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Amplificação da dureza de estruturas de multicamadas de filmes finos CrN/Si3N4Soares, Tatiana Pacheco 13 December 2012 (has links)
A engenharia de superfície tem buscado atender a demanda da indústria por
ferramentas, peças e outros componentes com maior vida útil e resistência frente ao desgaste,
utilizando como revestimentos protetores, materiais cujas propriedades mecânicas,
tribológicas e físico-químicas, tais como dureza, atrito, desgaste, resistência à corrosão e à
oxidação, entre outras podem ser otimizadas. Uma das condições que podem influenciar
diretamente essas propriedades é o tipo de estrutura do revestimento, bem como a temperatura
do substrato durante a deposição dos filmes. Neste trabalho foram estudados revestimentos
compostos por multicamadas de CrN/Si3N4 depositados sobre substrato de silício (001) a uma
temperatura de 300 °C, variando-se a espessura do período da bicamada entre 2 e 10 nm.
Diversas técnicas de caracterização físico-química foram utilizadas. Como caracterização de
propriedades mecânicas, foi utilizado nanoindentação. Os filmes de camadas individuais
produzidos apresentaram razões de Cr/N de 1,02 ± 0,05 e de Si/N de 0,74 ± 0,03, ou seja,
estequiométricos e livres de contaminantes. Para CrN atingiu-se uma dureza de 12 GPa, já
para Si3N4, 26 GPa. Os parâmetros de deposição para os quais as camadas individuais
alcançam durezas próximas ao máximo (12 a 15 GPa para CrN e 18 a 22 GPa para Si3N4)
também contribuem para o aumento de dureza, objetivo deste trabalho. Dos períodos de
multicamadas avaliados a dureza máxima (34,6 ± 1,27 GPa) foi atingida para um período de 4
nm, representando um aumento de 40% em relação ao Si3N4. Os resultados da caracterização
físico-química das amostras apresentam formação efetiva de uma estrutura de multicamadas e
permitiram determinar as espessuras de ordem nanométrica, a distribuição dos elementos em
profundidade, as ligações químicas presentes na amostra, assim como interfaces abruptas.
Além disso, o CrN tem estrutura cristalina e o Si3N4, essencialmente amorfo, satisfazem uma
condição prevista na literatura de aumento de dureza pelo mecanismo de travamento das
discordâncias nas interfaces cristalino-amorfo. / Submitted by Marcelo Teixeira (mvteixeira@ucs.br) on 2014-06-23T11:48:43Z
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Dissertacao Tatiana Pacheco Soares.pdf: 2919680 bytes, checksum: 81921315773c80c60c7cd6e0f031beff (MD5) / Made available in DSpace on 2014-06-23T11:48:43Z (GMT). No. of bitstreams: 1
Dissertacao Tatiana Pacheco Soares.pdf: 2919680 bytes, checksum: 81921315773c80c60c7cd6e0f031beff (MD5) / Conselho Nacional de Desenvolvimento Científico e Tecnológico / Surface engineering has been searching to attend the industrial demand for tools, parts
and other components with larger lifecycles and higher wear resistance, by means of
protective coatings whose mechanical, physical-chemical and tribological properties, such as
hardness, friction, wear and corrosion and oxidation resistance can be optimized. One of the
conditions that can influence directly these properties is the type of structure of the coating, as
well as the temperature of the substrate during film deposition. In the present work were
studied coatings composed by CrN/Si3N4 multilayers depositated on silicon substrate (001) at
a temperature of 300°C, with varying bilayer periods between 2 and 10 nm. Several physicalchemical
characterization techniques were used. Mechanical properties were assessed by
nanoindentation tests. Films produced with single layers presented Cr/N ratio of 1.02 ± 0.05
and Si/N ratio of 0.74 ± 0.03, thus being considered stoichiometric and free from
contaminants. CrN films attained 12 GPa hardness and Si3N4 films attained 26 GPa.
