Resumo: Nos ultimos 20 anos, o grande interesse na construcao de dispositivos eletronicos organicos tem proporcionado um rapido avanco na obtencao de dispositivos optoeletronicos flexiveis, de baixo impacto ambiental e baixo custo, utilizando filmes de semicondutores organicos. Atualmente, diversas aplicacoes de semicondutores organicos utilizados na construcao de dispositivos podem ser citadas, tais como: diodos emissores de luz organicos, transistores de efeito de campo organicos (Organic Field Effect Transistor . OFET), celulas fotovoltaicas organicas, sensores quimicos, memorias organicas, entre outras. Neste trabalho e demonstrada a construcao de dispositivos de memoria organicos irreversiveis utilizando estrutura sanduiche baseados em compositos de esferas de carbono dispersos em uma matriz polimerica, depositados entre eletrodos metalicos. E demonstrada tambem a construcao de OFETs de baixa tensao de operacao e sua aplicacao em circuitos logicos digitais. Estes OFETs foram construidos atraves da deposicao de filmes finos polimericos a partir de solucao, buscando assim processos de baixo custo. As memorias construidas a partir de um composito de polivinil fenol e esferas de carbono nao dopadas ou dopadas com boro ou com nitrogenio apresentaram um comportamento de memoria irreversivel. Os melhores dispositivos apresentaram alta razao ION/IOFF, maiores que 107, baixas tensoes de transicao, aproximadamente 2 V, tempos de transicao menores que 1ƒÊs e tempos de consolidacao de 10 ƒÊs . Os OFETs apresentaram tensoes de operacao na faixa de 5 V. O que e um requisito para a integracao destes OFETs em aplicacoes atuais. Os melhores OFETs utilizando poli(3- hexiltiofeno) apresentaram valores de mobilidade de 0,08 } 0,01 cm2/Vs, tensao critica de - 1.1 V e razoes on/off de aproximadamente 103. Foi demonstrada a plicacao destes transistores organicos na construcao de circuitos inversores, que apresentaram caracteristicas de ganho, margem de ruido e amplitude de saida similar a outros circuitos inversores ja publicados, indicando assim que o desempenho dos OFETs obtidos e compativel ao desempenho dos melhores OFETs similares, reportados na literatura. Foi demonstrada a aplicacao na construcao de transitores de porta flutuantes, onde a utilizacao de nanoparticulas de ouro como porta flutuante levou o aparecimento de uma histerese possivelmente causada pelo armadilhamento de cargas no interior destes nanoparticulas. Demonstrando assim a possibilidade da utilizacao destes transitores na construcao de memorias organicas do tipo flash.

Made available in DSpace on 2014-06-11T19:29:10Z (GMT). No. of bitstreams: 0 Previous issue date: 2012-03-12Bitstream added on 2014-06-13T19:17:28Z : No. of bitstreams: 1 silva_acs_me_araiq.pdf: 2627764 bytes, checksum: 5e78a76a9aa4a31ad419d200517e548c (MD5) / Coordenação de Aperfeiçoamento de Pessoal de Nível Superior (CAPES) / A matriz estudada é uma cerâmica a base de Zn7Sb2O12, que possui estrutura do tipo espinélio inverso. A dopagem desta cerâmica com íons TR gera materiais com propriedades diferentes das da fase original que podem apresentar melhor desempenho. Estudos preliminares, onde foram feitas dopagens do tipo Zn7-3xTR2xSb2O12 [TR = Ce(III), Pr(III) e Eu(III)], confirmaram a alta capacidade de absorção dos íons TR nesta estrutura pela manifestação de luminescência destes sistemas saturados. Ademais, as propriedades ópticas das amostras dopadas com Eu(III) auxiliaram na avaliação da ocupação dos íons dopantes na estrutura do Zn7Sb2O12. Assim, o principal objetivo deste trabalho foi a utilização da matriz Zn7Sb2O12 como estrutura hospedeira dos dopantes Eu(III), Pr(III) e Ce(III), estudando suas características estruturais e espectroscópicas e investigando suas potencialidades como material cintilador. Como objetivo secundário, tentou-se confeccionar uma fibra policristalina a partir do material em pó contendo 9% de Eu(III), através da técnica de fusão de zona com laser. A análise estrutural dos