Thèse numérisée par la Division de la gestion de documents et des archives de l'Université de Montréal

Th. doct.-ing.--Toulouse, I.N.P., 1979. N°: 42.

Dans le but d’améliorer les transistors bipolaires TBH SiGe, nous proposons d’étudier l’impact de la contrainte mécanique sur leurs performances. En effet, cette contrainte permet de libérer un degré de liberté supplémentaire pour améliorer les propriétés du transport grâce à un changement de la structure de bande d’énergie du semiconducteur. Ainsi, nous avons proposé de nouvelles architectures de composants basées sur l’ingénierie de la contrainte mécanique dans les semiconducteurs. Deux approches ont été utilisées dans cette étude pour générer la tension mécanique adéquate à l'intérieur du dispositif. La première approche consiste à appliquer une contrainte mécanique sur la base du transistor en utilisant une couche de SiGe extrinsèque. La seconde approche vise à appliquer une contrainte dans la région du collecteur en utilisant une couche contrainte. Les résultats obtenus montrent que cette méthode peut être une approche prometteuse pour améliorer les performances des TBH. / The Impact of strain engineering technology applied on Si BJT/SiGe HBT devices on the electrical properties and frequency response has been investigated. Strain technology can be used as an additional degree of freedom to enhance the carriers transport properties due to band structure changes and mobility enhancement. New concepts and novel device architectures that are based on strain engineering technology have been explored using TCAD modeling. Two approaches have been used in this study to generate the proper mechanical strain inside the device. The first approach was through introducing strain at the device’s base region using SiGe extrinsic stress layer. The second approach was through introducing strain at the device’s collector region using strain layers. The obtained results obviously show that strain engineering technology principle applied to BJT/HBT device can be a promising approach for further devices performance improvements.

Le sujet de cette thèse porte sur l'élaboration du nouveau nanomatériau par la gravure électrochimique bipolaire (BEE) -- le Ge mésoporeux et sur l'analyse de ses propriétés physico-chimiques en vue de son utilisation dans des applications photovoltaïques. La formation du Ge mésoporeux par gravure électrochimique a été précédemment rapportée dans la littérature. Cependant, le verrou technologique important des procédés de fabrication existants consistait à obtenir des couches épaisses (supérieure à 500 nm ) du Ge mésoporeux à la morphologie parfaitement contrôlée. En effet, la caractérisation physico-chimique des couches minces est beaucoup plus compliquée et le nombre de leurs applications possibles est fortement limité. Nous avons développé un modèle électrochimique qui décrit les mécanismes principaux de formation des pores ce qui nous a permis de réaliser des structures épaisses du Ge mésoporeux (jusqu'au 10 ?m ) ayant la porosité ajustable dans une large gamme de 15% à 60%. En plus, la formation des nanostructures poreuses aux morphologies variables et bien contrôlées est désormais devenue possible. Enfin, la maîtrise de tous ces paramètres a ouvert la voie extrêmement prometteuse vers la réalisation des structures poreuses à multi-couches à base de Ge pour des nombreuses applications innovantes et multidisciplinaires grâce à la flexibilité technologique actuelle atteinte. En particulier, dans le cadre de cette thèse, les couches du Ge mesoporeux ont été optimisées dans le but de réaliser le procédé de transfert de couches minces d'une cellule solaire à triple jonctions via une couche sacrificielle en Ge poreux.

Ce manuscrit présente une approche novatrice du problème de la mise en correspondance dense de pixel dans les images stéréoscopiques. L'originalité de ce tra- vail repose sur l'utilisation d'un ensemble de techniques de représentation de l'imprécis et de l'incertain permettant de minimiser l'a-priori dans le processus de mise en corres- pondance. Ces techniques s'appuient sur une représentation par une partition floue de l'imprécision de la mesure de luminance induite par l'échantillonnage spatial et sur une classification duale de l'information de luminance associée à chaque pixel. Nous avons associé, à cette représentation, une modélisation de la contrainte épipolaire propre aux capteurs stéréoscopiques étalonnés permettant de prendre en compte l'imprécision des paramètres d'étalonnage. Cette représentation permet d'associer, à chaque pixel d'une des images, un domaine pondéré discret des pixels de l'autre image pouvant lui corres- pondre géométriquement et chromatiquement.Nous proposons ensuite de modifier ces distributions de possibilité en utilisant des contraintes supplémentaires, telles que l'ordre ou l'unicité, pour en augmenter la spé- cificité. Nous utilisons, pour ce faire, un processus itératif et coopératif bipolaire. C'est l'ensemble de cette démarche qui permet de minimiser l'influence de la représentation du problème sur les mesures d'appariements. La validité de notre approche est établie par des expérimentations sur des images stéréo- scopiques de synthèses et réelles dont on connait la verité terrain. Celles-ci permettent de tester le comportement de notre méthode vis-à-vis des variations d'illumination et de disparité.

