Neste trabalho, propomos uma modificação do modelo de reação-difusão (R. M. C. de Almeida et al., Physics Review B, 61, 19 (2000)) incluindo difusividade variável com o objetivo principal de predizer, ou no mínimo descrever melhor, o crescimento de oxido de Si no regime de filmes nos. Estudamos o modelo reação-difusão a coeficiente de difusão, D, fixo e D variável. Estudamos extensivamente o modelo reação-difusão com D fixo caracterizando seu comportamento geral, e resolvendo numericamente o modelo com D variável para um intervalo amplo de relações DSiO2=DSi. Ambos casos apresentam comportamento assintótico parabólico das cinéticas. Obtivemos as equações analíticas que regem o regime assintótico de tais casos. Ambos os modelos apresentam interface não abrupta. Comparações das cinéticas com o modelo linear-parabólico e com dados experimentais foram feitas, e também para as espessuras da interface. Contudo nenhum dos dois modelos de reação-difusãao, com D fixo e com D varáavel, podem explicar a região de filmes nos, que possui taxa de crescimento superior a taxa de crescimento da região assintótica. Porém, ao incluir taxa de reação variável dentro do modelo de reação-difusão com D variável, este aponta para uma solução do regime de filmes nos.

Na presente tese, foi investigado o crescimento térmico de filmes dielétricos (óxido de silício e oxinitreto de silício) sobre carbeto de silício. Além disso, os efeitos da irradiação iônica do SiC antes de sua oxidação, com o intuito de acelerar a taxa de crescimento do filme de SiO2, também foram investigados. A tese foi dividida em quatro diferentes etapas. Na primeira, foram investigados os estágios iniciais da oxidação térmica do SiC: mudanças no ambiente químico dos átomos de Si foram observadas após sucessivas etapas de oxidação térmica de uma lâmina de SiC. A partir desses resultados, em conjunto com a análise composicional da primeira camada atômica da amostra, acompanhou-se a evolução do processo de oxidação nesses estágios iniciais. Na etapa seguinte, foram utilizadas as técnicas de traçagem isotópica e análise por reação nuclear com ressonância estreita na curva de seção de choque na investigação do mecanismo e etapa limitante do crescimento térmico de filmes de SiO2 sobre SiC. Nesse estudo, compararam-se os resultados obtidos de amostras de óxidos termicamente crescidos sobre Si e sobre SiC. Na terceira etapa, foram investigados os efeitos da irradiação iônica do SiC antes de sua oxidação nas características finais da estrutura formada. Finalmente, comparam-se os resultados da oxinitretação térmica de estruturas SiO2/SiC e SiO2/Si utilizando dois diferentes gases: NO e N2O.

Atualmente os candidatos mais prováveis para aplicação como dielétrico de porta nas próximas gerações de dispositivos MOSFET são os filmes de silicato e aluminato metálicos com nitrogênio em sua composição. Neste trabalho são investigados filmes de oxinitreto de háfnio e silício (HfSixOyNz), oxinitreto de alumínio (AlOxNy), e oxinitreto de lantânio e alumínio (LaAlxOyNz) depositados sobre Si utilizando diferentes técnicas de preparação. O objetivo deste estudo é avaliar a estabilidade térmica dessas estruturas e o efeito da presença do nitrogênio no que diz respeito ao transporte atômico e reações químicas durante tratamentos térmicos pós-deposição. Os tratamentos térmicos realizados buscam simular as etapas de processamento térmico inerentes do processo de fabricação de um MOSFET, como, por exemplo, a etapa de ativação de dopantes da fonte e do dreno do dispositivo. Esses tratamentos térmicos são realizados em temperaturas que variam de 600oC até 1000oC em atmosfera inerte ou oxidante. Foi observado que a presença de nitrogênio inibe o transporte atômico e, conseqüentemente, instabilidades composicionais quando comparado com filmes sem nitrogênio. Em particular, as espécies oxidantes desempenham um papel importante na compreensão da estabilidade físico-química dessas estruturas durante os tratamentos térmicos, uma vez que o nitrogênio modifica a difusão e a incorporação de oxigênio. Além disso, observa-se que parte do nitrogênio é removido dessas estruturas com o tratamento térmico em atmosfera oxidante. Essa perda acontece principalmente através