sistemas estudados confirmou a formação da fase α-Zn7Sb2O12 e pôde-se identificar uma pequena fração das fases β-Zn7Sb2O12 e Zincita de ZnO, cuja variação foi associada ao tipo do íon dopante. Dados de espectroscopia no IV confirmaram que a ocupação dos dopantes na rede do semicondutor não é substitucional aos sítios de Sb(V) ou Zn(II). Desta forma, a partir da espectroscopia de luminescência, os diversos sítios não substitucionais foram investigados utilizando tanto excitação UV-VIS quanto raios X. No caso do sistema contendo Eu(III) observou-se que, sob excitação via raios X, todos os sítios emitem por meio de um mecanismo... / The matrix studied is a ceramic based on Zn7Sb2O12 with inverse spinel type structure. The doping of this ceramic with RE ions generates materials with different properties from the original phase that can perform better. In preliminary studies the Zn7-3xRE2xSb2O12 [RE = Ce(III), Pr(III) and Eu(III)] doped samples were produced and the high absorption capacity of RE ions in this structure was confirmed due to the manifestation of luminescence of these saturated systems. Moreover, the optical properties of samples doped with Eu(III) showed to be useful to evaluate the occupation of dopant in the Zn7Sb2O12 structure. Thus, the main objective of this study was to use the Zn7Sb2O12 as a host lattice for Eu(III), Pr(III) and Ce(III) as doping ions, the study of their structural and spectroscopic characteristics and the investigation of its potential as a scintillator material. As a secondary objective, we tried to fabricate a fiber from the polycrystalline powder material containing 9% of Eu(III) using the technique of laser floating zone (LFZ). Structural analysis of the studied systems confirmed the formation of Zn7Sb2O12 α-phase and it was also identified a small fraction of the Zn7Sb2O12 β-phase and the Zincita ZnO phase, whose variation was associated with the type of dopant ion. IR spectroscopy data confirmed that the occupation of the semiconductor dopants in the network is not substitutional in relation to Sb(V) or Zn(II) sites. Thus, from the luminescence spectroscopy, the various non-substitutional sites were investigated using both UV-VIS and X-ray excitation sources. In the case of the system containing Eu(III) it was observed that under X-ray excitation all sites emit, that are associated with an intrinsic optical mechanism of the defects generated in the system under that ionizing radiation, while the UVVIS... (Complete abstract click electronic access below)

Made available in DSpace on 2015-06-03T02:06:39Z (GMT). No. of bitstreams: 1 000469858-Texto+Completo-0.pdf: 7135001 bytes, checksum: 232fdeb10ae43ec70dca9941fb5b3828 (MD5) Previous issue date: 2015 / Ternary alloys of III-V semiconductor materials, in particular Ga1-xInxSb, are ideal candidates for substrates because of the possibility to define the lattice constant as a function of concentration of the third element, indium, enabling the adjustment of the lattice parameter in accordance to the subsequent epitaxial layer. Therefore, the mono-crystallinity of the epitaxial layer is favored and the tensions at the interface layer/substrate are reduced, allowing to numerous possibilities and applications. Aluminum (Al) is considered an isoelectric dopant for Ga and In, meaning that it does not change the number of charge carriers, but increases the mobility in GaSb crystals. When Al is added to the Ga1-xInxSb ternary alloy, it can have influence over native defects passivating and/or compensating them. To understand the influence of Al on the distribution of indium (In) in ternary alloys of Ga1-xInxSb, pure and doped Ga0,8In0,2Sb crystals were obtained with approximately 1020 atoms/cm3 of Al using a vertical Bridgman system. Analysis by scanning electron microscopy (SEM), energy dispersive X-ray spectrometry (EDS), X-ray diffraction (XRD), particle induced X-ray emission (PIXE) and particle induced gamma ray emission (PIGE) were used for