L'introspection est souvent contre-intuitive. Par exemple nous croyons, intuitivement, posséder un Moi mais, en réalité, aucun percept de ce "Moi" n'est possible. De plus, notre capacité à conceptualiser le Moi est tributaire des fonctions langagières. Ce que nous observons après analyse est que la conscience de soi-même, loin d'être innée, se développe progressivement en corrélation avec le développement du langage. Le concept de Soi se développe également ainsi. Plusieurs auteurs tendent à confirmer ce fait: la capacité de référer du sujet l'amène inconsciemment à prendre conscience de lui-même. L'autoréférence est donc le critère indispensable à l'émergence d'une conscience articulée de soi-même. À l'aide de différents ouvrages consacrés à l'étude de ce domaine, nous proposons une analyse de la présente question. Le principal objectif de cette thèse est d'étudier de plus près le développement de la conscience de soi à travers une analyse des différents stades de développement chez l'enfant. Nous voulons en évaluer les caractéristiques essentielles et confirmer le rôle prépondérant du langage interne dans la capacité à devenir à la fois conscients de soi-même mais également dans la capacité à se projeter dans l'avenir (maintien du "Soi" ou "Moi" temporel). Dans la dernière section de thèse nous voulons démontrer, à l'aide d'étude de cas empiriques, que certaines lésions, particulièrement relatives aux fonctions langagières, entraînent inexorablement des répercussions sur la conscience de soi. Ainsi nous confirmons l'hypothèse de départ: la conscience articulée de soi dépend du langage interne.

Thèse numérisée par la Direction des bibliothèques de l'Université de Montréal.

Este trabalho apresenta o estudo do efeito de Auto-Aquecimento (Self-Heating SH) em transistores Silicon-On-Insulator (SOI) com estrutura de canal gradual (GC SOI MOSFET). São apresentadas as características da tecnologia SOI e em especial as características do transistor GC-SOI MOSFET. Foi realizada uma análise do SH usando uma comparação de dispositivos SOI convencionais com GC SOI nMOSFET. Esta análise compara dispositivos com o mesmo comprimento de máscara do canal e dispositivos com o mesmo comprimento efetivo de canal. Simulações numéricas bidimensionais foram efetuadas nas duas análises considerando o aquecimento da rede cristalina. Os modelos e a constante térmica usados nestas simulações também foram apresentados. É demonstrado que os dispositivos GC com o mesmo comprimento de máscara do canal apresentam uma ocorrência similar de SH independentemente do comprimento da região menos dopada apesar de uma maior corrente de dreno. Por outro lado, para mesmo comprimento efetivo de canal o SH é menos pronunciado em transistores GC uma vez que o comprimento de máscara do canal é aumentado para compensar a diferença de corrente. Esta análise é realizada também variando-se a temperatura de 200K a 400K e resultados análogos foram observados apesar do efeito ser mais intenso em baixas temperaturas. / This work presents the study of Self-Heating (SH) effect in Graded-Channel Silicon-On-Insulator (GC SOI) nMOSFETs. The SOI technology characteristics are described with special attention to the GC SOI nMOSFET characteristics. A Self-Heating (SH) analysis was performed using conventional Silicon-On-Insulator (SOI) in comparison to Graded-Channel (GC) SOI nMOSFETs devices. The analysis was performed comparing devices with the same mask channel length and with the same effective channel length. Two-dimensional numerical simulations were performed considering the lattice heating in both cases. The models and the thermal conductive constant used in these simulations are also presented. It has been demonstrated that conventional and GC devices with the same mask channel length present similar occurrence of SH independently of the length of lightly doped region despite the larger drain current. On the other hand, for similar effective channel lengths, the SH is less pronounced in GC transistors as the mask channel length has to be increased in order to compensate the current difference. This analysis is also carried through varying it temperature of 200K to 400K and analogous results had been observed despite the effect being more intense in low temperatures.