de um processo de troca entre o nitrogênio do filme e o oxigênio da fase gasosa. Nesta tese foi realizado um estudo sistemático dessas estruturas e as possíveis causas das observações realizadas são discutidas, assim como alguns mecanismos são propostos para explicar os resultados experimentais. Esta tese aporta uma importante contribuição para essa área de pesquisa e para o avanço da tecnologia CMOS nos próximos anos. / High-k metal oxynitrides are currently the most promising candidates under consideration as novel gate dielectrics for MOSFET devices. In this work, hafnium-silicon oxynitride (HfSixOyNz), aluminum oxynitride (AlOxNy), and lanthanum-aluminum oxynitride (LaAlxOyNz) films on silicon prepared by different deposition techniques were experimentally investigated. The aim of this study was to evaluate the thermal stability of these structures and the effect of nitrogen concerning atomic transport and chemical reaction phenomena in view of metal-oxide-semiconductor transistor processing requirements. Such processing steps include post-deposition annealing and source/drain dopant activation annealing, performed at temperatures from around 600oC up to 1000oC, in inert or O2-containing atmospheres. It was observed that nitrogen inhibits atomic transport and compositional instabilities during thermal processing when compared to non-nitrided structures. In particular, oxidant species play an important role in understanding physicochemical stability during thermal processing, since nitrogen modifies the oxygen diffusion and incorporation into these structures. Besides, part of the nitrogen is removed from these structures during thermal annealing by an exchange process with oxygen. A systematic investigation of these structures was performed, the possible chemical/physical causes of these observations are discussed and some mechanisms are proposed to explain the experimental results. This thesis provides new understanding to this area with potential importance to the CMOS technology.

A Medida de Corrente Induzida por Feixe de Elétrons (EBIC - do inglês Electron Beam-induced Current ) é uma técnica focada nas propriedades de transporte dos portadores de carga minoritários em materiais semicondutores, permitindo a medição direta de propriedades elétricas tais como comprimento de difusão e vida média dos portadores, localização de defeitos e caracterização de zonas de depleção em junções p-n. O contraste EBIC depende da eficiência da coleção de corrente na amostra, permitindo assim a direta visualização de características eletricamente ativas. A avaliação da metodologia de medida EBIC foi realizada através da caracterização de amostras de silício tipo-p e tipo-n, e comparação dos resultados com dados da literatura. Uma vez que a profundidade de penetração do feixe de elétrons do MEV na amostra depende da tensão de aceleração utilizada, foram realizadas medidas EBIC com diferentes tensões de aceleração para avaliar a resolução em profundidade da posição de uma junção p-n formada em uma amostra de silício tipo n implantada com íons de Ga com energia de 5 keV.A medida EBIC na seção transversal de células solares é promissora para a caracterização destes dispositivos, considerando a habilidade da técnica de resolver espacialmente regiões menores do que o tamanho de grão típicos (em torno de 1 m), fornecendo informações que seriam inacessíveis através das técnicas usualmente empregadas, como luminescência e curvas I-V, cujos resultados constituem valores médios representativos de escalas maiores do que a da camada ativa das células. Embora imagens EBIC sejam comumente utilizadas para a análise de defeitos em células solares, poucos trabalhos aplicam a técnica para a caracterização de seções transversais de células solares, especialmente células de terceira geração sensibilizadas por corante (DSSC) do tipo estado sólido. A estabilidade dos dispositivos durante as medições foi verificada, apoiando a aplicação da técnica EBIC na caracterização desse tipo de DSSC. Foram analisadas células com diferentes estruturas e espessuras da camada ativa, e caracterizações complementares com as técnicas EDS e GID foram feitas. Observou-se também a possibilidade de utilização da técnica no