Orientador: Wilmar Bueno de Moraes / Dissertação (mestrado) - Universidade Estadual de Campinas, Faculdade de Engenharia de Campinas / Made available in DSpace on 2018-07-14T09:59:49Z (GMT). No. of bitstreams: 1 Ferreira_ElnatanChagas_M.pdf: 10427742 bytes, checksum: 211b9c380d185df7128e3df0ddbb6de6 (MD5) Previous issue date: 1984 / Resumo: O objetivo deste trabalho é investigar a obtenção de filmes de silício policristalino, depositados no reator epitaxial projetado e construído no nosso laboratório, a partir da redução de tetracloreto de silício por hidrogênio, e caracterizar estes filmes visando aplicá-los em uma tecnologia MOS porta de silício. Para tanto, ajustamos alguns parâmetros geométricos do reator epitaxial, verificamos a dependência da deposição e morfologia dos filmes com os parâmetros CVD (temperatura do substrato, fluxo total de gases e concentração de SiCl4). Dopamos os filmes por difusão térmica convencional, determinamos: taxa e resolução de ataque químico, resistência de folha, resistência de contato da interface silício policristalino/alumínio, largura efetiva da linha de silício policristalino, cargas no óxido de porta, etc. E ainda, foi definido um roteiro de instruções básicas para a construção de um transistor canal N com porta de silício. / Abstract: Not informed. / Mestrado / Mestre em Engenharia Elétrica

Orientador: Aurea Rosas Vasconcellos / Dissertação (mestrado) - Universidade Estadual de Campinas, Instituto de Fisica Gleb Wataghin / Made available in DSpace on 2018-07-14T14:54:30Z (GMT). No. of bitstreams: 1 Machado_CarlosJoseFreire_M.pdf: 1260621 bytes, checksum: 5a71880453b263d66a4e6f0542a28c6d (MD5) Previous issue date: 1985 / Resumo: Utilizamos o método do operador estatístico de não-equilíbrio desenvolvido, por D. N. Zubarev, baseado no formalismo da entropia máxima de E. T. Jaynes, para derivar um conjunto de equações de transporte que descrevem a evolução temporal de um plasma de semicondutor altamente excitado. A partir deste conjunto de equações obtemos a evolução temporal das variáveis termodinâmicas intensivas de interesse para a descrição do processo de relaxação do plasma, e aplicamos ao estudo dos semicondutores GaAs, CdS e CdSe / Abstract: Not informed. / Mestrado / Física / Mestre em Física

Orientadores: Jose Carlos de Oliveira , Mauro Sergio Miskulin / Tese (doutorado) - Universidade Estadual de Campinas, Faculdade de Engenharia Eletrica / Made available in DSpace on 2018-07-14T17:25:08Z (GMT). No. of bitstreams: 1 Farias_ValdeirJose_D.pdf: 12569495 bytes, checksum: a0ef17d1c92fd4b0d1bcf4943c3beec9 (MD5) Previous issue date: 1989 / Resumo: A utilizaçáo de compensadores de reativos do tipo reator controlado a tiristor (RCT) constitui nos dias atuais uma solução atrativa para eliminar ou reduzir oscilações de: tensão e fator de potência e os efeitos indesejáveis associados aos desequilíbrios de cargas. Dentro desta área, este trabalho tem como meta principal projetar e implementar um protótipo de compensador deste tipo, controlado a base de microprocessador, para compensar desequilíbrios de carga e simultaneamente corrigir o fator de potência tal que se obtenha qualquer fator de potência desejado. Além destes fatos de caráter construtivos avalia-se o desempenho do protótipo sob tensões desequilibradas e considera-se aspectos associados com a geração de harmônicos. Para tanto são: desenvolvidas novas formulações matemáticas para implementação e análise, estruturados "hardware" e "software" para o controle, executadas montagens e testes em laboratório e analisado o desempenho do compensador através de simulações computacionais e testes experimentais. Os resultados obtidos comprovam a aplicabilidade de toda a estratégia utilizada, indicando um desempenho satisfatório para o compensador em questão / Abstract: Nowadays, the use of the thyristor controlled reactor (TCR) is an atractive solution for the elimination or reduction of problems such as electrical power systems voltage flicker, low power factor and unbalanced loads. Within this area, this work has the main purpose of designing and implementing a prototype ofaTCR compensator which is controlled by microproçessor. This prototype should be able to handle both unbalanced load compensation and power facto r correction in such a manner to obtain any desired power factor. In addition to the construction itself the equipmenp performance considerations under unbalanced voltage conditions and its harmonic generation are taken into account. In order to complete these studies, this thesis follows a structure which starts by the development of a new mathematical formulation for implementation and analysis, hardware and software designs for the compensator control, execution of the assembly, experimental tests and analysis of the compensator performance by computer and laboratory testes. The final results prove that the proposed strategy is quite aplicable for both unbalances and power fator corrections and the prototype performance under several conditions is satisfactory / Doutorado / Doutor em Engenharia Elétrica

