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Hat Bayes eine Chance?Sontag, Ralph 10 May 2004 (has links) (PDF)
Workshop "Netz- und Service-Infrastrukturen"
Hat Bayes eine Chance?
Seit einigen Monaten oder Jahren werden verstärkt Bayes-Filter eingesetzt, um die Nutz-E-Mail ("`Ham"') vom unerwünschten "`Spam"' zu trennen. Diese stoßen jedoch leicht an ihre Grenzen.
In einem zweiten Abschnitt wird ein Filtertest der Zeitschrift c't genauer analysiert.
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Real-space renormalization group approach to the integer quantum Hall effect / Ortsraum-Renormierungsgruppenansatz für den ganzzahligen Quanten-Hall-EffektCain, Philipp 20 July 2004 (has links) (PDF)
Gegenstand dieser Dissertation ist die numerische Untersuchung des
ganzzahligen Quanten-Hall-Effekts (QHE). Im Mittelpunkt steht dabei
der Übergang zwischen den charakteristischen Plateaus des
Hall-Leitwertes. Die Beschreibung des Übergangs erfolgt im Rahmen des
Chalker-Coddington-Netzwerkmodells, wobei zusätzlich ein
Ortsraum-Renormierungsgruppenansatz (RG) angewendet wird um hohe
Systemgrößen zu erreichen. Diese Vorgehensweise erlaubt eine einfache,
aber statistisch sehr gute Beschreibung der starken charakteristischen
Fluktuationen am Übergang im Rahmen von Verteilungsfunktionen.
Die RG Resultate werden zunächst mit Ergebnissen anderer Methoden
verglichen. Es werden die kritische Verteilungsfunktion des
Leitwertes am QHE Übergang und deren Momente ermittelt. Aus dem
Verhalten in der Nähe des Übergangs läßt sich der Wert des kritischen
Exponenten der Lokalisierungslänge ableiten. Diese Ergebnisse stimmen
sehr gut mit exakten numerischen Simulationen überein. Die RG Methode
wird daraufhin zur Berechnung der Energieniveaustatistik (ENS)
erweitert. Die kritische ENS der normierten Abstände von benachbarten
Energieniveaus und der kritische Exponent werden bestimmt. Danach
wird der Einfluß von makroskopischen Inhomogenitäten in Form von
langreichweitiger korrelierter Unordnung auf die kritischen
Eigenschaften des QHE Übergangs untersucht. Hierbei zeigt sich ein
Anwachsen des Exponenten mit zunehmender Reichweite und Stärke der
Unordnung. Abschließend wird die RG zur Berechnung des
Hall-Widerstandes eingesetzt. Die kritische Verteilung
des Hall-Widerstandes läßt auf sehr starke Fluktuationen am Übergang
schließen. Abseits des Übergangs in Richtung Isolator wird
divergentes Verhalten des Hall-Widerstandes gefunden. Zusammenfassend
demonstrieren alle Ergebnisse die Robustheit universeller
Eigenschaften am QHE Übergang.
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A Multi-Grid Method for Generalized Lyapunov EquationsPenzl, Thilo 07 September 2005 (has links) (PDF)
We present a multi-grid method for a class of
structured generalized Lyapunov matrix equations.
Such equations need to be solved in each step of
the Newton method for algebraic Riccati equations,
which arise from linear-quadratic optimal control
problems governed by partial differential equations.
We prove the rate of convergence of the two-grid
method to be bounded independent of the dimension
of the problem under certain assumptions.
The multi-grid method is based on matrix-matrix
multiplications and thus it offers a great
potential for a parallelization. The efficiency
of the method is demonstrated by numerical
experiments.
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Synthese von Übergangsmetallformiaten und deren Verwendung zur MetallisierungAbylaikhan, Akerke 29 September 2005 (has links) (PDF)
In der vorliegenden Arbeit werden M(II)-Formiat-Komplexe mit M=Cu, Ni, Zn beschrieben. Das
themogravimetrische Verhalten dieser Komplexe wird vorgestellt. TG-MS-Untersuchungen geben
erste Hinweise auf das Metallisierungsverhalten obiger Spezies. Die Charakterisierung der
entsprechenden Komplexe erfolgte durch die Elementaranalyse, IR-Spektroskopie sowie in
einzelnen Fällen durch die Einkristallröntgendiffraktometrie.
