Nanopartículas de ouro sintetizadas em solução aquosa foram transferidas para o solvente orgânico Dimetil Sulfóxido (DMSO), o qual apresenta seção de choque Raman superior à da água, com a intenção de gerar Espalhamento Raman Estimulado no interior de uma bra de núcleo oco preenchida com a nova suspensão coloidal. Nosso propósito é explorar a não-linearidade do meio modi cada pelas inclusões metálicas, observando o sinal Raman gerado e os per s espectral e temporal do laser de bombeamento após sua propagação através do colóide. O espectro de Absorbância do colóide orgânico preparado apresentou comportamento diferente do esperado pela mudança de índice de refração. Baseado na teoria de Mie, a simulação da constante dielétrica da nanopartícula foi realizada a m de explicar o também incomum comportamento experimental observado nos espectros de Absorbância de colóides binários (água e DMSO) preparados com diferentes frações volumétricas de DMSO. / Gold nanoparticles synthesized in aqueous solution were transferred to the organic solvent Dimethyl Sulfoxide (DMSO), which has a greater Raman cross section than water, with the intent to generate Stimulated Raman Scattering inside a hollow core ber lled with the new colloidal suspension. Our purpose is to explore the medium nonlinearity modi ed by the metallic inclusions, observing the generated Raman signal and the pump laser spectral and temporal pro les after propagation through the colloid. The Absorbance spectrum of the prepared organic colloid showed a di erent behavior than the expected by the refractive index change. Based on Mie theory, simulation of the nanoparticle dielectric constant was performed in order to explain the also unusual experimental behavior observed in the Absorbance spectra of binary colloids (water and DMSO) prepared with di erent DMSO volume fractions.

Made available in DSpace on 2018-08-01T22:29:39Z (GMT). No. of bitstreams: 1 tese_7717_Dissertação Enrique Ronald Y. Ocaris.pdf: 1330483 bytes, checksum: f649024db02c75b04a4058fa56caf57e (MD5) Previous issue date: 2014-04-23 / Este trabalho trata da caracterização por espectroscopia Raman do endocarpo do coco de babaçu (biomassa nativa do nordeste e centro de Brasil) submetido a temperaturas de tratamento térmico (TTT) entre 800 e 2200 ºC com intervalos de 200 ºC. Temos também amostras tratadas em temperaturas menores (200, 400 e 650 ºC) que permitem observar a evolução estrutural inicial do material. Durante o processo de carbonização, que envolve o tratamento térmico das amostras em atmosfera inerte, se produz grandes mudanças estruturais no material carbonoso estudado, que é do tipo não-grafitizável. A ferramenta usada neste trabalho para observar estas mudanças é a espectroscopia Raman. Esta técnica tem permitido determinar-se o tamanho médio La dos cristalitos tipo-grafite do material na direção dos planos em materiais carbonosos grafitizáveis e grafíticos como nanografites, e avaliar a cristalinidade e os defeitos estruturais. Foram usadas duas energias (EL) de excitação laser: 532 nm (2,33 eV) e 633 nm (1,96 eV). Os espectros Raman de todas as amostras do endocarpo de babaçu carbonizado apresentam as bandas D e G características dos materiais carbonosos. Foi observado o comportamento dispersivo da banda D, onde a frequência do máximo da intensidade varia quando se muda a energia de excitação laser. Esta característica é o contrário do observado na banda G, que exibe um comportamento não dispersivo.As bandas D e G apresentam picos alargados para as amostras com baixas TTT. Com o aumento da TTT as larguras dos picos D e G diminuem e as linhas ficam mais proeminentes devido ao processo de carbonização que sofre o material. Esta carbonização que ocorre com um crescimento expressivo dos cristalitos tipo grafite do material é evidenciada com a aparição da banda G. A banda G pode ser vista com maior clareza nos espectros obtidos com a fonte laser de 532 nm das amostras com TTT a partir de 1800 ºC. Com a fonte laser de 633nm só observamos a banda G na amostra com TTT de 2200 ºC. Nas amostras com TTT a partir de 2000 ºC é observada a presença da banda D, bem como de outros picos menores (2D', D+G , e T+D). As medidas dos valores de L_a do endocarpo de babaçu com TTT entre 800 e 2200 °C obtidas com difração de raios-X foram utilizadas para verificar a relação linear (desenvolvida por Cançado et al. para nanografites) entre L_a e o inverso da razão entre as intensidades integradas das bandas Raman D e G (ID/IG) levando em conta a energia de excitação laser. Observou-se que a dependência de Lacom a energia de excitação laser, como sugerido por Cançado et al., foi fundamental para colocar as medidas Raman obtidas a diferentes energias laser sobre a mesma curva. Entretanto,a reta de (I_D⁄I_G ) E_L^4 em função de 1/L_acom melhor coeficiente de correlação para o endocarpo de babaçu tratado termicamente não passa pela origem como nos nanografites. Nossos resultados indicam que para materiais carbonosos não-grafíticos como o endocarpo de babaçu tratado termicamente, a expressão de Cançado et al. requer a adição de um termo constante (de um coeficiente linear) negativo na reta de (I_D⁄I_G ) E_L^4 em função de 1/L_a. A nova expressão obtida indicou que o tamanho máximo da dimensão La dos cristalitos no endocarpo babaçu tratado termicamente é da ordem de 11 nm, que é um valor compatível para um material carbonoso não-grafítizável. Seria importante que pesquisas futuras com outros materiais pudessem verificar os resultados aqui obtidos, inclusive nos valores das constantes obtidas (coeficiente angular e coeficiente linear dos ajustes). Foram também observadas linhas Raman devido a presença de estruturas contendo silício no material. Na TTT de 800 °C temos regiões da amostra com uma linha associada à presença de SiO2, enquanto na TTT de 2000°C temos uma linha associada à presença de SiC. Isto acontece porque o endocarpo de babaçu contém SiO2 na parte mineral (cinzas), que se transforma em SiC a partir da TTT de 1200 °C, como é verificado com outras técnicas. As linhas Raman devido à presença de silício (na forma de SiO2 ou SiC) não são observadas em todos os espectros pois as estruturas contendo silício não estão uniformemente distribuídas em todo o material do ponto de vista microscópico, como é detalhado num mapeamento da amostra com TTT de 800 °C. O detalhamento das mudanças estruturais envolvendo silício com a técnica de espectroscopia Raman será reportado em maiores detalhes em trabalhos futuros.

