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1	Towards high electron mobility in Gan(0001) based InGaN and AlGaN heterostructures / Hohe Elektronenbeweglichkeit in GaN(0001) basierten InGaN und AlGaN Heterostrukturen Broxtermann, Daniel 28 October 2011 (has links) No description available. 530 Physik Physics MBE RHEED 2DEG GaN InGaN AlGaN MBE RHEED 2DEG GaN InGaN AlGaN 33.72 Halbleiterphysik RVC 200 Kristallwachstum
2	Künstliche und selbstorganisierte Nanokomposite basierend auf oxidischen Verbindungen / Artificial and self-organized nano composites based on oxidic compounds Schnittger, Sven 18 August 2011 (has links) No description available. 530 Physik Physics Oxide Nanokomposite Dünne Schichten Selbstorganisation Sputterdeposition oxides nano composites thin films self organisation sputter deposition 33.61 33.68 33.79 RVF 800 RVF200 RVF220
3	Herstellung und Charakterisierung metallorganisch deponierter Pufferschichten für YBa2Cu3O7 / Preparation and Characterisation of Buffer Layers for YBa2Cu3O7 by Metal-Organic Deposition Jarzina, Harald 18 December 2003 (has links) Gegenstand dieser Arbeit ist die Herstellung und Charakterisierung von metall-organisch deponierten (MOD) Pufferschichten für den Hochtemperatursupraleiter YBa2Cu3O7 . Dazu wurde die Texturbildung in CeO2, Gd-dotiertem CeO2 (CGO) und Yttrium-stabilisiertem Zirkondioxid (YSZ) durch epitaktisches Wachstum auf YSZ-Substraten verschiedener Rauhigkeit und Textur untersucht. Nach Deposition der Precursorlösung (Ce-Acetylacetonat in einem Essigsäure/iso-Propanolgemisch) mittels Spin-coating wurden die Proben in einer Ar/H2-Athmosphäre bzw. an Luft bei 700-1300°C ausgelagert, wobei zunächst ein nanokristallines Gefüge entsteht.Nach Bildung einer epitaktischen Keimschicht an der Substratoberfläche konkurrieren während des weiteren Wachstums Kornvergröberung in der polykristallinen Deckschicht und epitaktisches Schichtwachstum miteinander. Die treibende Kraft für beide Prozesse resultiert dabei aus der hohen Korngrenzenergiedichte des nanokristallinen Precursorgefüges. Das Schichtwachstum wurde u.a. mit Röntgenverfahren und RHEED (Reflection High Energy Electron Diffraction) verfolgt. Eine biaxiale Textur wurde mit Röntgenverfahren im Falle des CGO auf YSZ-(001)-Einkristallen schon bei Auslagerungstemperaturen von ca. 790°C beobachtet, während eine epitaxiefähige Oberfläche erst bei Temperaturen von 1200-1300°C auftrat. Bei Auslagerungstemperaturen von 790°C verhindert eine untexturierte Deckschicht in der MOD-Schicht ein epitaktisches Anwachsen des YBa2Cu3O7.Die Untersuchung des Wachstumsverhaltens auf technischen IBAD(Ion-Beam-Assisted-Deposition)-YSZ Substraten ergab, daß die Oberflächenrauhigkeit die maßgebliche Einflussgröße ist, die die Erhöhung der mit Röntgenmethoden gemessenen optimalen Auslagerungsbedingungen bestimmt.Die Eignung der mit MOD hergestellten Pufferschichten als Substrat für ein biaxiales Aufwachsen der supraleitenden Schicht wurde durch die hohen Stromtragfähigkeiten nachgewiesen, die in den supraleitenden Filmen erreicht wurden. Mathematics and Computer Science Metallorganische Deposition epitaktisches Wachstum supraleitende Bandleiter CeO2 YSZ 530 Physik Metal organic deposition epitaxial growth coated conductors CeO2 YSZ 33.61 33.68 33.79
