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61	Implementation of high voltage Silicon Carbide rectifiers and switches Berthou, Maxime 18 January 2012 (has links) (PDF) In this document, we present ou study about the conception and realization of VMOS and Schottky and JBS Diodes on Silicon Carbide. This work allowed us optimize and fabricate diodes using Tungsten as Schottky barrier on both Schottky and JBS diodes of different blocking capability between 1.2kV and 9kV. Moreover, our study of the VMOS, by considering the overall fabrication process, has permitted to identify the totality of the problems we are facing. Thusly we could ameliorate the devices and try new designs as the VIEMOS or the monolithic integration of temperature and current sensors. [SPI:OTHER] Engineering Sciences/Other Power Electronics Schottky Barrier Diode Silicon Carbide High temperature Electronic Commutation High Voltage Converter High Temperature Converter
62	Conception, fabrication et caractérisation de transistors à effet de champ haute tension en carbure de silicium et de leur diode associée Chevalier, Florian 30 November 2012 (has links) (PDF) Dans le contexte des transports plus électriques, les parties mécaniques tendent à être remplacées par leurs équivalents électriques plus petits. Ainsi, le composant lui-même doit supporter un environnement plus sévère et de lourdes contraintes (haute tension, haute température). Les composants silicium deviennent alors inappropriés. Depuis la commercialisation des premières diodes Schottky en 2001, le carbure de silicium est le matériau reconnu mondialement pour la fabrication de dispositifs haute tension avec une forte intégration. Sa large bande d'énergie interdite et son fort champ électrique critique permettent la conception de transistors à effet de champ avec jonction (JFET) pour les hautes tensions ainsi que les diodes associées. Les structures étudiées dépendent de nombreux paramètres, et doivent ainsi être optimisées. L'influence d'un paramètre ne pouvant être isolée, des méthodes mathématiques ont été appelées pour trouver la valeur optimale. Ceci a conduit à la mise en place d'un critère d'optimisation. Ainsi, les deux grands types de structures de JFET verticaux ont pu être analysés finement. D'une part, la recherche d'une structure atteignant les tensions les plus élevées possible a conduit à l'élaboration d'un procédé de fabrication complexe. D'autre part, un souci de simplification et de stabilisation des procédés de fabrication a permis le développement d'un composant plus simple, mais avec une limite en tension un peu plus modeste. [SPI:OTHER] Engineering Sciences/Other Electronique Electronique de puissance Diode à barrière de Schottky Composant de puissance Carbure de silicium Modélisation par éléments finis - FEM Diode PIN Canal latéral Canal vertical JFET double grille
63	Implementation of high voltage Silicon Carbide rectifiers and switches / Conception et réalisation de composants unipolaires en Carbure de Silicium Berthou, Maxime 18 January 2012 (has links) Nous présentons dans ce document, notre étude de la conception et la réalisation de VMOS et de diodes Schottky et JBS en carbure de silicium. Ce travail nous a permis d'optimiser et de fabriquer des diodes utilisant une barrière Schottky en Tungsten de différentes tenues en tension entre 1,2kV et 9kV. De plus, notre étude du VMOS nous a permis d'identifier la totalité des problèmes auxquels nous faisons face. Ainsi, nous avons pu améliorer ces composants tout en essayant de nouveaux designs tels que le VIEMOS et l'intégration monolithique de capteurs de temperature et de courant. / In this document, we present ou study about the conception and realization of VMOS and Schottky and JBS Diodes on Silicon Carbide. This work allowed us optimize and fabricate diodes using Tungsten as Schottky barrier on both Schottky and JBS diodes of different blocking capability between 1.2kV and 9kV. Moreover, our study of the VMOS, by considering the overall fabrication process, has permitted to identify the totality of the problems we are facing. Thusly we could ameliorate the devices and try new designs as the VIEMOS or the monolithic integration of temperature and current sensors. Electronique de puissance Diode à barrière de Schottky Semiconducteur VMOS Haute tension Carbure de silicium Semiconducteur VDMOS Haute température Electronique de commutation Convertisseur de haute tension Convertisseur sous haute température Power Electronics Schottky Barrier Diode Silicon Carbide High temperature Electronic Commutation High Voltage Converter High Temperature Converter 621.317 072

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