Medidas eletroquímicas, incluindo cronoamperometria, voltametria cíclica, procedimentos eletroquímicos de envelhecimento de filmes superficiais, espectroscopia de absorção no infravermelho, espectroscopia Raman in situ e ex situ, incluindo o efeito SERS, foram empregados no estudo da redução eletroquímica de íons perclorato a cloreto sobre eletrodo de estanho. Solução de perclorato de sódio 0,5 mol L-1 foi utilizada como eletrólito. Observou-se que a concentração máxima de cloreto produzida em decorrência da redução de íons perclorato (5,0 x 10-5 mol L-1) ocorre na região de potenciais localizada no final da contribuição de corrente da dupla camada elétrica e início da região de desprendimento de hidrogênio. A concentração limite de cloreto é decorrente do estabelecimento de um equilíbrio entre os íons cloreto na solução e cloreto adsorvido que inativa os sítios na superfície, impedindo a continuidade do processo. Programas de perturbação de potencial visando a eletromodificação da superfície do estanho foram aplicados, com o objetivo de verificar a ocorrência de mudanças das propriedades eletrocatalíticas dessas superfícies. A influência das variáveis, velocidade da perturbação, tempo de duração e limites de potencial na cinética de redução de perclorato e na concentração máxima de cloreto foi estudada. Em todos os casos a concentração máxima de cloreto detectada na solução foi de 2,0 x 10-5 mol L-1, exceto no tratamento de ativação eletroquímica quando essa concentração atinge 5,0 x 10-5 mol L-1. A influência da presença de óxidos superficiais, temperatura e agitação da solução, pH, e tempo de polarização no processo de redução de perclorato também foi avaliada. Concluiu-se que (i) a presença de óxidos catalisa o processo de redução; (ii) a influência da temperatura é significativa a 70 °C; (iii) a agitação e o pH da solução não exercem influência na concentração máxima de cloreto produzida e (iv) a concentração máxima de cloreto estabiliza-se após cerca de 150 minutos de polarização. / Electrochemical measurements including chronoamperometry, cyclic voltammetry, film surface electrochemical ageing procedures, FTIR and Raman spectroscopy including the SERS effect were carried out in order to study the electrochemical reduction of perchlorate ions at tin electrodes. Sodium perchlorate solution 0.5 mol L-1 was employed as electrolyte. It was observed that maximum chloride concentration produced by the perchlorate reduction (5.0 x 10-5 mol L-1), takes place within a potential range comprising the negative side of de double layer region and the positive side of the hydrogen evolution region. The upper limit of chloride concentration occurs due to the establishment of an equilibrium between the chloride ions in solution and the adsorbed chloride ions that blocks the surface sites where the reduction process takes place. In order to electromodify the tin surface, the electrode was subjected to perturbing potential programs, aiming to evaluate changes in the electrocatalytic properties of the modified sufaces. The influence of the experimental variables perturbation sweep rate as well as perturbation time and potential limits on the perchrolate reduction kinetic and on the maximum chloride concentration was studied. Except to the activation treatment, the maximum chloride concentration was 2.0 x 10-5 mol L-1 for all the applied perturbation programs. The influence of the oxides on the electrode surface, stirring, temperature, pH and polarization time on the reduction process was evaluated too. It was shown that (i) the presence of oxides on the electrode surface favors the reduction reaction; (ii) there is significant influence of temperature at 70 °C; (iii) pH and stirring the solution exerts no influence on the maximum chloride concentration produced and (iv) the maximum chloride concentration produced by electroreduction is reached after 150 minutes.

