Orientador: Maria Valnice Boldrin / Banca: Mário César Guerreiro / Banca: Luiz Henrique Dall'antonia / Resumo: O presente trabalho reporta os principais resultados obtidos na construção e caracterização de eletrodos de titânio recobertos com nanotubos de óxido de titânio modificados com nanopartículas de platina (TiO2/Pt) e eletrodos de cobre recobertos com nanopartículas de óxido de cobre (Cu/Cu2O) com vistas a sua aplicação na redução fotoeletrocatalítica de CO2 em meio aquoso e semicondutores em pó de CuNbO3-CuO, Cu0,85Zn0,15Nb2O6 e ZnNb2O6-Nb2O5 construídos e testados na redução fotocatalítica de CO2, com vistas a geração de produtos com maior valor agregado, tal como metanol. Os eletrodos TiO2/Pt e Cu/Cu2O foram construídos por meio de técnicas de eletroquímicas, enquanto que os semicondutores em pó CuNbO3-CuO, Cu0,85Zn0,15Nb2O6 e ZnNb2O6-Nb2O5 foram preparados utilizando a técnica de síntese por combustão e calcinação posterior. A redução fotoeletrocatalítica e fotocatalítica de CO2 não foi satisfatória sobre eletrodos de TiO2/Pt e semicondutor ZnNb2O6-Nb2O5, respectivamente. No entanto, o eletrodo de Cu/Cu2O apresentou grande eficiência na redução de CO2, atingindo 80% de remoção em meio de Na2CO3 0,3 mol L-1 pH 9 a +0,2 V, em solução tampão de NaHCO3/Na2CO3 0,1 mol L-1 pH 8, utilizando luz UV 125 W e potencial de +0,2 V mostrou uma reação praticamente seletiva para metanol, gerando 5,63 mmol L-1, correspondendo a 20% de conversão. Os semicondutores em pó CuNbO3-CuO e Cu0,85Zn0,15Nb2O6 também se mostraram bastante eficientes para a geração de metanol por redução de CO2 dissolvido em Na2CO3 0,1 mol L-1 pH8 utilizando luz visível de 450 W, chegando a formar 7,0 mmol L-1 e 3,2 mmol L-1 de metanol respectivamente. Os resultados obtidos neste trabalho mostram que ambas as técnicas podem ser empregadas para a redução do CO2, usando para isto os semicondutores Cu/Cu2O, CuNbO3-CuO e Cu0,85Zn0,15Nb2O6 e, poderia ser uma potencial alternativa para os problemas ambientais além de contribuir como fonte... / Abstract: This present work reports the main results obtained with the construction and characterization of TiO2 nanotubes modified by platinum nanoparticle electrode (TiO2/Pt) and copper covered by copper oxide nanoparticles electrode (Cu/Cu2O) for application in the photoelectrocatalytic reduction of dissolved CO2 and CuNbO3-CuO, Cu0,85Zn0,15Nb2O6 and ZnNb2O6-Nb2O5 powders semiconductors constructed and applied in the photocatalytic reduction of dissolved CO2 for the generation of products with higher added value. The TiO2/Pt and Cu/Cu2O electrodes were prepared by electrochemical techniques, whereas the CuNbO3-CuO, Cu0,85Zn0,15Nb2O6 and ZnNb2O6-Nb2O5 powder semiconductors were prepared using the combustion synthesis technique and submitted to annealed. The CO2 reduction by photoelectrocatalysis and photocatalysis were not satisfactory when using the TiO2/Pt electrode and the ZnNb2O6-Nb2O5 semiconductor, respectively. However, the Cu/Cu2O electrode shows a high efficiency in the CO2 reduction obtaining 80% of removal in 0.3 mol L-1 Na2CO3 pH 9 and +0.2 V, and, it showed a practically selective reaction to methanol (producing 5.63 mmol L-1), corresponding to 20% of conversion at ambient of 0.1 mol L-1 NaHCO3/Na2CO3 butter solution pH 8, using UV light of 125 W and +0,2 V. The CuNbO3-CuO and Cu0,85Zn0,15Nb2O6 powder semiconductors also showed a good efficiency to the methanol formation throughout dissolved CO2 reduction in 0.1 mol L-1 Na2CO3 pH 8 using visible light of 450 W, and forming 7 mmol L-1 and 3.2 mmol L-1 of methanol, respectively. The results obtained in this work show that both techniques can be employed for the CO2 reduction, using for this the Cu/Cu2O, CuNbO3-CuO and Cu0,85Zn0,15Nb2O6 semiconductors, and it could be a potential alternative to the environmental problems and contribute as raw material source for the production of fuels, for instance. / Mestre

