Texte remanié de: Habilitationsschrift--Fakultät katholische Theologie--Bamberg--Otto-Friedrich-Universität. / Bibliogr. p. 188-194.

L’institution scolaire est loin d’être le seul espace où l’être humain acquiert des connaissances. L’apprentissage au quotidien commence dès la naissance pour se poursuivre tout au long de la vie. Au fil du temps, la personne cumule des connaissances qu’elle mobilise pour répondre à des problématiques inédites qui, de fait, contribuent à faire émerger de nouvelles connaissances et à remanier celles déjà acquises. La confrontation au quotidien à une maladie questionne les différentes dimensions et composantes de l’identité et génère des périodes de turbulences identitaires dont nous avons fait l’hypothèse qu’elles constituent des moments propices aux apprentissages. Sur la base de cette hypothèse, notre travail de thèse cherche à rendre intelligible les interactions entre les processus identitaires, les apprentissages en situations informelles et le rapport à la maladie. De type qualitative et sur base d’entretiens semi-directifs, la thèse analyse les stratégies mises en place par des personnes atteintes de diabète dans une tentative de requalification du rapport à soi, aux autres et à ses différents environnements, d’une part, de resignification du vécu subjectif de la trajectoire dans ses différentes dimensions spatio-temporelles, d’autre part. / School is far from being the only place where human beings acquire knowledge. Learning, begins at birth and continues throughout life. Over time, the person accumulates knowledge that he or she calls on to respond to new problems that in fact contribute to the emergence of a new knowledge and to revise that already acquired. The daily confrontation with an illness questions the different dimensions and components of identity and generates periods of identity turbulence, which we have assumed to constitute favorable moments for learning. On the basis of this hypothesis, our thesis aims at making intelligible the interactions between identity processes, learning in informal situations and the relation to illness. A qualitative method is used based on semi-directive interviews. On the one hand, the thesis analyzes the strategies put in place by people with diabetes to requalify the relationship with themselves, with others and the different environments. On the other hand the subjective experience of a person's trajectory in its different spatio-temporal dimensions is resignified.

Titre de l'écran-titre (visionné le 10 janvier 2024) / Le présent mémoire doctoral porte sur les populations biculturelles et multiculturelles. Il traite de la clarté identitaire, soit le degré auquel un individu a une connaissance claire, bien définie et stable de son concept de soi (Campbell, 1990), ainsi que des configurations identitaires, lesquelles réfèrent à la manière dont un individu se représente subjectivement les liens entre ses différentes identités sociales ou culturelles (Amiot et collègues, 2007). Il vise à répondre à la question de recherche suivante : la configuration identitaire et la clarté du concept de soi chez les individus biculturels et multiculturels sont-elles liées? Le cas échéant, de quelle manière s'influencent-elles? Pour ce faire, une revue exploratoire a été réalisée afin de cartographier un vaste un champ de recherche et de rendre compte des articles abordant à la fois les configurations identitaires et la clarté de l'identité. Douze articles ont été retenus à l'issue de la revue exploratoire. Plus de la moitié de ces articles ont été menés en contexte nord-américain. Plusieurs d'entre eux n'utilisent pas un cadre identitaire précis pour traiter de la question des configurations identitaires. De plus, certains articles ne portent pas explicitement sur les variables d'intérêt – les configurations identitaires et la clarté du concept de soi – mais plutôt sur des variables similaires, comme la cohérence de soi ou encore la continuité culturelle. En définitive, huit articles révèlent l'existence d'une corrélation ou d'une possible association entre les configurations identitaires et la clarté de l'identité. Une analyse thématique a permis d'identifier certains thèmes récurrents à travers les articles qui ont été analysés, à savoir : la définition du soi (indépendant ou interdépendant), le contexte, le dialectisme, la complexité identitaire et la continuité culturelle. D'autres recherches doivent être menées afin d'approfondir la compréhension du lien entre la clarté de l'identité et les configurations identitaire. Ces recherches doivent s'appuyer sur des cadres identitaires décrits dans la littérature, et inclure des devis longitudinaux de même que des manipulations expérimentales afin de statuer sur la direction du lien entre les configurations identitaires et la clarté de l'identité.