Le trouble bipolaire (TB) est un trouble psychiatrique qui toucherait au minimum 1% à 2% de la population adulte. Si l'étiologie de ce trouble reste complexe et multifactorielle, le poids des facteurs génétiques est conséquent avec une héritabilité estimée entre 70% et 80%. Le fait d'avoir un parent bipolaire apparaît comme le premier facteur de risque de développer soi-même un trouble bipolaire. Egalement, ces enfants présentent un très haut risque d’avoir des psychopathologies. Un marqueur intéressant chez ces enfants pour identifier ce risque est le profil de dysrégulation obtenu au CBCL-DP. Ainsi, l'accès à des programmes de prévention ciblés, avant même l’apparition des troubles de ces enfants « à risque » (enfants de parents bipolaires ayant des symptômes sub-cliniques et un profil au CBCL-DP élevé) est une démarche prometteuse. Les programmes centrés sur la famille (Family Focused Therapy, FFT) dont l'efficacité est établie dans le TB à début précoce pourraient servir de base à des actions de prévention. En France, à ce jour aucune étude ne s’est intéressée à ces enfants.Méthode : Ce protocole exploratoire a été écrit dans le cadre d’une collaboration entre le service de pédopsychiatrie et le Centre Expert Bipolaire au sein du CHU de Montpellier. Nous proposons de faire participer 17 enfants « à risque » (moyenne age = 9,6 ans) à un programme de TCC multifamilles centré sur la gestion émotionnelle et la résolution de problèmes afin de voir si la dimension de dysrégulation est améliorée en fin de groupe. Au terme de ce groupe et à 12 mois, une réévaluation est proposée afin d’en mesurer les éventuels bénéfices par rapport à l’évaluation initiale.Résultats : Une amélioration significative est montrée sur la dimension de dysrégulation à la fin du groupe (p = 0,007) et en phase de suivi (p = <.001). Toutefois, compte tenu des limites méthodologiques de notre étude et en l’absence de groupe contrôle, il faut être prudent quant aux conclusions et répliquer cette étude avec un groupe contrôle. / Bipolar disorder (BD) is a psychiatric disorder that affects about 1% to 2% of adults. Its aetiology is complex and multifactorial but the genetic factors play an important role, with an estimated heritability between 70% and 80%. Having a bipolar parent appears to be the first risk factor for self-development of BD. Also, these children present a very high risk of having disorders.In this context, a high score in the Child Behavior Check-List-Dysregualtion Profile (CBCL-DP) is constantly reported as a reliable screener. Offering the identified children targeted prevention programs, in order to provide them strategies to face the developing symptoms, is a promising approach. The Family Focused Therapy (FFT) is a multifamily, parents-children CBT program. Its effectiveness was proved in early-onset BD and it is now considered as a possible preventive action for BD offsprings. In France, no study have been conducted on this population Method : The aim of our research is to test the efficacy of a FFT program on a French sample of 17 parents and BD offsprings (mean age = 9,6 years). The protocol was written in the context of a collaboration between the Child and Adolescent Mental Health Service (CAMHS) St Eloi and the Bipolar Expert Centre, within the University Hospital of Montpellier. Families were involved in a CBT program that focuses on emotion and problem solving strategies. Assessment was conducted at the end of this group and after 12 months, in order to measure the benefits compared to the first evaluation. Results: A significant decrease is shown on the dysregulation dimension at the end of the group (p = 0,007) and in the follow-up phase (p = <.001). However, given the methodological limitations of our study and in the absence of a control group, one should be cautious when considering caution should be exercised in making the findings. A replication of this first exploratory study, including a control group, is now necesary.

Ce travail de thèse s'inscrit dans la démarche engagée depuis quelques années et concernant l'intégration monolithique en électronique de puissance avec pour objectif de faire émerger une nouvelle structure de bras d'onduleur plus compacte, plus fiable et plus performante. En s'appuyant sur des technologies à base de transistors " complémentaires " sur substrat N et P, la nouvelle structure étudiée présente de nombreux avantages vis-à-vis de la CEM conduite, de la simplification de commande rapprochée et de la mis en œuvre. Ces aspects sont abordés et validés de manières "théoriques" et expérimentales. Le point pénalisant concernant le rendement de la structure par l'introduction du transistor sur substrat P est également analysé et de nouvelles topologies sont proposées afin d'améliorer cette limitation. Des techniques d'alimentation pour la commande bipolaire offrant un niveau maximal intégration sont ainsi développées.