Submitted by admin tede (tede@pucgoias.edu.br) on 2017-02-23T18:09:50Z No. of bitstreams: 1 Agamenon Lima do Vale.pdf: 10345014 bytes, checksum: a68a1e0b591671701cfc82d3023384fc (MD5) / Made available in DSpace on 2017-02-23T18:09:50Z (GMT). No. of bitstreams: 1 Agamenon Lima do Vale.pdf: 10345014 bytes, checksum: a68a1e0b591671701cfc82d3023384fc (MD5) Previous issue date: 2016-12-15 / In this work the drift velocity, the displacement and the mobility of the charge carriers in a n-type doped semiconductor were theoretically deduced. For this, we use a semi-classical equation based on Newton’s second law. The application was carried out in the Zinc Sulfide semiconductor (ZnS) in the wurtzite (WZ) and zincblende (ZB) phases, doped type n and submitted to low intensity electric fields. The dependence of the transport properties as a function of the electric field strength and the temperature was analyzed. The main result obtained is that the mobility in the WZ phase is greater than in the ZB phase. / Neste trabalho foi deduzido teoricamente a velocidade de deriva, o deslocamento e a mobilidade dos portadores de carga em um semicondutor dopado tipo n. Para tanto, utilizamos uma equação semi-clássica baseada na segunda lei de Newton. A aplicação se deu no semicondutor Sulfeto de Zinco (ZnS) nas fases wurtzite (WZ) e zincblende (ZB), dopado tipo n e submetido a campos elétricos de baixa intensidade. A dependência destas propriedades de transporte em função da intensidade do campo elétrico e da temperatura foi analisada. O principal resultado obtido é que a mobilidade na fase WZ é maior que na fase ZB.

Os materiais formados pelos elementos do grupo 13 e 14 da tabela periódica são de grande importância na construção de componentes eletrônicos como diodos e transistores. Por meio da deposição por vapor químico, quantidades controladas de átomos (boro, por exemplo) são introduzidas para modificar a estrutura eletrônica de aglomerados formados por outros elementos (o silício, por exemplo). Neste trabalho, foram realizados estudos para os aglomerados NnMm (N,M = Si, Ge, B, Al, Ga), com n + m ? 4, utilizando o método da teoria da perturbação de Møller-Plesset em segunda ordem (MP2), o método coupled cluster com excitações simples e duplas e triplas conectadas (CCSD(T)) e o método B3LYP baseado na teoria do funcional da densidade com os conjuntos de base cc-pVTZ e cc-pVQZ. Os resultados CCSD(T) foram extrapolados para o limite do conjunto de base completo (CBS, do inglês complete basis set). Os resultados CCSD(T)/CBS estão de acordo com os valores experimentais encontrados. Vários aglomerados foram estudados pela primeira vez. Para os aglomerados contendo apenas alumínio, verificou-se um caráter multiconfiguracional moderado, enquanto os funcionais com maior porcentagem de correlação Hartree-Fock apresentaram bom desempenho comparados aos valores CCSD(T)/CBS e em concordância com os resultados experimentais existentes.