Orientador: Ivan E. Chambouleyron / Dissertação (mestrado) - Universidade Estadual de Campinas, Instituto de Fisica Gleb Wataghin / Made available in DSpace on 2018-07-14T20:44:07Z (GMT). No. of bitstreams: 1 Marques_FranciscodasChagas_M.pdf: 1219296 bytes, checksum: 8727cb98de07c26c88439e750decfa56 (MD5) Previous issue date: 1984 / Resumo: A utilização de células solares em aplicações terrestres sempre foi limitada pelos seus altos custos de produção. O desenvolvimento de células economicamente viáveis tem sido objeto de pesquisa nos últimos anos, estimulado pela crise de energia. Neste sentido, a confecção de dispositivos com barreira superficial tem recebido grande atenção, principalmente por envolverem baixas temperaturas no processo de fabricação. Este trabalho consistiu da fabricação, otimização e caracterização de células solares com barreira superficial. Utilizamos a estrutura semicondutor - isolante - semicondutor (SIS), em substrato de silício tipo-n, orientação (100). Sobre ele crescemos uma camada de SiO2 a 430ºC em atmosfera de oxigênio seco. Em seguida, depositamos uma camada de SnO2 utilizando o método clássico do "spray" químico. Desta maneira é formada a estrutura SnO2/SiO2/(n)Si. No processo de otimização estudamos três parâmetros: a resistividade do silício; a dopagem do SnO2 com flúor e a espessura do óxido de silício. As melhores células foram fabricadas com a resistividade em torno de 2 - 3 ohm.cm, concentração de flúor na solução para o SnO2 de 15 mol % e 25 min. de crescimento do óxido isolante. Em uma das melhores células obtivemos uma tensão de circuito aberto de 566 mV, corrente de curto-circuito de 33,3 mA/cm2, fator de forma de 69,2% e eficiência de 13,1 %. Através das medidas de capacitância determinamos a altura da barreira em 0,92 eV. Pelas medidas do logaritmo da corrente em função da tensão, observamos, pelo menos, três tipos de mecanismos de transportes de corrente: tunelamento assistido termicamente (em baixas polarizações); recombinação (polarizações moderadas) e difusão (altas polarizações) / Abstract: Not informed. / Mestrado / Física / Mestre em Física

Orientador: Carlos Lenz Cesar / Dissertação (mestrado) - Universidade Estadual de Campinas, Instituto de Fisica / Made available in DSpace on 2018-08-04T09:35:25Z (GMT). No. of bitstreams: 1 Moreira_WendelLopes_M.pdf: 8515504 bytes, checksum: e80c0c01881efcfade7d7e39b55ade9a (MD5) Previous issue date: 2005 / Resumo: Não informado / Abstract: Not informed. / Mestrado / Física da Matéria Condensada / Mestre em Física