Une bonne estime de soi est reconnue par les chercheurs comme étant un concept important pour la réussite scolaire de l’adolescent, de même que pour l’atteinte de ses objectifs d’avenir. Dans les milieux scolaires défavorisés, identifiés par le ministère de l’Éducation et de l’Enseignement supérieur, le taux de sortie des élèves sans diplôme d’études secondaires est plus élevé que dans les milieux favorisés. Des programmes d’intervention sont effectués dès le primaire sur la connaissance des différents domaines de l’estime de soi et sur son développement afin d’aider l’élève à mieux se connaître et à s’accepter. Considérant la structure différente de l’organisation de l’enseignement au secondaire, l’estime de soi est, la plupart du temps, abordée individuellement avec l’élève par les intervenants scolaires comme les psychologues, psychoéducateurs et éducateurs spécialisés. Afin de pouvoir outiller le personnel de ces milieux à aider les adolescents, cette étude a pour objectif de cibler les composantes de l’estime de soi les plus touchées chez les élèves, autant masculins que féminins, d’une école secondaire francophone québécoise située dans un milieu défavorisé. La deuxième partie de l’étude a pour objectif de répertorier quelques programmes d’intervention pour les élèves du secondaire et d’en faire une analyse critique. Les deux parties ont pour objectif final de cibler les composantes les plus désavantagées chez les élèves du 1er cycle en tenant compte du genre, afin d’avoir une intervention efficace auprès de ceux-ci. L’étude est menée auprès de 71 filles et garçons du premier cycle du secondaire (1re et 2e secondaire). L’instrument utilisé pour répondre aux buts de la présente recherche est le Profil des perceptions de soi pour adolescents de Harter (1988) traduit en français par Bouffard, Seidah, McIntyre, Boivin, Vezeau, & Cantin (2002). Les résultats précisent que les adolescentes sont plus à risque lorsqu’elles présentent une difficulté dans le domaine des amitiés profondes. En revanche, les garçons vivent davantage de détresse lorsque leur estime de soi est déficiente dans le domaine des compétences athlétiques et dans le domaine sentimental. La grande majorité des programmes d’intervention sur l’estime de soi s’adressant à des élèves du secondaire ne sont pas structurés pour un travail en dyade (intervenant/élève).

Une interface de capteur intégré haute température est proposée. L'interface de capteur a une architecture dans le domaine temporel et entièrement différentielle. Cette approche offre l'avantage d'une meilleure stabilité thermique par rapport aux architectures analogiques classiques. L'interface du capteur est basée sur des oscillateurs à verrouillage d'injection (ILO) utilisés comme déphaseurs. Une paire d’ILOs convertit la tension de sortie du capteur en une différence de déphasage qui est ensuite numérisée à l'aide d'un convertisseur temps-numérique. La sortie de l'interface du capteur dépend uniquement du rapport des valeurs de ses paramètres plutôt que de leurs valeurs absolues, ce qui entraîne une faible dépendance à température. L'interface du capteur est fabriquée à l'aide d'une technologie de silicium sur isolant partiellement déplété (PD-SOI) de 0.18μm de XFAB, qui est choisie pour sa robustesse thermique. Les mesures montrent que l’interface de capteur a une variation thermique de 178ppm / ° C sur ± 60mV de pleine échelle d'entrée et une variation thermique de 65ppm / ° C sur ± 40mV de pleine échelle d'entrée sur une large plage de température de fonctionnement étendue de -20 ° C à 220 ° C. / A high temperature integrated sensor interface is proposed. The sensor interface has a fully differential time domain architecture. This approach offers the advantage of better thermal stability compared to typical analog based architectures. The sensor interface is based on Injections Locked Oscillators (ILO) used as phase shifters. A pair of ILOs converts the sensor output voltage into a phase shift difference which is then digitized using a time to digital converter. The sensor interface output depends only on the ratio of its parameters values rather than their absolute values thus leading to a low temperature dependency. The sensor interface is fabricated using a 0.18µm Partially-Depleted Silicon on Insulator technology (PD-SOI) from XFAB which is chosen for its thermal robustness. Measurements show that the sensor interface achieves a thermal variation of 178ppm/°C over ±60mV input full scale and a thermal variation of 65ppm/°C over ±40mV input full scale over a wide operation temperature range extended from -20°C to 220°C.