Orientador: Luiz Carlos M. Miranda / Dissertação (mestrado) - Universidade Estadual de Campinas, Instituto de Fisica Gleb Wataghin / Made available in DSpace on 2018-07-14T02:49:27Z (GMT). No. of bitstreams: 1 Almeida_NilsonSenade_M.pdf: 617220 bytes, checksum: 4402ce7a13c5c6fc89f18e661a3851d4 (MD5) Previous issue date: 1977 / Resumo: A eficiência Raman de espalhamento de ondas eletromagnéticas com a criação de um mágnon, em processos intrabanda de condução e por mecanismo indireto, em semicondutores ferromagnéticos, na presença de um campo magnético DC forte, é estudada. Mostra-se que o processo no qual a interação elétron-radiação é devida ao termo em A2 é dominante sobre o em A.p. Estimativas são feitas para campos magnéticos da ordem de 100 KG e parâmetros físicos característicos dos semicondutores em estudo. Finalmente, é feita uma análise do comportamento de Sp( l ) com a geometria de espalhamento / Abstract: Not informed. / Mestrado / Física / Mestre em Física

Orientador: Ramakant Srivastava / Dissertação (mestrado) - Universidade Estadual de Campinas, Instituto de Fisica Gleb Wataghin / Made available in DSpace on 2018-07-14T03:15:18Z (GMT). No. of bitstreams: 1 Barbosa_FelipeRudge_M.pdf: 1728440 bytes, checksum: b3aae47c42121e15bbd3eca723e83693 (MD5) Previous issue date: 1979 / Resumo: Fizemos o estudo das fibras óticas de silica produ- zidas em nossos laboratórios, bem como de preformas de fibras e de amostras de silica pura, utilizando técnicas de espectroscopia Raman e Infravermelho. Nos estudos de espalhamento Raman , obtivemos os espectros do núcleo das fibras dopado com GeO2(germania), na configuração de espalhamento frontal e retro-espalhamento, fazendo medidas inclusive abaixas temperaturas e com tensão mecânica aplicada à fibra; obtivemos também espectros do núcleo e casca de preforma de fibra, na configuração de espalhamento a 90°. O estudo de Infravermelho incluiu espectros de refletividade e transmissividade da silica pura, assim como a obteção do espectro de absortividade a partir daqueles espectros. Apresentamos uma revisão geral do que já foi feito no assunto, e complementamos nosso trabalho experimental com análises e discussões dos resultados que obtivemos. Os resultados mostram que os dois picos de baixa frequência (60 e 90cm-l) podem ser devidos a modos coletivos de movimento da rêde da silica (translações e vibrações), resultando num par TO-LO como consequência da existência de ordem de longo alcance (muito maior que a ligação Si-O-Si). Fazemos também a extensão deste modelo alternativo para a estrutura do vidro, aos modos de frequências mais altas / Abstract: Not informed. / Mestrado / Física / Mestre em Física