L'objectif de cette thèse est d'étudier les épitaxies SiGeC sélectives par rapport au nitrure de silicium afin d'améliorer les performances en fréquence des transistors bipolaires à hétérojonction à structure complètement auto alignée. Pour répondre à cette attente, le système SiH4/GeH4/SiH3CH3/HCl/B2H6/H2 est utilisé pour élaborer nos épitaxies sélectives.<br />Cette chimie à base de silane permet d'augmenter significativement la vitesse de croissance par rapport au système SiCl2H2/GeH4/HCl/H2 utilisé classiquement, aussi bien pour un dépôt silicium sélectif que pour un film SiGe sélectif. Par exemple, pour un film Si0,75Ge0,25 la vitesse de croissance est multipliée par un facteur 8.<br />L'incorporation des atomes de carbone dans les sites substitutionnels est facilitée par cette hausse du taux de croissance. En effet, la teneur en carbone substitutionnel est plus élevée en utilisant le silane comme précurseur de silicium (jusqu'à un facteur 4). L'effet bloquant du carbone sur la diffusion du bore est alors meilleur et le dopant est mieux contenu dans la base Si/SiGeC:B. Cette meilleure incorporation du carbone se reflète dans les résultats électriques. Le courant IB n'augmente pas aux fortes concentrations de carbone, ce qui signifie qu'il n'y a pas de centres recombinants dans la base. Le courant IC et la fréquence fT augmentent aussi, ce qui suggère que la largeur de la base neutre est plus fine et donc que la diffusion du bore est ralentie.<br />Nous avons également mis en évidence l'existence d'une corrélation entre le courant IB et l'intensité du signal de photoluminescence à température ambiante. En effet, considérant que leurs mécanismes de recombinaison sont similaires, nous avons noté que la hausse de IB correspond à la chute de la photoluminescence.

Thèse d'exercice : Médecine. Médecine générale : Paris 12 : 2005. / Titre provenant de l'écran-titre. Bibliogr. f. 55-61.

Parmi les nouvelles technologies pour l'énergie inscrites dans un contexte de développement durable, les piles à combustible à membrane échangeuse de protons (PEMFC) présentent des aspects séduisants. Toutefois, pour rendre cette technologie compatible avec une application à grande échelle, elle doit répondre à des exigences strictes en termes de coût, performance, et durabilité. Alors que les plaques bipolaires métalliques sont pénalisées par leur résistance à la corrosion et celles en graphite par leurs propriétés mécaniques et leur coût (dû aux phases d'usinage des canaux), les plaques bipolaires composites apparaissent attrayantes en raison de leurs propriétés et performances et de leur coût. Cette thèse s'inscrit dans ce cadre, en proposant un matériau composite à matrice organique de type époxy et charges conductrices de graphite. L'objectif de notre étude consiste à mettre au point un matériau thermodurcissable à base d'une formulation époxyde solide (permettant de contrôler sa chimie et plus particulièrement sa réactivité) fortement chargée en graphite. Deux formulations différentes sont étudiées. La première est à base de prépolymère époxy appelé DGEBA et de dicyandiamide (DDA) comme durcisseur. L'autre formulation étudiée est constituée de DGEBA et de durcisseur : le 3,3',4,4'-benzophénone dianhydride tétracarboxylique (BTDA). Ces deux formulations ont la particularité d'être très réactives à haute température (180-200°C) caractérisées par des temps de gel très courts (plus petit que 1min) afin d'avoir un temps de cycle de réticulation court pour une industrialisation de la fabrication. De plus, ces mêmes matrices ont montré une bonne stabilité chimique à température ambiante ainsi qu'une bonne stabilité thermique du système réticulé compatible avec la température d'utilisation des piles en fonctionnement. Concernant les réseaux composites résultant de la polymérisation DGEBA/BTDA et DGEBA/DDA, le module au plateau caoutchoutique est dominé par le taux de charge qui est très élevé (85%), celui-ci est ainsi très proche d'un réseau à l'autre et reste supérieur à 1 GPa. Nous constatons une viscosité relativement élevée pour les systèmes fortement chargés, point à prendre en compte lors du procédé de transformation. Enfin, la dernière partie des travaux réalisés concerne l'étude de mélange constitué de la matrice thermodurcissable (DGEBA/DDA/urée) modifiée par un thermoplastique (PEI). L'originalité et l'intérêt de ce travail résident dans l'incorporation de charges conductrices afin que celles-ci puissent se disperser dans la phase continue ou co-continue époxyde-amine lors de la séparation de phase pour limiter la proportion de charges et ainsi la viscosité des systèmes chargés. L'autre intérêt est d'améliorer les propriétés de résistance à la rupture du réseau époxyde TD final grâce à la présence de la phase thermoplastique séparée.