Deposition parameters in which the single layers attained hardness values near to the
maximum also contributed to the hardness increase, aim of this work. Amongst the multilayer
periods evaluated, maximum hardness (H = 34.6 ± 1.27 GPa) was attained for a period of 4
nm, representing an increase of 40% in relation to Si3N4. Physical-chemical characterization
techniques evinced the effective formation of a multilayer structure and enabled the
determination of nanometric scale thicknesses, the distribution of elements as a function of
depth, the chemical bonds present in the sample, as well as the steep interfacial characteristic.
Furthermore, due to CrN crystalline structure and Si3N4 which is essentially amorphous, a
condition predicted in the literature was satisfied, that is, the increase in hardness by the
blocking of dislocation motion mechanism in crystalline-amorphous interfaces.
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Amplificação da dureza de estruturas de multicamadas de filmes finos CrN/Si3N4Soares, Tatiana Pacheco 13 December 2012 (has links)
A engenharia de superfície tem buscado atender a demanda da indústria por
ferramentas, peças e outros componentes com maior vida útil e resistência frente ao desgaste,
utilizando como revestimentos protetores, materiais cujas propriedades mecânicas,
tribológicas e físico-químicas, tais como dureza, atrito, desgaste, resistência à corrosão e à
oxidação, entre outras podem ser otimizadas. Uma das condições que podem influenciar
diretamente essas propriedades é o tipo de estrutura do revestimento, bem como a temperatura
do substrato durante a deposição dos filmes. Neste trabalho foram estudados revestimentos
compostos por multicamadas de CrN/Si3N4 depositados sobre substrato de silício (001) a uma
temperatura de 300 °C, variando-se a espessura do período da bicamada entre 2 e 10 nm.
Diversas técnicas de caracterização físico-química foram utilizadas. Como caracterização de
propriedades mecânicas, foi utilizado nanoindentação. Os filmes de camadas individuais
produzidos apresentaram razões de Cr/N de 1,02 ± 0,05 e de Si/N de 0,74 ± 0,03, ou seja,
estequiométricos e livres de contaminantes. Para CrN atingiu-se uma dureza de 12 GPa, já
para Si3N4, 26 GPa. Os parâmetros de deposição para os quais as camadas individuais
alcançam durezas próximas ao máximo (12 a 15 GPa para CrN e 18 a 22 GPa para Si3N4)
também contribuem para o aumento de dureza, objetivo deste trabalho. Dos períodos de
multicamadas avaliados a dureza máxima (34,6 ± 1,27 GPa) foi atingida para um período de 4
nm, representando um aumento de 40% em relação ao Si3N4. Os resultados da caracterização
físico-química das amostras apresentam formação efetiva de uma estrutura de multicamadas e
permitiram determinar as espessuras de ordem nanométrica, a distribuição dos elementos em
profundidade, as ligações químicas presentes na amostra, assim como interfaces abruptas.
Além disso, o CrN tem estrutura cristalina e o Si3N4, essencialmente amorfo, satisfazem uma
condição prevista na literatura de aumento de dureza pelo mecanismo de travamento das
discordâncias nas interfaces cristalino-amorfo. / Conselho Nacional de Desenvolvimento Científico e Tecnológico / Surface engineering has been searching to attend the industrial demand for tools, parts
and other components with larger lifecycles and higher wear resistance, by means of
protective coatings whose mechanical, physical-chemical and tribological properties, such as
hardness, friction, wear and corrosion and oxidation resistance can be optimized. One of the
conditions that can influence directly these properties is the type of structure of the coating, as
well as the temperature of the substrate during film deposition. In the present work were
studied coatings composed by CrN/Si3N4 multilayers depositated on silicon substrate (001) at
a temperature of 300°C, with varying bilayer periods between 2 and 10 nm. Several physicalchemical
characterization techniques were used. Mechanical properties were assessed by
nanoindentation tests. Films produced with single layers presented Cr/N ratio of 1.02 ± 0.05
and Si/N ratio of 0.74 ± 0.03, thus being considered stoichiometric and free from
contaminants. CrN films attained 12 GPa hardness and Si3N4 films attained 26 GPa.
