Mittels Photolumineszenz(PL)-Spektroskopie werden die Lumineszenzeigenschaften von wurtzitischen MgZnO-Dünnfilmen mit Mg-Konzentrationen im Bereich von 0 ≤ x ≤ 0,35 experimentell untersucht und die gefundenen Zusammenhänge anhand mehrerer im Rahmen dieser Arbeit entwickelter Modelle theoretisch beschrieben. Dabei werden Erklärungen für verschiedene Auswirkungen der Mischkristallunordnung auf die Lumineszenz dieses ternären Mischhalbleiters vorgestellt, welche in der Literatur bisher nicht bzw. nur unvollständig untersucht wurden. Aufgrund der Mischkristallverbreiterung überlagern sich in MgZnO für x > 0,02 die Lumineszenzbeiträge von störstellengebundenen, freien und in Potentialmulden lokalisierten Exzitonen. Sie können daher mittels zeitintegrierter PL nicht spektral getrennt werden. In dieser Arbeit wird gezeigt, dass die verschiedenen Übergänge dennoch durch zeitaufgelöste PL-Messungen unterschieden und identifiziert werden können. Die gemessenen PL-Transienten werden angepasst und die Linienform der Lumineszenzabklingkurven in Abhängigkeit von der PL-Energie analysiert. Die Bewegung der Exzitonen im Mischkristall wird unter Verwendung eines Effektiv-Masse-Modells quantenmechanisch beschrieben und der Einfluss der Mischkristallunordnung auf die optischen Übergänge qualitativ untersucht. Dabei wird insbesondere auf die Mischkristallverbreiterung sowie auf das nichtexponentielle Abklingen der Lumineszenz eingegangen. Daneben wird ein Tunnelmodell vorgestellt, mit welchem die zeitverzögerten PL-Spektren von MgZnO quantitativ reproduziert werden können. Dabei wird die asymmetrische Linienform sowie die zeitabhängige Rotverschiebung des Emissionsmaximums modelliert und die Parameter auf mikroskopische Eigenschaften der Exzitonen zurückgeführt. Außerdem wird die für Mischkristalle typische S-förmige Verschiebung des temperaturabhängigen PL-Maximums durch ein modifiziertes Arrheniusmodell erklärt.

In this thesis, we investigate optical and electrical properties of dilute nitride semiconductors GaAsN in pulsed magnetic fields up to 62 T. For the most part, the experiments are performed at the Dresden High Magnetic Field Laboratory (HLD). In the first part of this thesis, the electron effective mass of GaAsN is determined with a direct method for the first time. Cyclotron resonance (CR) absorption spectroscopy is performed in Si-doped GaAsN epilayers with a nitrogen content up to 0.2%. For the CR absorption study, we use the combination of the free-electron laser FELBE and pulsed magnetic fields at the HLD, both located at the Helmholtz-Zentrum Dresden-Rossendorf. A slight increase of the CR electron effective mass with N content is obtained. This result is in excellent agreement with calculations based on the band anticrossing model and the empirical tight-binding method. We also find an increase of the band nonparabolicity with increasing N concentration in agreement with our calculations of the energy dependent momentum effective mass. In the second part of this thesis, the photoluminescence (PL) characteristics of intrinsic GaAsN and n-doped GaAsN:Si is studied. The PL of intrinsic and very dilute GaAsN is characterized by both GaAs-related transitions and N-induced features. These distinct peaks merge into a broad spectral band of localized excitons (LEs) when the N content is increased. This so-called LE-band exhibits a partially delocalized character because of overlapping exciton wave functions and an efficient interexcitonic population transfer. Merged spectra dominate the PL of all Si-doped GaAsN samples. They have contributions of free and localized excitons and are consequently blue-shifted with respect to LE-bands of intrinsic GaAsN. The highly merged PL profiles of GaAsN:Si are studied systematically for the first time with temperature-dependent time-resolved PL. The PL decay is predominantly monoexponential and has a strong energy dispersion. In comparison to formerly reported values of intrinsic GaAsN epilayers, the determined decay times of GaAsN:Si are reduced by a factor of 10 because of enhanced Shockley-Read-Hall and possibly Auger recombinations. In the third part of this thesis, intrinsic and Si-doped GaAsN are investigated with magneto-PL in fields up to 62 T. A magneto-PL setup for pulsed magnetic fields of the HLD was built for this purpose. The blue-shift of LE-bands is studied in high magnetic fields in order to investigate its delocalized character. The blue-shift is diminished in intrinsic GaAsN at higher temperatures, which indicates that the interexcitonic population transfer is only active below a critical temperature 20 K < T < 50 K. A similar increase of the temperature has no significant impact on the partially delocalized character of the merged spectral band of GaAsN:Si. We conclude that the interexcitonic transfer of Si-doped GaAsN is more complex than in undoped GaAsN. In order to determine reduced masses of undoped GaAsN and GaAs:Si, the field-induced shift of the free exciton transition is studied in the high-field limit. We find an excellent agreement of GaAs:Si with a formerly published value of intrinsic GaAs which was determined with the same method. In both cases, the reduced mass values are enhanced by 20% in comparison to the accepted reduced mass values of GaAs. The determined GaAsN masses are 1.5 times larger than in GaAs:Si and match the rising trend of formerly reported electron effective masses of GaAsN.