A busca de melhores características elétricas, acompanhada de crescentes evoluções tecnológicas e novos materiais passivantes para junções semicondutoras vem sendo bastante pesquisados nas últimas décadas. Existem dois tipos de passivação: por filmes finos ou por filmes espessos. No primeiro caso são realizadas deposições de óxido de silício, carbeto de silício, nitreto de silício, enquanto que no segundo caso faz-se uso de materiais como borrachas de silicone ou vidros. A escolha entre filme fino e filme espesso está relacionada diretamente ao custo/benefício e as características do dispositivo final. Na indústria de semicondutores de potência opta-se pelos filmes espessos devido às grandes dimensões dos dipositivos e ao custo do processo empregado nas linhas de produção. Os passivantes mais utilizados em semicondutores de potência são borrachas de silicone e vidros. Os vidros inorgânicos são mais estáveis a temperaturas elevadas do que as borrachas de silicone. Neste trabalho procuramos desenvolver e controlar um processo de passivação a vidro em junções semicondutoras de dispositivos de potência para que seja usado numa linha de produção de diodos retificadores de alta estabilidade. Existem diferentes tipos de vidros para esta aplicação como os vidros de Al-Pb-B-Si e os vidros de Zn-B-Si. No presente trabalho foi realizada uma comparação entre a influência da composição química dos vidros, a granulometria do pó (frita) deste vidro, com a tensão de ruptura e corrente de fuga dos diodos levando em conta o rendimento do processo. Observou-se que fritas de vidro de Al-Pb-B-Si com granulometrias mais finas resultam em tensões de ruptura maiores com um rendimento de produção de até 33% superior aos demais casos. As correntes de fuga , à temperatura ambiente, para fritas de vidro de Zn-B-Si e Al-Pb-B-Si com diferentes granulometrias, se mostrou pràticamente a mesma. / The search for better electrical properties, new passivating materials for semiconductors junctions and the process of obtaining those ones have being studied intensively in the latest decades. There are two types of passivation layers: thick film and thin film. The first one is obtained by the deposition of silicon oxides, silicon nitride or silicon carbide, while in the second one is obtained through the application of silicon rubber or glass over the exposed juntion. The decision of using one or another depends on cost/benefit and desired electrical properties of the devices. In the semiconductor power industry the thick films are frequently used because the devices dimensions are large and the cost of these processes are cheaper than those of thin films. Silicon rubber and glass are widely used by this industry. The silicon rubbers are materials that show temperature resistance up to 2000C. The inorganic glasses are more stables at high temperatures. In this work we developed a process of glass passivation for power semiconductors devices, controlled this process and it is in use in a production line of a semiconductor power device industry. There are a few glasses for this application where the two more widely used are Al-B-Pb-Si glass and Zn-B-Si glass. In this work it was compared the influence of the glass chemical composition as well as frit grain size of the glass, over the breakdown voltage and leakage current of the devices. It was observed that glasses of Al-B-Pb-Si with smaller grain size gave better values of breakdown voltage with a production yield bigger up to 33%. It was obtained leakage current values of the same magnitude, at ambient temperature, for both kinds of glasses with different grain sizes and composition.

Neste trabalho foram processados e caracterizados dispositivos emissores de luz (LED’s) baseados em estruturas p-i-n a partir de filmes de GaAs dopados unicamente com Silício e crescidos através da técnica de Epitaxia de Feixes Moleculares sobre substratos de GaAs orientados nas superfícies (311)A e (211)A. Nas superfícies (311)A e (211)A, o Si tem comportamento anfótero, ou seja, pode ocupar tanto o sítio do Ga como o do As, o que resulta em filmes com portadores tipo n e p, respectivamente. As características elétricas dos filmes dependem das seguintes condições de crescimento: i) razão entre os fluxos de Ga e As; e ii) temperatura do substrato. As técnicas de caracterização utilizadas foram fundamentalmente: Fotoluminescência, IxV (corrente-tensão) e Efeito Hall. Os dispositivos p-i-n foram processados a partir de técnicas convencionais de fotolitografia e caracterizados a partir das técnicas de IxV e Eletrolumi-nescência. Os dispositivos estudados foram produzidos a partir de camadas de GaAs e AlGaAs crescidas nas direções [311]A e [211]A. Os dispositivos obtidos a partir de filmes dopados de GaAs apresentaram uma boa eficiência de emissão, porém foram observadas perdas ôhmicas ocasionadas pela natureza da junção obtida nestes planos, ocasionada por defeitos, principalmente nos filmes dopados tipo n que são crescidos em condições extremas de temperatura e pressão de Arsênio. Os dispositivos a base de AlGaAs apresentaram baixa eficiência e altas perdas, relacionadas com a alta compensação apresentada pelos filmes. Foram testados também dispositivos com heteroestruturas na camada intrínseca, apresentando resultados satisfatórios.