Deposition parameters in which the single layers attained hardness values near to the
maximum also contributed to the hardness increase, aim of this work. Amongst the multilayer
periods evaluated, maximum hardness (H = 34.6 ± 1.27 GPa) was attained for a period of 4
nm, representing an increase of 40% in relation to Si3N4. Physical-chemical characterization
techniques evinced the effective formation of a multilayer structure and enabled the
determination of nanometric scale thicknesses, the distribution of elements as a function of
depth, the chemical bonds present in the sample, as well as the steep interfacial characteristic.
Furthermore, due to CrN crystalline structure and Si3N4 which is essentially amorphous, a
condition predicted in the literature was satisfied, that is, the increase in hardness by the
blocking of dislocation motion mechanism in crystalline-amorphous interfaces.
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Modelos para testes com respostas dicotomicas com principal enfoque em teoria de resposta de itemPivatto, Marcia Milena 09 July 1992 (has links)
Orientador: Clarice Azevedo de Luna Freire / Dissertação (mestrado) - Universidade Estadual de Campinas, Instituto de Matemática, Estatística e Ciência da Computação / Made available in DSpace on 2018-07-16T01:59:04Z (GMT). No. of bitstreams: 1
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Previous issue date: 1992 / Resumo: Não informado. / Abstract: Not informed. / Mestrado / Mestre em Estatística
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Os testes psicológicos de inteligência e aptidões: suas implicações sociais e políticas (subsídios para a autocritica dos seus utilizadores)Brigatti, Natalino 15 December 1987 (has links)
Submitted by Estagiário SPT BMHS (spt@fgv.br) on 2012-04-03T11:43:25Z
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Previous issue date: 1987 / The main purpose of this dissertation is to analyze critically the intelligence and aptitude tests as tools of a technical practice that arose at a certain historical moment with the socio-political goal of hierarchizing individuals. / A presente dissertação tem como objetivo primeiro, analisar criticamente os testes de inteligência e aptidões, enquanto instrumento de uma prática técnica que emergiu, num determinado momento histórico, com finalidade sócio-política de hierarquizar os indivíduos.
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Modelo de maturidade em testes com foco em ambientes de testes heterogêneosde Souza Alves, Gustavo January 2007 (has links)
Made available in DSpace on 2014-06-12T16:00:31Z (GMT). No. of bitstreams: 2
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Previous issue date: 2007 / No passado as grandes empresas confiavam a qualidade dos seus sistemas aos seus
fornecedores (sejam internos ou externos). Novas tecnologias estão surgindo, processos
de desenvolvimento estão mais maduros, mas os fornecedores ainda pecam na qualidade
do produto. Falhas no desenvolvimento dos sistemas, cronogramas estourados e defeitos
em produção são os principais problemas que prejudicam todo o planejamento
financeiro e estratégico de uma organização [TER_01].
Boas práticas em testes de software contribuem para a melhoria da qualidade e redução
dos custos dos produtos finais, pela diminuição de retrabalho nos estágios posteriores de
testes, durante a implantação e na manutenção. Modelos de maturidade para o
desenvolvimento de software, como CMMi vêm sendo utilizados em larga escala para
amenizar estes problemas, entretanto esses modelos não tratam com grande atenção as
atividades relacionadas a testes. Em resposta a esta deficiência foram criados modelos
de maturidade para os processos de testes. Entre eles, o TMM, Testing Maturity Model
[TMM_01], o TIM, Test Improvement Model [TIM_01] e o TPI, Test Process
Improvement [TPI_01]. Um novo modelo de maturidade em teste, fruto deste trabalho
tem como objetivo cobrir as ausências dos modelos citados. A principal delas é falta de
detalhes sobre ambientes de teste. O TMM-e (enviroment) como será chamado é
adequado para empresas de grande porte onde encontramos uma variedade de
plataformas, linguagens de programação e dispositivos todos funcionando de forma
integrada. O mesmo servirá de referência para estas empresas implantarem um processo
de testes de qualidade, além de fornecer segurança e qualidade na definição e montagem
de seus ambientes de testes