The present thesis is concerned with solid solutions of organic dyes. The organic molecules are incorporated in both optically inert or active and in rigid or flexible matrices, respectively. Exclusively thin films prepared by physical vapor deposition are studied. The optical response of the systems, in dependence on their structure and on the matrix nature, is investigated by means of absorption and luminescence spectroscopy. In the first part, perylene and 2,2-difluoro-1,3,2-dioxaborine derivatives, and Alq3 (tris(8-hydroxyquinoline) aluminium) embedded in the optically inactive SiO2 and polyimide hosts are studied. For the system dye molecules/SiO2 matrix, two sample preparation approaches, co-deposition and layer-by-layer, are compared. It is demonstrated that the luminescence properties of the mixed layers are affected by dye distribution and thin film composition. The photoluminescence quantum efficiency is strongly influenced by dye aggregation and Föster transfer. Therefore, effective separation and isolation of dye molecules in the matrix results in increased PL efficiency. Furthermore, it is established that layer-by-layer growth mode assures more homogeneous dye distribution. The spectroscopic studies also show that, since dye and matrix condense successively in time, luminescence losses due to thermal degradation of molecules are reduced. Hence, the film structure can be optimized with regard to high absorption and luminescence quantum efficiency. The experimental findings suggest that the luminescent properties of the embedded dyes are influenced by the nature of the host environment as well. In the rigid SiO2 matrix, it is possible to observe isolated facial Alq3 molecules with distinctive blue luminescence. In contrast, in the &amp;quot;soft&amp;quot; organic polyimide matrix Alq3 exhibits ordinary green luminescence. Thus, the structural properties of the host, rigidity and density, are found to be crucial for preservation of the facial Alq3 molecules. It is further demonstrated that the immobilization of molecules in the rigid SiO2 matrix in combination with layer-by-layer growth results in improved photostability. In polyimide matrix, the behavior of incorporated molecules is governed by the morphological changes of the host. These changes are defined by the curing procedure, needed for imidization, and give rise to a certain film structure. In the second part, special attention is paid on the luminescence response of dispersed DCM (4-dicyanomethylene-2-methyl-6-(p-dimethylaminostyril)-4H-pyran) and rubrene (5,6,11,12-tetraphenyl-naphthacene) molecules in the optically active Alq3 matrix. The observed enhancement of luminescence intensity and alteration of emitted color are favorable for application of the doped Alq3 films as converter layers in combination with commercial blue light emitting diodes in luminescence conversion devices. It is demonstrated that by optimization of the conversion layer parameters white light generation can be achieved. The devices are characterized by high conversion efficiency and Lambertian distribution of the emitted light. However, they lack sufficient stability with regard to practical applications.

Gegenstand der Dissertation sind Untersuchungen zur Photolumineszenz von Silizium-Nanokristallen. Den Schwerpunkt bilden dabei die Messungen an isolierten Partikeln mittels konfokaler Mikroskopie und optischer Spektroskopie. Von einzelnen Silizium-Partikeln konnten relativ schmale, strukturierte Photolumineszenzbanden detektiert werden, die die Aussagen des Quantum-Confinement-Modells bestätigen. Ein weiteres Merkmal der Photolumineszenz von einzelnen Halbleiter-Nanopartikeln ist das so genannte Blinken. Die Erstellung von Blinkstatistiken unter verschiedenen Anregungsbedingungen ermöglichte es, die zum Blinken führenden photophysikalischen Prozesse genauer zu charakterisieren. Es wird unter anderem gezeigt, dass das reversible Bleichen der Lumineszenz von Silizium-Nanokristall-Ensemblen und porösem Silizium auf ein instationäres Blinkverhalten zurückzuführen ist. Abschließend werden Bezüge zu den astrophysikalischen Beobachtungen von der Extended Red Emission hergestellt und verschiedene Tunnel- und Random-Walk-Modelle zur Beschreibung der photophysikalischen Prozesse diskutiert.