the structural and compositional characterization of the crystals. The obtained crystals of Ga0,8In0,2Sb, doped with aluminum or not, exhibited segregation of the third element, however, for Ga0,8In0,2Sb:Al crystals the segregation decreased. The crystals of Ga0,8In0,2Sb:Al presented a good structural homogeneity when compared to the undoped alloy, and they were free from cracks and micro cracks. All of the obtained crystals presented precipitates, twins and grains with different concentrations of In. In the crystals doped with aluminum, single regions were observed in the solidification direction, which can be associated to a more uniform distribution of indium. The small compositional variation observed in the crystals, in radial direction, and measured by PIXE, may be related to the solid-liquid interface’s quasi-equilibrium behavior. The results indicated that aluminum has influenced the indium distribution in the crystals, in the solidification direction, and the electrical properties imply that the aluminum may have contributed to the generation of accepter defects such as GaSb, InSb e AlSb, wherein the number of charge carriers increased in the doped crystals. The possibility of complex defects generation such as (VGaGaSb), (VGaInSb) e (VGaAlSb) cannot be excluded, since the charge mobility in the doped crystals decreased. / Ligas ternárias de materiais semicondutores III-V, nomeadamente Ga1-xInxSb, são candidatas ideais para substratos, pois a possiblidade de se definir a constante de rede em função da concentração do terceiro elemento, o índio, possibilita o ajuste do parâmetro de rede de acordo com a camada epitaxial subsequente. Desta forma, a monocristalinidade da camada epitaxial é favorecida e as tensões na interface camada/substrato são diminuídas, introduzindo inúmeras possibilidades e aplicações. O alumínio (Al) é considerado um dopante isoelétrico do Ga e do In, isto é, não altera o número de portadores de carga, mas aumenta a mobilidade em lingotes de GaSb. Ao ser adicionando na liga ternária Ga1-xInxSb, pode influenciar passivando e/ou compensando os defeitos nativos. Para compreender a influência do Al na distribuição do índio (In) em ligas ternária de Ga1-xInxSb, foram obtidos lingotes de Gao,8In0,2Sb puros e dopados com aproximadamente 1020 átomos/cm3 de Al em um sistema Bridgman vertical. Análises por microscopia eletrônica de varredura (MEV), espectroscopia por dispersão de energia (EDS), difração de raios X (XRD), emissão de raios X induzida por partículas (PIXE) e emissão de raios gama induzida por partículas (PIGE) foram utilizadas para a caracterização estrutural e composicional dos lingotes. Os lingotes de Ga0,8In0,2Sb obtidos, dopados ou não com alumínio, apresentaram segregação do terceiro elemento, porém, para os lingotes Ga0,8In0,2Sb:Al a segregação foi menor. Os lingotes de Ga0,8In0,2Sb:Al apresentaram uma boa homogeneidade estrutural, livres de fissuras e micro trincas, quando comparados à liga não dopada. Todos os lingotes obtidos apresentam formação de precipitados, maclas e grãos com diferentes concentrações de In. Nos lingotes dopados com alumínio foram observadas regiões com pequena quantidade de grãos na direção da solidificação, que podem ser atribuídas a uma distribuição do índio mais uniforme. A pequena variação composicional observada nos lingotes, no sentido radial, mensurada por PIXE, pode ser atribuída ao comportamento próximo ao equilíbrio da interface sólido-liquido. Os resultados obtidos sugerem a influência do alumínio na distribuição de índio nos lingotes, na direção da solidificação, ao mesmo tempo que as propriedades elétricas sugerem que o alumínio possa ter contribuído para a geração de defeitos aceitadores como GaSb, InSb e AlSb, sendo que o número de portadores de carga aumentou nos lingotes dopados. Não se exclui a possibilidade da geração de defeitos complexos como (VGaGaSb), (VGaInSb) e (VGaAlSb), uma vez que a mobilidade das cargas nos lingotes dopados diminuiu.