Orientador: Artemio Scalabrin / Tese (doutorado) - Universidade Estadual de Campinas, Instituto de Fisica Gleb Wataghin / Made available in DSpace on 2018-07-23T06:32:55Z (GMT). No. of bitstreams: 1 Garcia_GuilhermedeAndrade_D.pdf: 2909768 bytes, checksum: 2199555c358bacce6866f89f9cffe2b5 (MD5) Previous issue date: 1997 / Resumo: Montamos um Laser Semicondutor em Cavidade Estendida (LSCE) para contornar algumas limitações de diodos laser isolados como pequeno intervalo de sintonia, grande largura de linha e regiões espectrais inacessíveis. Usamos a configuração Littman-Metcalf devido a algumas vantagens importantes, uma das quais é a alta seletividade espectral devido ao uso de uma grade de difração com incidência rasante e dupla passagem. Esta configuração permitiu sintonia contínua de 10 GHz e descontínua de ± 5 nm, fornecendo potência útil de 3 mW em um feixe elíptico estável usando um diodo laser comercial sem coberturas refletoras ou anti-refletoras especiais. Usando controle de temperatura ativo e uma fonte de corrente comercial de boa qualidade estimamos uma largura de linha de 2 MHz. Este protótipo foi empregado como um espectrômetro laser no estudo da estrutura hiperfina e desvios isotópicos de um conjunto de linhas espectrais intensas do titânio próximas a 845 nm (DJ = -1; a 5Fi ® z 5Djodd). Através de uma Lâmpada de Cátodo Oco ("Hollow Cathode Lamp"), com um cátodo de titânio metálico não enriquecido e uma atmosfera de argônio, produzimos uma amostra gasosa de átomos refratários altamente populada nos níveis metaestáveis inferior. A escala de freqüências foi calibrada pelos picos de transmissão de um interferômetro Fabry-Perot confocal com 'Free-Spectral Range' de 75 MHz. Usando técnicas de espectros copia sub-doppler resolvemos a estrutura hiperfina e isotópica deste interessante átomo na região de 845 mm, obtendo desvios isotópicos e constantes hiperfinas com grande precisão, e permitindo a separação dos desvios isotópicos específicos e de campo / Abstract: We use an Extended Cavity Semiconductor Laser (ECSL) to overcome some drawbacks of solitary diode lasers as limited tuning range, large linewidth and inaccessible spectral regions. The Litman-Metcalf configuration was used because of its several advantages, e.g., a very small passband due to using a grating in double passage grazing incidence. This laser configuration allowed 10 GHz continuous and ± 5 nm discontinuous tuning range, with 3 mW output power in a stable elliptical beam, using a commercial diode laser with no special coatings. With a good commercial power supply and active temperature control we estimated a 2 MHz linewidth. Employing this ECSL as a laser spectrometer we investigated by saturated absorption sub-Doppler techniques a strong set of DJ = -1(a 5Fi ® z 5Djodd) lines of neutral titanium in the vicinity of 845 nm. Using a home made hollow cathode lamp with as non-enriched titanium cathode and argon buffer gas we produced a gaseous sample with highly populated lower metastable levels. The frequency scale was calibrated by the transmission peaks of a Fabry-Perot confocal interferometer with 75 MHz free spectral range. This apparatus enabled us to extract precise isotope shifts and hyperfine splitting constants from the even and odd isotopes, allowing separation of the field and specific mass shifts contributions / Doutorado / Física / Doutor em Ciências

Orientador: Lisandro Pavie Cardoso / Tese (doutorado) - Universidade Estadual de Campinas, Instituto de Fisica Gleb Wataghin / Made available in DSpace on 2018-09-11T20:50:12Z (GMT). No. of bitstreams: 1 Sasaki_JoseMarcos_D.pdf: 1706672 bytes, checksum: 69082fa1867b1a940eef73a9cf718b4a (MD5) Previous issue date: 1993 / Resumo: Neste trabalho, estruturas heteroepitaxiais semicondutoras foram estudadas através de diagramas Renninger obtidos com radiação de freamento de elétrons e radiação síncroton. Na simulação dos diagramas Renninger, o programa MULTX, que usa o método iterativo para o cálculo de intensidades em difração múltipla de raios-X foi implementado de forma a permitir a sua utilização. O fator de polarização para a radiação síncroton e o caminho médio dos feixes difratados dentro do cristal