Orientador: Jacobus Willibrordus Swart / Dissertação (mestrado) - Universidade Estadual de Campinas, Faculdade de Engenharia Eletrica / Made available in DSpace on 2018-07-15T22:32:36Z (GMT). No. of bitstreams: 1 Favoretto_Marcio_M.pdf: 12934782 bytes, checksum: 363d51ca5a37571778abec81a174f998 (MD5) Previous issue date: 1992 / Resumo: Neste trabalho apresentamos um estudo das características físicas e elétricas de filmes finos de tungstênio (W) e siliceto de tungstênio (WSix) em função dos par âmetros de deposição por técnica de "sputtering" tipo RF magnetron. Os filmes finos. com espessura de aproximadamente 200 nm, foram depositados sobre substratos de GaAs e SiO 2/Si. As deposições foram feitas com pressão-base pressão-residual) de cerca de 6.10 Torr. Os parâmetros de deposição eram a pressão de Ar (argônio) e a potência RF, com variação de 5 a 50 mTorr e 300 a 700 Watts, respectivamente. Os filmes foram caracterizados quanto à resistividade (4-pontas), fase do filme (XRD) e composição (AES), sem recozimento e após tratamento térmico por RTA ("Rapid Thermal Annealing"). Diodos W/GaAs e WSi x/GaAs foram fabricados por processo fotográfico e "plasma etching, definindo portas Schottky de 200 µ de diâmetro sobre substrato de GaAs tipo n. (100) e resistividade 10-1 ? cm Cn =; 1.6.10145 cm-a). A estabilidade térmica dos diodos foi estudada recozendo diferentes amostras por RTA em diferentes condições. Estes recozimentos foram realizados em ambiente com sobre-pressão de arsênio eAs). O uso de pressão de Ar elevada durante a deposição resultou em filmes de aIta resistividade fase ß W) e diodos fabricados a partir destes filmes apresentaram baixa estabilidade o térmica Caté aproximadamente 600 C). Filmes de W de baixa resistividade (fase ? -W) foram obtidos reduzindo os valores dos parâmetros de deposição. Diodos fabricados com estes filmes o que apresentaram estabilidade térmica até 820 C/1Os ou 850 C/5s. com altura de barreira de 0.77 eV e fator de idealidade de 1.06 / Abstract: This dissertation presents a study of the physical and electrical characteristics of W and WSi x thin films as a function of the deposition parameters, done RF magnetron sputtering. Thin films of about 200 nm thickness were deposited on GaAs and SiO/2Si substrates. The depositions were done after a base-pressure of about 6.10-7 Torr was achieved. The deposition parameters were Ar pressure and RF power, varying from 6 to 50 mTorr and 300 to 700 Watts, respectively. The films were characterized about resistivity C4-point probe), phases CXRD) and composition CAES). before and after rapid thermal annealing CRTA) treatments. W/GaAs and WSi x/GaAs diodes were fabricated using photography procedure and plasma etching for definition of Schotlky gales with 200 µ diameter, on n type. (100). GaAs substrates with resistivity of 10-1 Ocm (n = 1016 cm-3). The thermal stabilily of lhe diodes was studied by annealing different samples by RTA in different conditions. These annealing were performed under an arsenic over-pressure ambient. The deposition of W under high Ar pressure produced films of high resistivity (ß phase) and diodes with low thermal slability (about 600 C). W films of low resistivity (?-W( phase) were obtained after reducing the pressure and power af the deposition process. The diodes made with these films presented a thermal slability up to 820"C/10s or 850"C/5s wilh barrier heighl of 0.77 eV and ideallity factor of 1.06 / Mestrado / Mestre em Engenharia Elétrica