Made available in DSpace on 2014-06-12T23:15:43Z (GMT). No. of bitstreams: 2 arquivo9090_1.pdf: 1402063 bytes, checksum: a196fc79749f442b321d45f38cc0cca0 (MD5) license.txt: 1748 bytes, checksum: 8a4605be74aa9ea9d79846c1fba20a33 (MD5) Previous issue date: 2006 / Um dos parâmetros mais importantes para a implementação de programas de controle de qualidade em radiodiagnóstico é o desempenho do equipamento. Este trabalho apresenta as características de um instrumento projetado e construído para a avaliação do equipamento de raios-X mamográfico pelo método não invasivo. O instrumento é capaz de medir simultaneamente o tempo de irradiação, o kerma no ar incidente na pele e o valor da tensão aplicada ao tubo de raios-X. Ele consiste de um conjunto de três sensores semicondutores conectados no modo fotovoltaico à entrada de eletrômetros integradores especialmente construídos. Um desses detectores é fixado sob filtros de cobre e alumínio e os outros dois são fixados sem filtros. Um deles é usado somente para o controle do processo de medição e para ativar um temporizador eletrônico para medir o tempo de irradiação. O sinal do semicondutor sem filtro é usado para avaliar o kerma no ar incidente na pele. A razão entre as leituras desse detector e daquele coberto com os filtros fornece dados para a determinação da tensão do tubo. O instrumento denominado MAMO-KVDT-01 foi testado com um equipamento de raios-X mamográfico. Os resultados mostraram uma resposta linear do instrumento com dose de radiação no intervalo de 5,0 a 14,0 mGy, com um coeficiente de determinação de 0,9961. O teste de estabilidade da sua resposta para a medida de tensão também mostrou uma boa reprodutibilidade dentro de ±1,5%. Esses resultados qualificam o MAMO-KVDT-01 como instrumento adequado para o controle de qualidade de equipamentos mamográficos

Orientador: João Sinezio de Carvalho Campos / Dissertação (mestrado) - Universidade Estadual de Campinas, Faculdade de Engenharia Quimica / Made available in DSpace on 2018-08-03T15:04:59Z (GMT). No. of bitstreams: 1 FurquimNeto_Jose_M.pdf: 3082086 bytes, checksum: 51572a373b340bbec45e2959cf26e5d0 (MD5) Previous issue date: 2002 / Resumo: O interesse científico-tecnológico pelos polímeros condutores tem aumentado pelo fato da possibilidade de aplicações em substituição aos metais tradicionais. Destacando a Polianilina, Politiofeno, Poli (p-fenileno) e Polipirrol e seus derivados. O Polipirrol pode ser obtido por síntese química, eletroquímica e mais recentemente por síntese fotoquímica onde é aplicada radiação ultravioleta em solução de monômero contendo fotoiniciador. A síntese fotoquímica tem sido demonstrada ser promissora e vantajosa, pois em comparação com as outras, pois é mais rápida e barata e gera menos resíduos no ambiente, embora o polímero apresente baixos valores de condutividade elétrica e propriedades mecânicas. O presente trabalho tem o objetivo de contribuir com o desenvolvimento da obtenção de Polipirrol pela síntese fotoquímica na presença de foto iniciador catiônico de sal de ferro-areno, tendo em vista fatores que influenciam na síntese, como tempo e dose de radiação ultravioleta, concentração de foto iniciador, uso de dopantes aromáticos sulfonados (ácidos p-toluenosulfonico (APTS), dodecilbenzenosulfõnico (ADBS) e naftalenosulfõnico (ANS)) e as respectivas relações com a condutividade elétrica medida pelo método de placas paralelas. Caracterizações fisico-químicas através de técnicas de espectroscopia de infra-vermelho (FTIR/ATR), análises termogravimétrica (TGA), calorimetria diferencial exploratória (DSC), microscopia eletrônica de varredura (MEV) e análise granulométrica. Obteve-se o polímero na forma de pó preto muito duro e estável até cerca de 200°C. Os resultados monstram que a produção de Polipirrol é proporcional à dose UltraVioleta e à concentração de foto iniciador. Os termo gramas indicam degradação térmica entre 200 e 400°C, com grande porcentagem de resíduo (- 40%) a 600°C. A condutividade elétrica tende a aumentar com o aumento de dose ultravioleta e para Polipirrol puro foi da ordem de 10-12 S/cm enquanto que para Polipirrol com APTS foi de 10-9 S/cm e Polipirrol com ADBS de 10-10 S/cm em relação ao Polipirrol com ANS (10^11S/cm). Todas as amostras tiveram perda da condutividade significativa após 30 dias quando annazenadas sob condições ambientes / Abstract: The scientific and technological interest for the conducting polymers has increased for the fact of the possibility aplications in substitute to traditional metals. Emphasize the Polianilin, Politiofen, Poli(p-fenilen) and Polypyrrole and its derivatives. The Polypyrrole (PPy) can be obtained by chemistry synthesis, eletrochemistry and more recendy photochemicaly. It's applied ultraviolet radiation in monomer with photoinitiator solution. Photochemistry synthesis has been demonstrated to the promisied and advantajeous due to faster and cheaper and it generates less residues to the environrnent, thought PPy presents low values of electrical conductivity and mecanical properties. The present work has the objective to contribute with the development of the PPy obtained by photochemical synthesis, in this work was studied of factors as time and ultraviolet radiation, photoiniciador concentration, use of aromatics dopants (ptoluenosulfonic acid (APTS) dodesilbenzenosulfõnico acid (ADBS) and naftalenosulfOnico acid (ANS)) and respective relations with the electrical conductivity (paralIel plates method). Physic-chemistry caracterizations used wery: infi-a-red ray spectroscopy (FTIR/ATR), termogravimetricals analysis (TOA), diferential scaning calorimetry (DSC), X-Rayanalysis, scaning eletronic microscopy (SEM) and granulometrical analysis. Obtained very hard black powder of PPy stable until about 200°C. Results have show that the production of PPy is proportional to ultraviolet dose and photoinitieted concentration. Termograms had showed thermal degradation between 200 and 400°C with great residue until600 oCo The electrical conductivity tends to increase with the ultraviolet increase dose and for pure PPy it was of the order of 10-12 S/cm while that for PPy with APTS it was of 10-9 S/cm and PPy with ADBS of 10-10 S/cm in relation to the PPy with ANS (10-11 S/cm). AlI the samples had loss of the significant conductivity after 30 days when storaged in environrnent / Mestrado / Ciencia e Tecnologia de Polimeros / Mestre em Engenharia Química