Este trabalho tem como objetivo o estudo, caracterização elétrica e modelagem do novo transistor desenvolvido e fabricado no Laboratório de Sistemas Integráveis (LSI) da Universidade de São Paulo (USP) chamado BE (Back Enhanced) SOI MOSFET. Trata-se de um dispositivo inovador que se destaca principalmente pela sua facilidade de fabricação (exigindo apenas processos bem conhecidos e nenhuma etapa de dopagem do semicondutor) e sua flexibilidade quanto ao modo de operação (pode atuar como um transistor MOS tipo n ou um transistor MOS tipo p, dependendo somente da polarização de substrato). Aplicando-se tensão no substrato (VGB) é possível formar um canal de elétrons (VGB>0) ou lacunas (VGB<0) na segunda interface da camada de silício, por onde a corrente entre fonte e dreno flui. Sua patente foi requerida junto ao INPI (Instituto Nacional da Propriedade Industrial) sob o número BR 10 2015 020974 6. Foram realizadas medidas elétricas e simulações numéricas para melhor compreender seu princípio de funcionamento e as características que tornam possível sua reconfigurabilidade. Duas fabricações distintas deste tipo de dispositivo foram analisadas. Além das espessuras distintas, a principal diferença entre elas é o metal utilizado nos eletrodos de fonte e dreno, sendo alumínio na primeira e níquel na segunda versão. O alumínio utilizado na primeira versão resultou em contatos Ôhmicos após o processamento térmico das lâminas, que favoreceram o funcionamento do dispositivo como transistor tipo p, devido à natureza do material utilizado. A análise em função da temperatura (de 25ºC até 125ºC) mostrou uma variação da tensão de limiar (até 1,52mV/ºC) e uma degradação da mobilidade dos portadores de carga (analisado através da transcondutância), resultando no surgimento de um ponto invariante com a temperatura, o chamado ZTC (Zero Temperature Coefficient). Já a segunda versão possui contatos Schottky, na qual foram obtidos níveis de corrente apreciáveis tanto para transistores tipo n (na ordem de nA para as condições de polarização utilizadas), quanto para transistores tipo p (na ordem de ?A). O comportamento da curva de corrente de dreno deste dispositivo apresentou uma estabilização a partir de determinado valor de tensão de porta. A partir deste ponto o BE SOI MOSFET deixa de atuar como um transistor convencional e passa a ter sua corrente de dreno proporcional a tensão de substrato. Medidas em função da temperatura nesta segunda versão permitiram comparar os resultados com os da primeira versão. Percebeu-se a ausência do ponto de ZTC, uma vez que foi observado o aumento da corrente devido à diminuição da resistência dos contatos de fonte e dreno para temperaturas mais elevadas. Por fim, a operação de um circuito inversor utilizando o BE SOI MOSFET foi implementada, mesmo quando alternando os tipos dos transistores, comprovando a flexibilidade de funcionamento dos transistores ao mudar seu tipo em função da polarização de substrato. / The aim of this work is the study, the electrical characterization and the modeling of the new transistor that was developed and fabricated in the Laboratório de Sistemas Integráveis (LSI) at University of Sao Paulo (USP). It was named BE (Back Enhanced) SOI MOSFET. This innovative device has the advantage of a simple fabrication (only well-known processes are required to build it and there is no need of any doping step) and it has a reconfigurable operation (it can act as a n-type MOS transistor or as a ptype MOS transistor depending only on substrate bias). The substrate voltage (VGB) is responsible for the formation of an electron (VGB>0) or a hole (VGB<0) channel at the back interface of the silicon, where the drain current flows. The patent for it was required at the National Industrial Property Institute under the number BR 10 2015 020974 6. Electrical measurements and numerical simulations were performed to better understand its functioning principle and the characteristics that enable its reconfigurability. Two different fabrication splits were analyzed. Beside their thicknesses, the main difference between them is the drain and source metal electrode (aluminum in the first split and nickel in the second one). The one with aluminum electrodes resulted in Ohmic contacts after thermal processing, that favored the formation on the p-type transistor because of the nature of the used element. It was observed a variation of the threshold voltage (up to 1.52mV/ºC) and a mobility degradation (seen through the transconductance behavior) as a function of the temperature (from 25ºC to 125ºC), resulting in a zero-temperature coefficient (ZTC) bias point in this device. In this bias condition point, the drain current is almost constant as a function of the temperature, which is a good characteristic especially for analog circuits. The second split has Schottky drain and source contacts, in which appreciable current levels were obtained for both n-type transistors (order of magnitude of nA in the measured bias conditions) and p-type transistors (order of magnitude of ?A). The drain current of this device showed a particular behavior where the drain current stabilizes from a certain gate voltage. In this condition, the BE SOI MOSFET does not act as a conventional transistor anymore and its current is proportional to the substrate bias. Measurements as a function of the temperature were performed in the device too. It was observed an increase of the drain current, differently from the first split, due to the reduction of the source and drain contacts resistances as a function of the temperature. This resulted in the absence of the ZTC point. Finally, the operation of an inverter circuit using BE SOI MOSFET transistors was implemented, even if the type of the transistors were switched. This result shows the flexibility of operation of the transistor, in other words, it is possible to change its type as a function of the substrate bias.

