The purpose of this study explores the sound propagation in very shallow water to understand the environment quality of the Si-Tzi Marine Test Field. Very shallow water acoustics characterized by that sound wave will have a dramatic interaction between the bottoms and the propagation of wave and bottom with a high degree of correlation. Those types of environment are concentrated in the west coast of Taiwan. Analysis of actual acoustic data from the ocean obtain and to use "OASES" simulation that an applied acoustic tool. Expect to understand the phenomenon of water acoustic propagation in the very shallow. The Si-Tzi marine test field had detailed environmental information by previously study. In experiment process, the hydrophone "iTC-6050c" receiving broadband sound source "UW350" signal. The use of personal computer with DAQ card for data acquisition and control. The source in the research vessel was moored 20 m below sea, at the same time to launch three consecutive single (frequency signal 350 Hz, 800 Hz, and 1250 Hz). Reception of signals in order to drift the way. Measured at different frequencies in very shallow water of the transmission loss. The results showed that the results of the current measurement and simulation in line with the follow-up study will be measured "transmission loss" to do to Inversion for geoacoustic parameters in very shallow water. Then obtained "geoacoustic parameters" Comparison of sea-bed surface sampling results. Confirmation "geoacoustic inversion technique" is correct.

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<p>Processing of nanostructured WC-Co and W-Co powders,modelling of Fe-Mn-Si alloy, swelling of Fe-Cu alloy, andmechanical properties and sintering of Fe-Mn-Si steels havebeen studied in the present thesis.</p><p>W-Co precursors made by chemical synthesis were used toproduce nanostructured WCCo and W-Co powders by calcination,reduction and carburization. The phase constituents in thecalcined powders depend on temperature and atmospheres. Cobaltcan accelerate the reduction rate of the W-Co precursors as acatalyst, and cobalt influences the formation of intermediatephases during the reduction of the precursors.</p><p>The ratio of carbon monoxide to carbon dioxide controlscarburization process, gives different intermediate phases andcarburization rates. There exist several intermediate phases: W₆Co₆C, W₃Co₃C, W₂C due to varying carbon monoxide content in thecarburization gases. Nanostructured WC-Co powders with aparticle size of 20-50 nm have been obtained.</p><p>The effect of silicon content on the particle sizedistribution of milled Fe-Mn-Si master alloy powders is muchmore significant than that of manganese content. A finer finalparticle size can be obtained in the alloy powders with highersilicon compositions. Long time milling results in theagglomeration of small particles. The grinding process can bedescribed using classic batch grinding equation based on thepopulation balance model. A swelling model for Fe-Cu alloyssintered at the temperatures above the melting point of copperhas been established based on the penetration mechanism. In themodel, the particle coordination number and heating rate wereused to express the porosity and the thickness of the diffusionlayers between iron and copper particles respectively.</p><p>The effects of sintering temperature and time on theproperties of sintered steels have been studied. Fe-Mn-Simaster alloys made by cast-milling, atomizing, and acombination of atomization and milling have been covered. Themilled, and atomizationmilled alloy steels showed goodmechanical properties with small dimensional change. Transientliquid phase of the Fe-Mn-Si alloys accelerates densification,and offer fast diffusion of alloying elements. The addition ofa small amount of Fe-Mn-Si master alloy to Astaloy 85Mo powdercan lead to high strength with zero dimensional change.</p><p><b>Key words:</b>Processing; Modelling; Nanostructured powder;WC-Co; W-Co; Calcination; Reduction; Carburization; Particlesize; Sintered steel; Fe-Cu alloy; Swelling; Fe-Mn-Si masteralloy; Mechanical properties; Sintering parameters.</p>