Orientador: Ram Sharan Katiyar / Dissertação (mestrado) - Universidade Estadual de Campinas, Instituto de Fisica Gleb Wataghin / Made available in DSpace on 2018-07-14T08:57:45Z (GMT). No. of bitstreams: 1 Elias_MauroBiscaro_M.pdf: 2313158 bytes, checksum: cb50a49cb2820356939fd49ec914ca03 (MD5) Previous issue date: 1980 / Resumo: Usando técnicas de espalhamento Raman, estudamos os modos normais de vibração e a dinâmica do movimento iônico, no condutor superiônico b-Eucryptite, como função da temperatura, da temperatura ambiente a ~ 750ºC. Nossos resultados confirmaram que a alta condutividade iônica apresentada por ele (~ 10-2 W-1 cm-1, em 600ºC), pode ser explicado em termos do movimento altamente correlacionado de ions Li+, produzidos pelos canais estruturais e pela distribuição desordenada desses ions em temperaturas elevadas. Essa alta condutividade iônica é obtida por meio de uma transição de fase gradual de ordem desordem que se processa no intervalo de temperaturas de 500 a 600ºC. Como a estrutura do b-Eucryptite apresenta similaridades com a do quartzo, as freqüências dos fonons nos dois cristais são quase as mesmas. No entanto, desde que a zona de Brillouin do b-Eucryptite é metade da do quartzo, fonons característicos de pontos críticos no quartzo são ativos em Raman, no b-Eucryptite. Além disso, observamos o aparecimento de fatores extras nos espectros Raman do b-Eucryptite associados aos movimentos vibracionais e difusivos dos ions Li+ / Abstract: By using Raman scattering techniques, we have studied the normal modes of vibration and the dynamics of the ionic motion in the superionic conductor b-Eucryptite, as a function of temperature, from room temperature to ~ 750ºC. Our results have proved that the high ionic conductivity it displays (~ 10-2 W-1cm-1, at 600ºC), can be explained in terms of the highly correlatet Li+ motions, brought about by the structure channels and by the disordered distribution of these ions in high temperatures. This high ionic conductivity is achieved via a gradual order-disorder phase transition which takes place at the 500-600ºC range of temperatures. As the structure of the b-Eucryptite shows simililarities to quartz, the phonon frequencies in both crystals are nearly the same. However, since the b-Eucryptite Brillouin zone is halved compared with that of quartz, phonons characteristic of critical points in quartz are Raman active in b-Eucryptite, Furthermore we have noted the appearance of extra features in Raman spectra of b-Eucryptite, attributed to vibrational and diffusive motions of Li+ ions / Mestrado / Física / Mestre em Física

Orientador: Roberto Luzzi / Tese (doutorado) - Universidade Estadual de Campinas, Instituto de Fisica Gleb Wataghin / Made available in DSpace on 2018-07-14T13:35:36Z (GMT). No. of bitstreams: 1 Ferrari_CarlosAlberto_D.pdf: 1756486 bytes, checksum: 733e9d4fab7e574f062c980b1c06b29e (MD5) Previous issue date: 1977 / Resumo: Neste trabalho, estuda-se o mecanismo pelo qual se dá o espalhamento Raman de luz em semicondutores. Inicialmente faz-se este estudo na região de ressonância ( hwL ~ Eg ) em semicondutores com banda de condução não populada ( T ~ 0 ), usando-se a técnica de propagadores. Como estado intermediário para o processo considera-se o polaron. Para a interação elétron-fonon toma-se o hamiltoniano na forma do hamiltoniano de Fröhlich. Obtem-se resultados numéricos que estão em bom acordo com experiências em CdS e GaP. Posteriormente, aplica-se o mesmo formalismo ao caso de semicondutores com a banda de condução densamente populada e com hwL longe da região de ressonância. Devido a interação coulombiana entre as partículas, há a formação de excitações longitudinais ( plasmon ) que poderão hibridizar-se com os fonons LO do semicondutor. A fim de se conseguir resultados mais realísticos, desenvolve-se uma teoria na qual se associa a cada um dos sistemas envolvidos, eletrônico e iônico, uma temperatura efetiva. Isto requer uma adaptação do Teorema da Flutuação-dissipação. A interação entre elétrons e fonons é considerada na forma do hamiltoniano de Fröhlich, e é usada a aproximação de fase aleatória ( R.P.A. ) para o cálculo da secção de choque para espalhamento. Apresentam-se gráficos ilustrando a sensibilidade da teoria à concentração eletrônica, às temperaturas dos sistemas envolvidos, ao tempo de relaxação devido a colisão entre partículas, à largura do fonon LO, todos os quais repercutem na largura de linha e intensidade dos modos híbridos. Finalmente estudam-se estes modos na região de ressonância / Abstract: Not informed. / Doutorado / Física / Doutor em Ciências

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