El estudio del carburo de silicio biomórfico en los últimos años, se ha centrado en los tipos de impregnación utilizados y la metodología aplicada para mejorar la eficiencia de ésta. El calentamiento es similar entre los distintos casos y se desarrolla en hornos de alta temperatura. El presente trabajo de título aborda esta situación y resuelve, mediante una acción de innovación, incursionar en el área y utilizar un efecto termoeléctrico empleado comúnmente en la industria para generar temperatura, en la investigación y desarrollo del carburo de silicio biomórfico. El objetivo general del presente trabajo de título es estudiar la factibilidad de obtener carburo de silicio biomórfico a partir de muestras de madera pirolizadas y sin pirolizar, impregnadas preferentemente con sílice, utilizando calentamiento por efecto Joule. Se prepararon probetas de madera pirolizada y sin pirolizar, que posteriormente fueron impregnadas, de preferencia, con sílice. También se probó el caso de impregnación con silicato de sodio. Después de ensayar distintas metodologías de impregnación, se decidió someter las muestras a vacío y luego sumergirlas en la solución a presión. Terminado este procedimiento se calentaron con efecto Joule durante tres horas aproximadamente donde se midieron temperaturas del orden de 1350°C. Las muestras tratadas presentaron carburo de silicio visible en los extremos positivos, de acuerdo a como se instalaron. Esto se atribuye a otros fenómenos termoeléctricos que se presentaron en las muestras, como lo son el efecto Thomson y el efecto Peltier. Pese a que ninguna de las muestras sometidas al proceso de impregnación y calentamiento por efecto Joule se convirtió 100% en carburo de silicio, los resultados del análisis de difracción de rayos X indican presencia de carburo de silicio en todas las muestras a las que se le realizó el calentamiento. Este análisis también reveló la existencia de carbono amorfo, lo cual era esperable. Se concluye que es factible obtener carburo de silicio biomórfico a partir de probetas de madera pirolizadas y sin pirolizar, impregnadas son sílice y calentadas por efecto Joule. Los resultados de la impregnación con silicato de sodio se consideran promisorios. Se recomienda mejorar la instalación para el calentamiento.

Nesta dissertação estudamos a possibilidade de uso de implantação iônica de estanho para pré-amorfização do silício cristalino e sua aplicabilidade na tecnologia de fabricação de junções rasas. Foi estudada a amorfização de Si em doses altas (~ 1x1016 cm-2) de implantação de Sn. Nas pesquisas foram empregadas as técnicas de espectroscopia Mössbauer e de Retroespalhamento de Rutherford Canalizado (RBS/C). Mesmo para estas doses muito altas, foi observado 93% de substitucionalidade de Sn na rede cristalina de Si, após tratamento térmico, o que corresponde a duas ordens de grandeza a mais que a máxima solubilidade sólida. Doses médias (1x1012 – 3x1014 cm-2) de implantação de Sn foram usadas para encontrar a dose mínima de amorfização, que foi de 1x1014 cm-2, medida com RBS/C. Amostras pré-amorfizadas com implantação iônica de Sn e energias 120 keV e 240 keV foram posteriormente implantadas com BF2 + de 50 keV e dose 5x1014 cm-2 para obtenção de junção rasa tipo p+-n. Diferentes regimes de recozimento térmico rápido foram utilizados. Técnicas de espectroscopia de massa de íons secundários (SIMS) e medidas elétricas foram usadas para caracterização destas junções. O melhor resultado foi com pré-amorfização de Sn de 240 keV e recozimento de 900 ºC, 30s. A profundidade de junção foi de 115 nm e a resistência de folha de ~ 175 / . / The possibility of using ion implantation of tin to preamorphizing crystalline silicon and its applicability in the fabrication of shallow junctions is studied in this work. Initially we performed the preamorphization with high dose of implanted tin (~1x1016 cm-2). In the analysis of the implanted samples we used the techniques of Mössbauer Spectroscopy and Aligned Rutherford Backscattering (Channeling). Even for those high doses of implantation we observed 93% of substitutionality of tin in the crystalline lattice of silicon, after thermal annealing. This substitutionality is two orders of magnitude higher than the maximum solid solubility. Medium value doses (1x1012 – 3x1014 cm-2) of implanted tin were used in order to find the minimum dose for amorphization, which we found to be 1x1014 cm-2, measured with channeled RBS. Samples preamorphized with tin implanted at different energies, 120 keV and 240 keV, have been afterwards implanted with BF2 + of 50 keV and dose 5x1014 cm-2 to obtain shallow junction of type p+-n. Different processes of rapid thermal annealing have been used. Secondary Ions Mass Spectroscopy (SIMS) and electric measurements were used to characterize these junctions. The best result was obtained with preamorphization by tin at 240 keV and annealing at 900 oC, 30 s. The depth of the junction was 115 nm and sheet resistance of ~175 / .