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Um microprocessador com capacidades analógicasZimmermann, Flávio Luiz de Oliveira January 2002 (has links)
Este trabalho apresenta um estudo, implementação e simulação de geradores de sinais analógicos usando-se circuitos digitais, em forma de CORE, integrando-se este com o microprocessador Risco. As principais características procuradas no gerador de sinais são: facilidade de implementação em silício, programabilidade tanto em freqüência quanto em amplitude, qualidade do sinal e facilidade de integração com um microprocessador genérico. Foi feito um estudo sobre a geração convencional de sinais analógicos, dando-se ênfase em alguns tipos específicos de circuitos como circuitos osciladores sintonizados, multivibradores, geradores de sinais triangulares e síntese de freqüência digital direta. Foi feito também um estudo sobre conversão digital-analógica, onde foram mostrados alguns tipos básicos de conversores D/A. Além disso foram abordadas questões como a precisão desses conversores, tipos digitais de conversores digitalanalógico, circuitos geradores de sinais e as fontes mais comuns de erros na conversão D/A. Dando-se ênfase a um tipo específico de conversor D/A, o qual foi utilizado nesse trabalho, abordou-se a questão da conversão sigma-delta, concentrando-se principalmente no ciclo de formatação de ruído. Dentro desse assunto foram abordados o laço sigma-delta, as estruturas de realimentação do erro, estruturas em cascata, e também o laço quantizador. Foram abordados vários circuitos digitais capazes de gerar sinais analógicos, principalmente senóides. Além de geradores de senóides simples, também se abordou a geração de sinais multi-tom, geração de outros tipos de sinais baseando-se no gerador de senóides e também foi apresentado um gerador de funções. Foram mostradas implementações e resultados dessas. Iniciando-se pelo microprocessador Risco, depois o gerador de sinais, o teste deste, a integração do microprocessador com o gerador de sinais e finalmente a implementação standard-cell do leiaute desse sistema. Por fim foram apresentadas conclusões, comentários e sugestões de trabalhos futuros baseando-se no que foi visto e implementado nesse trabalho.
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Um microprocessador com capacidades analógicasZimmermann, Flávio Luiz de Oliveira January 2002 (has links)
Este trabalho apresenta um estudo, implementação e simulação de geradores de sinais analógicos usando-se circuitos digitais, em forma de CORE, integrando-se este com o microprocessador Risco. As principais características procuradas no gerador de sinais são: facilidade de implementação em silício, programabilidade tanto em freqüência quanto em amplitude, qualidade do sinal e facilidade de integração com um microprocessador genérico. Foi feito um estudo sobre a geração convencional de sinais analógicos, dando-se ênfase em alguns tipos específicos de circuitos como circuitos osciladores sintonizados, multivibradores, geradores de sinais triangulares e síntese de freqüência digital direta. Foi feito também um estudo sobre conversão digital-analógica, onde foram mostrados alguns tipos básicos de conversores D/A. Além disso foram abordadas questões como a precisão desses conversores, tipos digitais de conversores digitalanalógico, circuitos geradores de sinais e as fontes mais comuns de erros na conversão D/A. Dando-se ênfase a um tipo específico de conversor D/A, o qual foi utilizado nesse trabalho, abordou-se a questão da conversão sigma-delta, concentrando-se principalmente no ciclo de formatação de ruído. Dentro desse assunto foram abordados o laço sigma-delta, as estruturas de realimentação do erro, estruturas em cascata, e também o laço quantizador. Foram abordados vários circuitos digitais capazes de gerar sinais analógicos, principalmente senóides. Além de geradores de senóides simples, também se abordou a geração de sinais multi-tom, geração de outros tipos de sinais baseando-se no gerador de senóides e também foi apresentado um gerador de funções. Foram mostradas implementações e resultados dessas. Iniciando-se pelo microprocessador Risco, depois o gerador de sinais, o teste deste, a integração do microprocessador com o gerador de sinais e finalmente a implementação standard-cell do leiaute desse sistema. Por fim foram apresentadas conclusões, comentários e sugestões de trabalhos futuros baseando-se no que foi visto e implementado nesse trabalho.