Notre thèse consiste à étudier la réception de la Négritude en Afrique lusophone. Pour y arriver, nous aborderons la genèse de la Négritude à travers les poètes et écrivains de la Négro renaissance américaine ainsi que Batouala de René Maran. Cela permettra de mieux discuter l’éclosion du concept de Négritude chez Aimé Césaire, Léon Gontran Damas et Léopold Sedar Senghor. Nous analyserons l’idéologie de la Négritude et le combat de ces poètes pour l’émancipation des peuples noirs et des opprimés du colonialisme. Enfin, voir l’impact de cette réception de la Négritude sur les littératures luso-africaines, avec Agostinho Neto, José Craveirinha et Noémia de Sousa. A-t-elle contribué à libérer les colonies d’Afrique lusophone du joug colonial et à renforcer la quête de soi. Nous chercherons à montrer que l’humanisme de la Négritude renvoie à l’éloge de la condition humaine et à la promesse du possible. / This thesis studies how Négritude was received in Portuguese-speaking Africa. In order to achieve this, the study addresses the origins of Négritude through the poets and writers of the Harlem Renaissance as well as René Maran’s Batouala. This permits a better discussion of the emergence of the concept of Négritude through Aimé Césaire, Léon Gontran Damas and Léopold Sedar Senghor. The study analyses the ideology of Négritude and the poets’ struggle for the freedom of black peoples and those oppressed by colonialism. Finally, this research examines the impact of the reception of Négritude on the African Lusophone literature of Agostinho Neto, José Craveirinha and Noémia de Sousa. Did it contribute to freeing the colonies of Portuguese-speaking Africa from colonial oppression and to strengthening the quest for identity? This study seeks to show that the humanism of Négritude returns us to a tribute to the human condition and the promise of possibility.