controle de qualidade e avaliação dos métodos de produção das células. Diferentes métodos de deposição da camada intermediária na estrutura das DSSCs foram testados, de forma a melhorar a adesão insatisfatória desta camada. A técnica EBIC mostrou-se adequada para a distinção entre células com boa adesão desta camada e células com defeitos de construção, permitindo a introdução de melhorias significativas na fabricação destes dispositivos. / Electron Beam-induced Current (EBIC) measurement is a technique focused on minority carrier transport properties in semiconductor materials, allowing direct measurements of several electrical properties, such as diffusion lengths and lifetime of the carriers, location of defects and depletion zone characterization in p-n junctions. EBIC contrast depends on the current collection efficiency in the sample, thus permitting a direct visualization of electronically active features. The evaluation of the EBIC measuring methodology was performed by the characterization of p- and n-type silicon and the comparison with results from the literature. Since the penetration depth of the electron beam in a sample depends on its acceleration voltage, the EBIC signal was acquired for variable voltage in order to evaluate the depth-resolved location of the p-n junction formed in the n-type silicon implanted with gallium at 5 keV. Direct measurement of EBIC profiles in cross-sections of solar cells is a promising method for device characterization, considering its spatial resolution is smaller than the typical grain sizes (about 1 m), providing informations otherwise inaccessible by the usually employed techniques, such as luminescence and V-I curves, that yield results that represent mean values of scales larger than that of the cell’s active layer. Although the EBIC imaging method is commonly used for defect analysis of solar cells, very few works have applied the thechnique to 3rd. generation solid state dye sensitized solar cell (DSSC) cross-sections. The stability of the devices during the measurement was verified in this work, supporting the application of the EBIC technique for the characterization of this type of DSSCs. DSSCs with different structures and active layer thickness were analyzed, and complementary characterizations with EDS and GID techniques were performed. The applicability of the EBIC thecnique in device quality control, as well as production methods evaluation was observed. Different deposition methods of the intermediate layer of the DSSC structure were tested, in orde to improve the unsatisfactory adhesion of this layer. EBIC showed to be the adequate thechnique to differentiate between well adhered and poorly constructed DSSCs, allowing to introdenuce significant improvements in the device fabrication.

Dissertação (mestrado) - Universidade Federal de Santa Catarina, Centro Tecnológico. Programa de Pós-Graduação em Engenharia Mecânica. / Made available in DSpace on 2013-06-25T20:34:26Z (GMT). No. of bitstreams: 1 311887.pdf: 4652023 bytes, checksum: ef89bf373e0d20ec2ddd141dab2f286f (MD5) / O presente trabalho se propõe a pesquisar um determinado comportamento atípico observado na usinagem do ferro fundido cinzento FC 250, qual seja: a diminuição do desgaste da ferramenta com o aumento da velocidade de corte, quando submetido à usinagem em altas velocidades com ferramentas de nitreto de silício (Si3N4). Os experimentos, de usinagem por processo de torneamento externo longitudinal, de curta e longa duração, em corpos de prova produzidos em ferro fundido cinzento FC 250 em condições de fabricação comercial, foram realizados em um torno CNC com potência nominal de 75 kW, barramento inclinado e muito robusto. Os experimentos foram desenvolvidos com diferentes velocidades de corte situadas entre 400 e 1400 m.min-1, com o objetivo de determinar o comportamento do desgaste da ferramenta para crescentes velocidades de corte. A análise dos resultados, especialmente no que tange ao desgaste das ferramentas, foi realizada com microscopia óptica e eletrônica, procurando, desta forma, caracterizar os tipos e mecanismos responsáveis pelo desgaste das ferramentas. A textura e integridade da superfície dos corpos de prova foram analisadas em