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Teste de identificação de sentenças dicóticas-DSI: desempenho em indivíduos audiologicamente normais / Dichotic sentence identification teste- DSI: performance in normal listenersAndrade, Adriana Neves de [UNIFESP] 28 January 2009 (has links) (PDF)
Made available in DSpace on 2015-07-22T20:50:51Z (GMT). No. of bitstreams: 0
Previous issue date: 2009-01-28 / Fundação de Amparo à Pesquisa do Estado de São Paulo (FAPESP) / Objetivos: Padronizar a teste de identificação de sentenças dicóticas (DSI) em indivíduos normouvintes e comparar o desempenho entre: orelhas direita e esquerda, gênero, idade e escolaridade. Métodos: Participaram do estudo 200 indivíduos normouvintes com preferência manual direita, de ambos as gêneros, divididos em quatro grupos de acordo com a faixa etária: 13 a 19 anos, 20 a 29 anos, 30 a 39 anos e 40 a 49 anos. Todos as sujeitos foram submetidos a avalia<;ao audiol6gica básica e comportamental do processamento auditivo (teste de localização sonora, teste de memória para sons verbais e não verbais em seqüência, teste dicótico de dígitos) para excluir alterações auditivas periféricas e/ou distúrbio do processamento auditivo. A versão em português brasileiro do teste DSI foi elaborada e constou de seis faixas: calibrag8o, treino, integração binaural, escuta direcionada a direita, escuta direcionada a esquerda e treinamento auditivo. Para a analise dos resultados foram utilizadas medidas descritivas e analise inferencial (análise de covariância e variância com medidas repetidas, coeficiente de correlação de Spearman, teste de Kruskal-Wallis e método de Bonferroni). Resultados: Para o teste DSI, foi observado desempenho médio de 93,70% de acertos para a orelha direita e 88,60% de acertos à esquerda. Houve correlação negativa estatisticamente significante entre a porcentagem de acertos e a idade, em ambas as orelhas, para a treino (p=0,001 *) e para integraçao binaural (p=0,000*). Em relação ao grau de escolaridade, observou-se correlação positiva estatisticamente significante para todas as etapas do teste nas orelhas direita e esquerda. Não houve diferença estatisticamente significante entre os gêneros em nenhuma das etapas do teste OSI. Nas compara<;6es múltiplas, para as variáveis porcentagens medias de acertos e orelha, houve rela<;ao de dependência com a idade e escolaridade, mas não existiu dependência do gênero. Conclusoes: Os valores mínimos de referencia, considerando a etapa do teste e orelha são: 60% de acertos à direita e 40% de acertos à esquerda para a treino, 70% de acertos à direita e 60% de acertos à esquerda para a etapa de integração binaural e 72% de acertos bilateral mente na etapa de escuta direcionada. Na comparação do desempenho considerando as variáveis estudadas no teste DSI pode-se concluir que: há vantagem da orelha direita, não há diferenças entre os gêneros, com o aumento da idade há diminuição na porcentagem de acertos e quanto maior a nível educacional, melhor a desempenho dos indivíduos. / Purpose: To standardize the brazilian portuguese version of the dichotic sentence identification test (DSI) in normal listeners, comparing the performance of: right and left ears, gender, age and education. Methods: This study included 200 subjects normal listeners, right-handed, both genders, divided on four groups according to age: 13 to 19 years, 20 to 29 years, 30 to 39 years and 40 to 49 years. All subjects were submitted to basic audiological evaluation and behavioral auditory processing test (auditory localization test, verbal and non-verbal sounds in sequence, dichotic digits test) to exclude peripheral hearing impairment and/or auditory processind disorder. The DSI was prepared for the brazilian portuguese and applied in four stages: training, free report and directed report (right and left). For the