foram implementados no programa. Montagens experimentais automatizadas de alta resolução foram desenvolvidas para a caracterização das amostras e obtenção de diagramas Renninger com radiação de freamento de elétrons. O estudo dos diagramas Renninger com esta radiação mostrou quebra de simetria nas intensidades para a direção [111] em cristais cúbicos, que foram simuladas pelo MULTX. Também mostrou que as intensidades do diagrama Renninger são sensíveis à composição de AI em amostras GaAIAs/GaAs, sendo o caso de 4-feixes (000 002 113 111) Bragg-Laue o mais sensível para amostras espessas (t > 3mm) e o caso de 3-feixes de superfície (000 002 111) para amostras finas (t < 3mm). Reflexões híbridas, observadas pela primeira vez em diagramas Renninger para amostras GaAs/Si, mostraram a viabilidade de sua utilização na caracterização de estruturas heteroepitaxiais, e foram aplicadas ao sistema InGaAsP/GaAs. Com relação ao estudo do diagrama Renninger com radiação síncroton, o diagrama experimental para o lnP 006 foi utilizado como padrão para os testes da polarização e do caminho médio dos feixes difratados. Diagramas Renninger obtidos para amostra lnGaAs/ AlGalnAs/InP foram simulados com o programa MULTX, e entre outros efeitos, a simulação evidenciou o desdobramento do caso de 6-feixes em X = 90°, devido à deformação tetragonal na rede da camada / Abstract: In this work, Renninger scans obtained with Bremsstrahlung and synchrotron radiation were used to study semiconductor heteroepitaxial structures. The program MULTX was implemented to provide Renninger scan simulations and it is based on the iterative method to calculate X-ray multiple diffraction intensities. The polarization factor for the synchrotron radiation and also the diffracted beam path length were considered into the MULTX program. In order to characterize the sample to be analyzed and perform Bremsstrahlung Renninger scans automatized experimental setups with high resolution were developed. The study of these Renninger scans has shown symmetry loss in the multiple diffraction intensities for the [111] direction in cubic crystals, which were simulated by MULTX. It has also shown that the intensities are sensitive to the AI composition in GaAlAs samples, being the 4-beam Bragg-Laue case (000 002 113 111) the most sensitive for thick samples (t > 3mm) whereas the 3- beam surface case (000 002 111) is the best choice for thin samples (t < 3mm). Hybrid reflection which were observed by the first time in GaAs/Si Renninger scans have shown the feasibility of its use in the characterization of heteroepitaxial structures. As an application the InGaAsP/GaAs system was characterized. Regarding the study of synchrotron radiation Renninger scan the experimental InP 006 scan was taken as a standard to check the polarization factor and the diffracted beam pad1Iength. InGaAs/AlGaInAs/InP samples were analyzed and experimental Renninger scans were simulated with the MULTX program. The split of the 6-beam at X = 90° due to the layer tetragonal distortion, among other effects, was simulated. / Doutorado / Física / Doutor em Ciências

Orientador: Luis Carlos de M. Miranda / Tese (doutorado) - Universidade Estadual de Campinas, Instituto de Fisica Gleb Wataghin / Made available in DSpace on 2018-09-11T20:42:36Z (GMT). No. of bitstreams: 1 Lima_MirinaBarbosadeSousa_D.pdf: 1574590 bytes, checksum: a8ac39f191cd3bb7780329aa941bc36e (MD5) Previous issue date: 1980 / Resumo: Neste trabalho procedeu-se um estudo do efeito de campos externos sobre o comportamento de interações eletrônicas em semicondutores e em plasmas gasosos. Os campos externos consistiram de campos de lasers associados ou não à presença simultânea de um campo magnético d.c. No caso dos plasmas gasosos estudou-se o aquecimento via bremsstrahlung inverso ( BI ) devido a ação de lasers intensos. Demonstrou-se que devido as modificações que a presença dos dois lasers introduz na blindagem das interações coulombianas no plasma. o processo de BI. no caso de lasers intensos, pode dominar sobre outros mecanismos de aquecimento ( via modos coletivos ) devidos a absorção de energia do campo e.m. quando a frequência de batimento dos lasers