Dissertação (mestrado) - Universidade Federal de Santa Catarina, Centro Tecnológico, Programa de Pós-Graduação em Engenharia Química, Florianópolis, 2016. / Made available in DSpace on 2017-04-25T04:06:47Z (GMT). No. of bitstreams: 1 344693.pdf: 2453745 bytes, checksum: 99569ae63cd33a6b9dad5bfd76bd8435 (MD5) Previous issue date: 2016 / A redução magnesiotérmica da sílica é uma técnica alternativa de obtenção de silício metálico, através da reação da sílica com o magnésio metálico, produzindo óxido de magnésio e silício metálico, de acordo com a equação estequiométrica do processo: SiO2(s) + 2Mg(g) => 2MgO(s) + Si(s). Esta forma de redução revelou-se interessante pelo fato de consumir menos energia e não produzir efluentes gasosos, quando comparada com a redução carbotérmica, principal forma de obtenção do silício grau metalúrgico. Todavia o produto reacional formado é um pó que está física e ou quimicamente ligado, com cerca de 75% de óxido de magnésio e cerca de 25% de silício (além de outras espécies químicas de acordo com as condições de redução). Esta grande quantidade de MgO necessita ser separada do Si, para aproveitamento na indústria mundial. De acordo com a literatura a lixiviação ácida é uma técnica eficaz e bem sedimentada, empregada na solubilização de óxidos por um solvente ácido, como no caso específico do MgO por HCl, objetivando a concentração da espécie que se quer obter, neste caso o Si. Utilizou-se nesta dissertação um planejamento experimental fatorial para estudar o efeito da variação dos seguintes fatores: concentração (ácido clorídrico (HCl) em concentrações de 1, 2 e 3M), temperatura (50, 65 e 80ºC) e tempo (60, 90 e 120 min), com o intuito de obter silício metálico com purezas superiores a 94%, em uma única etapa. Além da lixiviação ácida, o material foi submetido a técnicas de caracterização (pó original e lixiviado) para conhecer suas características e quais os efeitos promovidos pela lixiviação. Os resultados foram comparados com outros estudos e especificamente o grau de pureza após a lixívia foi inter-relacionado com tabelas referenciais de silício metalúrgico e silício grau solar. As técnicas utilizadas na caracterização do material foram: determinação de fases mineralógicas por difração de Raios X, determinação da morfologia através da microscopia eletrônica de varredura ? MEV, distribuição do tamanho de partículas a laser, determinação da área superficial e volume de poros por BET e análise química elementar por espectrometria de emissão atômica por plasma acoplado indutivamente ? ICP OES. Essas técnicas provaram que o material original em pó (denominado redução 26) é composto por silício metálico, óxido de magnésio e tungstênio, não foram encontrados picos referentes a sílica e ou fosterita. O pó possui morfologia com tendência a esfericidade, em uma faixa de distribuição de tamanho de partículas entre 0,04 a 110 µm, possui área superficial total de poros de 1,5061 m2 g-1 e uma distribuição de poros(78%) entre 22 a 174 Å, podendo o mesmo ser considerado como um pó mesoporoso. Após os tratamentos verificou-se que a concentração é o principal fator que influi na lixiviação, havendo pequenos efeitos negativos combinados dos fatores temperatura e tempo, e efeitos positivos em menor proporção de todos os fatores combinados. Especificamente as lixívias com concentração de 1M de HCl, em todas das temperaturas e tempos não ultrapassaram 40% de fração lixiviada, evidenciando carência de reagente HCl. Com concentrações de 2M de HCl a conversão de MgO chegou no máximo a 52% de fração lixiviada, todavia com concentrações de 3M chegou-se a 76% de conversão, isto é, 99,66% de MgO extraído, resultado superior ao encontrado na literatura, em uma única etapa de lixiviação e com o mesmo material.