analysis of the outcome measures were used descriptive and inferential analysis (analysis of variance and covariance with repeated measures, Spearman correlation coefficient, Kruskal-Wallis test and Bonferroni method). Results: For to DSI test, was observed average performance of 93,70% of hits for the right ear and 88,60% of hits left. There was a statistically significant negative correlation between the percentage of correct and age, in both ears, for training (p=0001*) and for free report (p=0000*). On the level of schooling, there was statistically significant positive correlation for all stages of the test in right and left ears. No statistically significant differences between genders in any of the stages of the DSI test. In multiple comparisons, for variables average percentages of correct and ear, there was a relationship of dependency with age and schooling, but there was no dependence on gender. Conclusions: The minimum values of reference, considering the stage of test and ear are: 60% of hits on the right and 40% of hits left for training, 70% of hits on the right and 60% of hits on the left to the stage of free report and 72% of hits in the stage of directed report bilaterally. In comparing the performance considering the variables in the DSI test could be held for all stages of the test, that there is advantage of the right ear, there are no differences between genders, with increasing age there is decrease in the percentage of correct and the higher the educational level, the better the performance of individuals. / FAPESP: 07/51231-1 / TEDE / BV UNIFESP: Teses e dissertações
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Um microprocessador com capacidades analógicasZimmermann, Flávio Luiz de Oliveira January 2002 (has links)
Este trabalho apresenta um estudo, implementação e simulação de geradores de sinais analógicos usando-se circuitos digitais, em forma de CORE, integrando-se este com o microprocessador Risco. As principais características procuradas no gerador de sinais são: facilidade de implementação em silício, programabilidade tanto em freqüência quanto em amplitude, qualidade do sinal e facilidade de integração com um microprocessador genérico. Foi feito um estudo sobre a geração convencional de sinais analógicos, dando-se ênfase em alguns tipos específicos de circuitos como circuitos osciladores sintonizados, multivibradores, geradores de sinais triangulares e síntese de freqüência digital direta. Foi feito também um estudo sobre conversão digital-analógica, onde foram mostrados alguns tipos básicos de conversores D/A. Além disso foram abordadas questões como a precisão desses conversores, tipos digitais de conversores digitalanalógico, circuitos geradores de sinais e as fontes mais comuns de erros na conversão D/A. Dando-se ênfase a um tipo específico de conversor D/A, o qual foi utilizado nesse trabalho, abordou-se a questão da conversão sigma-delta, concentrando-se principalmente no ciclo de formatação de ruído. Dentro desse assunto foram abordados o laço sigma-delta, as estruturas de realimentação do erro, estruturas em cascata, e também o laço quantizador. Foram abordados vários circuitos digitais capazes de gerar sinais analógicos, principalmente senóides. Além de geradores de senóides simples, também se abordou a geração de sinais multi-tom, geração de outros tipos de sinais baseando-se no gerador de senóides e também foi apresentado um gerador de funções. Foram mostradas implementações e resultados dessas. Iniciando-se pelo microprocessador Risco, depois o gerador de sinais, o teste deste, a integração do microprocessador com o gerador de sinais e finalmente a implementação standard-cell do leiaute desse sistema. Por fim foram apresentadas conclusões, comentários e sugestões de trabalhos futuros baseando-se no que foi visto e implementado nesse trabalho.
