Dissertação (mestrado) - Universidade Federal de Santa Catarina. Centro Tecnologico. Inclui apendice / Made available in DSpace on 2012-10-16T05:22:57Z (GMT). No. of bitstreams: 0Bitstream added on 2016-01-08T18:17:03Z : No. of bitstreams: 1 91741.pdf: 1577555 bytes, checksum: 73f6935850c9837522bbdc8d99791380 (MD5) / Este trabalho apresenta uma estrutura de transistor MOS composto, formado pela associação em série de dois transistores, sendo que o transistor conectado no terminal de dreno é mais largo do que o transistor conectado no lado da fonte. É mostrado que esta estrutura apresenta características DC idênticas as de um transistor canal longo de largura uniforme. Este transistor composto têmduas grandes vantagens sobre o transistor canal longo equivalente de largura uniforme: economia considerável de área de silício e uma freqüência de ganho unitário mais elevada. Esta estrutura pode ser utilizada para a integração de circuitos analógicos que necessitem de altas velocidade e baixas tensões. A técnica proposta é particularmente adequada para o projeto de circuitos analógicos utilizando a metodologia de "gate-arrays" ("sea-of-transistor").

Dissertação (mestrado) - Universidade Federal de Santa Catarina, Centro Tecnológico, Programa de Pós-Graduação em Engenharia Elétrica, Florianópolis, 2010 / Made available in DSpace on 2012-10-25T00:27:30Z (GMT). No. of bitstreams: 1 284958.pdf: 3576986 bytes, checksum: 1b869546709de6f7d06abd28f377441c (MD5) / Em virtude de suas variadas aplicações em eletrônica, optoeletrônica, sensores, lasers, etc; o semicondutor Sulfeto de Zinco (ZnS), um material inorgânico pertencente ao grupo dos semicondutores II-VI, ultimamente recebe muitos estudos quanto as suas propriedades elétricas e eletrôncias, como também as mais variadas, viáveis, maneiras de sua obtenção. No presente trabalho falaremos a respeito das nanopartículas de ZnS se apresentando em sua maioria na fase cúbica, com tamanho médio de cristalito da ordem de t 2nm, segundo a fórmula de Scherer. Estas nanopartículas foram sintetizadas por via direta de reação líquido-sólido entre acetato de zinco bi hidratado (Zn(CH3COO)2 _ 2H2O) e tioréia ((NH2)2CS), seguida por tratamento térmico adequado em atmosfera ambiente a 190_C durante 3 h. O material resultante da reação então é caracterizado por Difração de Raios (DRX), Espectroscopia por Energia Dispersiva de Raios X (EDS), Microscopia Eletrônica de Varredura por Emissão de Campo (MEVEC),para obtenção de informações sobre sua estrutura, composição química, distribuição e forma de partículas, tamanho de grão, etc. Em estudo comparado com uma amostra de ZnS cristalino comercial, foram avaliados quanto as suas propriedades elétricas, após processo de prensagem e pastilhamento, através das análises em Potenciostato, onde levantaram-se

Dissertação (mestrado) - Universidade Federal de Santa Catarina, Centro Tecnológico, Programa de Pós-Graduação em Engenharia Elétrica, Florianópolis, 2010 / Made available in DSpace on 2012-10-25T04:25:43Z (GMT). No. of bitstreams: 1 284769.pdf: 982929 bytes, checksum: e6f628e30c0f2078abcef6ba2c4f3d36 (MD5) / Com o objetivo de se obter filmes finos do óxido de cobre (Cu2O) com comportamento ferromagnético a temperatura ambiente, este trabalho se concentrou na investigação das propriedades de filmes finos de Cu2O dopados com Co. Os filmes foram obtidos