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Apprentissage local avec des dispositifs de mémoire hautement analogiques / Local learning with highly analog memory devicesBennett, Christopher H. 08 February 2018 (has links)
Dans la prochaine ère de l'informatique distribuée, les ordinateurs inspirés par le cerveau qui effectuent des opérations localement plutôt que dans des serveurs distants seraient un avantage majeur en réduisant les coûts énergétiques et réduisant l'impact environnemental. Une nouvelle génération de nanodispositifs de mémoire non-volatile est un candidat de premier plan pour réaliser cette vision neuromorphique. À l'aide de travaux théoriques et expérimentaux, nous avons exploré les problèmes critiques qui se posent lors de la réalisation physique des architectures de réseaux de neurones artificiels modernes (ANN) en utilisant des dispositifs de mémoire émergents (nanodispositifs « memristifs »). Dans notre travail expérimental, nos dispositifs organiques (polymeriques) se sont adaptés avec succès et automatiquement en tant que portes logiques reconfigurables en coopérant avec un neurone digital et programmable (FGPA). Dans nos travaux théoriques, nous aussi avons considéré les multicouches memristives ANNs. Nous avons développé et simulé des variantes de projection aléatoire (un système NoProp) et de rétropropagation (un système perceptron multicouche) qui utilisent deux crossbars. Ces systèmes d'apprentissage locaux ont montré des dépendances critiques sur les contraintes physiques des nanodispositifs. Enfin, nous avons examiné comment les conceptions ANNs “feed-forward” peuvent être modi-fiées pour exploiter les effets temporels. Nous avons amélioré la bio-inspiration et la performance du système NoProp, par exemple, avec des effets de plasticité dans la première couche. Ces effets ont été obtenus en utilisant un nanodispositif à ionisation d'argent avec un comportement de transition de plasticité intrinsèque. / In the next era of distributed computing, brain-based computers that perform operations locally rather than in remote servers would be a major benefit in reducing global energy costs. A new generation of emerging nonvolatile memory devices is a leading candidate for achieving this neuromorphic vision. Using theoretical and experimental work, we have explored critical issues that arise when physically realizing modern artificial neural network (ANN) architectures using emerging memory devices (“memristors”). In our experimental work, we showed organic nanosynapses adapting automatically as logic gates via a companion digital neuron and programmable logic cell (FGPA). In our theoretical work, we also considered multilayer memristive ANNs. We have developed and simulated random projection (NoProp) and backpropagation (Multilayer Perceptron) variants that use two crossbars. These local learning systems showed critical dependencies on the physical constraints of nanodevices. Finally, we examined how feed-forward ANN designs can be modified to exploit temporal effects. We focused in particular on improving bio-inspiration and performance of the NoProp system, for example, we improved the performance with plasticity effects in the first layer. These effects were obtained using a silver ionic nanodevice with intrinsic plasticity transition behavior.
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Complexes de Ruthénium Bis-Terdentates pour la réalisation d'assemblages photoactivablesLiatard, Sebastien 03 April 2012 (has links) (PDF)
Ce mémoire est consacré à la synthèse et la caractérisation de complexes bis-terdentates de ruthénium pour leur potentielle utilisation dans des triades photosensibles, ou pour la fabrication de dispositifs photosensibles. La première partie se concentre sur les propriétés photophysiques de deux complexes de RuII bis-terdentates. Le premier est un complexe homoleptique, formé de ligands tridentates comprenant deux sous-unités carbène (CNC), le second est un complexe hétéroleptique composé d'un ligand CNC et d'une terpyridine. Ce complexe hétéroleptique est luminescent à température ambiante, contrairement à ses deux complexes parents homoleptiques. Les propriétés électrochimiques et photoélectrochimiques de complexes de type [M(tpy)2]2+ (M=FeII ou RuII), dont les ligands terpyridine sont substitués par des groupements thiols, sont étudiées dans une seconde partie. Ces complexes électropolymérisent de manière organisée sur des électrodes d'or, par oxydation des thiols en disulfures. Ces propriétés ont été utilisées pour construire des diades [RuII]-[FeII] sur des électrodes d'or, dont le photocourant a pu être mesuré. Dans le dernier chapitre, les propriétés photophysiques et d'électropolymérisation du complexe de ruthénium décrit dans le chapitre 2 sont utilisées pour tenter de fabriquer un transistor pho-toactivable.
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Complexes de Ruthénium Bis-Terdentates pour la réalisation d'assemblages photoactivables / Bis-terdentate ruthenium complexes for the construction of photoactive assemblies.Liatard, Sébastien 03 April 2012 (has links)
Ce mémoire est consacré à la synthèse et la caractérisation de complexes bis-terdentates de ruthénium pour leur potentielle utilisation dans des triades photosensibles, ou pour la fabrication de dispositifs photosensibles. La première partie se concentre sur les propriétés photophysiques de deux complexes de RuII bis-terdentates. Le premier est un complexe homoleptique, formé de ligands tridentates comprenant deux sous-unités carbène (CNC), le second est un complexe hétéroleptique composé d'un ligand CNC et d'une terpyridine. Ce complexe hétéroleptique est luminescent à température ambiante, contrairement à ses deux complexes parents homoleptiques. Les propriétés électrochimiques et photoélectrochimiques de complexes de type [M(tpy)2]2+ (M=FeII ou RuII), dont les ligands terpyridine sont substitués par des groupements thiols, sont étudiées dans une seconde partie. Ces complexes électropolymérisent de manière organisée sur des électrodes d'or, par oxydation des thiols en disulfures. Ces propriétés ont été utilisées pour construire des diades [RuII]-[FeII] sur des électrodes d'or, dont le photocourant a pu être mesuré. Dans le dernier chapitre, les propriétés photophysiques et d'électropolymérisation du complexe de ruthénium décrit dans le chapitre 2 sont utilisées pour tenter de fabriquer un transistor pho-toactivable. / This thesis deals with the synthesis and characterization of several bis-terdentate complexes, and their potential use for the construction of photoactive molecular triads, or the fabrication of photoactive devices. The first chapter focuses on the photophysical properties of two new bis-terdentate RuII com-plexes. The first one is a homoleptic complex containing two N-heterocyclic carbene-based ligands (CNC) allowing close-to-perfect octahedral coordination geometry. The second one is a heteroleptic complex bearing a CNC ligand and an ancillary terpyridine ligand. This second complex displays room temperature luminescence whereas both homoleptic terpyridine-based and CNC-based RuII complexes are only luminescent at 77 K. The second chapter describes the electrochemical properties of a [M(tpy)2]2+-type (M = RuII or FeII) complex bearing thiol groups on both of the terpyridines are described. These complexes display electropolymerization properties through oxidation of thiols into disulfides. This phenomenon happens only on gold, suggesting that the polymer chains organize on the surface of the electrodes. Moreover, self-assembled monolayers of the RuII complexes were formed on gold, and their ability to exchange charges with the electrode upon irradiation was studied. Finally, self-organisation and electropolymerization properties were used to form [RuII]-[FeII] diads on a gold surface, and their photoresponse was recorded. The last chapter describes the attempts to construct a molecular photosensitive device by electropolymerizing the RuII complexes depicted in the second chapter in nanogaps between gold electrodes.
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