Este trabalho apresenta o estudo do efeito de Auto-Aquecimento (Self-Heating SH) em transistores Silicon-On-Insulator (SOI) com estrutura de canal gradual (GC SOI MOSFET). São apresentadas as características da tecnologia SOI e em especial as características do transistor GC-SOI MOSFET. Foi realizada uma análise do SH usando uma comparação de dispositivos SOI convencionais com GC SOI nMOSFET. Esta análise compara dispositivos com o mesmo comprimento de máscara do canal e dispositivos com o mesmo comprimento efetivo de canal. Simulações numéricas bidimensionais foram efetuadas nas duas análises considerando o aquecimento da rede cristalina. Os modelos e a constante térmica usados nestas simulações também foram apresentados. É demonstrado que os dispositivos GC com o mesmo comprimento de máscara do canal apresentam uma ocorrência similar de SH independentemente do comprimento da região menos dopada apesar de uma maior corrente de dreno. Por outro lado, para mesmo comprimento efetivo de canal o SH é menos pronunciado em transistores GC uma vez que o comprimento de máscara do canal é aumentado para compensar a diferença de corrente. Esta análise é realizada também variando-se a temperatura de 200K a 400K e resultados análogos foram observados apesar do efeito ser mais intenso em baixas temperaturas. / This work presents the study of Self-Heating (SH) effect in Graded-Channel Silicon-On-Insulator (GC SOI) nMOSFETs. The SOI technology characteristics are described with special attention to the GC SOI nMOSFET characteristics. A Self-Heating (SH) analysis was performed using conventional Silicon-On-Insulator (SOI) in comparison to Graded-Channel (GC) SOI nMOSFETs devices. The analysis was performed comparing devices with the same mask channel length and with the same effective channel length. Two-dimensional numerical simulations were performed considering the lattice heating in both cases. The models and the thermal conductive constant used in these simulations are also presented. It has been demonstrated that conventional and GC devices with the same mask channel length present similar occurrence of SH independently of the length of lightly doped region despite the larger drain current. On the other hand, for similar effective channel lengths, the SH is less pronounced in GC transistors as the mask channel length has to be increased in order to compensate the current difference. This analysis is also carried through varying it temperature of 200K to 400K and analogous results had been observed despite the effect being more intense in low temperatures.

Il s'agit dans ce mémoire de proposer une interprétation du thème du souci de soi chez Michel Foucault. Tout en étant soucieux d'inscrire cette interprétation foucaldienne du souci à l'intérieur du projet plus général qui l'anime -c'est-à-dire une « ontologie du présent », un travail sur les limites contingentes qui façonnent notre expérience -, nous voulons avant tout montrer que le souci, tel que Foucault le comprend des Anciens, implique pour lui une pleine maîtrise de soi-même sur soi-même, qui doit être comprise comme une pure irréductibilité à tout ce qui est extérieur à soi: irréductibilité à un autre transcendant (une loi ou réalité divine extérieure à l'individu); détermination du soi par le soi comme sujet de son existence et non comme objet d'une existence supérieure; indépendance à l'égard de l'autre concret (autrui). En somme, nous avançons que la maîtrise et l'indépendance radicales du sujet se trouvent affirmées autant à travers la forme particulière que prend le soi, qu'au travers le souci que le sujet doit se prodiguer à lui-même. Nous voulons également montrer, dans la même perspective, que cette irréductibilité radicale n'est paradoxalement pas à comprendre en termes d'autonomie ou d'auto-détermination, au sens moderne des termes. Foucault est très conscient du rapport essentiel qui lie l'homme et le Dieu dans toute l'expérience antique de la subjectivité. Cependant, nous pensons qu'il arrive à se représenter le lien stoïcien de l'individu au Dieu de telle manière que la pleine souveraineté de cet individu ne s'en trouve nullement atteinte. Finalement, nous voulons montrer que pour Foucault, cette maîtrise de soi-même par soi-même et sur soi-même ne se manifeste réellement que dans la période hellénistique et romaine, et plus particulièrement à travers la philosophie stoïcienne. L'esthétique ou l'éthique de la maîtrise de soi par soi ne traverse pas pour lui -en tout cas, pas dans sa forme pleinement réalisée -toute la philosophie païenne. Avant comme après les Stoïciens, l'éthique des philosophes se concrétise, à différents degrés et de différentes manières, sous la forme d'une domination d'un autre (ontologique ou concret). ______________________________________________________________________________ MOTS-CLÉS DE L’AUTEUR : Michel Foucault, Souci de soi, Connaissance de soi, Stoïcisme, Liberté.

