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Estudo de uma fonte chaveada à ressonânciaSchramm, Douglas Schirmer January 1985 (has links)
Dissertação (mestrado) - Universidade Federal de Santa Catarina, Centro Tecnológico. Programa de Pós-Graduação em Engenharia Elétrica. / Made available in DSpace on 2012-10-15T23:30:07Z (GMT). No. of bitstreams: 0Bitstream added on 2016-01-08T15:15:21Z : No. of bitstreams: 1
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Projeto de um amplificador operacional CMOS de baixa tensão do tipo rail-to-railLacerda, Fabio de 01 August 2018 (has links)
Orientador: Carlos Alberto dos Reis Filho / Dissertação (mestrado) - Universidade Estadual de Campinas, Faculdade de Engenharia Eletrica e de Computação / Made available in DSpace on 2018-08-01T07:37:16Z (GMT). No. of bitstreams: 1
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Previous issue date: 2001 / Mestrado
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Análise do transporte de portadores de carga em transistores de efeito de campo em arquitetura planar e desenvolvimento de transistores em arquitetura verticalSeidel, Keli Fabiana 21 January 2013 (has links)
Resumo: Nesta tese são apresentados dois trabalhos distintos. O primeiro, está relacionada ao trabalho experimental, no qual desenvolvemos (a) transistores híbridos em arquitetura vertical com base nanoestruturada por litografia de esferas e também, (b) transistores de efeito de campo em arquitetura vertical. O transistor (a) é baseado em dois trabalhos desenvolvidos no Grupo de Dispositivos Optoeletrônicos Orgânicos - UFPR, cujas técnicas e arquitetura são utilizadas para desenvolver um transistor de base-permeável com furos na grade metálica que pos- suam tamanho controlado. A segunda classe de dispositivos desenvolvida, consiste de transistores de efeito de campo em arquitetura vertical cujas camadas estão em- pilhadas de modo a formar uma célula capacitiva na parte inferior e um dispositivo a dois terminais na parte superior. Com esta arquitetura conseguimos obter um dispositivo onde a corrente no canal é modulada pelo efeito de campo gerado pela porta e que opera a baixas tensões. Já na segunda parte, trata-se de um modelo teórico que descreve a influência dos es- tados de armadilha de carga no transporte de portadores de carga em transistores de efeito de campo. Neste caso, consideramos estados de armadilha discretos numa dis- tribuição contínua em energia descrita por uma distribuição exponencial. Junto aos resultados numéricos apresentamos também uma aproximação anal ética do modelo. Através destes resultados é possível observar que a espessura efetiva do canal condu- tor, produzida pela tensão da porta, depende fortemente da desordem energética do semicondutor. Assim, o transporte de cargas em materiais amorfos apresenta dois diferentes regimes: (i) Regime tipo-\bulk"(TB), onde a mobilidade dos portadores de carga decresce com a espessura do filme semicondutor e, (ii) o regime de transporte de superfície (TS), onde a mobilidade de portadores de carga satura e não depende da espessura do filme semicondutor.
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Caracterização elétrica de transistores híbridos organico-inorganico utilizando derivados de indenofluorenos como emissorSerbena, José Pedro Mansueto 15 July 2009 (has links)
No description available.
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Projeto e implementação de um regulador de tensão Low Dropout utilizando tecnologia CMOSPelicia, Marcos Mauricio 02 August 2018 (has links)
Orientador : Carlos Alberto dos Reis Filho / Dissertação (mestrado) - Universidade Estadual de Campinas, Faculdade de Engenharia Eletrica e de Computação / Made available in DSpace on 2018-08-02T00:40:01Z (GMT). No. of bitstreams: 1
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Previous issue date: 2002 / Mestrado
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Investigação de fenomenos não lineares em circuitos eletronicosOliveira, Andre Luiz de January 1993 (has links)
Dissertação (mestrado) - Universidade Federal de Santa Catarina. Centro de Ciencias Fisicas e Matematicas. Inclui apendice / Made available in DSpace on 2012-10-16T05:51:35Z (GMT). No. of bitstreams: 0Bitstream added on 2016-01-08T18:01:47Z : No. of bitstreams: 1
91827.pdf: 1511353 bytes, checksum: cd4f7ef17d9d33b1f1d06aade5b3f2ec (MD5) / Desenvolvemos um sistema automatizado para a aquisição de dados e sua posterior análise voltado para o estudo de sistemas físicos que apresentem regime de operação caótico. Com este sistema realizamos um estudo sobre o comportamento de um circuito oscilador, não linear, constituído por um resistor, um indutor e um diodo, excitado externamente. Investigamos as condições necessárias para que este sistema evolua para o regime caótico, mostrando em cada uma das fases o espectro de potência e a reconstrução do atrator, a partir do sinal digitalizado.