função da rugosidade da superfície, microdureza e também a microestrutura da camada adjacente à superfície usinada. A análise dos resultados comprovou o comportamento atípico, ou seja, mostrou que o desgaste da ferramenta diminuiu no intervalo de 400 m.min-1 a 700 m.min-1 e no intervalo de 700 m.min-1 a 1400 m.min-1 o desgaste é constante. No que se refere à rugosidade na superfície usinada, constatou-se uma diminuição desta para crescentes velocidades de corte. Quanto à integridade da superfície, não foram identificadas alterações significativas na camada adjacente à superfície usinada, isto em termos de deformações plásticas, alterações microestruturais e microdureza. Esses resultados, que serão detalhadamente discutidos ao longo do trabalho, são relevantes para aplicações industriais, pesquisas no campo dos materiais, ferramentas de usinagem e usinabilidade dos materiais das peças. Por fim, pode-se destacar que os objetivos traçados para a presente pesquisa foram alcançados com sucesso. / This work proposes to investigate a particular atypical behavior observed in the machining of FC 250 gray cast iron, where the tool wear decreased with increasing cutting speed, when subjected to machining at high cutting speeds with tools based on Si3N4. The short and long term experiments for machining external longitudinal turning process in specimens produced in FC 250 gray cast iron in commercial manufacturing conditions were performed on a very robust 75 kW CNC lathe, with inclined bed. The experiments were conducted with different cutting speeds, lying between 400 and 1400 m/min, in order to determine the behavior of the tool wear for increased cutting speeds. The analysis of the results, especially regarding the tool wear, was carried out with optical and electron microscopy, thereby attempting to characterize the types and mechanisms responsible for the tool wear. The texture and surface integrity analyses of the samples were performed in terms of surface roughness, hardness and analysis of the microstructure of the layer adjacent to the machined surface. The results demonstrated the atypical behavior, i.e., the tool wear reduced in the 400-700 m/min range, and in the 700-1400 m/min range the wear is constant. With respect to the machined surface roughness, it decreased with increasing cutting speeds. Regarding the integrity of the surface, significant changes in the layer adjacent to the machined surface were not identified, i.e. in terms of plastic deformation, microstructural changes and microhardness. These results, which will be discussed in detail throughout this text, are relevant for both industrial applications and for research on the field of tool materials for machining, and also for machinability of materials. Finally it can be stated that the objectives for this study were successfully achieved.

Tese (doutorado) - Universidade Federal de Santa Catarina, Centro Tecnológico / Made available in DSpace on 2012-10-19T09:47:53Z (GMT). No. of bitstreams: 1 178906.pdf: 3693286 bytes, checksum: b556b3defe8907bafe8f58f3ec29b0e2 (MD5) / O presente trabalho aborda o estudo teórico e experimental da caracterização de lâminas de aço ao silício e sua aplicação na engenharia elétrica. Caracteriza-se o material ferromagnético sob vários aspectos e modelos. Contempla-se as perdas magnéticas sob regimes de indução na forma senoidal e não senoidal, com modelos de previsão da evolução das perdas magnéticas. Foi desenvolvida e implementada uma bancada protótipo de mensuração das grandezas eletromagnéticas, onde o sistema controla a forma de onda da indução magnética no material. Por meio de instrumentos virtuais, realiza-se a análise do comportamento eletromagnético do sistema. Uma estratégia de separação das perdas magnéticas é proposta em função da variação da amplitude da indução, em vista das três componentes: histerese, correntes induzidas clássicas e por excesso. Determina-se através de um processo de otimização os parâmetros de um modelo de histerese magnética. Modelos dos fenômenos eletromagnéticos são estudados, desenvolvidos, analisados e aplicados em formulações analíticas ou na aplicação no cálculo numérico de estruturas eletromagnéticas pelo método de elementos finitos.

