800;0) that exists in the liquid s isotropic ferromagnetic phase. The idea of chapter 3 is to review how the interaction between fermions leads to phase transitions in Landau Fermi liquid theory and also the concepts of broken symmetry and order parameter. Chapter 4 can be divided in three parts. In the first, we present the basis for ferromagnetic Fermi liquid theory (FFLT) and discuss how the phase transition from normal to ferromagnetic is accompanied by spontaneously broken symmetry, leading to propagating modes described by elementary excitations such as the Nambu-Goldstone mode and the massive mode. A second part, a review is taken in order to discuss the massive mode from "birth" to characterization as a massive mode like the Anderson-Higgs mode. Lastly, the third part presents the results obtained for the behavior of the massive mode in the presence of an external magnetic field. We compare the results obtained for the dynamic structure form factor with the ones obtained in previous works. / A presente dissertação foi dividida em 4 capítulos. Nos capítulos 1 e 2, revemos alguns conceitos básicos da teoria de líquido de Fermi normal (um conjunto de férmions interagentes em correspondência com o gás de Fermi) como o conceito de quasepartículas, algumas propriedades de equilíbrio e derivamos as equações cinéticas de onda de spin para o líquido de Fermi neutro na presença e na ausência de um campo magnético externo. A finalidade principal do trabalho é o estudo do modo massivo (com gap no espectro de energia onde &#969;(q=0)&#8800;0) que ocorre na fase ferromagnética isotrópica do líquido. Assim, a idéia do capítulo 3 é rever como a interação entre os férmios leva a transições de fase no líquido de Fermi e revisar os conceitos de quebra de simetria e parâmetro de ordem. O capítulo 4 pode ser divido em 3 momentos. No primeiro, apresentamos as bases da teoria de líquido de Fermi ferromagnético (FFLT Sigla em inglês para ferromagnetic Fermi liquid theory) e discutimos como a transição da fase normal para a ferromagnética é acompanhada por uma quebra espontânea de simetria levando a modos propagantes, descritos por excitações elementares como o modo de Nambu-Goldstone e o modo massivo. No segundo momento do capítulo 4 faz-se revisão dos artigos que discutem desde a existência do modo massivo no líquido de Fermi ferromagnético até a sua caracterização como um modo massivo do tipo Anderson-Higgs. Por fim, no terceiro momento são apresentados os resultados obtidos para o comportamento do modo massivo sob aplicação de um campo magnético externo ao sistema. Realiza-se uma comparação entre os resultados obtidos para o fator de estrutura dinâmico e aqueles obtidos em trabalhos anteriores.

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