Neste trabalho apresentamos a análise do comportamento analógico de transistores MOS implementados em tecnologia Silício sobre Isolante (SOI), de canal gradual (GC) e com tensão mecânica aplicada ao canal, operando em baixas temperaturas (de 380 K a 90 K), em comparação com dispositivos SOI convencionais. Este estudo foi realizado utilizando-se medidas experimentais de transistores e pequenos circuitos fabricados, bem como através da utilização de simulações numéricas bidimensionais e modelos analíticos. No caso dos transistores de canal gradual, inicialmente foi proposto um modelo analítico contínuo para a simulação da corrente de dreno em baixas temperaturas. Este modelo foi validado para temperaturas entre 300 K e 100 K e incluído na biblioteca de modelos de um simulador de circuitos. Foram analisadas características importantes para o funcionamento de circuitos analógicos, tais como a distorção harmônica de dispositivos operando em saturação e o descasamento de alguns parâmetros, como tensão de limiar e corrente de dreno, em diversas temperaturas. No caso da distorção, foi verificada uma melhora significativa promovida pela utilização da estrutura de canal gradual, ultrapassando 20 dB em 100 K. O descasamento apresentou piora em relação ao transistor convencional, devido a imperfeições de alinhamento que podem ocorrer no processo de fabricação, principalmente na etapa de definição da região fracamente dopada do canal. Foi observada uma piora de até 2,5 mV na variação da tensão de limiar e mais de 2% na corrente de dreno, em temperatura ambiente, em relação ao transistor uniformemente dopado. O impacto da utilização de transistores GC SOI em espelhos de corrente e amplificadores dreno comum também foi também avaliado. Os resultados experimentais mostraram que a estrutura de canal gradual é capaz de promover a melhora no desempenho destes dois blocos analógicos em comparação com transistores uniformemente dopados em todo o intervalo de temperaturas estudado. Amplificadores dreno comum com ganho praticamente constante e próximo do limite teórico e espelhos de corrente com precisão de espelhamento superior àquela apresentada por transistores convencionais, com maior excursão do sinal de saída e maior resistência de saída, foram obtidos. Foram também comparadas características analógicas de transistores SOI com tensão mecânica uniaxial e biaxial agindo sobre o canal em função da temperatura. Os resultados obtidos indicam que a tensão mecânica sobre o canal resulta em ganho de tensão melhor, ou no mínimo igual, àquele obtido com um transistor convencional com as mesmas dimensões e tecnologia. / In this work an analysis of the analog behavior of MOS transistors implemented in Silicon-on-Insulator technology, with graded-channel (GC) and mechanical strain applied to the channel, operating at low temperatures (from 380 K down to 90 K), in comparison to standard SOI devices is presented. This study has been carried out by using experimental measurements of transistors and small circuits, as well as through two-dimensional numerical simulations and analytical models. In the case of graded-channel transistors, an analytical model for the simulation of the drain current at low temperatures has been initially proposed. This model has been validated from 300 K down to 100 K and included to the models library of a circuit simulator. Important characteristics for analog circuits have been evaluated, namely the harmonic distortion of devices biased in saturation regime and the mismatching of parameters like the threshold voltage and the drain current, at several temperatures. Regarding the distortion, it has been verified a significant improvement due to the use of the graded-channel architecture, which reached more than 20 dB at 100 K. The matching has been worsened in comparison to standard transistor, due to misalignements that may take place in the devices processing, mainly in the definition of the lightly doped region in the channel. It has been observed a worsening of up to 2.5 mV in the threshold voltage variation and more than 2 % in the drain current, at room temperature, in comparison to the uniformly doped device. The impact of the application of GC transistors in current mirrors and commondrain amplifiers has been also evaluated. The experimental results showed that the graded-channel structure is able to provide improved performance of these analog blocks in comparison with uniformly doped transistors in the entire studied range of temperatures. Commom-drain amplifiers with virtually constant gain, close to the theoretical limit and current mirrors with improved mirroring precision in comparison to standard transistors, with increased output swing and output resistance have been obtained. Analog characteristics of SOI transistors with uniaxial and biaxial mechanical strain in the channel have been also compared as a function of the temperature. The analysis of experimental measurements indicates that the use of mechanical strain results in better or, at least, similar voltage gain than stardard transistors, for the same dimensions and technology.