através da técnica de eletrodeposição, com o emprego de um eletrólito contendo 0,4 M CuSO4 (sulfato de cobre), 3,0 M C3H6O3 (ácido lático) e 0,004-0,016 M CoSO4 (sulfato de cobalto). Hidróxido de sódio numa concentração de 5,0 M foi adicionado ao eletrólito para se obter um valor de pH igual a 10. O substrato utilizado foi silício do tipo n (100), e a deposição foi realizada a temperatura ambiente aplicando um potencial constante de -0,5 V vs. SCE. A caracterização foi conduzida através de difratometria de raios X, espectroscopia óptica, microscopia eletrônica de transmissão e medidas de magnetometria utilizando um magnetômetro de amostra vibrante (MAV), um SQUID (superconducting quantum interference devices) e uma balança de Faraday. Os resultados obtidos por difratometria de raios X mostraram que os filmes finos de Cu2O eletrodepositados apresentam uma orientação preferencial na direção (200), seguindo a do substrato, e somente picos referentes ao substrato e ao Cu2O foram encontrados. Além disso, o parâmetro de rede apresenta uma dependência sutil com a quantidade de íons Co2+ incorporados. Foi também verificado que esta incorporação leva a um aumento da energia de gap do Cu2O, alcançado o valor de 2,27 eV. A caracterização magnética revelou que estes filmes apresentam comportamento ferromagnético, com temperatura de Curie de aproximadamente 555 K. Análise realizada por microscopia eletrônica de transmissão indicou a não existência de partículas de segunda fase, que poderiam ser as responsáveis por este sinal. Através destes resultados comprovamos que os filmes finos de Cu2O obtidos neste trabalho apresentam uma dopagem com átomos de Co e se caracterizam como um semicondutor ferromagnético diluído com comportamento ferromagnético a temperatura ambiente, alcançando assim o objetivo central deste trabalho.

Dissertação (mestrado) - Universidade Federal de Santa Catarina, Centro Tecnológico, Programa de Pós-Graduação em Engenharia Elétrica, Florianópolis, 2010 / Made available in DSpace on 2012-10-25T07:54:38Z (GMT). No. of bitstreams: 1 283294.pdf: 7132578 bytes, checksum: 28c53356b12b2aacad2a496c83a5976e (MD5) / A expansão industrial e tecnológica cresce rapidamente o que requer uma expansão de métodos de conversão de energia eficientes, baratos e ambientalmente seguros. Fortes evidências apresentam os polímeros orgânicos como materiais promissores na aplicação como condutores e em dispositivos emissores de luz. Inúmeras são as pesquisas realizadas no sentido de desenvolver e fabricar materiais poliméricos com propriedades mecânicas e eletroluminescentes controladas. Neste contexto, a Mecânica Quântica tem se apresentado como uma ferramenta indispensável nessa área. Neste trabalho filmes finos de polímeros dopados com Telureto de cádmio foram produzidos através da incorporação de nanopartículas de CdTe, de diferentes concentrações, em uma matriz polimérica de álcool polivinil. O material resultante foi caracterizado por espectroscopia na região do UV visível, microscopia de força atômica (AFM), infravermelho por transformada de Fourier (FTIR) e análise termogravimétrica (TGA). Esses filmes foram colocados entre placas de vidro condutoras transparentes, para montagem de um dispositivo fotovoltaico e caracterizados através de curva corrente - tensão, espectroscopia de absorção na região do ultravioleta-visível (UV-Vís).