Gegenstand der vorliegenden Arbeit ist die Untersuchung der Photoluminenzenzdynamik von Halbleiter-Quantentöpfen (Quantum Wells), die durch Anregung von Intraband-Übergängen mittels resonanter Laserpulse im mittleren Infrarot- und Terahertz-Spektralbereich verändert wird. Diese Zweifarbenexperimente wurden mit Hilfe eines optischen Aufbaus für zeitaufgelöste Photolumineszenzspektroskopie am Großgerät Freie-Elektronen Laser FELBE am Helmholtz-Zentrum Dresden-Rossendorf realisiert. Zeitlich verzögert zur gepulsten optischen Anregung über die Bandlücke wurden Intersubband- oder Intraexziton-Übergänge in den Quantum Wells resonant angeregt. Die dadurch erreichte Ladungsträgerumverteilung zeigt sich in einer deutlichen Verringerung der Photolumineszenzintensität zum Zeitpunkt des zweiten Anregepulses, die im Folgenden als Photolumineszenz-Quenching bezeichnet wird. Zunächst wird die Stärke des Photolumineszenz-Quenchings in Abhängigkeit der Polarisationsrichtung des midinfraroten Laserstrahls ausgewertet. Während die Absorption durch freie Ladungsträger für beide Polarisationsrichtungen nachweisbar ist, wird experimentell gezeigt, dass Intersubbandabsorption nur möglich ist, wenn ein Anteil der anregenden Strahlung senkrecht zur Quantum-Well-Ebene polarisiert ist. Das Photolumineszenzsignal ist überwiegend an der energetischen Position der 1s-Exzitonresonanz unterhalb der Bandkante messbar. Die intraexzitonischen Übergangsenergien in Quantum Wells liegen typischerweise im Terahertzbereich. Unter intraexzitonischer 1s-2p Anregung erscheint auch auf dieser Energieskala ein abrupter Intensitätsverlust in der langsam abklingenden Photolumineszenztransiente. Erstmalig wurde im Photolumineszenzspektrum bei höheren Energien im Abstand der Terahertz-Photonenenergie ein zusätzliches 2s-Photolumineszenzsignal detektiert. Eine detaillierte theoretische Beschreibung dieses Problems durch unsere Kooperationspartner Koch et al. von der Phillips-Universität Marburg zeigt, dass unter intraexzitonischer 1s-2p Anregung eine effziente Coulombstreuung zwischen den nahezu entarteten exzitonischen 2p- und 2s-Zuständen stattfindet. Während der 2p-Zustand optisch dunkel ist, kann die 2s-Population strahlend rekombinieren, was zu dem besagten 2s-Photolumineszenzsignal führt. Die Zeitkonstanten der untersuchten Ladungsträgerdynamik werden durch ein phänomenologisches Modell bestimmt, das die experimentellen Kurven sehr gut abbildet. Es wird ein Ratengleichungsmodell eingeführt, bei dem die involvierten Zustände auf optisch helle und optisch dunkle Besetzungsdichten reduziert werden. Darüber hinaus werden mit einem modifizierten Versuchsaufbau die Terahertz-induzierten Photolumineszenzsignaturen von Magnetoexzitonen untersucht. Die Stärke des 1s-Photolumineszenz-Quenchings ändert sich dabei entsprechend der magnetoexzitonischen Übergänge, die im betrachteten Feldstärkebereich zwischen 0T und 7T liegen. Für Magnetfelder größer als 3T sind keine 2s-Photolumineszenzsignale mehr messbar, da durch das externe magnetische Feld die Entartung der 2p- und 2s-Zustände aufgehoben wird.

