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661

Hat Bayes eine Chance?

Sontag, Ralph 10 May 2004 (has links) (PDF)
Workshop "Netz- und Service-Infrastrukturen" Hat Bayes eine Chance? Seit einigen Monaten oder Jahren werden verstärkt Bayes-Filter eingesetzt, um die Nutz-E-Mail ("`Ham"') vom unerwünschten "`Spam"' zu trennen. Diese stoßen jedoch leicht an ihre Grenzen. In einem zweiten Abschnitt wird ein Filtertest der Zeitschrift c't genauer analysiert.
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Real-space renormalization group approach to the integer quantum Hall effect / Ortsraum-Renormierungsgruppenansatz für den ganzzahligen Quanten-Hall-Effekt

Cain, Philipp 20 July 2004 (has links) (PDF)
Gegenstand dieser Dissertation ist die numerische Untersuchung des ganzzahligen Quanten-Hall-Effekts (QHE). Im Mittelpunkt steht dabei der Übergang zwischen den charakteristischen Plateaus des Hall-Leitwertes. Die Beschreibung des Übergangs erfolgt im Rahmen des Chalker-Coddington-Netzwerkmodells, wobei zusätzlich ein Ortsraum-Renormierungsgruppenansatz (RG) angewendet wird um hohe Systemgrößen zu erreichen. Diese Vorgehensweise erlaubt eine einfache, aber statistisch sehr gute Beschreibung der starken charakteristischen Fluktuationen am Übergang im Rahmen von Verteilungsfunktionen. Die RG Resultate werden zunächst mit Ergebnissen anderer Methoden verglichen. Es werden die kritische Verteilungsfunktion des Leitwertes am QHE Übergang und deren Momente ermittelt. Aus dem Verhalten in der Nähe des Übergangs läßt sich der Wert des kritischen Exponenten der Lokalisierungslänge ableiten. Diese Ergebnisse stimmen sehr gut mit exakten numerischen Simulationen überein. Die RG Methode wird daraufhin zur Berechnung der Energieniveaustatistik (ENS) erweitert. Die kritische ENS der normierten Abstände von benachbarten Energieniveaus und der kritische Exponent werden bestimmt. Danach wird der Einfluß von makroskopischen Inhomogenitäten in Form von langreichweitiger korrelierter Unordnung auf die kritischen Eigenschaften des QHE Übergangs untersucht. Hierbei zeigt sich ein Anwachsen des Exponenten mit zunehmender Reichweite und Stärke der Unordnung. Abschließend wird die RG zur Berechnung des Hall-Widerstandes eingesetzt. Die kritische Verteilung des Hall-Widerstandes läßt auf sehr starke Fluktuationen am Übergang schließen. Abseits des Übergangs in Richtung Isolator wird divergentes Verhalten des Hall-Widerstandes gefunden. Zusammenfassend demonstrieren alle Ergebnisse die Robustheit universeller Eigenschaften am QHE Übergang.
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A Multi-Grid Method for Generalized Lyapunov Equations

Penzl, Thilo 07 September 2005 (has links) (PDF)
We present a multi-grid method for a class of structured generalized Lyapunov matrix equations. Such equations need to be solved in each step of the Newton method for algebraic Riccati equations, which arise from linear-quadratic optimal control problems governed by partial differential equations. We prove the rate of convergence of the two-grid method to be bounded independent of the dimension of the problem under certain assumptions. The multi-grid method is based on matrix-matrix multiplications and thus it offers a great potential for a parallelization. The efficiency of the method is demonstrated by numerical experiments.
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Synthese von Übergangsmetallformiaten und deren Verwendung zur Metallisierung

Abylaikhan, Akerke 29 September 2005 (has links) (PDF)
In der vorliegenden Arbeit werden M(II)-Formiat-Komplexe mit M=Cu, Ni, Zn beschrieben. Das themogravimetrische Verhalten dieser Komplexe wird vorgestellt. TG-MS-Untersuchungen geben erste Hinweise auf das Metallisierungsverhalten obiger Spezies. Die Charakterisierung der entsprechenden Komplexe erfolgte durch die Elementaranalyse, IR-Spektroskopie sowie in einzelnen Fällen durch die Einkristallröntgendiffraktometrie.
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Bewertung neuartiger metallorganischer Precursoren für die chemische Gasphasenabscheidung von Kupfer für Metallisierungssysteme der Mikroelektronik