Made available in DSpace on 2013-08-07T18:54:47Z (GMT). No. of bitstreams: 1 000442098-Texto+Completo-0.pdf: 2686335 bytes, checksum: 7f5dbcf62291c466993998edbdac99a1 (MD5) Previous issue date: 2012 / In Semiconductor materials the electrical conduction occurs through the movement of negative (electrons) or positive (formed by the holes left by the electrons) charges. Thus, the Hall effect in the semiconductor materials may inform the type and density of charge carriers in the sample and the mobility of these charges. In addition to these quantities, other characteristics of the material as the width of the band gap, and electrical conductivity can indicate the quality and purity of the material structure. In this work, an automated system for resistivity and Hall effect measurement in non-standard dimensions samples of semiconductor materials was build. These kinds of samples are found in typical research laboratories. We used the Van der Pauw method who despises the format of the sample surface, since when the sample thickness is known. A cryogenic system involves the sampler and allows measurements at temperatures of -60 to +70 ° C. For automation of the resistivity, number of charge carriers and mobility measurements, a program was developed for system control and data acquisition. A Keithley® Instruments source with voltage and current meters was coupled to the system. The measurements performed on standard samples show that the system meets the requirements of NIST for semiconductor materials, with error less than 2%. / Nos materiais semicondutores a condução elétrica ocorre através do movimento de cargas negativas (elétrons) ou positivas (formadas por lacunas deixadas pelos elétrons). Assim, o efeito Hall nos materiais semicondutores poderá informar qual o tipo e a densidade dos portadores de carga na amostra e a mobilidade destas cargas. Além dessas grandezas, outras características do material como a largura da banda proibida e condutividade elétrica podem indicar a qualidade estrutural e a pureza do material. Neste trabalho foi construído um sistema automatizado para medições de resistividade, mobilidade e número de portadores de carga em amostras de materiais semicondutores de dimensões não padronizadas, ou seja, amostras típicas encontradas em laboratórios de pesquisa. Foi utilizado o método de Van der Pauw que despreza o formato superficial da amostra, desde que tenham espessura conhecida. Um sistema criogênico que envolve o porta amostras e assim permite a realização de medidas em temperaturas de -60 até +70 ºC. Para a automação das medidas de resistividade, número de portadores de carga e mobilidade foi desenvolvido um programa para o sistema de controle e aquisição de dados. Uma fonte com medidores de corrente e tensão da Keithley® Instruments foi acoplada ao sistema. Medidas realizadas em amostras padrão comprovam que o sistema preenche os requisitos do National Institute of Standards and Technology (NIST) para materiais semicondutores, apresentando erro inferior a 2%.