Die vorliegende Arbeit befasst sich mit dem vertieften Verständnis der Rekombinationsdynamik von polaren ZnO/MgZnO-Quantengraben(QW)-Strukturen zur exakten Bestimmung des unabgeschirmten Grundzustandes und der Analyse der zugrundeliegenden Emissionsprozesse. Dafür werden ausgehend von Beobachtungen an ZnO-Dünnschichten die Eigenschaften von mittels PLD hergestellten QWs unter dem Einfluss des internen elektrischen Feldes mit Hilfe der zeitintegrierten (TI-) und zeitaufgelösten (TR-) Photolumineszenz(PL)-Spektroskopie untersucht. Die Differenz der spontanen und piezoelektrischen Polarisation zwischen ZnO und MgZnO führt zur Ausbildung eines internen elektrischen Feldes und damit zum Auftreten des quantum-confined Stark effect (QCSE). Es wird gezeigt, dass der QCSE durch eine Durchmischung der Grenzflächen stark vermindert wird. Für QWs mit schwachem QCSE ist die Übergangsenergie und Zerfallszeit des Grundzustandes experimentell gut bestimmbar. Bei starkem QCSE müssen jedoch bereits bei geringen Anregungsdichten (1E10 /cm²) Abschirmeffekte berücksichtigt werden. Dadurch ist es sehr schwierig, den unabgeschirmten Grundzustand mittels herkömmlicher experimenteller Methoden mit einem aussagekräftigen Signal-Rausch-Verhältnis zu bestimmen. Es wird gezeigt, dass für QWs mit einer Dicke > 4 nm die Übergangsenergie des unabgeschirmten Grundzustandes nicht durch TI-PL-Messungen bestimmt werden kann. TR-PL-Messungen zeigen energetisch tiefere Übergangsenergien, jedoch ebenfalls nicht den unabgeschirmten Grundzustand. Mit einem eingeführten Modell zur Beschreibung der zeitabhängigen Abschirmung des Grundzustandsniveaus wird die Zerfallszeit für QW-Dicken in einem Bereich von 1 - 10 nm bestimmt. Durch die selbstkonsistente Lösung von Schrödinger- und Poissongleichung werden die Übergangsenergie und Zerfallszeit der Exzitonen im QW in Abhängigkeit der Feldstärke und auch der Ladungsträgerdichte berechnet. Dadurch ist eine exaktere Bestimmung der Feldstärke möglich. Zusätzlich wird durch die vergleichende Untersuchung von QWs unterschiedlicher Dicke, Potentialhöhe und Wachstumsunterlage die spontane und piezoelektrische Polarisation der Materialien experimentell bestimmt. Mittels temperaturabhängiger Messungen wird der Ursprung der Lumineszenz für QW-Dicken > 2 nm der Rekombination freier Exzitonen im QW zugeschrieben. Für dünnere QWs ist der temperaturabhängige Verlauf des PL-Maximums durch Lokalisation der Exzitonen bestimmt.

Versetzungen sind linienhafte Störungen in Kristallen und beeinflussen die mechanischen, elektrischen und optischen Eigenschaften des Halbleitermaterials. In dieser Arbeit werden die optischen Eigenschaften von Versetzungen in Silizium anhand des Studiums ihrer charakteristischen Lumineszenz, der sogenannten D-Linien, untersucht. Dabei wurden die Versetzungen in einkristallinen Siliziumproben verschiedener Orientierung in einem einstufigen Prozess mittels plastischer Verformung bei hohen Temperaturen erzeugt und ggf. in einem zweiten Schritt durch Hochlastverformung bei tieferen Temperaturen modifiziert. Als Methoden zur Untersuchung der optischen Eigenschaften der Versetzungen werden Photolumineszenz (PL)- und Kathodolumineszenz (KL)-Spektroskopie verwendet. Gleitstufen an der Probenoberfläche werden mittels Rasterelektronenmikroskopie (REM), die Versetzungsanordnungen im Probenvolumen mittels Transmissionselektronenmikroskopie (TEM) abgebildet. Die Versetzungsstruktur der auf Einfachgleitung orientierten Proben ist durch relaxierte Versetzungen (einstufige Verformung) bzw. gerade Versetzungen (zweistufige Verformung) gekennzeichnet. In der auf Vielfachgleitung