<br> / Abstract : The magnesiotérmica reduction of silica is an alternative technique for obtaining metallic silicon by reaction of the silica with metallic magnesium to produce magnesium oxide and silicon metal, according to the procedure stoichiometric equation: SiO2 (s) + 2Mg (g) -> 2MgO (s) + Si (s). This way of reducing proved interesting because of consuming less power and does not produce emissions, when compared with the carbothermal reduction of the main form to obtain metallurgical grade silicon. However, the reaction product formed is a powder that is physically and or chemically bound with about 75% MgO and about 25% silicon metal (in addition to other chemical species under reducing conditions). This large amount of MgO needs to be separated from Si, for use in the global industry. According to the literature acid leaching is an effective and well sedimented technique employed in solubilizing oxides by an acid solvent, as in the specific case of MgO, aiming at concentration of the species to be obtained in this case Si. It was used in this work factorial experimental design to study the effect of varying the following factors: concentration (HCl hydrochloric acid at concentrations of 1, 2 and 3M), temperature (50, 65 and 80 ° C) and time (60, 90 and 120 min), in order to obtain metallic silicon with purities greater than 94% by one step. In the acid leaching, the material was subjected to characterization techniques (original and powder leached) to know their characteristics and which effects caused by leaching. The results were compared with the literature and specifically the purity after the leach was interrelated with reference tables metallurgical silicon and solar grade silicon. The techniques used in the characterization of the material were: determination of mineralogical phases by X-ray diffraction, determination of morphology by scanning electron microscopy - SEM, the laser particle size distribution, determination of surface area and pore volume by BET and elemental chemical analysis by atomic emission spectrometry by inductively coupled plasma - ICP OES. These techniques have proved that the powder material (called reduction 26) consists of silicon metal, magnesium oxide and tungsten were not found concerning peaks and silica or fosterita. The powder morphology has a tendency to sphericity, in a particle size distribution range of 0.04 to 110 micrometres has total surface area of pores of 1.5061 m 2 g -1 and a pore distribution (78%) of 22-174 Å, it may be considered as a mesoporous powder. After the treatments it was found that the concentration is the main effect of leaching within the specified levels, with little adverse effect ofcombined temperature and time, and positive effects in a smaller proportion of all factors combined. Specifically the lye with a concentration of 1 M HCl in all temperatures and times did not exceed 40% of leached fraction, suggesting lack of HCl reagent. HCl 2M concentrations converting MgO already reached 52% of leached fraction, however 3M concentrations was reached at 76% conversion, ie 99.66% of MgO extracted, higher than that found in the literature.

