De neutrofila granulocyterna ingår i det icke specifika immunförsvaret och fagocyterarmikroorganismer och rester från kroppens egna celler. Neutrofilen innehåller fyra olika typerav granula, som vid aktivering av cellen kan uppregleras till plasmamembranet. Proteinetdysferlin har bevisats förekomma i membranet i en del av dessa granuler. Det tros ha en roll imembran fusion och underhåll av membranet.Dysferlin är ett transmembrant protein av typ II, och proteinet saknas i funktionellt tillståndvid sjukdomstillstånden Limb-Girdle muskeldystrofi 2B och Miyoshi myopati. I arbetetkommer en metod att utvecklas som skall användas till att studera proteinet dysferlin hos deneutrofila granulocyterna vid olika funktionella tillstånd. Mängden dysferlin iplasmamembranet hos oaktiverade och aktiverade celler jämförs också i arbetet.Antikroppar har använts för att märka in dysferlinet. En primär antikropp som binder tillproteinet och en sekundär antikropp som binder till den primära. Den sekundära antikroppenhar en fluorescent färg konjugerad. För analyserna har en FACS som ger diagram överfluorescenssignalen använts och ett konfokalmikroskop som avbildar cellen i olika skikt, vilkakan användas för att ta fram en tredimensionell bild av cellen.Både intracellulär och extracellulär inmärkning av dysferlin har gjorts och olika parametrarhar varierats mellan försöken. FACS analyserna har visat på att dysferlin möjligtvis skullekunna finnas i små mängder i plasmamembranet hos oaktiverade celler. Mängden dysferlin iplasmamembranet ökar vid aktivering av cellen, till följd av uppreglering av granula. Studier ikonfokalmikroskopet har visat på att dysferlin finns i cellmembranet hos aktiverade celler ochatt det finns lokaliserat till cytoplasman hos oaktiverade celler.

Die im Rahmen dieser Arbeit durchgeführten Experimente befassen sich mit zwei Aspekten des Stickstoff-Fehlstellen-Zentrum (engl.: nitrogen-vacancy center, NV-Zentrum) in Diamant, einem der bekanntesten Quantenspin-Defekte und vielversprechendem Festkörpersystem für künftige Anwendungen in der Quantentechnologie, wie z. B. Quantensensorik und Quanteninformation im Nanomaßstab. Zum einen werden neue Mikrowellen-Raman-Spin-Manipulationsverfahren an dem NV-Elektronenspin untersucht, und zum anderen wird eine neuartige On-Chip-Plattform für Quantenanwendungen und die hybride Integration dieser Plattform mit einem einzelnen NV-Zentrum vorgestellt. Es wird über die kohärente Mikrowellen-Raman-Kontrolle an den Elektronenspin des NV-Zentrums berichtet, die den Dipol-verbotenen Übergang zwischen zwei Spin-Subniveaus im elektronischen Triplett-Grundzustand des NV-Zentrums direkt treiben kann. Folglich wurden die stimulierten Raman-Übergänge (engl.: stimulated Raman transitions, SRT) und die stimulierte adiabatische Raman-Passage (engl.: stimulated Raman adiabatic passage, STIRAP) theoretisch und numerisch analysiert und erfolgreich an einem einzelnen NV-Zentrum experimentell verifiziert und umgesetzt. Weiterhin wird die deterministische Integration eines einzelnen NV-Zentrums mit einer photonischen Plattform behandelt. Diese extra für diesen Zweck entwickelte photonische Plattform besteht dabei ausschließlich aus thermisch auf einem Silizium Substrat gewachsenem Siliziumdioxid und zeichnet sich dabei durch ihre ultraniedrige Fluoreszenz aus. Experimentell wurde die Integration eines vorselektierten NV-Emitters mit einem Rasterkraftmikroskop durchgeführt und die On-Chip-Anregung des Quantenemitters sowie die Kopplung von Einzelphotonen an die geführte Mode der integrierten Struktur nachgewiesen. Dieser Ansatz zeigt das Potenzial dieser Plattform als robuste nanoskalige Schnittstelle von photonischen On-Chip-Strukturen mit einzelnen Festkörper-Qubits. / This thesis revolves around the nitrogen-vacancy (NV) defect center in diamond, one of the best-known quantum spin defects and a promising solid-state system for future applications in quantum technology, such as nanoscale quantum sensing and quantum information. Since the manipulation of the NV center's electron spin is crucial for many applications, the development of new or the adaption of known spin manipulation schemes to the NV center spin is crucial to expand the application prospects of the NV center. Thus, this work reports on the adaption of coherent microwave Raman control to the electron spin of the NV center, which can drive the dipole-forbidden transition between two spin sublevels in the NV center's triplet electronic ground state. Consequently, the stimulated Raman transitions (SRT) and stimulated Raman adiabatic passage (STIRAP) two-photon microwave Raman processes were theoretically and numerically analyzed and successfully implemented and verified experimentally on a single NV center electron spin. The two Raman schemes were then also compared in terms of their robustness and success of the spin swap. Apart from this, scalable on-chip coupling of single photon emitters and quantum memories with single optical modes is crucial for building future fully integrated nanophotonic devices. Thus, a purpose-built photonic platform consisting entirely of silicon dioxide thermally grown on a silicon substrate, which stands out by its ultra-low fluorescence, was developed. Experimentally, the integration of a preselected NV emitter was performed with an atomic force microscope, and on-chip excitation of the quantum emitter as well as coupling of single photons to the guided mode of the integrated structure could be demonstrated. This approach demonstrates the potential of this platform as a robust nanoscale interface of on-chip photonic structures with single solid-state qubits.