Neste trabalho foram desenvolvidas algumas das etapas de um processo que culmina com a obtenção e caracterização de monocristais do semicondutor GaSb crescidos pela técnica de Czochralski com o uso de um líquido encapsulante. O trabalho constou basicamente de quatro etapas. Na primeira etapa, de obtenção das matérias-primas, procedeu-se à purificação do elemento antimônio (Sb) por fusão zonal horizontal e obteve-se o encapsulante óxido bórico (B2 O3 ) por desidratação do ácido bórico (H 130). A segunda etapa compreendeu a síntese estequiométrica do composto GaSb. A terceira etapa constou no crescimento dos cristais propriamente, em equipamento Czochralski construído no laboratório e na etapa final os cristais obtidos foram caracterizados por análises metalográficas, de composição química (Absorção Atômica e Retroespalhamento Rutherford), de propriedades elétricas (resistividade e efeito Hall) e por difração de raios-X (método de Laue). Os resultados do crescimento de sete cristais a partir de sementes policristalinas são apresentados. Estes cristais foram crescidos sob condições diversas: com o uso de dois encapsulantes distintos (BO23 e NaCl-KCl) sob fluxo de N e sem o uso de encapsulante sob fluxo de H2. As velocidades de rotação e puxamento utilizadas foram da ordem de 30 RPM e 20 mm/h respectivamente e os cristais que tiveram sua orientação determinada cresceram na direção <111>. As propriedades elétricas dos cristais são comparáveis às encontradas na literatura, sendo a sua densidade de discordâncias, no entanto, bastante elevada. / In this work some of the stages of a process which leads to the production of GaSb semiconductor single crystals grown by the Czockralski technique utilizing a liquid encapsulant were developed (the process is called LEC Liquid Encapsulated Czochralski). The work consisted of four stages. In the first one, where the source materiais wer-e obtained, antimony (Sb) was puri fied by horizontal zone melting and the encapsulant, boric oxide (B2 O3), was obtained by dehydration 2 3 of boric acid (H l30 ). The second stage comprised the stoichiometric synthesis of the compound GaSb. The third stage consisted in the GaSb crystal growth (encapsulated and unencapsulated) in a 11 home-madell Czochralski growth apparatus, and in the final stage the obtained crystals were characterized by metallographic and chemical composition (Atomic Absorption Spectroscopy and Rutherford Backscattering Spectroscopy) analyses, as well as by X-ray diffraction (Laue's method) and electrical properties (electrical resistivity and Hall effect). Results were presented for seven crystals grown from pollycr-ystalline seeds. Those crystals were grown under diverse conditions: with the use of two distinct encapsulants (B O and the eutectic mixture NaCl-KCl) under N 2 3 2 atmosphere, and at an unencapsulated growth under H2 atmosphere. Rotation and pulling rates were around 30 RP1'1 and 20 mm/h respectively, and the crystals whose orientation was determined grew ln the <111> direction. Electrical properties of the crystals obtained were found to be in good agreement with results of other works, but the dislocation density was found to be excessively high.

Dissertação (mestrado)—Universidade de Brasília, Instituto de Física, 2011. / Submitted by Débora Amorim Romcy Pereira (deboraromcy@bce.unb.br) on 2011-06-29T13:50:50Z No. of bitstreams: 1 2011_PauloMagalhaesMarcianoDaRocha.pdf: 341827 bytes, checksum: f74b1f533fb3936585d9e8eec9bd12e8 (MD5) / Approved for entry into archive by Guilherme Lourenço Machado(gui.admin@gmail.com) on 2011-06-29T15:41:53Z (GMT) No. of bitstreams: 1 2011_PauloMagalhaesMarcianoDaRocha.pdf: 341827 bytes, checksum: f74b1f533fb3936585d9e8eec9bd12e8 (MD5) / Made available in DSpace on 2011-06-29T15:41:53Z (GMT). No. of bitstreams: 1 2011_PauloMagalhaesMarcianoDaRocha.pdf: 341827 bytes, checksum: f74b1f533fb3936585d9e8eec9bd12e8 (MD5) / O modelo de Gross-Neveu (GN) surgiu como uma teoria efetiva mais simples para a cromodinâmica quântica (QCD). Assim surgiu pois, na QCD, resultados exatos são dificílimos de se obter, enquanto métodos perturbativos não são aplicáveis em todas as escalas de energia. Recentemente, aplicações do modelo GN na área de semicondutores e também em grafenos enriqueceram ainda mais a literatura relacionada. Apesar da grande aplicabilidade, soluções analíticas do modelo ainda são poucas, porém de grande utilidade. É neste contexto que apresentamos, neste trabalho, um estudo das soluções invariantes por simetrias de Lie. Usando a simetria relativística presente no modelo de Gross - Neveu, soluções clássicas são obtidas em duas, três e quatro dimensões do espaço-tempo. _________________________________________________________________________________ ABSTRACT / The Gross-Neveu (GN) model rst appeared as a simpler e ective theory for Quantum Chromodynamics (QCD). So it was, for in QCD analytical results are extremely hard to obtain, while perturbative methods are not aplicable to all energy scales. Recently, applications of the GN model on semiconductors and graphenes have further enriched the related literature. In spite of the great applicability, Analytical solutions to the GN equations are still few, but of great use. In this context, we present in the following work a study of Lie symmetry invariant solutions of the GN model. Making use of the relativistic symmetry present in the GN model, classical solutions are obtained in two, three and four space-time dimensions.