Orientador: Carlos Ignacio Zamitti Mammana / Dissertação (mestrado) - Universidade Estadual de Campinas, Faculdade de Engenharia de Campinas / Made available in DSpace on 2018-07-16T04:28:08Z (GMT). No. of bitstreams: 1 Kretly_LuizCarlos_M.pdf: 8042297 bytes, checksum: 6afdd9cabec20c150d562a3931998a3f (MD5) Previous issue date: 1978 / Resumo: Para se avaliar o comportamento de dispositivos semicondutores, bem como controlar os parâmetros dos processos de fabricação, é necessário identificar os processos e mecanismos de transporte eletrônico que ocorrem no mesmo. Essa identificação e feita através da medida de grandezas elétricas convenientes. Essas medidas são estabelecidas em função de modelos matemáticos propostos para o comportamento do dispositivo. 0 presente trabalho objetiva o estabelecimento de um parâmetro conjunto de técnicas de medições elétricas que permitam caracterizar dispositivos eletrônicos semicondutores, com a finalidade de estabelecer os processos padrões de medição das características dos componentes fabricados no LED. A primeira parte deste consta de uma resenha de métodos de medida de resistividade de semicondutores, bem como dos modelos e fatores de correção para diversas geomeias e condições das amostras; o método das pontas e o método de vander Pauw são extensivamente analisados. Quatro No capítulo 2 se apresenta uma resenha dos modelos, para os principais processos elétricos dos dispositivos semicondutores e se discutem métodos de .medidas que permitem caracterizá-los. Para essas caracterizações são discutidas principalmente medidas do comportamento das variáveis terminais do dispositivo tendo como parâmetros a temperatura e/ou a radiação luminosa. Uma grande quantidade de 1nformções a respeito do dispositivo é a obtida através de um conjunto de medidas convenientes, compostos pelas seguintes características: IxV, log(I)xV, aI/av x v, 10g(aI/aV)xV, CxV, ml/C xV, como . função da temperatura e/ou radiação luminosa' incidente Estão descritos neste trabalho (capítulo 2) os modelos matemáticos ma1S significativos dos diapositivos eletrônicos, com o objetivo de exemplificar algumas das diversas técnicas e circuitos de instrumentação desenvolvidos para obter as medidas acima. o capítulo 3 descreve os circuitos desenvolvidos para se obter as principais medidas elétricas e apresenta os resultados experimentais obtidos com tal instrumental. A conveniência o~ não da utilização de algumas técnicas é, também, discutida, bem como sugestões para o futuro aperfeiçoamento daquelas que se apresentaram mais promissoras. o apêndice contém dados referentes ao capítulo 1 e informações sobre equipamentos cuja importância no desenvolvimento do trabalho exige uma referência direta / Abstract: Not informed. / Mestrado / Mestre em Engenharia Elétrica

Orientador: Navin B. Patel / Dissertação (mestrado) - Universidade Estadual de Campinas, Instituto de Fisica Gleb Wataghin / Made available in DSpace on 2018-07-16T07:56:54Z (GMT). No. of bitstreams: 1 Prince_FranciscoCarlosde_M.pdf: 1038865 bytes, checksum: d772b6815f6efdc55a459bafcbbd3a02 (MD5) Previous issue date: 1977 / Resumo: Não informado / Abstract: Not informed. / Mestrado / Física / Mestre em Física

Orientador: Milton Abramovich / Tese (doutorado) - Universidade Estadual de Campinas, Instituto de Fisica Gleb Wataghin / Made available in DSpace on 2018-07-16T07:00:15Z (GMT). No. of bitstreams: 1 Juliao_JoseFrancisco_D.pdf: 5860225 bytes, checksum: 92f75a8578e13bbedb3ab020f513bd24 (MD5) Previous issue date: 1980 / Resumo: Determinamos o desempenho de ânodos semicondutores de TiO2 (natural e sintético), SrTiO3 e BaTiO3 em células fotoeleItroquímicas. Verificamos que o rutilo (TiO2) natural com baixo teor de impurezas de Fe, pode fotoeletrolisar a água com uma eficiência próxima a do TiO2 sintético. Sugerimos que a fotocorrente anódica observada para eletrodos de TiO2 e SrTiO3 sob iluminação visível (hn < EG), provem de excitações eletrônicas através da camada de deplexão, e não de excitações na superfície / Abstract: The performance of semiconducting anodes of TiO2 (natural and synthetic) , SrTiO3 and BaTiO3 in a photoelectrochemical cell was studied. We verified that the natural rutile (TiO2) with small quantity of Fe impurities, might perform the electrolysis of water with an efficiency close to that of synthetic TiO2. The anodic sub-bandgap photocurrent at the TiO2 and SrTiO3 electrodes was examined and we show that it must come from excitation throughout the depletion layer and not just excitation at the surface / Doutorado / Física / Doutor em Ciências