Dissertação (mestrado) - Universidade Federal de Santa Catarina, Centro Tecnológico, Programa de Pós-Graduação em Engenharia Elétrica, Florianópolis, 2010 / Made available in DSpace on 2012-10-25T13:42:13Z (GMT). No. of bitstreams: 0 / Nos últimos anos, as eficiências de conversão de energia e na durabilidade das células solares têm melhorado rapidamente por esforços de muitos pesquisadores. Ainda não é suficientemente compreendido o transporte de elétrons ou lacunas nas interfaces existentes em células solares orgânicas, sendo um importante fator para melhorar o desempenho da célula. A técnica de auto organização (self assembled) Layer-by-Layer (LBL) provou ser um método simples para combinar nanopartículas de semicondutores com diferentes materiais orgânicos, a fim de construir um filme fino homogêneo. Essa técnica facilita o acúmulo de estruturas de multicamadas com diferentes materiais, o que é especialmente vantajoso para a fabricação de dispositivos eletrônicos. Uma alternativa que surge com baixo custo, alta eficiência e sem geração de poluentes são elementos semicondutores II-VI. Sua maioria apresenta band gap direto com alta absorção e alto coeficiente de emissão. Este trabalho estuda a síntese de nanopartículas de ZnS e ZnS:Mn2+ e caracteriza as nanopartículas através de técnicas de difração de raios X (DRX), microscopia eletrônica de varredura por emissão de campo (FESEM), microscopia eletrônica de transmissão (TEM), espectroscopia na região do UV visível, calorimetria exploratória diferencial (DSC). Então de posse das nanopartículas construir e estudar dispositivos com multicamadas caracterizando-os por técnica de Layer-by-Layer (LBL) utilizando as partículas de ZnS e ZnS:Mn2+ e caracterizar o dispositivo através de curva corrente - tensão, espectroscopia de absorção na região do ultravioleta-visível (UV-Vís) e microscopia de força atômica (AFM).

Tese (doutorado) - Universidade Federal de Santa Catarina, Centro de Ciências Físicas e Matemáticas. Programa de Pós-Graduação em Física. / Made available in DSpace on 2012-10-23T07:56:08Z (GMT). No. of bitstreams: 1 261775.pdf: 2136198 bytes, checksum: 74719dc2d73558d5578009c815cc0580 (MD5) / O Transistor de base metálica (TBM) é um tipo especial de transistor idealizado e desenvolvido no início da década de 1960, que possui potencial interesse no desenvolvimento atual de dispositivos spintrônicos. O objetivo principal desta tese é desenvolver e caracterizar um TBM tipo p fabricado inteiramente por eletrodeposição, buscando potenciais aplicações na área de spintrônica. A grande variedade de materiais que vêm sendo fabricados por eletrodeposição aumenta significativamente o interesse no estabelecimento desta técnica como alternativa simples e de baixo custo na preparação de filmes finos de alta qualidade. As propriedades elétricas das camadas eletrodepositadas vêm renovando o interesse da indústria nesta técnica, principalmente para aplicações de alta tecnologia. A estrutura do transistor estudado nesta tese é montada pela eletrodeposição sucessiva de um filme metálico, que pode ser Co ou Cu, na superfície de Si tipo p monocristalino, e de óxido Cu2O na superfície do filme metálico. Esta montagem caracteriza uma estrutura semicondutor - metal - semicondutor devido às propriedades naturais de semicondutor tipo p do Cu2O. As eletrodeposições do óxido semicondutor foram conduzidas potenciostaticamente, promovendo reações eletroquímicas de redução, através de eletrólito com sal de cobre e ácido lático em pH superior a 10, em condições ambientes. As eletrodeposições dos filmes metálicos em Si-p necessitaram da aplicação de luz durante os processos, devido às propriedades de condução do substrato tipo p de Si. Os potenciais de deposição encontrados para a formação da fase Cu2O foram sempre menos negativos que -0,60 V em relação ao eletrodo de referência, caracterizados por baixas taxas de deposição. A estrutura típica de TBM foi caracterizada quanto à composição e a morfologia por espectrometria de retro-espalhamento Rutherford, espectroscopia Raman, difração de raios X e microscopia de força atômica. Os dispositivos foram caracterizados eletricamente através de medidas de curvas de transistor e medidas a dois terminais. Os transistores eletrodepositados apresentaram propriedades dependentes das características da base metálica e do óxido emissor, com ganhos de corrente nas configurações base comum e emissor comum baseados no transporte de buracos através da base metálica. Os altos ganhos de corrente em base comum, aliados com informações obtidas pelas caracterizações morfológicas da base e das medidas elétricas, classificam nestes casos que os dispositivos apresentam um comportamento típico de transistor de base permeável. A investigação das propriedades magnéticas da base demonstrou que a corrente elétrica que atravessa os dispositivos é polarizada em spin, com ganho de corrente dependente da aplicação de campo magnético. Esta propriedade inclui o transistor eletrodepositado no grupo dos dispositivos spintrônicos.