Tese (doutorado)—Universidade de Brasília, Instituto de Física, 2011. / Submitted by Tania Milca Carvalho Malheiros (tania@bce.unb.br) on 2012-03-12T18:02:42Z No. of bitstreams: 1 Claudio Pereira Lima - 1053795.pdf: 5503887 bytes, checksum: 3e5f1457fd373e246d088ed489cb6b87 (MD5) / Approved for entry into archive by Marília Freitas(marilia@bce.unb.br) on 2012-03-20T12:26:28Z (GMT) No. of bitstreams: 1 Claudio Pereira Lima - 1053795.pdf: 5503887 bytes, checksum: 3e5f1457fd373e246d088ed489cb6b87 (MD5) / Made available in DSpace on 2012-03-20T12:26:28Z (GMT). No. of bitstreams: 1 Claudio Pereira Lima - 1053795.pdf: 5503887 bytes, checksum: 3e5f1457fd373e246d088ed489cb6b87 (MD5) / A influência de um campo magnético uniforme e de um campo laser intenso, linearmente polarizado, sobre a densidade de estados (DoS) para portadores confinados em um fio quântico cilíndrico semicondutor, é determinada nesse trabalho por um esquema não perturbativo, seguindo o regime da função de Green. Além das alterações conhecidas na DoS provocadas por um campo laser THz, intenso, ou seja, uma redução significativa no perfil da densidade de estados e o aparecimento das oscilações de Franz-Keldysh, o modelo proposto revela que a inclusão de um campo magnético longitudinal induz blueshifts adicionais nos níveis de energia dos estados permitidos. Os resultados obtidos mostram que o aumento dos blueshifts com a magnitude do campo magnético depende apenas do número quântico azimutal m (m = 0, 1, 2, ...), sendo mais acentuado para os estados com maiores valores de m, o que leva a alguns cruzamentos dos níveis de energia. Para todos os estados, foi verificado que, mesmo na ausência de campo magnético, um efeito de localização leva a uma transição no perfil habitual da DoS de um sistema quase-1D para um perfil de picos típico de sistemas quase-0D, como por exemplo, aqueles encontrados para portadores confinados em um ponto quântico. ______________________________________________________________________________ ABSTRACT / The influence of an uniform magnetic field and an intense laser field, linearly-polarized, on the density of states (DOS) for carriers confined in a cylindrical semiconductor quantum wire, is determined in this work by a non-perturbative method, following the scheme of the Green´s function. Besides the known changes in the DoS provoked by an intense terahertz laser fieldnamely, a significant reduction on the profile from the DoS and the appearance of Franz-Keldysh-like oscillations, our model reveals that the inclusion of a longitudinal magnetic field induces additional blueshifts on the energy levels of the allowed states. Our results show that the increase of the blueshifts with the magnitude of the magnetic field depends only on the azimuthal quantum number m (m = 0, 1, 2, ...), being more pronounced for states with higher values of m, which leads to some energy crossovers. For all states, it was found that even in the absence of magnetic field, a location effect leads to a transition in the usual profile of the DoS of a quasi-1D system for a profile of peaks typical of quasi-0D systems, such as those found for carriers confined in a quantum dot.