Wächtler, Thomas 28 November 2005 (has links) (PDF)
Vor dem Hintergrund der in der Mikroelektronik-Fertigung heute verbreiteten Kupfertechnologie werden in der vorliegenden Arbeit drei neuartige metallorganische Verbindungen, nämlich phosphitstabilisierte Kupfer(I)-Trifluoracetat-Komplexe vorgestellt und hinsichtlich ihrer Anwendbarkeit für die chemische Gasphasenabscheidung (CVD) von Kupfer untersucht. Im einzelnen handelt es ich um die Substanzen Tris(trimethylphosphit)kupfer(I)trifluoracetat (METFA), Tris(triethylphosphit)kupfer(I)trifluoracetat (ETTFA) und Tri(tris(trifluorethyl)phosphit)kupfer(I)trifluoracetat (CFTFA). Mit den Substanzen erfolgen CVD-Experimente auf TiN und Cu bei Temperaturen &lt;400&deg;C. Die Precursoren werden dabei mittels eines Flüssigdosiersystems mit Verdampfereinheit der Reaktionskammer zugeführt. Während METFA wegen seiner ausreichend geringen Viskosität unverdünnt verwendet werden kann, kommen für ETTFA und CFTFA jeweils Precursor-Acetonitril-Gemische zum Einsatz. Mit keinem der Neustoffe können auf TiN geschlossene Kupferschichten erzeugt werden, während dies auf Kupferunterlagen in Verbindung mit Wasserstoff als Reduktionsmittel gelingt. Die Abscheiderate beträgt hierbei 2-3nm/min; der spezifische Widerstand der Schichten bewegt sich zwischen 4&mu;&Omega;cm und 5&mu;&Omega;cm. Mit allen Substanzen werden besonders an dünnen, gesputterten Kupferschichten Agglomerationserscheinungen und Lochbildung beobachtet. Im Fall von CFTFA treten zusätzlich Schäden am darunterliegenden TiN/SiO<sub>2</sub>-Schichtstapel auf. Vergleichende Untersuchungen mit der für die Cu-CVD etablierten Substanz (TMVS)Cu(hfac) ergeben sowohl auf Cu als auch auf TiN geschlossene Kupferschichten. Dabei liegen die Abscheideraten bei Temperaturen zwischen 180&deg;C und 200&deg;C im allgemeinen deutlich über 100nm/min. Ein Vergleich dieser Resultate mit den Ergebnissen für die Neustoffe legt nahe, dass den untersuchten Kupfer(I)-Trifluoracetaten keine ausreichende Tauglichkeit für Cu-CVD-Prozesse in der Mikroelektronik-Technologie bescheinigt werden kann. Die im Vergleich zu (TMVS)Cu(hfac) höhere thermische Stabilität der Precursoren und ihre Fähigkeit, mit Wasserstoff als Reaktionspartner auf Cu geschlossene Kupferschichten erzeugen zu können, deutet jedoch auf ihre eventuelle Eignung für ALD-Prozesse hin. Daher widmet sich die Arbeit in einem abschließenden Kapitel dem Thema der Atomic Layer Deposition (ALD), wobei nach einem allgemeinen Überblick besonders auf für die Mikroelektronik relevante ALD-Prozesse eingegangen wird.
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Aerobe Reinigung und anaerobe Entfärbung von Abwässern der Textilveredlungsindustrie

Ohmann, Ulf 24 February 2006 (has links) (PDF)
Die vorliegende Arbeit befaßt sich mit der anaeroben Entfärbung und aeroben Reinigung von Textilabwasser durch biologische Verfahren. Dazu wurde über mehrere Jahre eine Versuchskläranlage im Pilotmaßstab betrieben und die dabei gewonnenen Erkenntnisse in einer Betriebskläranlage umgesetzt. Die Pilotanlage bestand aus einer anaeroben Vorlage und einem Reaktor, der nach dem SBR-Verfahren (sequentielles biologisches Reinigungsverfahren) betrieben wurde. Das Reaktorvolumen beider Behälter betrug 1 m³. Mit dieser Anlage wurden in der Anaerobstufe farbige Abwässer und gezielt verschiedene Farbmittel entfärbt und in der anschließenden aeroben Belebung die organischen Belastungen und andere Verschmutzungen bis auf die vom Gesetzgeber geforderten Grenzwerte reduziert. Die Versuche ergaben, daß es unter anaeroben Bedingungen möglich ist, auch aerob nicht eliminierbare Färbemittel abzubauen und damit das Gesamtabwasser zu entfärben. Für die Versuche kamen nur „reale“ Abwässer zum Einsatz. Durch die umfangreichen Untersuchungen und Anpassungen an der Versuchskläranlage konnte das Verfahren für die Textilveredlung Erzgebirge technisch so weiterentwickelt werden, daß solide Bemessungsgrundlagen für die großtechnische Realisierung in Form einer Betriebskläranlage vorlagen. Das Reaktorvolumen der beiden parallel geschalteten SBR-Behälter beträgt jeweils 1200 m³. Neben der umfassenden Darstellung und Auswertung der Forschungsergebnisse und Praxiserfahrungen an der Pilotanlage in zahlreichen Abbildungen und Tabellen ist auch die Dokumentation des mehrjährigen Betriebs der Großanlage Gegenstand dieser Arbeit. Am Gesamtabwasserstrom eines Textilveredlungsbetriebes konnte die Eignung einer Kombination aus anaerober biologischer Entfärbung und aerober biologischer Reinigung nachgewiesen werden.
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Evaluation of Phosphite and Phosphane Stabilized Copper(I) Trifluoroacetates as Precursors for the Metal-Organic Chemical Vapor Deposition of Copper