Este trabalho descreve a obtenção e caracterização de cristais do composto semicondutor III-V-GaSb, crescidos a partir da fase líquida pelo método Czochralski e pela técnica do Líquido Encapsulante (LEC). Na parte experimental, apresenta-se o procedimento utilizado para o crescimento de cristais de GaSb não-dopados e dopados com Alumínio. Faz-se referência ao projeto e a construção de um sistema experimental para a injeção de vibração ultrasônica no banho, através do fundo do cadinho, durante o puxamento dos cristais e dos métodos utilizados na caracterização dos mesmos. Utiliza-se a técnica metalográfica por ataques químicos seletivos para o estudo dos defeitos de crescimento resultantes do método utilizado. Os resultados indicam que o Al utilizado como dopante em GaSb segrega preferencialmente pp o líquido (kef> 1), reduz a densidade de discordância no cristal e o ultra-som injetado no banho tem influência nas estrias rotacionais do mesmo. Dos reagentes químicos testados, nos cristais de GaSb dopados com Al, para a caracterização dos defeitos de crescimento, o que apresentou o melhor desempenho e a maior seletividade foi o reagente H2SO4 + H2O2 diluído ou não, em água deionizada. Os defeitos típicos observados nos cristais crescidos por LEC foram discordâncias, estrias rotacionais e precipitados. / This work describe the procedure used in the growth and characterization of GaSb compound semiconductor III-V with the Liquid Encapsulated Czochralski (LEC) technique. ln the crystal growth experiments doped and undoped GaSb crystals were obtained. The design and construction of the experimental apparatus to introduction of the ultrasonic vibration into the melt during the crystal growth is described. The crystals have been characterized by atomic absorption analysis, macrografic and micrografic examinations, microhardness tests, and electricalmeasurements. The results show that the effective coefficient distribution of Al in GaSb, is bigger that one (kef > 1). The etch pit densities were lower at the top than at the bottom of as-grown crystals and could be reduced through doping with Al. The ultrasonic vibration on the melt have affected the rotational striations in the crystals. The etching solution of H2O2 + H2SO4 diluted or not in water, has demonstrated the best performance for revealing typical defects in as-grown GaSb crystals.

123f. / Submitted by Suelen Reis (suziy.ellen@gmail.com) on 2013-05-08T15:32:21Z No. of bitstreams: 1 Dissertação Erick Santana.pdf: 2016867 bytes, checksum: 9e14b26fdb6c0f5c428a0fe5c4db4847 (MD5) / Rejected by Alda Lima da Silva(sivalda@ufba.br), reason: Documento de Física on 2013-05-08T18:25:31Z (GMT) / Submitted by Suelen Reis (suziy.ellen@gmail.com) on 2013-05-09T16:48:27Z No. of bitstreams: 1 Dissertação Erick Santana.pdf: 2016867 bytes, checksum: 9e14b26fdb6c0f5c428a0fe5c4db4847 (MD5) / Approved for entry into archive by Rodrigo Meirelles(rodrigomei@ufba.br) on 2013-05-09T17:08:49Z (GMT) No. of bitstreams: 1 Dissertação Erick Santana.pdf: 2016867 bytes, checksum: 9e14b26fdb6c0f5c428a0fe5c4db4847 (MD5) / Made available in DSpace on 2013-05-09T17:08:49Z (GMT). No. of bitstreams: 1 Dissertação Erick Santana.pdf: 2016867 bytes, checksum: 9e14b26fdb6c0f5c428a0fe5c4db4847 (MD5) Previous issue date: 2009 / Neste trabalho realizamos a montagem experimental dos equipamentos necessários para medida da condutividade em baixa temperatura iniciando com a descrição teórica envolvida, seguido daapresentação dos equipamentos utilizados e métodos de medidas. Mostramos que o método para medir a condutividade usada geralmente, ométodo de van der Pauw, apresenta dificuldades quando se trata de efetuar a soldas dos contatos nas amostras, mas que se obtêm resultados satisfatórios com a sua utilização. Com a caracterização do óxido de estanho dopado pelo flúor (SnO2:F) obtemos resultados, a partir de uma descrição teórica desenvolvida, que não eram verificadas em medidas de condutividade em baixa temperatura. Verificamos também que a teoria existente se torna inadequada, quando se trata de semicondutores com alta concentração de impurezas. / Salvador