orientierten Probe werden mehrere Gleitsysteme gleichartig aktiviert. Es bildet sich ein Zellmuster aus, wobei das Innere der ca. 1 µm großen Zellen im Wesentlichen versetzungsfrei ist und die Zellwände eine hohe Versetzungsdichte aufweisen. Generell sind die mittleren Versetzungsdichten aller Proben hoch. Sie betragen zwischen 5 x 10^7 und 1 x 10^9 cm-2. Die Lumineszenz der einstufig verformten Proben ist durch das Auftreten von vier Linien (D1 bis D4) im Spektrum gekennzeichnet. In den zweistufig verformten Proben dominieren die Linien D5 und D6 die Lumineszenz. Die spektralen Positionen aller D-Linien entsprechen den aus der Literatur bekannten Daten. Die integrale Lumineszenzintensität im Bereich der D-Linien nimmt mit wachsender mittlerer Versetzungsdichte zu. Zusätzlich kann in den zweistufig verformten Proben eine bisher nicht identifizierte Lumineszenzlinie bei einer Energie von 1,090 eV festgestellt werden. Für diese Linie wird in dieser Arbeit die Bezeichnung P^2SD verwendet. In den KL-Abbildungen wird für alle D-Linien und die P^2SD-Linie im Wesentlichen eine örtlich homogene Lumineszenzverteilung festgestellt. Dies wird auf eine im Maßstab des KL-Wechselwirkungsvolumens homogene Versetzungsverteilung zurückgeführt. Die lokalen Schwankungen der KL um die mittlere Intensität betragen maximal 15 %. Diese Schwankungen äußern sich in hellen und dunklen Lumineszenzstreifen, deren Breite deutlich größer als der mittlere Versetzungsabstand ist. Aus dem Vergleich von KL-Bildern mit Rückstreuelektronenbildern der Oberflächengleitstufen ergeben sich folgende Aussagen: Die KL-Intensität der D3- und D4-Linie ist auf markanten Gleitbändern im Vergleich zur Umgebung verringert, wogegen die Intensität der Linien D1 und D2 auf markanten Gleitbändern erhöht ist. Für die D5-Bande, die D6-, und die P^2SD-Linie kann kein allgemeiner Zusammenhang zwischen der Lokalisierung der Lumineszenz und der Gleitaktivität festgestellt werden. Anhand der experimentellen Ergebnisse kann die D3-Linie als TO-Phononenreplik der D4-Linie identifiziert werden. Für die D4-Lumineszenz werden zwei Rekombinationsmodelle diskutiert. Zum einen kann sie durch die exzitonische Rekombination an eindimensionalen Energiebändern erklärt werden, die durch das Verzerrungsfeld der Versetzungen von den jeweiligen Volumenenergiewerten abgespalten sind. Zum anderen kann auch die Rekombination eines tief gebundenen Elektrons mit einem schwach gebundenen Loch für die D4-Lumineszenz verantwortlich sein. In jedem Fall ist das Auftreten der D4-Linie an die Existenz von relaxierten 60 °- und Schraubenversetzungen gebunden. Die D1-Linie wird als OGamma-Phononenreplik der D2-Linie vorgeschlagen. Die D2-Linie selbst kann als ein strahlender Übergang zwischen zwei gebundenen Zuständen eines zweidimensionalen Potentialtopfs endlicher Tiefe modelliert werden. Die Abmessungen dieses Potentialtopfs sind dabei durch die Ausdehnung von Kinken und Jogs auf der Versetzungslinie gegeben. Allerdings könnte auch ein interner Übergang zwischen den Niveaus eines tiefen Defekts innerhalb der Bandlücke als Erklärung herangezogen werden. Wegen der Zunahme der Lumineszenzintensiät der D2-Linie durch thermische Behandlungen sollten Kinken, Jogs, und Punktdefekte im Verzerrungsfeld der Versetzungen als Ursache der D2-Lumineszenz in Frage kommen. Auch die P^2SD-Linie kann mithilfe von zwei unterschiedlichen Rekombinationsmodellen erklärt werden (free-to-bound-Übergang oder exzitonische Rekombination an zweidimensionalen Energiebändern). Punktdefekte, die während des zweistufigen Verformungsprozesses entstehen, könnten die P^2SD -Linie hervorrufen.