Waechtler, Thomas, Shen, Yingzhong, Jakob, Alexander, Ecke, Ramona, Schulz, Stefan E., Wittenbecher, Lars, Sterzel, Hans-Josef, Tiefensee, Kristin, Oswald, Steffen, Schulze, Steffen, Lang, Heinrich, Hietschold, Michael, Gessner, Thomas 16 March 2006 (has links) (PDF)
Copper has become the material of choice for metallization of high-performance ultra-large scale integrated circuits. As the feature size is continuously decreasing, metal-organic chemical vapor deposition (MOCVD) appears promising for depositing the Cu seed layer required for electroplating, as well as for filling entire interconnect structures. In this work, four novel organophosphane and organophosphite Cu(I) trifluoroacetates were studied as precursors for Cu MOCVD. Details are reported on CVD results obtained with Tris(tri-n-butylphosphane)copper(I)trifluoroacetate, (<sup>n</sup>Bu<sub>3</sub>P)<sub>3</sub>CuO<sub>2</sub>CCF<sub>3</sub>. Solutions of this precursor with acetonitrile and isopropanol were used for deposition experiments on 100&nbsp;mm Si wafers sputter-coated with Cu, Cu/TiN, and Al(2&nbsp;%&nbsp;Si)/W. Experiments were carried out in a cold-wall reactor at a pressure of 0.7&nbsp;mbar, using a liquid delivery approach for precursor dosage. On Cu seed layers, continuous films were obtained at low deposition rates (0.5 to 1&nbsp;nm/min). At temperatures above 320°C, hole formation in the Cu films was observed. Deposition on TiN led to the formation of single copper particles and etching of the TiN, whereas isolating aluminum oxyfluoride was formed after deposition on Al(Si)/W. It is concluded that the formation of CF<sub>3</sub> radicals during decarboxylation has a negative effect on the deposition results. Furthermore, the precursor chemistry needs to be improved for a higher volatility of the complex.
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Entwicklung von adaptiven Algorithmen für nichtlineare FEM

Bucher, Anke, Meyer, Arnd, Görke, Uwe-Jens, Kreißig, Reiner 01 September 2006 (has links) (PDF)
The development of adaptive finite element procedures for the solution of geometrically and physically nonlinear problems in structural mechanics is very important for the augmentation of the efficiency of FE-codes. In this contribution methods of mesh refinement as well as mesh coarsening are presented for a material model considering finite elasto-plastic deformations. For newly generated elements stresses, strains and internal variables have to be calculated. This implies the determination of the nodal values as well as the Gaussian point values of the new elements based on the transfer of data from the former mesh. Analogously, the coarsening of less important elements necessitates the determination of these values for the newly created father elements.
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An adaptive strategy for hp-FEM based on testing for analyticity

Eibner, Tino, Melenk, Jens Markus 01 September 2006 (has links) (PDF)
We present an $hp$-adaptive strategy that is based on estimating the decay of the expansion coefficients when a function is expanded in $L^2$-orthogonal polynomails on a triangle or a tetrahedron. This method is justified by showing that the decay of the coefficients is exponential if and only if the function is analytic. Numerical examples illustrate the performance of this approach, and we compare it with two other $hp$-adaptive strategies.
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11. Chemnitzer Textiltechnik-Tagung - 24. und 25. Oktober 2007

Sammelband mehrerer Autoren, 30 November 2007 (has links) (PDF)
Tagungsband

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