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Projeto de um amplificador de instrumentação CMOS integradoDal Fabbro, Paulo Augusto 03 August 2018 (has links)
Orientador : Carlos Alberto dos Reis Filho / Dissertação (mestrado) - Universidade Estadual de Campinas, Faculdade de Engenharia Eletrica e de Computação / Made available in DSpace on 2018-08-03T03:58:22Z (GMT). No. of bitstreams: 1
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Previous issue date: 2002 / Mestrado
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Amplificador do tipo auto-zero continuo integrado em tecnologia CMOSPessatti, Murilo Pilon 03 August 2018 (has links)
Orientador : Carlos Alberto dos Reis Filho / Dissertação (mestrado) - Universidade Estadual de Campinas, Faculdade de Engenharia Eletrica e de Computação / Made available in DSpace on 2018-08-03T03:56:55Z (GMT). No. of bitstreams: 1
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Previous issue date: 2002 / Mestrado
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Extração de características e classificação de sinais sEMG aplicados a uma prótese de mão virtualTello, Richard Junior Manuel Godinez 21 February 2013 (has links)
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Previous issue date: 2013-02-21 / Conselho Nacional de Desenvolvimento Científico e Tecnológico / This work proposes the classification of motor tasks, using surface electromyography (sEMG) to control a prosthetic hand for rehabilitation of amputees. Two types of classifiers are compared: k-Nearest Neighbor (k-NN) and Bayesian (Discriminant Analysis). Motor tasks are divided into four groups correlated. The volunteers were healthy people (without amputation) and several analyzes of each of the signals were conducted. For offline analysis, the features used were: RMS (Root Mean Squared), VAR (Variance) and WL (Waveform Length). For online experimentation, it involved the use of feature of Discriminant of Bi-spectral. In both cases, either online or offline techniques were used to sliding windows. A model is proposed for reclassification using cross-validation in order to validate the classification, and a visualization in Sammon Maps is provided in order to observe the separation of the classes for each set of motor tasks. The proposed method can be implemented in a computer interface providing a visual feedback through an artificial hand prosthetic developed in Visual C++ and MATLAB commands / Este trabalho apresenta a classificação de tarefas motoras, através da eletromiografia de superfície (sEMG), para controlar uma mão prostética para reabilitação de amputados. Dois tipos de classificadores são comparados: k-vizinhos mais próximos (k-NN) e Bayesiano (Análise Discriminante). As tarefas motoras são divididas em quatro grupos correlacionados. Os voluntários desta pesquisa foram pessoas saudáveis (sem amputação), e várias análises de cada um dos sinais foram realizadas. Para o analise off-line, as características utilizadas foram: RMS (Raiz Média Quadrática), VAR (Variância) e WL (Comprimento de forma de onda). Para a experimentação on-line implicou o uso da característica de Discriminante Bi-espectral. Em ambos casos, tanto online ou offline, foram usadas técnicas de janelas deslizantes. Foi proposto um modelo para a reclassificação usando validação cruzada, a fim de validar a classificação, sendo gerada uma visualização dos dados em mapas de Sammon, a fim de observar a separação das classes para cada conjunto de tarefas motoras. Os métodos propostos foram implementados em uma interface de computador, fornecendo realimentação visual através de uma prótese de mão artificial desenvolvida em Visual C++ e utilizando comandos MATLAB
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Influência do teor do elemento índio nas propriedades termo-mecânicas de ligas para interconexão de componentes eletrônicosBoareto, José Carlos January 2012 (has links)
Tese (doutorado) - Universidade Federal de Santa Catarina, Centro Tecnológico. Programa de Pós-Graduação em Ciência e Engenharia de Materiais. / Made available in DSpace on 2013-06-25T20:15:53Z (GMT). No. of bitstreams: 1