In this thesis, we investigate optical and electrical properties of dilute nitride semiconductors GaAsN in pulsed magnetic fields up to 62 T. For the most part, the experiments are performed at the Dresden High Magnetic Field Laboratory (HLD). In the first part of this thesis, the electron effective mass of GaAsN is determined with a direct method for the first time. Cyclotron resonance (CR) absorption spectroscopy is performed in Si-doped GaAsN epilayers with a nitrogen content up to 0.2%. For the CR absorption study, we use the combination of the free-electron laser FELBE and pulsed magnetic fields at the HLD, both located at the Helmholtz-Zentrum Dresden-Rossendorf. A slight increase of the CR electron effective mass with N content is obtained. This result is in excellent agreement with calculations based on the band anticrossing model and the empirical tight-binding method. We also find an increase of the band nonparabolicity with increasing N concentration in agreement with our calculations of the energy dependent momentum effective mass. In the second part of this thesis, the photoluminescence (PL) characteristics of intrinsic GaAsN and n-doped GaAsN:Si is studied. The PL of intrinsic and very dilute GaAsN is characterized by both GaAs-related transitions and N-induced features. These distinct peaks merge into a broad spectral band of localized excitons (LEs) when the N content is increased. This so-called LE-band exhibits a partially delocalized character because of overlapping exciton wave functions and an efficient interexcitonic population transfer. Merged spectra dominate the PL of all Si-doped GaAsN samples. They have contributions of free and localized excitons and are consequently blue-shifted with respect to LE-bands of intrinsic GaAsN. The highly merged PL profiles of GaAsN:Si are studied systematically for the first time with temperature-dependent time-resolved PL. The PL decay is predominantly monoexponential and has a strong energy dispersion. In comparison to formerly reported values of intrinsic GaAsN epilayers, the determined decay times of GaAsN:Si are reduced by a factor of 10 because of enhanced Shockley-Read-Hall and possibly Auger recombinations. In the third part of this thesis, intrinsic and Si-doped GaAsN are investigated with magneto-PL in fields up to 62 T. A magneto-PL setup for pulsed magnetic fields of the HLD was built for this purpose. The blue-shift of LE-bands is studied in high magnetic fields in order to investigate its delocalized character. The blue-shift is diminished in intrinsic GaAsN at higher temperatures, which indicates that the interexcitonic population transfer is only active below a critical temperature 20 K < T < 50 K. A similar increase of the temperature has no significant impact on the partially delocalized character of the merged spectral band of GaAsN:Si. We conclude that the interexcitonic transfer of Si-doped GaAsN is more complex than in undoped GaAsN. In order to determine reduced masses of undoped GaAsN and GaAs:Si, the field-induced shift of the free exciton transition is studied in the high-field limit. We find an excellent agreement of GaAs:Si with a formerly published value of intrinsic GaAs which was determined with the same method. In both cases, the reduced mass values are enhanced by 20% in comparison to the accepted reduced mass values of GaAs. The determined GaAsN masses are 1.5 times larger than in GaAs:Si and match the rising trend of formerly reported electron effective masses of GaAsN.

Die optische in situ-Charakterisierung des Aufwachsens organischer Molekülschichten auf isolierenden und metallischen Substraten (Kaliumchlorid, -bromid und Glimmer, beziehungsweise Gold) ist Gegenstand dieser Arbeit. Am Beispiel der Substanzen Perylen-3,4,9,10- tetrakarbonsäuredianhydrid (PTCDA) und Titanylphthalozyanin (TiOPc), die mittels Molekularstrahlepitaxie abgeschieden werden, wird der Einfluss der Anordnung der Moleküle und der gegebenenfalls hinzugefügten Dotierung auf die messbaren Eigenschaften untersucht. Wie wichtig dabei die Feinabstimmung zwischen den Gitterkonstanten des Substrats und der Ausdehnung der Moleküle ist, äußert sich in schmalen Absorptions- und Emissionsbanden im Falle kommensurablenWachstums von PTCDA auf Kaliumchlorid. Diese Anordnung und ihre Metastabilität werden mit begleitenden Rasterkraftmikroskopie-Untersuchungen und Kraftfeldrechnungen nachgewiesen. Ausgehend von Monolagen neutraler Moleküle kann durch die schrittweise Dotierung mit Kalium die spektrale Entwicklung der Absorption von PTCDA-Anionen verfolgt und einzelnen Ladungsstufen – von Mono- bis Tetraanionen – zugeordnet werden. Durch vorherige Bestrahlung mit Elektronen konnte Glimmer so modifiziert werden, dass auch die spektrale Signatur von PTCDA-Monokationen aufgeklärt werden konnte. In Bestätigung früherer Rastertunnelmikoskopie-Ergebnisse zur Ausbildung von TiOPc- Kristallphasen erfolgt das Wachstum von Phase II auf einer