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Construção de uma bateria brasileira de inteligência com base na teoria Cattell–Horn–Carroll / Construção e evidências de validade de uma bateria brasileira de múltiplas habilidades com base na teoria Cattell–Horn–CarrollSouza, Victor Vasconcelos de 22 February 2018 (has links)
Dissertação (mestrado)—Universidade de Brasília, Instituto de Psicologia, Programa de Pós-Graduação em Psicologia Social, do Trabalho e das Organizações, 2018. / Submitted by Fabiana Santos (fabianacamargo@bce.unb.br) on 2018-09-10T23:00:44Z
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2018_VictorVasconcelosdeSouza.pdf: 799964 bytes, checksum: 9e9f3bf5bd2aa5eeb3975ee56aeaa4f6 (MD5) / Approved for entry into archive by Fabiana Santos (fabianacamargo@bce.unb.br) on 2018-09-11T20:38:32Z (GMT) No. of bitstreams: 1
2018_VictorVasconcelosdeSouza.pdf: 799964 bytes, checksum: 9e9f3bf5bd2aa5eeb3975ee56aeaa4f6 (MD5) / Made available in DSpace on 2018-09-11T20:38:32Z (GMT). No. of bitstreams: 1
2018_VictorVasconcelosdeSouza.pdf: 799964 bytes, checksum: 9e9f3bf5bd2aa5eeb3975ee56aeaa4f6 (MD5)
Previous issue date: 2018-09-10 / Coordenação de Aperfeiçoamento de Pessoal de Nível Superior (CAPES). / O objetivo geral desta dissertação foi a construção de uma bateria de testes de inteligência com base na teoria Cattell-Horn-Carroll. No estudo 1, foi realizada uma avaliação crítica da literatura brasileira a partir de um modelo teórico de maturação da literatura proposto por Kamphaus. Foram analisados 91 artigos publicados em periódicos brasileiros. Uma quantidade significativa (22,9%) utilizarem testes medindo apenas o fator geral de inteligência, apesar de a teoria CHC ter sido a mais utilizada (28,9%). Também foi frequente a utilização de testes sem o uso destas interpretações, como o WISC-III e o BPR-5 (ambos com 18,5% cada). No geral, os artigos encontrados não discutiram seus achados à luz desta teoria de destaque, não alcançando completamente as tendências mais recentes de produção segundo Kamphaus. Parte do motivo pode ser a pequena quantidade de testes que permitem a interpretação com base nas habilidades previstas no modelo CHC. Neste sentido, no estudo 2, uma bateria com cinco testes de inteligência (Informação Geral Verbal, Raciocínio Geral Sequencial, Memória Visual, Velocidade Perceptiva e Visualização) foi construída com base em habilidades desta teoria. Todos os testes foram aprovados por especialistas após pequenas alterações. Os testes foram aplicados em 104 agentes de segurança pública, sendo que o teste Visualização também foi aplicado em 38 estudantes de universidade pública. Os escores foram analisados com base na teoria de resposta ao item com dois parâmetros, e revelaram dificuldade média de -0,64, e discriminação média de 1,32. No entanto, ainda não havia evidências de validade com base na relação com variáveis externas. No estudo 3, foram analisados os escores da bateria aqui construída juntamente com os escores dos testes RA, RV e RE da BPR-5, o teste de Atenção Alternada do BPA e o TMR. As relações hipotetizadas entre os testes foram confirmadas na matriz de correlações em magnitude e direção. Por fim, um modelo de equações estruturais foi construído com base no modelo teórico da CHC, e obteve coeficientes adequados. / The general objective of this dissertation was the construction of a battery of intelligence tests based on the Cattell-Horn-Carroll theory. In the first study, the Brazilian literature was critically reviewed based on a theoretical model proposed by Kamphaus. We analyzed 91 articles published on Brazilian periodicals. Although the most widely used theory was CHC (28,9%), a significant amount, 22,9%, used tests measuring only the general intelligence factor. In any case, the use of tests without a CHC interpretation, such as WISC-III and BPR-5, was frequent (each accounted for 18,5% of the tests used). In general, the articles found did not discuss their findings in light of this prominent theory, failing to fulfill the most recent tendencies according to Kamphaus. Part of the reason might have been the small number of instruments based on CHC theory with validity evidence for Brazilian samples. In this sense, in study 2, a battery of five intelligence tests (General Verbal Information, General Sequential Reasoning, Visual Memory, Perceptual Speed and Visualization) was built based on the abilities from this theory. All tests were approved by specialists after small modifications. The tests were administered to 104 public security agents. The scores were analyzed using a 2-parameter item response theory model and revealed overall mean difficulty -0.64 and mean discrimination 1.32. However, there hadn’t been analyzed validity evidence based on the relationship with external variables. In study 3, the scores were analyzed along with the RA, RV, and RE tests of BPR-5, as well as the Alternating Attention test from BPA and the visual memory test TMR. The hypothesized relationships were confirmed in the table of correlations, both in magnitude and direction. Finally, a structural equation model was built based on CHC theoretical model, and presented adequate coefficients.
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