Made available in DSpace on 2016-01-13T13:26:59Z (GMT). No. of bitstreams: 0 Previous issue date: 2015-06-29. Added 1 bitstream(s) on 2016-01-13T13:32:20Z : No. of bitstreams: 1 000855001.pdf: 2370290 bytes, checksum: af127de230433058ccdbf4e8d1772ee8 (MD5) / A retificação é um processo de usinagem preciso, sendo uma das etapas mais caras na fabricação dos moldes de injeção de termopláticos. Na retificação o rebolo é a ferramenta abrasiva responsável pela retirada do material. O conhecimento das suas características técnicas, vantagens, defeitos e condições de trabalho são fundamentais para os Engenheiros de produto, de processos e, naturalmente, para os gerentes de área industrial, identificarem qual o rebolo mais indicado para realização do processo de retificação. Dentre os aços utilizados na fabricação de moldes para injeção de termoplásticos destaca-se o aço VP-50, o qual foi o aço usado neste experimento sendo usinado pelo processo de retificação cilíndrica. No processo de retificação também foi adotado para fins de experimento dois métodos de lubri-refrigeração sendo eles o método convencional com lubri-refrigeração abundante e o MQL que é a técnica com mínima quantidade de lubri-refrigeração. O objetivo deste trabalho foi analisar de forma comparativa o desempenho de corte, executado com três tipos de rebolos convencionais: rebolo de óxido de alumínio branco, rebolo de carbureto de silício verde e rebolo de carbureto de silício preto com óxido de alumínio branco. Os resultados foram analisados e comparados pelas variáveis de saída, tais como comportamento da força tangencial do corte, rugosidade, emissão acústica, relação G (volume de material removido/volume de material desgastado), microscopia óptica (para verificar se houve dano térmico) e micro dureza. Observando-se os níveis aceitáveis de rugosidade característicos do processo, também foi possível observar que o rebolo de carbeto de silício verde apresentou melhor resistência ao desgaste em relação aos outros rebolos. O rebolo de carbureto de silício preto obteve os menores valores de variação da circularidade. Após a análise metalográfica dos corpos de prova... / Grinding is an accurate machining process, one of the most expressive steps in the manufacture of molds for thermoplastic injection. The grinding wheel abrasive tool is reponsible for removal. The knowledge of their tehcnical characteristics, advantages, defects and working conditions are essential for product engineers, process and, of course, to the industrial area manangers, which identify the most appropriate wheel to perform the grinding process. Among the steels used in the manufacture of molds for thermoplastic injection highlight the VP-50 steel, which was the steel used in this experiment being machined by the cylindrical grinding process. In the grinding process was also adopted for the purpose of experiment two methods of lubrification and cooling them with the conventional method with plenty of lubrification and cooling, and the MQL is the technique with minimal amount of lubrification and cooling. The objetive of this study was to analyze comparatively cutting performance, performed with three types of conventional grinding wheels: grinding wheel white aluminum oxide, green silicon carbide grinding wheel and grinding of black silicon carbide with white aluminum oxide. Results were analyzed and compared by the output variables such as behavior of the tangential cutting force, surface roughness, acoustic emission, G ratio (volume of material removed/volume of material removed), optical microscopy (to check if there thermal damage), and micro hardness. Observing acceptable levels of roughness characteristic of the process, it was also observed that the grinding green silicon carbide had the best wear resitance in relation to the other wheels. The grinding wheel of black silicon carbide obtained the lowest range of values of circularity. After metallographic examination of the specimens was found that there was little formation of new alloying elements in the ground the ground surface, to confirm that a slight increase in...