assume valor próximo da frequência de plasma. A presença adicional de um campo magnético d.c. preserva esta característica mas leva, também, o BI a uma condição de inoperância quando a frequência do laser situa-se próxima da frequência de ciclotron dos elétrons no magnetoplasma ( ressonância ciclotrônica ). No que se refere aos efeitos sobre semicondutores abordou-se o problema da amplificação de fonons em presença de dois campos de lasers. Estabeleceu-se o condicionamento do processo e demonstrou-se ser viável a amplificação de fonons acústicos com frequências restritas a uma banda estreita. O caso do InSb sujeito a ação de um laser de CO2 e um laser de ICN foi tomado como exemplo / Abstract: The effect of external fields on the behavior of electron interactions in both a solid state and a gaseous plasma has been considered. The external fields consisted of strong electromagnetic waves by themselves or in association with a d.c. magnetic field. As to the interactions in a gaseous plasma the plasma heating by inverse bremsstrahlung ( IB ) was studied with the plasma irradiated with strong laser fields. It was shown that due to modifications introduced by two e.m. fields on the coulomb screening in the plasma the IB may turn out to be the main heating mechanism dominating over the heating by collective instabilities. This happens when the beating frequency w of the two lasers matches the plasma frequency wp. The additional influence of a d.c. magnetic p field preserves these characteristics of the IB heating for w = wp but renders the process essentially inoperant when the laser ciclotron resonanceobtains in the magnetoplasm. In regard of the effects upon a semiconductor plasma the problem of phonon amplification under the action of two laser fields wes considered. The conditions for the process to occur have been established and we have demonstrated the feasebility of phonon amplification within a narrow band of phonon frequencies. A typical calculation was worked out for an InSb sample under the simultaneous action of both a weak CO2 laser and a strong ICN laser / Doutorado / Física / Doutor em Ciências

Neste trabalho são apresentados os efeitos da irradiação iônica em lmes de InSb crescidos por epitaxia de feixe molecular e desbastamento iônico. As irradiações foram realizadas a temperatura ambiente, em incidência normal, com íons de Au a uma energia de 17 MeV, com fluências de irradiação que variam entre 5 1010 e 1 1015 ons/cm2. A an alise da microscopia eletrônica de transmissão realizada em amostras de InSb cristalina mostram que a porosidade inicia com pequenas esferas ocas de aproximadamente 2-3nm de diâmetro, sem a evidência de ion tracks amorfos, mas com estruturas altamente danificada. Com o aumento da fluência de irradiação, a coalescência de um grande número de poros produz rede interligada de nano os policristalinos. A evolução da porosidade em função da fluência de irradiação foi investigada com imagens de microscopia eletrônica de varredurra, e mostra que a espessura do lme aumenta em até 15 vezes. Os resultados de difração de raios x obtidos mostram que lmes de InSb crescidos por epitaxia de feixe molecular ou por sputtering podem se tornar porosos quando submetidos a irradiação iônica e atingem uma estrutura policristalina com cristalitos randomicamente orientados. Os espectros de RBS indicam a incorporação de C e um aumento na fração de O no material poroso, embora a quantidade de atomos de In e Sb não mude significativamente devido a irradiação. A caracterização eletrônica da XPS mostra que, com aumento da fluência de irradiação, as ligações In-Sb e In-O não mudam e, por outro lado, as ligações Sb-O aumentam e as Sb-In diminuem. As propriedades elétricas foram investigadas com medidas de efeito Hall, e mostram que, com o aumento da fluência de irradiação, há uma diminuição na mobilidade dos portadores devido aos defeitos criados pela irradiação, por em há o aumento do número de portadores. / Here we show the e ects of ion irradiation on InSb lms grown by molecular beam epitaxy and sputtering. The irradiations were performed at room temperature under normal incidence, with 17MeV Au ions with irradiation uences