PEREIRA, M. de S. Síntese e caracterização estrutural de óxidos semicondutores magnéticos diluídos do tipo SnO2 dopados com Fe, Co ou Mn produzidos pelo método sol-gel protéico. 2013. 91 f. Dissertação (Mestrado em Engenharia e Ciência dos Materiais) - Centro de Tecnologia, Universidade Federal do Ceará, Fortaleza, 2013. / Submitted by Marlene Sousa (mmarlene@ufc.br) on 2013-06-07T12:26:39Z No. of bitstreams: 1 2013_dis_mspereira.pdf: 4261093 bytes, checksum: 9ea381f5858bdf1043fd3261115331af (MD5) / Approved for entry into archive by Marlene Sousa(mmarlene@ufc.br) on 2013-06-07T17:02:38Z (GMT) No. of bitstreams: 1 2013_dis_mspereira.pdf: 4261093 bytes, checksum: 9ea381f5858bdf1043fd3261115331af (MD5) / Made available in DSpace on 2013-06-07T17:02:38Z (GMT). No. of bitstreams: 1 2013_dis_mspereira.pdf: 4261093 bytes, checksum: 9ea381f5858bdf1043fd3261115331af (MD5) Previous issue date: 2013 / The development of magnetic semiconductors has arisen growing attention due to their promising applications in spintronics. These materials can be produced by doping of a non-magnetic semiconductor with magnetic ions of transition metals. In this work, x-ray diffraction and infrared spectroscopy were used to study the structural characteristics of nanostructured Fe, Co or Mn-doped SnO2 oxide diluted magnetic semiconductors. The material was produced by a protein based sol-gel method called proteic sol-gel. To provide a basis for comparison, nanostructured standards of undoped SnO2 were produced with calcination temperatures of 300, 350 and 400◦ C. Samples of Sn1−x Mx O2−δ , where M is the magnetic dopant (Fe, Co or Mn) and x the dopant concentration, were prepared with the same calcination temperatures and x = 5, 10 and 20%. X-ray diffraction was used to identify the crystalline phases in the samples as well as to calculate structural parameters, particle sizes and residual microstrain. The analysis indicated that the synthesis resulted in nanosized compounds with the SnO2 structure. Samples calcined at 400◦ C presented the presence od spurious phases. Doping was confirmed by the variation of lattice parameters of compounds as a function of type and concentration of dopants. Vibrational modes of chemical bonds were identified by infrared spectroscopy. Based on this analysis, it was possible to study the energetic behavior of ionic bonds when doping elements are incorporated in Sn4+ sites in the host matrix. / O desenvolvimento de semicondutores magnéticos têm despertado crescente interesse dos pesquisadores devido suas promissoras aplicação na spintrônica. Estes semicondutores podem ser produzidos a partir da dopagem de semicondutor não magnético com íons de metais de transição. Neste trabalho, difração de raios-x e espectroscopia no infravermelho foram utilizados para estudar as características estruturais de óxidos semicondutores magnéticos diluídos nanoestruturados do tipo SnO2 dopados com Fe, Co ou Mn, produzidos pelo método sol-gel proteico. Padrões nanoestruturados de SnO2 sem dopagem foram produzidos com temperaturas de calcinação de 300, 350 e 400ºC para servir de base de comparação. Foram sintetizadas séries de amostras com fórmula geral Sn1−x Mx O2−δ , onde M é o elemento magnético (Fe, Co ou Mn) e x a concentração de dopante, com as mesmas temperaturas de calcinação e com três concentrações de dopante (5, 10 e 20%). A difração de raios-x foi utilizada para identificar as fases do composto assim como calcular os parâmetros estruturais, tamanhos de cristalito e microdeformações residuais. A análise indicou que a síntese resultou na obtenção de compostos com estrutura SnO2 com dimensões nanométricas. Amostras calcinadas a 400ºC apresentaram a presença de fases espúrias. A dopagem foi confirmada pela variação dos parâmetros de rede dos compostos em função do tipo e concentração dos dopantes. Os modos vibracionais das ligações químicas nos compostos foram identificados por espectroscopia infravermelho. Com base nesta análise, foi possível estudar o comportamento energético das ligações iônicas quando os elementos dopantes estão incorporados em sítios de íons Sn4+ na matriz hospedeira.