Made available in DSpace on 2014-06-11T19:31:38Z (GMT). No. of bitstreams: 0 Previous issue date: 2013-11-28Bitstream added on 2014-06-13T20:02:31Z : No. of bitstreams: 1 000750905.pdf: 826581 bytes, checksum: 2eb48c8c2b359582132d9abe0fe8452e (MD5) / No Brasil, a extração de silício (Si) do solo utiliza o extrator cloreto de cálcio e a mesa agitadora, que demanda elevado tempo de agitação. Assim, torna-se necessário estudar outros métodos de extração de Si do solo, que sejam rápidos e práticos, como é o caso do método de extração pelo aquecimento em forno de micro-ondas, comumente utilizado na extração de boro (B) do solo. Além disso, é importante encontrar um extrator de Si do solo que consiga avaliar com precisão a disponibilidade de Si no solo para as plantas. O objetivo deste trabalho foi avaliar dois métodos de extração e cinco extratores químicos de Si que correlacionem o silício disponível no solo com o silício absorvido pelas plantas de cana-de-açúcar, cultivadas em solos de textura argilosa, média e arenosa. Foi avaliada a extração de Si do solo pelo método convencional, que utiliza de mesa agitadora, e o método de aquecimento em forno de micro-ondas, bem como 5 extratores químicos de Si (cloreto de cálcio, água, cloreto de potássio, tampão de acetato de sódio a pH 4,0 e ácido acético). Concluiu-se que não houve um único extrator e/ou método de extração que representasse de forma adequada a disponibilidade de Si para a cultura da cana-de-açúcar nos solos de textura argilosa, média e arenosa. Foi possível quantificar a disponibilidade de Si no solo pelo método do micro-ondas com um nível de precisão igual ou até superior ao obtido pelo método convencional. Contudo, assim como no método convencional, não se conseguiu estimar adequadamente a disponibilidade de Si em solos de diferentes texturas utilizando um único extrator. A estimativa da disponibilidade de Si no solo pelo método do micro-ondas foi melhor utilizando os extratores tampão de acetato de sódio a pH 4,0 e ácido acético nos solos argilosos, água no solo de textura média e tampão de acetato de sódio a pH 4,0... / In Brazil, the silicon (Si) extraction of soil uses the calcium chloride extractor and shaker table that demand high agitation time. Thus, it becomes necessary to study other methods of Si extraction of soil, which is fast and practical, as is the case of the extraction by microwave method, commonly used in the boron extraction of soil. Furthermore, it is important to find an Si extractor of soil that can accurately evaluate the Si availability in soil for the plants. The objective of this study was to evaluate two extraction methods and five chemical extractors of Si, which show correlation between Si available in soil and Si absorbed by plants of sugarcane, grown in soil with clayey, medium and sandy texture. We evaluated the Si extraction of soil by the conventional method which uses shaker table, and the method of heating in a microwave oven, and five chemical extractors of Si (calcium chloride, water, potassium chloride, sodium acetate buffer at pH 4.0 and acetic acid). It was concluded that was not a single extractor and/or extraction method which represent adequately the Si availability for sugarcane crop in soils with clayey, medium and sandy texture. It was possible to quantify the Si availability in soil by microwave method with an precision level equal or higher than that obtained by the conventional method. However, as in the conventional method could not be adequately estimate the Si availability in soil with different textures using a single extractor. The estimation of Si availability in the soil by the microwave method, was better using the extractor sodium acetate buffer pH 4.0 and acetic acid in clay soils, water in soils with medium texture and sodium acetate buffer pH 4.0 in soil sandy