Orientador: Carlos Henrique de Brito Cruz / Dissertação (mestrado) - Universidade Estadual de Campinas, Instituto de Fisica Gleb Wataghin / Made available in DSpace on 2018-07-16T09:39:48Z (GMT). No. of bitstreams: 1 Silva_ValeriaLoureiroda_M.pdf: 3530989 bytes, checksum: fb86135bf40c2cda8dff4330b0b3802c (MD5) Previous issue date: 1986 / Resumo: Este trabalho tem como objetivo a construção e estudo de uma chave óptica a semicondutor. Esta chave pode ser usada tanto para gerar pulsos curtos no infravermelho como para estudar o próprio semicondutor. O tempo de resposta da. chave depende das características do semicondutor e do laser usado para controle. Apresentamos aqui os resultados obtidos com uma chave de Ge controlada por laser de N2, NdYag e corante. O tempo de resposta obtido foi de 50 ns, limitado pelo tempo de recombinação do Ge. Obtivemos um aumento na refletividade, em 10,6 mm no Ge, de 7% para 59% quando usamos o laser de N2 para controlar a chave. Apresentamos também um modelo simples para o comportamento das propriedades ópticas do semicondutor que explica bastante bem os resultados encontrados experimentalmente / Abstract: In this work we have studied a semiconductor optical switch. Its main use Is in the generation of short infrared pulses but it can also be used to study the semiconductor. The switch response time depends on the semiconductor and on the control laser characteristics. We show the results obtained using a Ge switch controlled by N2, NdYag and Dye lasers. The response time was 50ns limited by the Ge recombination time. The reflectivity increased from 7% to 59% when we use a N2 laser to control the switch. We als show a simple model for the semiconductor optical properties that explain very well the experimental results / Mestrado / Física / Mestre em Física

Orientador: Jose Antonio Siqueira Dias / Dissertação (mestrado) - Universidade Estadual de Campinas, Faculdade de Engenharia Eletrica / Made available in DSpace on 2018-07-16T20:17:24Z (GMT). No. of bitstreams: 1 Silva_MarlyGuimaraesda_M.pdf: 5811416 bytes, checksum: db9914fbc0a77fc2ea804355b5265431 (MD5) Previous issue date: 1988 / Resumo: Os circuitos integrados analógicos de pequena e media complexidade podem, a exemplo dos circuitos digitais, ser confeccionados usando circuitos integrados semidedicados ("semi-custom"). Com esta técnica o projetista necessita apenas realizar as interconexões entre os dispositivos pré-difundidos na lâmina de silício. Entre as várias vantagens da utilização desta metodologia de projeto, podemos citar: baixo custo; rapidez na execução do projeto; rapidez na correção de algum eventual erro no projeto; rapidez na confecção do circuito integrado. Neste trabalho apresentamos o projeto de um "chip semi-custom" do tipo ¿array¿-analógico, em tecnologia bipolar, bem como o desenvolvimento de um suporte de C.A.D. dedicado ao "array"-analógico projetado. Este C.A.D., denominado "Array-Software", consiste de Editor Gráfico, Extrator de Interconexões, Verificador de Regras de Projeto a nível de metalização e Gerador de Padrões para cortes de máscara em Rubylith, compatível com o sistema usado no LED/UNICAMP. Por fim, analisamos os resultados obtidos nos ensaios de implementação de funções analógicas típicas, com o auxílio das ferramentas de projeto desenvolvidas / Abstract: Analog SSI and MSI Integrated Circuits. as the digital circuits, can be fabricated with semi-custom master-slíces. When using this technique, the design engineer needs only to make the ínterconnectíon of pre-diffused devices on the silicon wafer. Among the advantages of using this lmethodology. we can mention: low cost. fast design turn-around time. easy and quick correction of eventual mistakes. extremely fast processing turn-around for the IC. This work presents the design of an analog-array in bipolar technology and the development of a CAO suport for this master-slice. The CAO consists of a Graphics Editor, a Circuit Extractor,a Design Rule Checker and Pattern Generator, that is compatible with the Rubylith art-work generator system that is currently being used in the LED/UNICAMP. Finally, the results obtained with the complete design cycle with some typical analog cells implemented in the ànalog-array are discussed. / Mestrado / Mestre em Engenharia Elétrica

Orientador: Carlos Ignacio Zamitti Mammana / Dissertação (mestrado) - Universidade Estadual de Campinas, Faculdade de Engenharia de Campinas / Made available in DSpace on 2018-07-17T04:48:56Z (GMT). No. of bitstreams: 1 Costa_JoseCamargoda_M.pdf: 2051082 bytes, checksum: 1babfa00b86888a7b2f3f8d3f02b3dc6 (MD5) Previous issue date: 1982 / Resumo: Neste trabalho são apresentados os resultados de investigações acerca de características de filmes finos de SiO2 produzidos por oxidação térmica pirogênica do Si. Utilizaram-se de substratos de silício, tipo N, orientação <100>, com resistividade na faixa de 4 a 6O .cm. Foram obtidos dados de espessura de óxido x tempo de oxidação (a temperaturas de 950ºC, 1050ºC e 1150ºC); parâmetros cinéticos da oxidação e respectivas energias de ativação; densidade de cargas fixas no óxido; densidade e cargas móveis no óxido; densidade de cargas capturadas na interface SiO2 - Si; campo de ruptura do óxido e parâmetros de geração-recombinações de portadores no semicondutor. Os resultados obtidos, à exceção dos valores determinados para os parâmetros de geração-recombinação, correspondem aos resultados na literatura para filmes de SiO2 térmico de boa qualidade. / Abstract: Not informed. / Mestrado / Mestre em Engenharia Elétrica