RIBEIRO, T. S. Caracterização estrutural e magnética de óxidos semicondutores magnéticos SnO2 e ZnO dopados com Fe, Co ou Mn sintetizados por moagem mecânica e sol-gel proteico. 2016. 127 f. Tese (Doutorado em Ciência de Materiais) – Centro de Tecnologia, Universidade Federal do Ceará, Fortaleza, 2016. / Submitted by Hohana Sanders (hohanasanders@hotmail.com) on 2016-07-15T13:12:52Z No. of bitstreams: 1 2016_tese_tsribeiro.pdf: 7218264 bytes, checksum: 6deed1e64b7480da88a5a90da3d8ef2a (MD5) / Approved for entry into archive by Marlene Sousa (mmarlene@ufc.br) on 2016-07-18T14:49:14Z (GMT) No. of bitstreams: 1 2016_tese_tsribeiro.pdf: 7218264 bytes, checksum: 6deed1e64b7480da88a5a90da3d8ef2a (MD5) / Made available in DSpace on 2016-07-18T14:49:14Z (GMT). No. of bitstreams: 1 2016_tese_tsribeiro.pdf: 7218264 bytes, checksum: 6deed1e64b7480da88a5a90da3d8ef2a (MD5) Previous issue date: 2016-05-23 / In this work, we studied the thermal, structural and magnetic properties of semiconductor oxides SnO2 and ZnO doped with cobalt, iron or manganese prepared by mechanical grinding of high energy and sol-gel protein. In general, samples taken presented nanostructured and the dopant ions Co2 +, Fe 3+ or Mn 2+ replacing Sn4 + or Zn 2+ ion host. Samples of SnO2 doped with Fe3 + and prepared by grinding increased by doping the semiconductor matrix as milling time function and showed no presence of impurities resulting from the synthesis. Results show the formation of iron sites in the SnO2 matrix with oxygen deficiency, which is assigned to the stoichiometric imbalance of the precursor compounds used in grinding. Samples SnO2 undoped and doped with Co 2+ and Mn 2+ protein synthesized by sol-gel revealed a large amount of organic material after the synthesis. This problem was solved with subsequent heat treatment. For samples SnO2 doped with Fe 3+ synthesis was more efficient suggesting that these ions behave as catalysts for the reactions. It was not possible to obtain complete doping the zinc oxide samples containing Fe3 + synthesized by mechanical milling, as several samples to the same concentration were subjected to several times of grinding without achieving complete incorporation of Fe3 + ions in the ZnO structure. zinc oxide and undoped samples protein synthesized by the sol-gel method with three calcination temperatures showed the formation of ZnO2 compound. The samples containing Fe3 + showed the ZnO compounds and ZnO2, with increasing fraction of the compound ZnO2 with increasing calcination temperature, suggesting that the Fe 3+ acts as a very efficient catalyst for the reaction. As for the zinc oxide samples containing Co2 + and Mn2 + showed only ZnO compound indicating that these ions acting as catalysts of the reaction more efficiently than Fe3 +. The sample doped with Mn2 + calcined at 600 ° C showed a fraction of ZnMn3. The magnetic measurements of all samples showed hysteresis loop indicating the presence of ferromagnetism at room temperature. The ferromagnetism of the doped SnO2 samples (both produced by milling or by sol-gel protein) had no consistent with the type and dopant concentration. It is possible that the ferromagnetism in these samples, obtained from the structural defects caused the addition of dopant atom and the synthesis process. Since the zinc oxide samples produced by sol-gel protein despite