310852.pdf: 9901486 bytes, checksum: 74cee7e722f5b68e7e0741962e72eb73 (MD5) / Este trabalho insere-se no âmbito da confiabilidade de interconexões eletrônicas. Ele se propõe a contribuir para o avanço no estado da arte, relativo ao efeito de elementos de liga nas propriedades termomecânicas de materiais para soldagem branda de componentes em placas de circuito impresso. Especificamente, investigou-se a influência do elemento índio (In), nas recentemente introduzidas ligas para soldagem branda livres de chumbo. Para isto foram estudadas quatro composições químicas SnAg3,5, SnAg3,5In2, SnAg3,5In4 e SnAg3,5In8. Inicialmente foram caracterizadas as microestruturas destas ligas utilizando-se microscopia óptica, eletrônica e difração de raios X. Foram também estudados os comportamentos destes materiais sob fluência e fadiga de baixo ciclo. A calorimetria diferencial de varredura foi utilizada para determinar a influência do volume de material no superresfriamento de cada uma destas ligas. A análise microestrutural revelou que a adição de índio aumenta o número de partículas dispersas na matriz de estanho. A liga contendo 8% de peso em índio apresentou uma microestrutura bastante refinada se comparada às outras ligas. Os ensaios de fluência demonstraram que, para temperaturas próximas da temperatura ambiente, quanto maior o teor de índio, maior a resistência à fluência, sendo que o mesmo não ocorre na temperatura de 125 ºC. Neste caso, ocorre uma mudança no mecanismo que controla a taxa de deformação por fluência. As investigações de fadiga de baixo ciclo mostraram que todas as ligas sofrem amolecimento cíclico devido ao coalescimento dos intermetálicos presentes na microestrutura. A liga com 8% em peso de índio apresentou uma baixa vida sob fadiga de baixo ciclo se comparada às outras ligas. Todas as ligas apresentaram uma relação entre o volume de material e o grau de superresfriamento, sendo que, quanto menor a amostra, maior o superresfriamento. Contudo, este efeito foi menor nas ligas contendo índio. A adição do elemento índio promove o aumento da resistência à fluência de ligas para interconexão eletrônica. Isto ocorre devido ao aumento do número de partículas dispersas na matriz de Sn, bem como a um refino de microestrutura. Com uma maior resistência à fluência, estas ligas estão menos propensas à deformação durante seu uso, o que possibilita uma maior durabilidade das interconexões. O uso deste elemento em grandes quantidades, no entanto, pode comprometer a vida sob fadiga de baixo ciclo. As ligas contendo índio estão menos propensas a variações na temperatura de solidificação, o que diminui a variação microestrutural das interconexões em uma placa eletrônica e também contribui para o aumento da confiabilidade dos produtos. / This work is inserted within the area of electronic interconnection reliability. It aims to contribute to the state of the art related to the effect of alloying elements on the thermomechanical properties of solders, used to promote the interconnection of the electronic components and the printed circuit board. More specifically, the work investigated the influence of the element indium in the recently introduced lead free solder alloys. In order to achieve these results, four compositions were investigated: SnAg3,5, SnAg3,5In2, SnAg3,5In4 and SnAg3,5In8. Initially the microstructural characterization of the alloys was assessed through X-ray diffraction and optical and electronic microscopy. The behavior of the material under creep and low cycle fatigue was also investigated. Differential scanning calorimetry was used to determinate the influence of the volume in the undercooling behavior of the different materials. The microstructural analysis depicted that the inclusion of indium increases the number of dispersed particles within the tin matrix. The alloy containing 8% of indium presented a very refined microstructure in comparison to the other alloys. Creep tests have shown that for temperatures near room temperature, the higher the indium content the higher the creep resistance. This, although is not true for the temperature 125ºC. At such temperature there is a change in the strain rate ruling mechanism. The investigation on low cycle fatigue indicates that all the alloys suffer from cyclic softening probably due to coarsening. The alloy with 8 wt% presented a lower life under fatigue, if compared to the others. All the alloys presented a relation in that the smaller the sample size, the higher the undercooling, this effect, however, is less intensive for the alloys containing indium. The introduction of indium as an alloying element increases creep resistance of solder alloys. This occurs due to the higher number of dispersed particles, as well as to a microstructure refinement. With a greater creep resistance, these alloys are less prompt to plastic deformation during their use, what generates a higher interconnection endurance. On the other hand, if the content of this element is as high as 8 wt%, there may be some compromise under low cycle fatigue`s life. The alloys containing indium are less prompt to changes in the solidification temperature. That may decrease the variation in the microstructure of the interconnections on a PCB, and contributes also to an increase in product reliability.
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