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31	Grundlagen der Elasto-Plastizität in Creo Simulate - Theorie und Anwendung / Basics of Elasto-Plasticity in Creo Simulate - Theory and Application Jakel, Roland 10 May 2012 (has links) Der Vortrag beschreibt die Grundlagen der Elasto-Plastizität sowie die softwaretechnische Anwendung mit dem FEM-Programm Creo Simulate bzw. Pro/MECHANICA von PTC. Der erste Teil des Vortrages beschreibt die Charakteristika plastischen Verhaltens, unterschiedliche plastische Materialgesetze, Fließkriterien bei mehrachsiger Beanspruchung und unterschiedliche Verfestigungsmodelle. Im zweiten Vortragsteil werden Möglichkeiten und Grenzen der Berechnung elasto-plastischer Probleme mit der Software dargestellt sowie Anwendungstipps gegeben. Im dritten Vortragsteil schließlich werden verschiedene Beispiele vorgestellt, davon besonders ausführlich das Verhalten einer einachsigen elasto-plastischen Zugprobe vor und nach dem Eintreten der Einschnürdehnung. / This presentation describes the basics of elasto-plasticity and its application with the finite element software Creo Simulate (formerly Pro/MECHANICA) from PTC. The first part describes the characteristics of plastic behavior, different plastic material laws, yield criteria for multiaxial stress states and different hardening models. In the second part, the opportunities and limitations of analyzing elasto-plastic problems with the FEM-code are described and user information is provided. The last part finally presents different examples. Deeply treated is the behavior of a uniaxial tensile test specimen before and after elongation with necking appears. info:eu-repo/classification/ddc/629 ddc:629
32	Lanthanide Doped Wide Band Gap Semiconductors: Intra-4f Luminescence and Lattice Location Studies / Lanthanid-dotierte Halbleiter mit großer Bandlücke: Intra-4f Lumineszenz- und Gitterplatzuntersuchungen Vetter, Ulrich 15 July 2003 (has links) No description available. Mathematics and Computer Science Lanthanide Kathodoluminesznez intra-4f Elektronenübergänge Europium Thulium Gadolinium Halbleiter mit großer Bandlücke Aluminiumnitrid kubisches Bornitrid Siliziumkarbid Diamant dünne Schichten tetraedrischer amorpher Kohlenstoff Lichtemitter Starkniveau-Spektroskopie Kristallfeldanalyse Kathodolumineszenz Energiematrix Judd-Ofelt-Theorie Ionenimplantation massenselektierte Ionenstrahldeposition Emissionschanneling Gitterplatz Mössbauerspektroskopie radioaktive Lanthanidisotope 530 Physik lanthanides cathodoluminescence intra-4f electron transitions europium thulium gadolinium wide band gap semiconductors aluminum nitride cubic boron nitride silicon carbide diamond thin films tetrahedral amorphous carbon light emitters Stark level spectroscopy crystal field analysis energy matrix Judd-Ofelt theory ion implantation mass-selected ion beam deposition emission channeling lattice location Mössbauer spectroscopy radioactive lanthanide isotopes 33.60 33.30 33.07 33.06 33.43 33.72 RTF 400: Ionenimplantation {Physik} RTG 400: Anregung von Atomen atomare Energiezustände {Atomphysik} RRJ 000: Emissions- Absorptionsspektroskopie {Physik} RVQ 000: Halbleiter {Physik}

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Grundlagen der Elasto-Plastizität in Creo Simulate - Theorie und Anwendung / Basics of Elasto-Plasticity in Creo Simulate - Theory and Application

Lanthanide Doped Wide Band Gap Semiconductors: Intra-4f Luminescence and Lattice Location Studies / Lanthanid-dotierte Halbleiter mit großer Bandlücke: Intra-4f Lumineszenz- und Gitterplatzuntersuchungen