Orientador: Antonio Carlos Sales Algarte / Dissertação (mestrado) - Universidade Estadual de Campinas, Instituto de Fisica "Gleb Wataghin" / Made available in DSpace on 2018-07-20T10:16:58Z (GMT). No. of bitstreams: 1 Rego_LuisGuilhermedeCarvalho_M.pdf: 1531656 bytes, checksum: 509effdea80fe7ffe5b76f2bfa035df1 (MD5) Previous issue date: 1993 / Resumo: Desenvolvemos um modelo teórico que descreve a relaxação térmica do Arseneto de Gálio excitado por pulsos ópticos ultra-curtos. Dispensamos atenção especial aos fonons LO, que são tratados de duas maneiras distintas para melhor entendermos suas características dinâmicas. Como resultado, é possível acompanhar a evolução temporal de portadores e fonons quentes, desde sua geração até sua termalização. Observamos o efeito de "overshoot" da temperatura dos fonons e propomos um novo mecanismo, capaz de descrevê-lo adequadamente / Abstract: We develop a theoretical model for the electronic thermal relaxation in GaAs crystals submitted to ultrashort optical pulses. We give special consideration to the LO phonons, which are treated by means of two distinct approaches in order to provide a better insight of their dynamical characteristics. As a result, it is possible to follow, step by step, the time evolution of hot carriers and nonequilibrium phonons, since their generation until their thermalization. We observe what is termed a phonon temperature and it is proposed a new mechanism capable to account for its occurrence / Mestrado / Física / Mestre em Física

Orientador : Furio Damiani / Dissertação (mestrado) - Universidade Estadual de Campinas, Faculdade de Engenharia Eletrica / Made available in DSpace on 2018-07-13T21:47:16Z (GMT). No. of bitstreams: 1 Franca_Eliane_M.pdf: 7250675 bytes, checksum: 1b6b79da886c63b6c03b216df5c4fd77 (MD5) Previous issue date: 1989 / Resumo: Não informado / Abstract: Not informed. / Mestrado / Mestre em Engenharia Elétrica

Orientadores: Alaide Pelegrini Mammana, Mauro Monteiro Garcia de Carvalho / Dissertação (mestrado) - Universidade Estadual de Campinas, Faculdade de Engenharia Eletrica / Made available in DSpace on 2018-07-15T08:42:11Z (GMT). No. of bitstreams: 1 Oliveira_ClovisEduardoMazzotti_M.pdf: 9422102 bytes, checksum: 354b01ec5ec627eb460beddfa4acc6b8 (MD5) Previous issue date: 1989 / Resumo: Não informado / Abstract: Not informed. / Mestrado / Mestre em Engenharia Elétrica