4	Oxidation und epitaktische Oxidation von Nickel und Nickellegierung / Oxidation and epitaxial oxidation of Nickel and Nickel alloys Brandt, Cirsten Maja 16 August 2002 (has links) No description available. 530 Physik Mathematics and Computer Science Oxidation epitaktische Oxidation Ni Ni(100) NiO NiO(111) NiO(100) SOE RABiTS Orientierungsumwandlung Oxidation epitaxial Oxidation Ni Ni(100) NiO NiO(111) NiO(100) SOE RABiTS change of orientation 33.61 Festkörperphysik
5	InN and In-rich InGaN Nanocolumns by Molecular Beam Epitaxy / InN und In-reiche InGaN Nanodrähte mittels Molekularstrahlepitaxy Denker, Christian 08 November 2011 (has links) No description available. 530 Physik Physics Nanodrähte InN In-reiches InGaN Kristalwachstum Nanodrahtwachstum Eigenschaften von InN Nanodrähten Nanowires InN In-rich InGaN crystal growth nanowire growth properties of InN nanocolumns 33.61 33.72
6	Ionenstrahlunterstütztes Wachstum von Zinn-dotierten Indiumoxid-Filmen / Ion beam assisted growth of tin-doped indium oxide films Thiele, Karola 26 March 2004 (has links) No description available. Mathematics and Computer Science Indium Zinn Oxid ITO dünne Schichten ionenstrahlunterstützte Deposition IBAD Mikrostruktur Wachstumsmechanismen elektrische Leitfähigkeit YBCO 530 Physik indium tin oxide ITO thin films ion beam assisted deposition IBAD microstructure growth mechanisms electrical conductivity YBCO 33.61 33.68 33.79 33.72 RVS 700: Mikrostruktur Gefüge- {Physik}
7	Analyse der Glättung rauer Oberflächen durch Dünnschichtdeposition / Analysis of smoothing of rough surfaces by thin film deposition Röder, Johanna 23 June 2009 (has links) No description available. 530 Physik Mathematics and Computer Science Oberflächenmorphologie Glättung Rauigkeit PLD Rasterkraftmikroskopie Frequenzanalyse dünne Schichten surface morphology smoothing roughness PLD atomic force microscopy frequency analysis thin films 33.68 33.61 33.66 RD RV 000: Kondensierte Materie {Physik}
8	GaN:Gd - Ein verdünnter magnetischer Halbleiter? / GaN:Gd - A dilute magnetic semiconductor? Röver, Martin 18 October 2010 (has links) No description available. 530 Physik Physics Molekularstrahlepitaxie Verdünnte magnetische Halbleiter Gadolinium Galliumnitrid Defekte Raumtemperaturferromagnetismus Positronenvernichtung GaN Gd MBE PAS dilute magnetic semiconductor gadolinium gallium nitride defects room temperature ferromagnetism positron annihilation spectroscopy GaN Gd MBE PAS 33.61 33.72 33.75 RVQ 460: Elektrische
9	Untersuchung der lokalen strukturellen und elektronischen Eigenschaften von Fe-GaAs Schottky-Kontakten mit atomar aufgelöster Raster-Tunnel-Mikroskopie in Querschnittsgeometrie / Investigation of the structural and local electronic properties of Fe-GaAs Schottky contacts with atomically resolved Scanning Tunneling Microscopy in Cross-sectional configuration Winking, Lars-Helge 29 January 2009 (has links) No description available. 530 Physik Mathematics and Computer Science STM STS Querschnittsgeometrie Fe GaAs idealer Schottky-Kontakt Bandlückenzustände Barrierenhöhe FEM-Simulation spitzeninduzierte Bandverbiegung STM STS Cross-sectional Fe GaAs ideal Schottky contact gap-states barrier heigt FEM simulation tip-induced band bending 33.05 33.61 33.68 RVQ 475: Halbleiter-Randschichten p-n-Übergänge {Physik: Elektrische magnetische und optische Eigenschaften}

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