Benetzungsschicht, die Phase I-Anordnung aufweist. Die Schichtdickenabhängigkeit der optischen Eigenschaften wird mit einer Genauigkeit im (Sub-)Monolagenbereich bestimmt und der Verlauf von Oszillatorstärke und Emissionslöschung durch die Orientierung der TiOPc-Moleküle zueinander beziehungsweise ihren Abstand zum Substrat erklärt. / The aim of this work is the in situ monitoring of the growth of molecular thin films on either insulating (potassium chloride, -bromide and mica) or gold substrates by optical spectroscopy. The influence of the molecular arrangement and an optionally added doping on the properties is studied on perylene-3,4,9,10-tetracarboxylic-dianhydride (PTCDA) and titanyl phthalocyanine (TiOPc), deposited by molecular beam epitaxy. The impact of perfect matching between the substrate’s lattice constants and the dimensions of the molecules, appears in narrow absorption and emission bands in case of commensurate growth of PTCDA on potassium chloride. This arrangement and its metastability are proven by accompanying atomic force microscopy and advanced potential energy calculations. Once potassium can be added stepwise to monolayers of neutral PTCDA molecules, the spectral development towards PTCDA anions can be followed and assigned to the reached levels of charging. The crystal growth of TiOPc molecules in phase II takes place on a wetting layer with phase I arrangement, proving earlier results by scanning tunneling microscopy. Measuring the thickness-dependent optical properties with (sub-)monolayer resolution allows a deeper understanding of the dependences of both, the oscillator strength and the efficiency of luminescence quenching, on the molecules’ orientations with respect to each other and on their distance to the substrate.

The present thesis is concerned with solid solutions of organic dyes. The organic molecules are incorporated in both optically inert or active and in rigid or flexible matrices, respectively. Exclusively thin films prepared by physical vapor deposition are studied. The optical response of the systems, in dependence on their structure and on the matrix nature, is investigated by means of absorption and luminescence spectroscopy. In the first part, perylene and 2,2-difluoro-1,3,2-dioxaborine derivatives, and Alq3 (tris(8-hydroxyquinoline) aluminium) embedded in the optically inactive SiO2 and polyimide hosts are studied. For the system dye molecules/SiO2 matrix, two sample preparation approaches, co-deposition and layer-by-layer, are compared. It is demonstrated that the luminescence properties of the mixed layers are affected by dye distribution and thin film composition. The photoluminescence quantum efficiency is strongly influenced by dye aggregation and Föster transfer. Therefore, effective separation and isolation of dye molecules in the matrix results in increased PL efficiency. Furthermore, it is established that layer-by-layer growth mode assures more homogeneous dye distribution. The spectroscopic studies also show that, since dye and matrix condense successively in time, luminescence losses due to thermal degradation of molecules are reduced. Hence, the film structure can be optimized with regard to high absorption and luminescence quantum efficiency. The experimental findings suggest that the luminescent properties of the embedded dyes are influenced by the nature of the host environment as well. In the rigid SiO2 matrix, it is possible to observe isolated facial Alq3 molecules with distinctive blue luminescence. In contrast, in the &amp;quot;soft&amp;quot; organic polyimide matrix Alq3 exhibits ordinary green luminescence. Thus, the structural properties of the host, rigidity and density, are found to be crucial for preservation of the facial Alq3 molecules. It is further demonstrated that the immobilization of molecules in the rigid SiO2 matrix in combination with layer-by-layer growth results in improved photostability. In polyimide matrix, the behavior of incorporated molecules is governed by the morphological changes of the host. These changes are defined by the curing procedure, needed for imidization, and give rise to a certain film structure. In the second part, special attention is paid on the luminescence response of dispersed DCM (4-dicyanomethylene-2-methyl-6-(p-dimethylaminostyril)-4H-pyran) and rubrene (5,6,11,12-tetraphenyl-naphthacene) molecules in the optically active Alq3 matrix. The observed enhancement of luminescence intensity and alteration of emitted color are favorable for application of the doped Alq3 films as converter layers in combination with commercial blue light emitting diodes in luminescence conversion devices. It is demonstrated that by optimization of the conversion layer parameters white light generation can be achieved. The devices are characterized by high conversion efficiency and Lambertian distribution of the emitted light. However, they lack sufficient stability with regard to practical applications.