Orientadora : Profa. Dra. Keti Maria Rocha Zanol / Co-orientadora : Profa. Dra. Dalva Luiz de Queiroz / Tese (doutorado) - Universidade Federal do Paraná, Setor de Ciências Biológicas, Programa de Pós-Graduação em Ciencias Biológicas (Entomologia). Defesa: Curitiba, 25/02/2011 / Bibliografia: fls. 96-101 / Área de concentração: Entomologia / Resumo: O gênero Eucalyptus,com cerca de 5 milhões de hectares plantados no Brasil, vem se destacando pelo rápido crescimento e boa adaptação às condições edafo-climáticas brasileiras. Alternativas para incrementar a produtividade,utilizando técnicas que melhorem a absorção de nutrientes e a capacidade da planta de se desenvolver em condições ambientais adversas estão sendo cada vez mais pesquisadas e utilizadas no cenário florestal. O silício tem um papel importante na relação planta-ambiente, pois pode dar às culturas condições para suportar adversidades climáticas, edáficas e biológicas, podendo, sua utilização, reduzir estresses causados por temperaturas extremas, geadas, metais pesados ou tóxicos e também aumentar a resistência a doenças e ao ataque de pragas. Dentro deste contexto, o objetivo deste rabalho foi avaliar o efeito da aplicação de diferentes fontes e doses de silício em plantas de Eucalyptus camaldulensis no aumento da resistência ao psilídeo-de-concha Glycaspis brimblecombei. Foram realizados experimentos em viveiro e campo, onde foi avaliado o efeito da aplicação de silício em E. camaldulensis e a capacidade de absorção e translocação por determinadas plantas. Foram testadas como fontes de silício, o silicato de cálcio (CaSiO3) e o silicato de potássio (K2SiO3), utilizando-se três doses (fraca, intermediária e forte) para cada fonte e duas formas de aplicação (via solo e foliar). Os resultados deste trabalho demonstraram que tanto a aplicação via solo como a foliar foram eficientes para o controle de G. brimblecombei. Entretanto, a aplicação via foliar destaca-se por apresentar maior facilidade na aplicação, custo, solubilidade entre outros fatores e por ser mais eficiente em termos de absorção. Quando comparada a forma de aplicação de silício (plantio comercial ou semeadura das plantas) também não foram observadas diferenças significativas, mas a implementação do uso do silício incorporando-o juntamente a adubação padrão é mais viável em relação a diversos fatores (custo, facilidade na aplicação, etc), pois a adubação já é realizada em viveiro e as plantas já seguem para campo mais resistentes. Desta forma, a adubação com silício, pode ser utilizada como uma ferramenta a mais, no manejo da cultura do eucalipto, melhorando assim a sanidade das florestas, diminuindo o uso de pesticidas e consequentemente o nível de dano causado por insetos-praga. / Abstract: The Eucalyptus genus with about 5 milion hectares planted inBrazil, is distinguished by its fast growth and good adaptation to soil and climatic conditions in Brazil. Alternatives to increase productivity, using techniques that improve the absorption of nutrients and plant capacity to develop, under adverse environmental conditions are increasingly being researched and used in the forest scenery. Silicon has an important role in plant-environment relations, it can give the crop to withstand adverse weather conditions, soil and biological adversities, their use can reduce stress caused by extreme temperatures, frosts, heavy metals or toxic and also increase resistance to disease and pest attack. Within this context, the objective of this study was to evaluate the effect os different sources and levels of silicon on Eucalyptus amaldulensis in the induction of resistance to lerp-gum-psilid Glycaspis brimblecombei. Experiements were carried out nursery and field, where evaluated the effect of silicon in E. camaldulensis and absorption capacity of plants. The sources of silicon was calcium silicate (CaSiO3) through soil and potassium silicate (K2SiO3) on the leaves, using three doses (low, intermediate and strong). The survey results showed that both the application to soil as the leaves effctive for the control. However, foliar applicatio stands out due to its greater easy implementation, cost, water solubility and because it is more efficient in terms of absorption. When compared to the form of silicon (fiel or nursery) were not significant differences, but to implement the use of silicon incorporating it alongside the basic fertilization, which is already used by commercial nurseries, is considered the most appropriate feasible. Moreover, there is a reduction in costs to the control of G. brimblecombei, because plants are going to field fertilized with silicon and thus become more resistant to attack by these insects. Thus, fertilizantion with silicon, can be used as another tool in the management of Eucalyptus plantation, there improving the health of forests, reducing pesticide use and therefore the level of damage caused by insect pests.