Neste trabalho apresentamos a análise do comportamento analógico de transistores MOS implementados em tecnologia Silício sobre Isolante (SOI), de canal gradual (GC) e com tensão mecânica aplicada ao canal, operando em baixas temperaturas (de 380 K a 90 K), em comparação com dispositivos SOI convencionais. Este estudo foi realizado utilizando-se medidas experimentais de transistores e pequenos circuitos fabricados, bem como através da utilização de simulações numéricas bidimensionais e modelos analíticos. No caso dos transistores de canal gradual, inicialmente foi proposto um modelo analítico contínuo para a simulação da corrente de dreno em baixas temperaturas. Este modelo foi validado para temperaturas entre 300 K e 100 K e incluído na biblioteca de modelos de um simulador de circuitos. Foram analisadas características importantes para o funcionamento de circuitos analógicos, tais como a distorção harmônica de dispositivos operando em saturação e o descasamento de alguns parâmetros, como tensão de limiar e corrente de dreno, em diversas temperaturas. No caso da distorção, foi verificada uma melhora significativa promovida pela utilização da estrutura de canal gradual, ultrapassando 20 dB em 100 K. O descasamento apresentou piora em relação ao transistor convencional, devido a imperfeições de alinhamento que podem ocorrer no processo de fabricação, principalmente na etapa de definição da região fracamente dopada do canal. Foi observada uma piora de até 2,5 mV na variação da tensão de limiar e mais de 2% na corrente de dreno, em temperatura ambiente, em relação ao transistor uniformemente dopado. O impacto da utilização de transistores GC SOI em espelhos de corrente e amplificadores dreno comum também foi também avaliado. Os resultados experimentais mostraram que a estrutura de canal gradual é capaz de promover a melhora no desempenho destes dois blocos analógicos em comparação com transistores uniformemente dopados em todo o intervalo de temperaturas estudado. Amplificadores dreno comum com ganho praticamente constante e próximo do limite teórico e espelhos de corrente com precisão de espelhamento superior àquela apresentada por transistores convencionais, com maior excursão do sinal de saída e maior resistência de saída, foram obtidos. Foram também comparadas características analógicas de transistores SOI com tensão mecânica uniaxial e biaxial agindo sobre o canal em função da temperatura. Os resultados obtidos indicam que a tensão mecânica sobre o canal resulta em ganho de tensão melhor, ou no mínimo igual, àquele obtido com um transistor convencional com as mesmas dimensões e tecnologia. / In this work an analysis of the analog behavior of MOS transistors implemented in Silicon-on-Insulator technology, with graded-channel (GC) and mechanical strain applied to the channel, operating at low temperatures (from 380 K down to 90 K), in comparison to standard SOI devices is presented. This study has been carried out by using experimental measurements of transistors and small circuits, as well as through two-dimensional numerical simulations and analytical models. In the case of graded-channel transistors, an analytical model for the simulation of the drain current at low temperatures has been initially proposed. This model has been validated from 300 K down to 100 K and included to the models library of a circuit simulator. Important characteristics for analog circuits have been evaluated, namely the harmonic distortion of devices biased in saturation regime and the mismatching of parameters like the threshold voltage and the drain current, at several temperatures. Regarding the distortion, it has been verified a significant improvement due to the use of the graded-channel architecture, which reached more than 20 dB at 100 K. The matching has been worsened in comparison to standard transistor, due to misalignements that may take place in the devices processing, mainly in the definition of the lightly doped region in the channel. It has been observed a worsening of up to 2.5 mV in the threshold voltage variation and more than 2 % in the drain current, at room temperature, in comparison to the uniformly doped device. The impact of the application of GC transistors in current mirrors and commondrain amplifiers has been also evaluated. The experimental results showed that the graded-channel structure is able to provide improved performance of these analog blocks in comparison with uniformly doped transistors in the entire studied range of temperatures. Commom-drain amplifiers with virtually constant gain, close to the theoretical limit and current mirrors with improved mirroring precision in comparison to standard transistors, with increased output swing and output resistance have been obtained. Analog characteristics of SOI transistors with uniaxial and biaxial mechanical strain in the channel have been also compared as a function of the temperature. The analysis of experimental measurements indicates that the use of mechanical strain results in better or, at least, similar voltage gain than stardard transistors, for the same dimensions and technology.

Le chez-soi constitue une base pour la sécurité ontologique. De plus, l’itinérance marque particulièrement la signification du chez-soi et la sécurité ontologique. Padgett (2007) identifie cinq dimensions de la sécurité ontologique auprès de personnes itinérantes souffrant d’un trouble mental grave au sein d’un programme de type Housing First : le contrôle et l’autodétermination, la routine de la vie quotidienne, l’intimité, la construction identitaire (ou la réparation d’identités brisées) et les perspectives d’avenir. Mais qu’en est-il de la sécurité ontologique des personnes ayant vécu une expérience en logement de transition pour personnes en situation d’itinérance ? Au cours de cette étude, s’inscrivant dans une méthodologie qualitative et constructiviste, six personnes qui ont fait un passage dans les logements de transition de la Place Vimont ont été rencontrées en entrevue individuelle afin d’explorer leur expérience concernant la sécurité ontologique. Selon leurs propos, il semble que la sécurité ontologique constitue une expérience complexe et singulière, évoluant autour des dimensions de l’autonomie et du contrôle, de l’intimité, l’identification, de la routine et de la position face à l’avenir. Par ailleurs, le contexte apparaît jouer un rôle significatif dans l'expérience de la sécurité ontologique, particulièrement en ce qui a trait aux dimensions de l'habitation soit le logement, l'immeuble et le quartier. Néanmoins, des éléments du vécu individuel semblent également teinter cette expérience, aspects qu’il pourrait être intéressant d’explorer ultérieurement.