ranging from 5 1010 e 1 1015 ons/cm2. Transmission electron microscopy analysis performed in crystalline InSb samples shows that porosity initiates as small spherical voids of approximately 2-3nm in diameter, with no evidence of amorphous ions tracks, but highly damaged crystalline structures . With increasing irradiation uence, the coalescence of a large number of small voids yields an interconnected network of polycrystalline nanowires. The evolution of porosity as a function of irradiation uence was investigated with scanning electron microscopy images, and shows that the lm thickness increases up to 15 times. X-ray di raction results show that InSb lms grown by molecular beam epitaxy or by sputtering can become porous upon ion irradiation and attain a polycrystalline structure with randomly oriented crystallites. RBS spectra indicate of incorporation of C and an increase in O fraction in the porous material, although the amount of In and Sb atoms do not change signi cantly due to irradiation. The electronic characterization by XPS shows that, with increasing irradiation uence, In-Sb and In-O bonds do not change, on other hand Sb-O bonds increases and Sb-In decreases. Electrical properties were investigated with measures of Hall e ect, and show that, increasing irradiation uence, there is a decrease in carriers mobility due to defects created by the irradiation, however there is an increase in carriers amount.

A preparação de superfícies de silício na indústria microeletrônica é feita por processos que, geralmente, envolvem uma etapa por via úmida com soluções alcalinas ou contendo fluoretos. Tais sistemas produzem acabamentos diferenciados: a partir da dissolução em presença de bases fortes, ocorre a dissolução por meio de reações de natureza anisotrópica e com o uso de soluções contendo fluoretos, a maior aplicação tecnológica é devida ao ataque químico isotrópico. O presente trabalho investigou o comportamento de superfícies de p-Si (100) em condições de circuito aberto e de polarização anódica em meios contendo fluoretos. Foram utilizadas soluções de NH4F de diferentes concentrações, pH e tipo de solvente (água e metanol). A partir dos testes realizados avaliou-se a taxa de dissolução do silício e a morfologia resultante foi observada. Os resultados obtidos mostram que a taxa de dissolução aumenta com a concentração de fluoretos na solução. Com relação ao pH, foi observado que o ataque em meios ácidos é mais intenso em profundidade, produzindo superfícies porosas para qualquer condição testada. O efeito do solvente foi mais pronunciado nos ensaios em que a amostra foi polarizada. Evidenciando-se, assim, a possibilidade de obtenção de diferentes acabamentos superficiais pelo controle das condições adequadas de composição do meio (concentração de fluoretos, pH e solvente). / The silicon surfaces preparation in microelectronical industry is carried out generally by processes involving one wet step with alcaline or fluoride solutions. Such systems cause different superficial structures: by dissolution in presence of strong alcalis involving reactions of anisotropic nature or by the use of fluoride solutions, whose the largest technological application is due to isotropic chemical etching. The present work investigated the behavior of p-Si (100) under open circuit and anodic polarization conditions in solutions containing fluoride. NH4F solutions with different concentrations, pH and solvent (water and methanol) were used. The silicon dissolution rate was evaluated based on the tests carried out and the surface morphology was observed. The results obtained shown that the silicon dissolution rate increases with the fluoride concentration in the solution. Regarding to pH, we noted that the etching in acid solutions is deeper than in alcaline solutions, this kind of etching resulting in the formation of porous layers on the surface to any condition investigated. The solvent effect was observed when the samples were polarized. The results become evident, therefore, the possibility to obtain different superficial structures by the contrai of suitable conditions of solution composition (fluoride concentration, solution pH and solvent).