Le but de ce travail de thèse est de mieux comprendre la réaction de siliciuration du système Ni-Si utilisée dans les technologies MOS, et d'écrire un modèle permettant de simuler la croissance et les contraintes associées afin d'évaluer l'impact pour le transistor. Ce travail se compose de quatre parties. La première partie offre une revue concernant les mécanismes de changement de phase de Ni-Si. Elle comporte un état de l'art des phénomènes de diffusion associés et des réactions à l'état solide qui conduisent aux différents siliciures.<br />La deuxième partie rapporte différents résultats expérimentaux (XRD et résistance carrée) permettant de caractériser le système Ni-Si. La caractérisation de la contrainte pendant et après la formation est réalisée grâce à des mesures de rayon de courbure. Enfin, le LACBED met en évidence des déformations dans le silicium spécialement en bordure de zone active et au voisinage de grains désorientés.<br />La troisième partie décrit le développement numérique du modèle de siliciuration. Il met en jeu un calcul couplé diffusion-mécanique. Dans le problème de diffusion, l'espèce diffusante est le nickel, mais avec des fronts de diffusion qui peuvent se déplacer vers le silicium, ou au contraire "en arrière", en reconsommant une siliciure déjà formé. Le problème de mécanique fait intervenir des lois viscoplastiques différentes pour chaque composé, et une loi d'homogénéisation "en bêta" pour prendre en compte de façon glovale les propriétés de certains composés biphasés. Afin de pouvoir utiliser les mesures de courbure sous recuit anisotherme, un modèle de croissance semi-analytique de Ni2Si est développé.<br />Finalement, en dernière partie, les calibrations des propriétés mécaniques et cinétiques du modèle EF sont réalisées à partir des résultats expérimentaux. Une validation du modèle est proposé grâce au CBED: le splitting des lignes est relatif à l'amplitude des déformations dans le silicium. Cette approche qualitative met en évidence les déformations du silicium transmises par le siliciure par une méthode inverse.

Les travaux présentés dans ce manuscrit sont consacrés à la croissance par épitaxie par jets moléculaires (EJM) de nanostructures isolées de Ge sur Si. Nous nous sommes intéressés à trois types de nanostructures; des boîtes quantiques isoléees de Ge avec une forte densité, des boîtes de Ge auto organisées sur des îlots de Si et des nanostructures de Ge incorporées dans des nanofils de Si. Un effort important a été porté sur l'élaboration de ces nanostructures par la voie EJM et sur la caractérisation de leurs propriétés structurales et chimiques. Nous avons mis en évidence par une étude de diffraction X en incidence rasante (GID) et par spectroscopie d'absorption X (EXAFS) que les boîtes quantiques de Ge épitaxiées à travers une fine couche d'oxyde étaient fortement contraintes par rapport au substrat de Si et sont presque pures Ge. La structure cristalline des boites de Ge encapsulées dans le Si a été étudiée par microscopie électronique en haute résolution (MET) et une étude par photoluminescence à basse température a montré une émission de ces boîtes dans le spectre visible. Cette luminescence a été attribuée à la présence de<br />liaison résiduelle Ge-O à l'interface entre les boîtes et le Si d'encapsulation. La croissance d'îlots de Si par épitaxie latérale à travers la couche d'oxyde a permis de supprimer ces liaisons et d'obtenir une luminescence des boîtes de Ge dans l'infra rouge avec une très faible largeur de raie. Ce phénomène est attribué à une faible dispersion en taille des boites<br />de Ge élaborées sur ces ilots de Si. Le dernier volet de ces travaux a porté sur l'élaboration de nanofils de Si par la voie VLS et sur l'incorporation de couches fines de Ge dans ces nanofils. L'interdiffusion du silicium dans ces couches de Ge a été quantifié par diffraction anomale et la structure cristalline des fils a été étudiée par MET.

Ce travail porte sur l'étude du comportement protecteur vis-à-vis de la corrosion de revêtements amorphes base Si élaborés par dépôt chimique en phase vapeur.<br />Le caractère protecteur de revêtements de type SiOx et SiOxNy a été analysé sur différents types de substrats. La tenue à la corrosion résulte de la faible porosité et de la nature très isolante de ces couches. <br />La protection fournie par des dépôts SiCx et SiCxNy utilisés comme couche d'accrochage au DLC (“Diamond Like Carbon”) a ensuite été étudiée. L'influence du taux d'incorporation d'azote de films SiCxNy a révélé une corrélation entre la structure chimique, déterminée par XPS, et le caractère semi-conducteur de la couche, établi par Mott-Schottky. La tenue à la corrosion a été directement associée à la densité de porteurs de charge.<br />L'étude a été complétée par une caractérisation électrochimique et une approche tribocorrosion du caractère protecteur fourni par des revêtements duplex SiCxNy / DLC.