Orientador: Vitor Baranauskas / Tese (doutorado) - Universidade Estadual de Campinas, Faculdade de Engenharia Eletrica / Made available in DSpace on 2018-07-21T14:01:26Z (GMT). No. of bitstreams: 1 Rodrigues_CesarRamos_D.pdf: 18863906 bytes, checksum: 808c8feb97e5b48c8ce291364b31f2c9 (MD5) Previous issue date: 1993 / Resumo: O diamante é um material semicondutor com propriedades que o tornam muito interessante para aplicação na construção de dispositivos eletrônicos. Esta aplicação depende do aprimoramento dos processos de síntese deste material. Neste trabalho empregamos as técnicas de microscopia de força atômica e microscopiade tunelamento de elétrons no estudo da superfície de cristais de diamante sintetizados por deposição química da fase vapor assistida por filamento quente, buscando uma compreensão qualitativa dos fenômenos de nuc1eação e crescimento dos cristais. A visualização da rede cristalina do diamante (realizada pela primeira vez neste trabalho) e de características nanométricas na superfície dos cristais, aliadas aos modelos de crescimento encontrados na literatura oferecem uma nova perspectiva no estudo destes fenômenos, preenchendo uma lacuna existente nos estudos anteriores, onde a microscopia de varredura de elétrons era empregada. Buscamos, com base nestas análises, uma interpretação dos fenômenos de nucleação e crescimento dos cristais de diamante partindo dos modelos propostos na literatura. A visualização da rede cristalina do diamante (realizada pela primeira vez neste trabalho) e de características superficiais de dimensões nanométricas oferecem uma nova perspectiva na correlação destas características ao processo de crescimento das faces do diamante nas diversas direções, visto que tais características são de impossível observação na microscopia de varredura de elétrons (técnica utilizada em trabalhos anteriores). Além da análise de superfícies, apresentamos um estudo preliminar do processo de dopagem do diamante policristalino com fontes sólidas de boro. A adição do dopante durante o processo de crescimento mostrou-se um processo de dopagem viável e simples para o diamante.A semicondutividade dos filmes foi confirmada por análises de variação de resistividade em função da temperatura. O emprego da espectroscopia de tuneIamento de elétrons confirmou a obtenção de um filme de carbono tipo diamante semicondutor tipo p com uma banda proibida de 3,15 e V / Abstract: Not informed. / Doutorado / Doutor em Engenharia Elétrica

Orientador: Ana Maria de Paula / Dissertação (mestrado) - Universidade Estadual de Campinas, Instituto de Fisica Gleb Wataghin / Made available in DSpace on 2018-07-21T15:27:34Z (GMT). No. of bitstreams: 1 ArellanoEspinoza_WalterAmerico_M.pdf: 1140247 bytes, checksum: 9d11935bffab466b633389c7dae06e41 (MD5) Previous issue date: 1996 / Resumo: Apresentamos estudos das propriedades ópticas de pontos quânticos de CdTe em vidros dopados, através de medidas de absorção óptica e fotoluminescência. Mostramos espectros obtidos à baixa temperatura (15 K) e à temperatura ambiente (300 K) para várias amostras crescidas com diferentes processos de tratamento térmico. A comparação dos espectros de absorção nessas duas temperaturas permitiram o cálculo do alargamento não - homogêneo (devido a distribuição de tamanho dos pontos quânticos) e do alargamento homogêneo (devido principalmente à interação dos elétrons com fônos da rede cristalina) para as nossas amostras. Obtivemos também, através das energias dos picos de fotoluminescência e absorção, medidas do deslocamento Stokes em função do raio do ponto quântico para as amostras crescidas com dois tratamentos térmicos. O deslocamento Stokes aumenta à medida que diminui o raio dos pontos quânticos. Os resultados mostram também que as amostras crescidas com dois tratamentos térmicos apresentam distribuições de tamanho bem estreitas (desvio padrão de 5,8 %) e melhores qualidades ópticas que as amostras crescidas com apenas um tratamento / Abstract: We present studies of the optical properties of CdTe quantum dots in doped glasses by means of optical