Global ETD Search

121	Décomposition Modale Empirique : Contribution à la Modélisation Mathématique et Application en Traitement du Signal et de l'Image Niang, Oumar 20 September 2007 (has links) (PDF) La Décomposition Modale Empirique (EMD), est une méthode de décomposition multi-résolution de signaux en fonctions Modes Intrinsèques (IMF) et cela, de manière auto-adaptative. En la couplant avec la transformée de Hilbert, elle devient une méthode d'analyse Temps-Fréquence , la transformée de Hilbert-Huang, permettant d'étudier bon nombre de classes de signaux. Malgré ces nombreuses applications, l'une des plus importantes limites de l'EMD est son manque de formalisme mathématique. A la place d'une interpolation par splines cubiques utilisée dans l'EMD classique, nous avons estimé l'enveloppe moyenne par une solution d'un système d'EDP. Par une méthode variationnelle, nous avons établi un cadre théorique pour prouver les résultats de convergence, d'existence de modes et la propriété de presque orthogonalité de l'EMD. La comparaison avec des bancs de filtres itératifs et les ondelettes, montre l'aspect multi-résolution de l'EMD. Deux nouvelles applications en traitement du signal et de l'image sont présentées : l'extraction des intermittences et mode mixing et la restauration par shrinkage par EMD. Enfin le modèle peut servir de base pour l'étude de l'unicité de la décomposition. Décomposition Modale Empirique Modélisation mathématique Équations aux Dérivées Partielles Interpolation Enveloppe moyenne Analyse Temps-Fréquence Analyse Multi-résolution Ondelettes Algorithme de Poursuite Banc de Filtres Analyse d'Images Points Caractéristiques Méthodes Spectrales Régularisation de Tikhonov shrinkage par ondelettes shrinkage par EMD Inpainting
122	Etude du Transport dans les Transistors MOSFETs Contraints: Modélisation Multi-échelle Feraille, Maxime 17 June 2009 (has links) (PDF) La réduction des transistors MOSFETs, briques de base des circuits intégrés, ne permet plus d'améliorer efficacement leurs performances. Des leviers technologiques ont été mis en place dans les procédés de fabrication de ces transistors pour y remédier. L'introduction intentionnelle de contraintes constitue l'une de ces solutions. De fait, l'orientation des contraintes en fonction de la direction du canal influence fortement les propriétés de transport des transistors MOSFETs. Les méthodes de calculs de structures de bandes semi-empiriques EPM et /k.p/ dans l'approximation de la fonction enveloppe, ont été développées afin d'étudier les perturbations occasionnées sur la structure électronique des matériaux par l'action conjuguée des contraintes mécaniques et du confinement. L'influence de ces dernières perturbations sur les propriétés de transport a, par la suite, été analysée à l'aide de simulations avancées Monte Carlo "fullband" et Kubo-Greenwood. Les résultats théoriques obtenus ont été confrontés aux données expérimentales de flexion à quatre pointes (Wafer Bending), mesurées au cours de cette thèse. Il apparaît clairement que la prise en compte du couplage complexe des effets de confinement et de contrainte joue un rôle essentiel dans les propriétés de transport des dispositifs MOSFETs actuels. Enfin, chaque étape de modélisation a donné lieu à une discussion des domaines de validité des outils de simulation Dérive-Diffusion et Hydrodynamique, classiquement utilisés dans l'industrie pour la modélisation des dispositifs MOSFETs. [PHYS:COND] Physics/Condensed Matter [PHYS:PHYS] Physics/Physics Calculs Ab initio Calculs à éléments finis TCAD Calculs statistiques Monte Carlo Conduction dans les semi-conducteurs Contrainte Déformation Effets quantiques Fonction enveloppe Formule de transport Kubo-Greenwood Mécanismes d'interaction Matière condensée Méthode k.p Piézorésistance Silicium Ultra-thin Transistors MOSFET Transport électronique -Théorie SOI MOSFET Transport faible champ et mobilité

Search results

Décomposition Modale Empirique : Contribution à la Modélisation Mathématique et Application en Traitement du Signal et de l'Image

Etude du Transport dans les Transistors MOSFETs Contraints: Modélisation Multi-échelle