presençaa of ferromagnetism in the undoped sample, the inclusion of dopants magnetic ions introduced a considerable increase in saturation magnetization and a more modest increase in magnetic remanence. These results show that the substitutional doping Zn 2+ ions by magnetic led to a considerable improvement in the magnetic properties of the compound. / Neste trabalho, foram estudadas as propriedades térmicas, estruturais e magnéticas dos óxidos semicondutores SnO2 e ZnO dopados com cobalto, ferro ou manganês preparados por moagem mecânica de altas energias e sol-gel proteico. Em geral, as amostras obtidas se apresentaram nanoestruturadas e com os íons dopantes Co2+ , Fe3+ ou Mn2+ em substituição ao íon hospedeiro Sn4+ ou Zn2+. As amostras de SnO2 dopadas com Fe3+ e preparadas por moagem apresentaram aumento de dopagem na matriz semicondutora como função do tempo de moagem e não mostraram a presença de impurezas provenientes da síntese. Os Resultados mostram a formação de sítios de ferro na matriz de SnO2 com deficiência de oxigênio, que é atribuído ao desbalanço estequiométrico dos compostos precursores usados na moagem. As amostras de SnO2 sem dopagem e dopadas com Co2+ e Mn 2+ sintetizadas por sol-gel proteico apresentaram uma grande quantidade de matéria orgânica após a síntese. Esse problema foi solucionado com tratamento térmico posterior. Para as amostras SnO2 dopadas com Fe3+ a síntese se mostrou mais eficaz sugerindo que estes íons se comportam como catalisadores para as reações. Não foi possível obter dopagem completa nas amostras de óxido de zinco dopadas com Fe3+ sintetizadas por moagem mecânica, visto que várias amostras para uma mesma concentração foram submetidas a vários tempos de moagens sem conseguir a total incorporação dos íons Fe3+ na estrutura do ZnO. Amostras de óxido de zinco sem dopagem e sintetizadas pelo método sol-gel proteico com três temperaturas de calcinação apresentaram a formação do composto ZnO2 . As amostras dopadas com Fe3+ apresentaram os compostos ZnO e o ZnO2 , com aumento da fração do composto ZnO2 com o aumento da temperatura de calcinação, sugerindo que o Fe3+ age como um catalisador pouco eficiente da reação. Já as amostras de óxido de zinco dopadas com Co2+ e Mn2+ apresentaram somente o composto ZnO indicando que esses íons agem como catalisadores da reação de forma mais eficiente que o Fe3+. A amostra dopada com Mn2+ calcinada a 600 °C apresentou uma fração mínima de ZnMn3 . As medidas magnéticas de todas as amostras apresentaram laço de histerese indicando a presença de ferromagnetismo a temperatura ambiente. O ferromagnetismo das amostras dopadas de SnO2 (tanto as produzidas por moagem quanto por sol-gel proteico) não apresentaram consistência com o tipo e concentração de dopante. É possível que o ferromagnetismo nessas amostras seja proveniente dos defeitos estruturais ocasionados na adição do átomo dopante e do processo de síntese. Já nas amostras de óxido de zinco produzidas por sol-gel proteico, apesar da presençaa de ferromagnetismo na amostra sem dopagem, a inclusão dos íons magnéticos dopantes introduziu um aumento considerável na magnetização de saturação e um aumento mais modesto da remanência magnética. Esses resultados mostram que a dopagem substitucional de Zn2+ por íons magnéticos levou a uma melhoria considerável nas propriedades magnéticas do composto.