Title from PDF of title page. / Document formatted into pages; contains 100 pages. / Thesis (M.S.Ch.E.)--University of South Florida, 2003. / Includes bibliographical references. / Text (Electronic thesis) in PDF format. / ABSTRACT: Silicon Carbide has been a semiconductor material of interest as a high power and temperature replacement for Silicon (Si) in harsh environments due to the higher thermal conductivity and chemical stability of SiC. The cost, however, to produce this material is quite high. There are also defects in the substrate material (SiC) that penetrate into the active devices layers which are known device killers. Silicon is a material that provides a low cost substrate material for epitaxial growth and does not contain the defects that SiC substrates have. However, the large ( 22%) lattice mismatch between Si and SiC creates dislocations at the SiC/Si interface and defects in the SiC epitaxial layer. These defects result in high leakage currents in 3C-SiC/Si devices. The main focus of the this research was to reduce or eliminate these defects using novel Si substrates. / ABSTRACT: First a 3C-SiC on Si baseline process was developed under atmospheric pressure conditions consisting of 3 steps - an in-situ hydrogen etch to remove the native oxide, a carbonization step to convert the Si surface to SiC, and finally a growth step to thicken the SiC layer to the desired value. This process was then modified to establish a high-quality, low-pressure 3C-SiC CVD growth process. This LPCVD process was then used to grow 3C-SiC on numerous novel Si substrates, including porous Si, porous 3C-SiC "free-standing" substrates and SOI substrates which consisted on thin Si films bonded to poly-crystalline SiC plates. The results of these experiments are presented along with suggestions for future work so that device-grade films of 3C-SiC can be developed for various applications. / System requirements: World Wide Web browser and PDF reader. / Mode of access: World Wide Web.

Systematische Untersuchungen zur Abscheidung von Siliciumcarbid und Siliciumcarbid mit coabgeschiedenem Silicium auf Kohlenstoffsubstraten werden in dieser Arbeit vorgestellt. Die Abscheidung erfolgte mittels thermischer CVD in einer CH3SiCl3-H2-Ar-Atmosphaere. Dabei koennen neue Zusammenhaenge zwischen den Schichteigenschaften, wie chemische Zusammensetzung und Struktur, und den Beschichtungsparametern gewonnen werden. In einem zweiten Schritt kann das coabgeschiedene Silicium durch eine thermische Nitridierung in Siliciumnitrid umgewandelt werden. Bei dieser Reaktion reagiert auch die Siliciumcarbidschicht zu Siliciumnitrid. Ueber den Umweg des Titanium-Einbaus in das SiC + Si-Schichtsystem - dabei bilden sich bei der Beschichtungstemperatur Titaniumsilicide - konnte eine Mischschicht angeboten werden, die das coabgeschiedene Silicium selektiv in Siliciumnitrid umwandelt.

Die Methode der Reaktiven Abscheidung wurde benutzt, um zu untersuchen ob und in welcher Weise das Silicidwachstum mittels einer Monolage aus Sb, d.h. mittels eines surfactant (surface active agent), gesteuert werden kann. Hierzu wurden unter UHV-Bedingungen die Metalle Mn, Ti und Ni auf geheizte Si(001) bzw. Si(001)-Sb Substrate abgeschieden. Die Probenanalyse erfolgte durch LEED, RBS, XRD, SEM, TEM und AFM. Die Theorie zum surfactant-gesteuerten Wachstum wird vorgestellt und auf das System des reaktiven Silicidwachstums übertragen. Die Probenanalysen zeigen, dass eine Monolage von Sb in der Lage ist das Wachstum der drei untersuchten Silicide zu beeinflussen. Für das System der Höheren Mangansilicide kommt es zu einer Erhöhung der Inseldichte um bis zu zwei Größenordnungen und zu Änderungen in den Orientierungsbeziehungen der Silicidinseln. Beim Wachstum der Titansilicidschichten konnte durch das surfactant die pinhole-Bildung unterdrückt werden. Das dritte untersuchte Silicid ist das Nickeldisilicid. In diesem Fall wird der Ort der Keimbildung von der Si-Oberfläche in das Volumen des Si-Substrates verschoben, d.h. die Oberfläche wird vollständig passiviert, zusätzlich treten neue Orientierungsbeziehungen auf.

Im Rahmen dieser Diplomarbeit erfolgte die Charakterisierung von dünnen Co-Al-Si-Schichten durch elektrische Messungen, RBS, REM, TEM, AES, MOKE sowie temperaturabhängige Messungen des spezifischen elektrischen Widerstandes. Es wurde die Phasenbildung in diesem ternären System und die Beeinträchtigung der Phasenbildung im System Co-Si in Abhängigkeit des Al-Gehaltes betrachtet. Die Co-Al-Schichten wurden duch Magnetronsputtern auf Si(001)-Substraten abgeschieden und im Temperaturbereich von 500°C bis 900°C getempert (30s).