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Bewertung neuartiger metallorganischer Precursoren für die chemische Gasphasenabscheidung von Kupfer für Metallisierungssysteme der MikroelektronikWächtler, Thomas 28 November 2005 (has links) (PDF)
Vor dem Hintergrund der in der Mikroelektronik-Fertigung heute verbreiteten Kupfertechnologie werden in der vorliegenden Arbeit drei neuartige metallorganische Verbindungen, nämlich phosphitstabilisierte Kupfer(I)-Trifluoracetat-Komplexe vorgestellt und hinsichtlich ihrer Anwendbarkeit für die chemische Gasphasenabscheidung (CVD) von Kupfer untersucht. Im einzelnen handelt es ich um die Substanzen Tris(trimethylphosphit)kupfer(I)trifluoracetat (METFA), Tris(triethylphosphit)kupfer(I)trifluoracetat (ETTFA) und Tri(tris(trifluorethyl)phosphit)kupfer(I)trifluoracetat (CFTFA). Mit den Substanzen erfolgen CVD-Experimente auf TiN und Cu bei Temperaturen <400°C. Die Precursoren werden dabei mittels eines Flüssigdosiersystems mit Verdampfereinheit der Reaktionskammer zugeführt. Während METFA wegen seiner ausreichend geringen Viskosität unverdünnt verwendet werden kann, kommen für ETTFA und CFTFA jeweils Precursor-Acetonitril-Gemische zum Einsatz.
Mit keinem der Neustoffe können auf TiN geschlossene Kupferschichten erzeugt werden, während dies auf Kupferunterlagen in Verbindung mit Wasserstoff als Reduktionsmittel gelingt. Die Abscheiderate beträgt hierbei 2-3nm/min; der spezifische Widerstand der Schichten bewegt sich zwischen 4μΩcm und 5μΩcm. Mit allen Substanzen werden besonders an dünnen, gesputterten Kupferschichten Agglomerationserscheinungen und Lochbildung beobachtet. Im Fall von CFTFA treten zusätzlich Schäden am darunterliegenden TiN/SiO<sub>2</sub>-Schichtstapel auf.
Vergleichende Untersuchungen mit der für die Cu-CVD etablierten Substanz (TMVS)Cu(hfac) ergeben sowohl auf Cu als auch auf TiN geschlossene Kupferschichten. Dabei liegen die Abscheideraten bei Temperaturen zwischen 180°C und 200°C im allgemeinen deutlich über 100nm/min. Ein Vergleich dieser Resultate mit den Ergebnissen für die Neustoffe legt nahe, dass den untersuchten Kupfer(I)-Trifluoracetaten keine ausreichende Tauglichkeit für Cu-CVD-Prozesse in der Mikroelektronik-Technologie bescheinigt werden kann. Die im Vergleich zu (TMVS)Cu(hfac) höhere thermische Stabilität der Precursoren und ihre Fähigkeit, mit Wasserstoff als Reaktionspartner auf Cu geschlossene Kupferschichten erzeugen zu können, deutet jedoch auf ihre eventuelle Eignung für ALD-Prozesse hin. Daher widmet sich die Arbeit in einem abschließenden Kapitel dem Thema der Atomic Layer Deposition (ALD), wobei nach einem allgemeinen Überblick besonders auf für die Mikroelektronik relevante ALD-Prozesse eingegangen wird.
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Aerobe Reinigung und anaerobe Entfärbung von Abwässern der TextilveredlungsindustrieOhmann, Ulf 24 February 2006 (has links) (PDF)
Die vorliegende Arbeit befaßt sich mit der anaeroben Entfärbung und aeroben Reinigung von Textilabwasser durch biologische Verfahren. Dazu wurde über mehrere Jahre eine Versuchskläranlage im Pilotmaßstab betrieben und die dabei gewonnenen Erkenntnisse in einer Betriebskläranlage umgesetzt. Die Pilotanlage bestand aus einer anaeroben Vorlage und einem Reaktor, der nach dem SBR-Verfahren (sequentielles biologisches Reinigungsverfahren) betrieben wurde. Das Reaktorvolumen beider Behälter betrug 1 m³. Mit dieser Anlage wurden in der Anaerobstufe farbige Abwässer und gezielt verschiedene Farbmittel entfärbt und in der anschließenden aeroben Belebung die organischen Belastungen und andere Verschmutzungen bis auf die vom Gesetzgeber geforderten Grenzwerte reduziert. Die Versuche ergaben, daß es unter anaeroben Bedingungen möglich ist, auch aerob nicht eliminierbare Färbemittel abzubauen und damit das Gesamtabwasser zu entfärben. Für die Versuche kamen nur „reale“ Abwässer zum Einsatz. Durch die umfangreichen Untersuchungen und Anpassungen an der Versuchskläranlage konnte das Verfahren für die Textilveredlung Erzgebirge technisch so weiterentwickelt werden, daß solide Bemessungsgrundlagen für die großtechnische Realisierung in Form einer Betriebskläranlage vorlagen. Das Reaktorvolumen der beiden parallel geschalteten SBR-Behälter beträgt jeweils 1200 m³. Neben der umfassenden Darstellung und Auswertung der Forschungsergebnisse und Praxiserfahrungen an der Pilotanlage in zahlreichen Abbildungen und Tabellen ist auch die Dokumentation des mehrjährigen Betriebs der Großanlage Gegenstand dieser Arbeit. Am Gesamtabwasserstrom eines Textilveredlungsbetriebes konnte die Eignung einer Kombination aus anaerober biologischer Entfärbung und aerober biologischer Reinigung nachgewiesen werden.