MARTINS, F. M. Purificação de cinzas de cascas de castanha de cajú para obtenção de sílica orgânica de alta pureza. 2016. 64 f. Dissertação (Mestrado em Engenharia Mecânica) – Centro de Tecnologia, Universidade Federal do Ceará, Fortaleza, 2016. / Submitted by Hohana Sanders (hohanasanders@hotmail.com) on 2017-04-19T19:37:23Z No. of bitstreams: 1 2016_dis_fmmartins.pdf: 2802727 bytes, checksum: 7f992676d51bbf3d6e62caa164cb6508 (MD5) / Approved for entry into archive by Marlene Sousa (mmarlene@ufc.br) on 2017-04-20T16:34:51Z (GMT) No. of bitstreams: 1 2016_dis_fmmartins.pdf: 2802727 bytes, checksum: 7f992676d51bbf3d6e62caa164cb6508 (MD5) / Made available in DSpace on 2017-04-20T16:34:51Z (GMT). No. of bitstreams: 1 2016_dis_fmmartins.pdf: 2802727 bytes, checksum: 7f992676d51bbf3d6e62caa164cb6508 (MD5) Previous issue date: 2016-07-29 / After the cashew nuts processing, the husks rich in silicon are used as fuel in boilers where they are burned at temperatures above 1000 °C. In this study was investigated a form of silicon extraction from the ashes taken from the boiler using a chemical-thermal route. At first, the ashes were bathed with an aqua regia solution ( , then it were bathed with sulfuric acid () and taken to the oven at 600 °C for two hours. X-ray Diffraction (XRD), X-ray Fluorescence (XRF), Scanning Electron Microscopy (SEM) and Energy Dispersive Spectrometry (EDS) analysis were performed to characterize the material. XRF results indicated percentages of silicon up to 52% in the materials analyzed without purification and treatment for up to 82% in the treated samples. EDS results indicate, by mapping chemical composition, the overlapping of the elements silicon and oxygen, indicating that both are attached forming oxides. The presence of silicon oxide was also shown in XRD analysis, which showed the presence of hexagonal quartz in the final samples. It can be concluded that is possible to purify the ashes to use a waste of cashew nuts processing industry as a source of obtaining silicon dioxide in quartz format. / Após o beneficiamento das castanhas de caju, as cascas, ricas em silício, são utilizadas como combustível em caldeiras, onde são queimadas a temperaturas superiores a 1000°C. Neste trabalho foi investigada uma forma de extração do silício das cinzas retiradas das caldeiras utilizando uma rota químico-térmica. Inicialmente, as cinzas receberam um banho com a solução ácida água régia (3HCl + ) e em seguida foram submetidas a um segundo banho com solução piranha ( ). Após os banhos ácidos, as amostras passaram por tratamento térmico em forno resistivo à temperatura de 600°C durante duas horas. Análises de Difração de Raio-X (DRX), Fluorescência de Raio-X (FRX), Microscopia Eletrônica de Varredura e (MEV) e Espectrometria por Energia Dispersiva (EDS) foram realizadas para caracterizar o material. Os resultados de FRX indicaram porcentagens de silício de até 52% nos materiais analisados sem tratamento e purificação para até 82% nas amostras tratadas. Os resultados de EDS indicam, através de mapeamento de composição química, a sobreposição dos elementos silício e oxigênio, indicando que ambos encontram-se ligados formando óxidos. A presença do óxido de silício também foi indicada nas análises de DRX, que indicaram a presença de quartzo hexagonal nas amostras finais. Conclui-se que é possível purificar as cinzas para utilizar um rejeito da indústria de beneficiamento de castanhas de caju como fonte de obtenção de dióxido de silício em formato de quartzo.

Este trabalho descreve uma ferramenta de implementação automática, o Gerador de Partes Operativas. A ferramenta encontra-se inserida em uma metodologia de projeto, que por sua vez é voltada para uma certa classe de circuitos. Primeiramente, é estuda a metodologia, assim como são tecidas considerações em relação ao projeto automático de sistemas. A busca de modelos de sistemas digitais eficientes, sua formalização e uma proposta de método de implementação são também abordados. Através de estudos em relação a diferentes implementações de algoritmos em silício surge a realização de diferentes circuitos, que serão a base da ferramenta. Finalmente, é apresentada a ferramenta, que tem como características básicas a independência de tecnologia, a parametrização elétrica e topològica e a avaliação elétrica embutida. Os procedimentos que lograram atingir estas características são detalhados, apresentando-se exemplos de utilização da ferramenta. / This work describes an automatic implementati n tool, the Gerador de Partes Operativas (data path generator). The tool belongs to a design methodology, which is tuned to a certain class of circuit. The methodology used is studies, and some considerations over the implementation problem are apresented. The search for efficient digital systems models is also studied, and a proposition for thelr automatic imp lementation is formalized. Different implementations of algorithms in silicon lead to different circuits, whose study Is the base for this tool. Finally, the tool it self is showed, having independence, electrical and compositional parameters and an embbebed electrical evaluator. The steps used to reach these features are shown, as well as examples of the use of the tool.

A preparação de superfícies de silício na indústria microeletrônica é feita por processos que, geralmente, envolvem uma etapa por via úmida com soluções alcalinas ou contendo fluoretos. