Die 3D-Kartierung von Umgebungen spielt in der Robotik eine zunehmend wichtige Rolle. Mit Hilfe von 3D-Sensoren lassen sich dreidimensionale Umgebungen präzise erfassen. Allerdings vermessen selbst hochaufgelöste Scanner Oberflächen nur stichprobenartig. Zudem verbrauchen die gewonnenen Punktwolken viel Speicher. Eine Möglichkeit, die Diskretisierung aufzulösen und die Darstellung zu optimieren, ist, eine polygonale Umgebungsdarstellung aus den Punktdaten zu erzeugen. In dieser Arbeit wird ein Verfahren vorgestellt, mit dem sich komprimierte Polygonkarten automatisch erstellen lassen. Die Oberflächenrekonstruktion basiert auf einem modifizierten Marching-Cubes-Algorithmus. Die mit diesem Verfahren erzeugten Polygonnetze werden durch Optimierungsschritte in eine kompakte Darstellung überführt, die sich für Anwendungen in der Robotik einsetzen lässt, wie anhand von verschiedenen Einsatzbeispielen demonstriert wird.

In dieser Arbeit wurde eine Tandemsolarzelle aus III-V-Halbleitern auf der Gitterkonstanten von InP mit einem neuartigen Tunnelkontakt entwickelt. Für die Entwicklung der monolithischen Präparation wurden insbesondere kritische Hetero-Grenzflächen im Bereich des Tunnelkontaktes mit oberflächensensitiven Messmethoden untersucht. Die Tandemsolarzelle bestand aus Einzelsolarzellen mit Absorberschichten aus InGaAs (E_g=0,73eV) und InGaAsP (E_g=1,03eV), deren Serienverschaltung mit einem Tunnelkontakt erfolgte, der aus einer n-InGaAs- und einer p-GaAsSb-Schicht bestand. Die Halbleiterschichten wurden mit metallorganischer Gasphasenepitaxie (MOCVD) einkristallin auf einem InP(100)-Substrat gitterangepasst präpariert. Insbesondere wurde der Einfluss der Präparation von InGaAs-Oberflächen auf die Schärfe der InGaAs/GaAsSb-Grenzfläche in-situ mit RAS und nach einem kontaminationsfreien Transfer ins UHV mit UPS, XPS und LEED untersucht. Dabei konnten erstmals drei verschiedene Rekonstruktionen der MOCVD-präparierten InGaAs-Oberfläche beobachtet werden, die von der Heiztemperatur abhängig waren: eine As-reiche (4x3)-, eine InGa-reiche (2x4)- und eine ebenfalls InGa-reiche (4x2)/c(8x2)-Rekonstruktion. Danach erfolgte die Untersuchung des Wachstums von dünnen GaAsSb-Schichten auf diesen drei InGaAs-Oberflächen. Anhand des Sb/As-Verhältnisses im GaAsSb konnte die Präparation auf der (4x3)-rekonstruierten Oberfläche als die schlechteste beurteilt werden. Abschließend wurden Tandemsolarzellen mit verschieden dicken Absorberschichten der InGaAsP-Topzelle gefertigt. Der höchste Wirkungsgrad einer hier hergestellten Tandemsolarzelle betrug 7,3% unter einem gefilterten Sonnenspektrum, das eine GaAs-basierte Tandemsolarzelle mit großen Bandlücken (E_g>1,4eV) simulierte. Die Kombination einer solchen Tandemsolarzelle mit der hier entwickelten InGaAs/InGaAsP-Tandemsolarzelle hat das Potential, für konzentriertes Sonnenlicht eine Konversionseffizienz von deutlich über 40% zu erreichen. / A monolithic low band gap tandem solar cell made up of III-V semiconductors lattice matched to InP and including a novel tunnel junction was developed. Critical hetero interfaces were investigated in detail, in particular the ones related to the tunnel diode. The tandem solar cell was composed of single junction cells with InGaAs (E_g=0.73eV) and InGaAsP (E_g=1.03eV) absorber layers. The serial connection of the subcells was realized by using a tunnel junction including n-InGaAs and p-GaAsSb layers. Metal organic vapor phase epitaxy (MOVPE) was used to prepare the III-V layers lattice matched on InP(100) substrates. In particular, the influence of the preparation of the InGaAs surface on the sharpness of the InGaAs/GaAsSb interface was investigated in-situ by Reflection Anisotropy Spectroscopy (RAS). After a contamination free transfer to UHV the samples were analyzed by UPS, XPS and LEED. Three different surface reconstructions of MOVPE-prepared InGaAs were determined for the first time: an As-rich (4x3)-, an InGa-rich (2x4) and an also InGa-rich (4x2)/c(8x2)-reconstructed surface. In a second step, the growth of thin GaAsSb layers on the three different InGaAs surfaces was studied. The Sb/As-ratio in the GaAsSb layer indicated that the preparations on the InGa-rich surfaces result in a sharper interface. Finally, tandem solar cells with different thicknesses for the absorber layer of the top cell were produced. The highest efficiency obtained for the tandem solar cell was 7.3%, when measured under a filtered solar spectrum to simulate the operation below a GaAs-based tandem solar cell (E_g>1.4eV). The combination of a high band gap tandem solar cell with the InGaAs/InGaAsP tandem solar cell developed here is estimated to reach under a concentrated solar spectrum a total efficiency of more than 40% after further optimization steps.