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Evaluation of Phosphite and Phosphane Stabilized Copper(I) Trifluoroacetates as Precursors for the Metal-Organic Chemical Vapor Deposition of CopperWaechtler, Thomas, Shen, Yingzhong, Jakob, Alexander, Ecke, Ramona, Schulz, Stefan E., Wittenbecher, Lars, Sterzel, Hans-Josef, Tiefensee, Kristin, Oswald, Steffen, Schulze, Steffen, Lang, Heinrich, Hietschold, Michael, Gessner, Thomas 16 March 2006 (has links) (PDF)
Copper has become the material of choice
for metallization of high-performance
ultra-large scale integrated circuits.
As the feature size is
continuously decreasing, metal-organic
chemical vapor deposition (MOCVD) appears
promising for depositing the Cu seed
layer required for electroplating, as well
as for filling entire interconnect structures.
In this work, four novel organophosphane
and organophosphite Cu(I) trifluoroacetates
were
studied as precursors for Cu MOCVD. Details
are reported on CVD results obtained with
Tris(tri-n-butylphosphane)copper(I)trifluoroacetate,
(<sup>n</sup>Bu<sub>3</sub>P)<sub>3</sub>CuO<sub>2</sub>CCF<sub>3</sub>.
Solutions of this
precursor with acetonitrile and isopropanol
were used for deposition experiments
on 100 mm Si wafers sputter-coated with Cu,
Cu/TiN, and Al(2 % Si)/W. Experiments
were carried out in a cold-wall reactor at
a pressure of 0.7 mbar, using a
liquid delivery approach for precursor dosage.
On Cu seed layers, continuous films were
obtained at low deposition rates (0.5 to
1 nm/min). At temperatures above 320°C,
hole formation in the Cu films was observed.
Deposition on TiN led to the formation of
single copper particles and etching of the
TiN, whereas isolating aluminum oxyfluoride
was formed after deposition on Al(Si)/W. It
is concluded that the formation of CF<sub>3</sub>
radicals during decarboxylation has a
negative effect on the deposition results.
Furthermore, the precursor chemistry needs
to be improved for a higher volatility of
the complex.
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Entwicklung von adaptiven Algorithmen für nichtlineare FEMBucher, Anke, Meyer, Arnd, Görke, Uwe-Jens, Kreißig, Reiner 01 September 2006 (has links) (PDF)
The development of adaptive finite element
procedures for the solution of geometrically
and physically nonlinear problems in structural
mechanics is very important for the augmentation
of the efficiency of FE-codes. In this contribution
methods of mesh refinement as well as mesh
coarsening are presented for a material model
considering finite elasto-plastic deformations.
For newly generated elements stresses, strains and
internal variables have to be calculated. This
implies the determination of the nodal values as
well as the Gaussian point values of the new
elements based on the transfer of data from the
former mesh. Analogously, the coarsening of less
important elements necessitates the determination
of these values for the newly created father
elements.
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An adaptive strategy for hp-FEM based on testing for analyticityEibner, Tino, Melenk, Jens Markus 01 September 2006 (has links) (PDF)
We present an $hp$-adaptive strategy that is based
on estimating the decay of the expansion coefficients
when a function is expanded in $L^2$-orthogonal
polynomails on a triangle or a tetrahedron.
This method is justified by showing that the decay
of the coefficients is exponential if and only if
the function is analytic.
Numerical examples illustrate the performance of
this approach, and we compare it with two other
$hp$-adaptive strategies.
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11. Chemnitzer Textiltechnik-Tagung - 24. und 25. Oktober 2007Sammelband mehrerer Autoren, 30 November 2007 (has links) (PDF)
Tagungsband
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