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1	ETUDE THERMODYNAMIQUE ET EXPERIMENTALE DU DEPÔT ALD (ATOMIC LAYER DEPOSITION) DE TaN ET DE SON PRECURSEUR ORGANOMETALLIQUE PDMAT, Ta[N(CH3)2]5, UTILISE EN MICROELECTRONIQUE Violet, Perrine 29 September 2008 (has links) (PDF) L'étude de la vaporisation et de la décomposition thermique du PDMAT sous vide a été réalisée par spectrométrie de masse avec cellule d'effusion et cellules tandem respectivement. La conception et la validation du réacteur, spécifique à l'étude par spectrométrie de masse des molécules organométalliques très réactives au contact de l'air, réalisé au cours de cette thèse, sont exposées. En parallèle des premiers dépôts ALD de TaN à partir de PDMAT et NH3 ont été réalisés sur le réacteur ALD en cours d'optimisation et caractérisés par microscopie électronique et XPS. La confrontation de ces deux résultats permet de proposer des schémas de réactions se produisant lors du dépôt de TaN dans un réacteur ALD et de déterminer les propriétés structurales et thermodynamiques des molécules identifiées. Ces données sont utilisées dans différentes approches de modélisations thermodynamiques du procédé de croissance à partir de la phase gazeuse. Spectrométrie de masse cellule d'effusion cellules tandem pressions de vapeur ALD TaN thermodynamique vaporisation décomposition thermique organométallique PDMAT
2	Etude des dépôts par plasma ALD de diélectriques à forte permittivité diélectrique (dits « High-K ») pour les applications capacités MIM Monnier, D. 09 April 2010 (has links) (PDF) La miniaturisation des composants dans la micorélectronique touche maintenant les composants passifs comme les capacités MIM (Métal/Isolant/Métal). Pour augmenter la densité de capacité des capacités MIM, les diélectriques conventionnels (SiO2, ε = 3.9) sont remplacés par des diélectriques à haute permittivité diélectrique dits « high-k » comme ZrO2. Sa permittivité ε est égale à 47 lorsqu'il se trouve sous la phase tétragonale. Le procédé de dépôt de ZrO2 est la méthode PEALD. Nous avons étudié le procédé de dépôt de ZrO2 avec les précurseurs TEMAZ et ZyALD. Les propriétés thermodynamiques du TEMAZ ont été analysées par spectrométrie de masse. L'influence des paramètres du procédé PEALD et de post-traitements sur les mécanismes de formation de la zircone tétragonale a été étudiée. De nombreuses méthodes de caractérisation (XRD, Raman, TEM, SIMS, XPS, caractérisations électriques...) ont été employées afin d'établir un optimum propriétés des films de ZrO2 / performance du procédé de dépôt. Capacité MIM ZrO2 tétragonale TiN PEALD ALD Spectrométrie de masse cellule d'effusion de Knudsen XRD Spectroscopie Raman XPS SIMS TEM caractérisation électrique mesures de contraintes thermodynamique TEMAZ ZyALD

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ETUDE THERMODYNAMIQUE ET EXPERIMENTALE DU DEPÔT ALD (ATOMIC LAYER DEPOSITION) DE TaN ET DE SON PRECURSEUR ORGANOMETALLIQUE PDMAT, Ta[N(CH3)2]5, UTILISE EN MICROELECTRONIQUE

Etude des dépôts par plasma ALD de diélectriques à forte permittivité diélectrique (dits « High-K ») pour les applications capacités MIM