Made available in DSpace on 2014-06-11T19:35:16Z (GMT). No. of bitstreams: 0 Previous issue date: 2012-08-15Bitstream added on 2014-06-13T19:05:38Z : No. of bitstreams: 1 martins_glm_dr_ilha.pdf: 1213562 bytes, checksum: 7527a2f61aed763eb4bbe7c1c76d2d59 (MD5) / A expansão da seringueira para novas áreas tem favorecido o aparecimento de pragas e entre elas, os ácaros Calacarus heveae Feres (Eriophyidae) e Tenuipalpus heveae Baker (Tenuipalpidae). O desfolhamento causado pelas espécies causa a diminuição da produção de látex, que pode prejudicar a lucratividade do heveicultor. Na literatura, há poucas informações sobre planos de amostragens para a tomada de decisão de controle das espécies. De maneira semelhante, há poucas informações, em relação ao efeito do silício sobre pragas da cultura. Nas avaliações do desfolhamento das plantas, para auxiliar o avaliador e minimizar a subjetividade da estimativa, escalas de notas tem sido uma ferramenta bastante útil em diversas culturas. Em seringueira, faltam estudos para validação de escalas para uso prático no campo ou em experimentos. Desse modo, no contexto geral, os objetivos do trabalho foram: a) desenvolver planos de amostragem de Calacarus heveae Feres (Eriophyidae) e Tenuipalpus heveae Baker (Tenuipalpidae) em seringueira; b) estudar o efeito da adubação silicatada sobre o desenvolvimento populacional de ácaros fitófagos e c) validar o uso de uma escala de notas para avaliação do desfolhamento da seringueira. Na primeira pesquisa, o objetivo do trabalho foi realizar monitoramento de Calacarus heveae Feres e Tenuipalpus heveae Baker em seringueira e determinar as unidades amostrais para compor um plano de amostragem convencional. A área experimental com 300 plantas de seringueira foi dividida em 30 parcelas de 10 plantas. Em cada parcela foi amostrada uma planta, coletando-se de cada uma, duas extremidades de ramo. Os ácaros foram avaliados com lupa de bolso de 20X, em 10 folíolos por planta, sendo cinco de cada ramo. A contagem dos ácaros foi realizada em quatro visadas de 1 cm2 em cada folíolo... / The rubber tree expansion into new areas has favored the emergence of pests and among them, mites Calacarus heveae Feres (Eriophyidae) and Tenuipalpus heveae Baker (Tenuipalpidae). The defoliation caused by the species causes decreased production of latex, which may impair the profitability. In the literature, there is little information on sampling plans for decision-making control of the species. Similarly, there is little information regarding the effect of silicon on pests. Evaluations of plants defoliation, to assist the assessor and minimize the subjectivity of the estimate, note scales has been a very useful tool in many cultures. In rubber tree, there are few studies validating scales for practical use in the field or experiments. In the general context, the objectives were: a) develop sampling plans Calacarus heveae Feres (Eriophyidae) and Tenuipalpus heveae Baker (Tenuipalpidae) on rubber tree b) studying the effect of silicon fertilization on the development of mites population phytophagous c) validate the use of a scale for assessment of defoliation of rubber tree. In the first study, the objective of the study was to monitor the Calacarus heveae Feres and Tenuipalpus heveae Baker on rubber tree and determine the sample units to compose a conventional sampling plan. The experimental area with 300 rubber plants was divided into 30 plots of 10 plants. In each plot was sampled a plant, collecting each of two ends of the branch. Mites were evaluated with 20X magnifier pocket on 10 leaves per plant, five of each branch. The mite count was performed in four target 1 cm2. Determined the sampling units: amount of target and position of the targeted leaflet, number of leaves per plant and percentage of plants to be sampled in the field. The proposed sampling plan consisted of conventional evaluation of 2% of the plants... (Complete abstract click electronic access below)