Registering partial shapes plays an important role in numerous applications in the fields of robotics, vision, and graphics. An essential problem of registration algorithms is the determination of correspondences between surfaces. In this paper, we provide a in-depth evaluation of an approach that computes high-quality correspondences for pair-wise closest point-based iterative registration and compare the results with state-of-the-art registration algorithms. Instead of using a discrete point set for correspondence search, the approach is based on a locally reconstructed continuous moving least squares surface to overcome sampling mismatches in the input shapes. Furthermore, MLS-based correspondences are highly robust to noise. We demonstrate that this strategy outperforms existing approaches in terms of registration accuracy by combining it with the SparseICP local registration algorithm. Our extensive evaluation over several thousand scans from different sources verify that MLS-based approach results in a significant increase in alignment accuracy, surpassing state-of-theart feature-based and probabilistic methods. At the same time, it allows an efficient implementation that introduces only a modest computational overhead.

Die besonderen Eigenschaften von Graphen ermöglichen das Design von elektronischen Bauteilen im Nanometerbereich. Graphen kann auf der Oberfläche von Siliziumkarbonat (SiC) durch das Ausdampfen von Si epitaktisch gewachsen werden. Ein detailliertes Verständnis der atomaren und elektronischen Struktur der Grenzschicht zwischen Graphen und SiC ist ein wichtiger Schritt um die Wachstumsqualität zu verbessern. Wir nutzen Dichtefunktionaltheorie um das Hybridsystem Graphen-SiC auf atomarer Ebene zu beschreiben. Experimentelle Arbeiten auf der Si Seite von SiC haben gezeigt, dass die Grenzschicht (ZLG) durch eine teilweise kovalent gebundene Kohlenstofflage wächst; darüber bildet sich die erste Graphenlage (MLG). Durch das Konstruieren eines ab initio Oberflächenphasendiagrams zeigen wir, dass sowohl ZLG als auch MLG Gleichgewichtsphasen sind. Unsere Ergebnisse implizieren, dass Temperatur- und Druckbedingungen für den selbstbegrenzenden Graphenwachstum existieren. Wir zeigen, dass sich das Doping und die Riffellung von epitaktischem Graphene durch H-Interkalation reduzieren. Im Experiment unterscheidet sich das Graphenwachstum auf der C Seite qualitativ von der Si Seite. Zu Beginn des Graphenwachstums wird eine Mischung verschiedener Oberflächenphasen beobachtet. Wir diskutieren die Stabilität dieser konkurierenden Phasen. Die atomaren Strukturen von einigen dieser Phasen, inklusive der Graphen-SiC Grenzschicht, sind nicht bekannt wodurch die theoretische Beschreibung erschwert wird. Wir präsentieren ein neues Model für die bisher unbekannte (3x3) Rekonstruktion, das Si Twist Model. Die Oberflächenenergie vom Si Twist Model und von der bekannten (2x2)c Phase schneiden sich direkt an der Grenze zur Graphitbildung. Dies erklärt die experimentell beobachtete Phasenkoexistenz zu Beginn des Graphenwachstums. Wir schlussfolgern, dass auf der C Seite der kontrollierte Graphenewachstum durch Si-reiche Oberflächenphasen blockiert wird. / Graphene with its unique properties spurred the design of nanoscale electronic devices. Graphene films grown by Si sublimation on SiC surfaces are promising material combinations for graphene applications. Understanding the atomic and electronic structure of the SiC-graphene interface, is an important step to refine the growth quality. In this work, density-functional theory is used to simulate the SiC-graphene interface on an atomistic level without empirical parameters. Experimental work has shown that on the Si face of SiC, a partially covalently bonded carbon layer, the zero-layer graphene (ZLG), grows. On top of the ZLG layer forms mono-layer graphene (MLG) as large ordered areas and then few-layer graphene. By constructing an ab initio surface phase diagram, we show that ZLG and MLG are at least near equilibrium phases. Our results imply the existence of temperature and pressure conditions for self-limiting growth of MLG key to the large-scale graphene production. H intercalation significantly reduces both the corrugation and the graphene doping. Our calculations demonstrate that unsaturated Si atoms in the ZLG influence the electronic structure of graphene. The situation on the C face of SiC is very different. The experimental growth of large areas of graphene with well defined layer thickness is difficult. At the onset of graphene formation a phase mixture of different surface phases is observed. We will address the stability of the different occuring surface phases. However, the atomic structure of some of the competing surface phases, as well as of the SiC-graphene interface, is unknown. We present a new model for the (3x3) reconstruction, the Si twist model. The surface energies of this Si twist model, the known (2x2)c adatom phase, and a graphene covered (2x2)c phase cross at the chemical potential limit of graphite, which explains the observed phase mixture. We argue that well-controlled graphene formation is hindered by Si-rich surface phases.