Orientador: Nelson de Jesus Parada / Dissertação (mestrado) - Universidade Estadual de Campinas, Instituto de Fisica Gleb Wataghin / Made available in DSpace on 2018-07-17T21:21:29Z (GMT). No. of bitstreams: 1 Marotta_AnaMariaHildsdorf_M.pdf: 2760470 bytes, checksum: 63684d0f3c14306722eb728815eb936a (MD5) Previous issue date: 1975 / Resumo: Neste trabalho foram calculados os níveis de energia eletrônicos do InSb pelo método APW. Inicialmente pelo método APW não relativístico, foram calculados os níveis de energia no ponto G, juntamente com as funções de onda, considerándo-se os átomos de In e Sb neutros. Depois, verificou-se como as correções relativísticas afetavam os resultados obtidos. Posteriormente, considerando-se aparte iônica da ligação do InSb, recalculou-se os níveis de energia partindo-se de íons de In- e Sb+. Os resultados obtidos deixam antever a necessidade da introdução da ionicidade no cálculo do potencial cristalino, de correções à forma do potencial muffin-tin, bem como de um cálculo de níveis de energia autoconsistente / Abstract: Not informed. / Mestrado / Física / Mestre em Física

Orientador: Antonio Celso Fonseca de Arruda / Tese (doutorado) - Universidade Estadual de Campinas, Faculdade de Engenharia de Campinas / Made available in DSpace on 2018-07-17T23:02:42Z (GMT). No. of bitstreams: 1 Assumpcao_RobertodeToledo_D.pdf: 5023146 bytes, checksum: 32dc5ce9025ae42b702c7760c9b5c375 (MD5) Previous issue date: 1988 / Resumo: Este trabalho utiliza o Microscópio Eletrônico de Varredura (M.E.V) para o estudo de defeitos em materiais e dispositivos semicondutores. A operação do M.E.V. nos modos Catodoluminescência (CL) e coleção de carga ou EBIC (Electron Beam Induced Conductivity) permite caracterização precisa de dispositivos optoeletrônicos de GaAs/GaAlAs e também de células solares de Silício policristalino, tendo sido estabelecida uma correlação entra as etapas de fabricação e o desempenho final dos dispositivos de GaAs. Foi desenvolvido ainda um método de analise EBIC, denominado aqui EBIC-Quantitativo, aplicado para a obtenção de característica corrente-tensão I(v) de uma micro-região da amostra semicondutora iluminada pelo feixe de elétrons de M.E.V., de um modo análogo ao empregado na determinação da característica Fotovoltaica I(v) de células solares. Este método, associado aos demais modos de operação do M.E.V., possibilita o estudo das propriedades ópticas, elétricas e estruturais dos diversos defeitos presentes em semicondutores. / Abstract: The scanning Electron Microscope (S.E.M.) is an extremely versatile instrument wich can be applied for the characterization of a variety of materials, including metallic, ceramic and semiconductor specimens. I the latter case the energy band of semiconductor materials enables he operation of the instrument in the Cathodoluminescense (CL) and Electron Beam Induced Conductivity (EBIC) modes, providing a nondestructive method of examining semiconductors. Moreover, the EBIC and CL techniques are directly related to the electrical and optical properties of these materials. This work deals with the SEM-EBIC and CL characterization of defects of GaAs/GaAlAs optoelectronic devices and of polycrystalline Silicon solar cells. Defects such as dislocations, impurity and growth striations, compositional fluctuations and mechanical stresses at the interface of heterostructures (i.e. GaAs/GaAlAs and GaAs/SiO2) are qualitatively are quantitatively analysed. / Doutorado / Doutor em Engenharia Mecânica

Orientador: Rogerio Cezar de Cerqueira Leite / Dissertação (mestrado) - Universidade Estadual de Campinas, Instituto de Fisica Gleb Wataghin / Made available in DSpace on 2018-07-18T03:23:41Z (GMT). No. of bitstreams: 1 Grossman_Benjamin_M.pdf: 1295320 bytes, checksum: ed2ab0ede504c36820bd58c46874fd2b (MD5) Previous issue date: 1973 / Resumo: Não informado / Abstract: Not informed. / Mestrado / Física / Mestre em Física