Au Québec, le décrochage scolaire est un phénomène préoccupant, compte tenu du fait qu'il touche 36% des jeunes et que les employeurs ont des attentes de plus en plus élevées au plan des exigences scolaires. Plusieurs facteurs influencent le décrochage scolaire ou son phénomène inverse, la persévérance scolaire. Parmi les facteurs internes influençant la persévérance, on retrouve les perceptions des étudiants quant à leur concept de soi. La présente recherche a permis d'étudier ce facteur d'influence à travers une recherche qualitative de type descriptif. Des entrevues ont été conduites auprès d'un échantillon de volontaires, constitué de neuf étudiantes qui terminaient un programme technique de niveau collégial. Une analyse de contenu a ensuite été effectuée dans le but de décrire et de mieux comprendre comment les facettes du concept de soi se manifestent chez des étudiantes persévérantes et quelle est leur perception des impacts de ces différentes facettes sur leur persévérance scolaire. Il en ressort que le fait d'avoir un fort sentiment d'efficacité, de poursuivre un but ou un rêve, de se sentir soutenue par ses proches et d'entretenir des croyances et des attitudes résilientes face à l'échec et aux commentaires négatifs semblent être des éléments décrivant bien les étudiantes persévérantes ayant participé à l'étude. De plus, une aire de congruence élevée apparaît entre toutes les facettes du concept de soi chez les participantes de la présente étude.

La présente étude s’emploie à reconstruire et à analyser la conception eckhartienne de l’auto-intellection de Dieu, afin de mettre en évidence les divers enjeux de cette question, et par suite de mesurer l’importance exacte qu’elle revêt dans l'œuvre et la pensée du Maître rhénan – surtout quant à son effort spéculatif pour accuser la réalité métaphysique de l’Intellect divin et rendre compte de son opérativité. L’ensemble de cette recherche se fonde sur un extrait du Sermon allemand 80, qui expose avec force et concision la richesse de l’intellectualité de Dieu à travers l’étendue de son acte d’auto-intellection, et propose ainsi une vue synoptique d’un traitement systématique de la question. Dans cette perspective, il s’agit en outre de montrer la cohérence systématique de la métaphysique eckhartienne du flux – caractéristique de l’école albertinienne –, qui correspond à une logique de l’actualité et de la productivité de l’Intellect divin, en établissant alors le lien causal et progressif entre : 1. la définition de Dieu comme intellectus per essentiam (un leitmotiv de la pensée spéculative d’Eckhart), 2. l’acte pur d’auto-intellection qui traduit son intelligere, 3. la procession des Personnes in divinis comme déploiement formel de cet acte (bullitio), et 4. l’émanation des créatures comme mouvement proversif de l’Intellect divin s’intelligeant lui-même, et exerçant de la sorte sa causalité créatrice (ebullitio). Cette étude permet dès lors de dégager une triple considération de l’acte d’auto-intellection de Dieu comme Pensée substantielle et subsistante, comme Pensée trinitaire et bouillonnante, et enfin comme Pensée créatrice et débordante / The present study is devoted to the reconstruction and the analysis of the Eckhartian conception of God’s self-knowledge, so as to emphasize the diverse stakes of this question, and to measure the exact importance which it hold in the work and the thought of Rhenish Master – especially concerning his speculative effort to describe the metaphysical reality of the divine Intellect and to report its operativity. The whole of this research bases on an extract of the German Sermon 80, which explains with strength and conciseness the wealth of God’s intellectuality trough the area of his act of self-knowledge, and so propose a synoptic view of a systematic treatment about this topic. Furthermore, the question is whether to show the systematic coherence of the Eckhartian metaphysics of flow – characteristic of the Albertian school –, which corresponds to one logic of the actuality and the productivity of the divine Intellect, establishing then the causal and progressive link between: 1. The definition of God as intellectus per essentiam (a leitmotiv of Eckhart’s speculative thought, 2. The pure act of self-knowledge, which translates God’s intelligere, 3. The procession of the Persons in divinis as formal deployment of this act (bullitio), and 4. The emanation of creatures as exteriorized movement of the divine Intellect knowing itself, and so exercising its creative causality (ebullitio). This study allows consequently to draw a triple consideration of the act of God's self-knowledge as substantial and subsisting Thought, as Trinitarian and boiling, and finally as creative and overboiling