Este trabalho tem como objetivo o estudo, caracterização elétrica e modelagem do novo transistor desenvolvido e fabricado no Laboratório de Sistemas Integráveis (LSI) da Universidade de São Paulo (USP) chamado BE (Back Enhanced) SOI MOSFET. Trata-se de um dispositivo inovador que se destaca principalmente pela sua facilidade de fabricação (exigindo apenas processos bem conhecidos e nenhuma etapa de dopagem do semicondutor) e sua flexibilidade quanto ao modo de operação (pode atuar como um transistor MOS tipo n ou um transistor MOS tipo p, dependendo somente da polarização de substrato). Aplicando-se tensão no substrato (VGB) é possível formar um canal de elétrons (VGB>0) ou lacunas (VGB<0) na segunda interface da camada de silício, por onde a corrente entre fonte e dreno flui. Sua patente foi requerida junto ao INPI (Instituto Nacional da Propriedade Industrial) sob o número BR 10 2015 020974 6. Foram realizadas medidas elétricas e simulações numéricas para melhor compreender seu princípio de funcionamento e as características que tornam possível sua reconfigurabilidade. Duas fabricações distintas deste tipo de dispositivo foram analisadas. Além das espessuras distintas, a principal diferença entre elas é o metal utilizado nos eletrodos de fonte e dreno, sendo alumínio na primeira e níquel na segunda versão. O alumínio utilizado na primeira versão resultou em contatos Ôhmicos após o processamento térmico das lâminas, que favoreceram o funcionamento do dispositivo como transistor tipo p, devido à natureza do material utilizado. A análise em função da temperatura (de 25ºC até 125ºC) mostrou uma variação da tensão de limiar (até 1,52mV/ºC) e uma degradação da mobilidade dos portadores de carga (analisado através da transcondutância), resultando no surgimento de um ponto invariante com a temperatura, o chamado ZTC (Zero Temperature Coefficient). Já a segunda versão possui contatos Schottky, na qual foram obtidos níveis de corrente apreciáveis tanto para transistores tipo n (na ordem de nA para as condições de polarização utilizadas), quanto para transistores tipo p (na ordem de ?A). O comportamento da curva de corrente de dreno deste dispositivo apresentou uma estabilização a partir de determinado valor de tensão de porta. A partir deste ponto o BE SOI MOSFET deixa de atuar como um transistor convencional e passa a ter sua corrente de dreno proporcional a tensão de substrato. Medidas em função da temperatura nesta segunda versão permitiram comparar os resultados com os da primeira versão. Percebeu-se a ausência do ponto de ZTC, uma vez que foi observado o aumento da corrente devido à diminuição da resistência dos contatos de fonte e dreno para temperaturas mais elevadas. Por fim, a operação de um circuito inversor utilizando o BE SOI MOSFET foi implementada, mesmo quando alternando os tipos dos transistores, comprovando a flexibilidade de funcionamento dos transistores ao mudar seu tipo em função da polarização de substrato. / The aim of this work is the study, the electrical characterization and the modeling of the new transistor that was developed and fabricated in the Laboratório de Sistemas Integráveis (LSI) at University of Sao Paulo (USP). It was named BE (Back Enhanced) SOI MOSFET. This innovative device has the advantage of a simple fabrication (only well-known processes are required to build it and there is no need of any doping step) and it has a reconfigurable operation (it can act as a n-type MOS transistor or as a ptype MOS transistor depending only on substrate bias). The substrate voltage (VGB) is responsible for the formation of an electron (VGB>0) or a hole (VGB<0) channel at the back interface of the silicon, where the drain current flows. The patent for it was required at the National Industrial Property Institute under the number BR 10 2015 020974 6. Electrical measurements and numerical simulations were performed to better understand its functioning principle and the characteristics that enable its reconfigurability. Two different fabrication splits were analyzed. Beside their thicknesses, the main difference between them is the drain and source metal electrode (aluminum in the first split and nickel in the second one). The one with aluminum electrodes resulted in Ohmic contacts after thermal processing, that favored the formation on the p-type transistor because of the nature of the used element. It was observed a variation of the threshold voltage (up to 1.52mV/ºC) and a mobility degradation (seen through the transconductance behavior) as a function of the temperature (from 25ºC to 125ºC), resulting in a zero-temperature coefficient (ZTC) bias point in this device. In this bias condition point, the drain current is almost constant as a function of the temperature, which is a good characteristic especially for analog circuits. The second split has Schottky drain and source contacts, in which appreciable current levels were obtained for both n-type transistors (order of magnitude of nA in the measured bias conditions) and p-type transistors (order of magnitude of ?A). The drain current of this device showed a particular behavior where the drain current stabilizes from a certain gate voltage. In this condition, the BE SOI MOSFET does not act as a conventional transistor anymore and its current is proportional to the substrate bias. Measurements as a function of the temperature were performed in the device too. It was observed an increase of the drain current, differently from the first split, due to the reduction of the source and drain contacts resistances as a function of the temperature. This resulted in the absence of the ZTC point. Finally, the operation of an inverter circuit using BE SOI MOSFET transistors was implemented, even if the type of the transistors were switched. This result shows the flexibility of operation of the transistor, in other words, it is possible to change its type as a function of the substrate bias.

Diss.--Marburg, 2003. / Bibliogr. p. 176-183.

La philautia surgit grâce au «problème de l'autre». L'importance de la présence affective de Vautre dans le temps rivalise aujourd'hui avec une vie dans l'instant, comme si tout était toujours la première fois, comme si l'immédiat sensible annihilait toute mémoire. Au cœur de ce besoin illusoire de nouveauté constante et de cette exclusion affective, il y a la domination des sens sur l'intelligence. Et comme conséquence, un manque de l'affectivité du soi avec l'autre dans une vie relationnelle stable et durable. Mais la qualité de la relation à l'autre dépend de la relation du soi à soi-même. Davantage, l'amour de soi est au fondement de l'amour de l'autre. La possession du bien en l'âme les dévoile, car elle est ce par quoi s'organise la relation du soi à soi-même, et de ce fait même, elle est ce par quoi s'organisent la relation à l'autre et toutes les activités humaines.