absorption and photoluminescence measurements. We show spectra at low temperature (15 K) and at room temperature (300 K) for series of samples grown under differente heat - treatment conditions. Comparing the low and room temperature absorption spectra we could calculate the inhomogeneous broadening (due to the quantum dot size distributions) and the homogeneous broadening (due mainly to electron - phonon interactions) for our samples. We obtained also, by comparing the energies of the photoluminescence and absorption peaks, measurements of the Stokes shift as a function of the quantum dot radius, for samples grown with two heat - treatment processes. The Stoke shift increases as the quantum dot radius decreases. The results show also that the samples grown with two heat - treatment processes present thinner size distributions (standard deviation of 5.8 %) and better optical qualities than the samples grown with only one heat - treatment process / Mestrado / Física / Mestre em Física

Orientador: Ivan E. Chambouleyron / Dissertação (mestrado) - Universidade Estadual de Campinas, Instituto de Fisica "Gleb Wataghin" / Made available in DSpace on 2018-07-22T04:24:51Z (GMT). No. of bitstreams: 1 Reis_FrancoiseToledo_M.pdf: 1890829 bytes, checksum: 66d8be68c9579de94e46cf9d7c7749eb (MD5) Previous issue date: 1997 / Resumo: Neste trabalho são apresentados os efeitos da dopagem tipo-p com gálio e índio na fotocondutividade de filmes finos de germânio amorfo hidrogenado ( a-Ge:H ) depositados pelo método de rf-sputtering. O produto eficiência quântica-mobilidade-tempo de vida ( hmt ) foi medido, à temperatura ambiente, em função da posição da energia de Fermi EF em amostras com concentrações relativas de dopantes na faixa entre ~ 3x10-5 e ~ 10-2 .Para as amostras dopadas com gálio observa-se inicialmente um decréscimo de hmt com o aumento da concentração de dopante, até que um mínimo é atingido para amostras próximas ao nível de compensação ( NGa/NGe ~ 3x10-4 ), onde hmt é cerca de 16 vezes menor que o valor obtido para amostras intrínsecas. A este comportamento segue-se um aumento de aproximadamente 4 vezes no valor do produto hmt, para concentrações de gálio entre a compensação e NGa/ NGe ~ 1.5x10-3. Então, para maiores concentrações de gálio, os valores de hmt voltam a apresentar um decréscimo. Nas amostras dopadas com índio observou-se um decréscimo monotônico do produto hmt para toda a faixa de concentração de dopante. Estes resultados são consistentes com o modelo de defeitos "padrão", no qual se assume que os defeitos profundos dentro do gap de mobilidade constituem o caminho de recombinação predominante. Uma explicação qualitativa foi utilizada levando-se em conta os efeitos da dopagem na variação da ocupação dos estados de carga dos citados defeitos / Abstract: This work reports on the effects of gallium and indium p-type doping on the photoconductivity of hydrogenated amorphous germanium ( a-Ge:H ) thin films deposited by the rf-sputtering method. The quantum efficiency-mobility-lifetime ( hmt ) product has been measured at room temperature as a function of the dark Fermi energy EF on samples with relative dopant concentration range between ~ 3x10-5 and ~ 10-2. A decrease of hmt is observed with the increase of the gallium concentration till a minimum is reached for samples near the compensation level (NGa/NGe ~ 3x10-4), when hmt is about 16 times lower than the value obtained for intrinsic samples. This behavior is followed by an hmt increase of aproximately 4 times at concentration levels between compensation and NGa/NGe ~ 1.5x10-3. Then, for higher gallium concentrations, hmt decreases again. For In-doped samples, a monotone decrease of hmt is measured for all the impurity concentration range. These results are consistent with a "standard" model for the defects, which assumes that the dangling bond is the main recombination path. A qualitative explanation was obtained where the changes in the occupancy of the charged defect states in the mobility gap due to doping are taken into account / Mestrado / Física / Mestre em Física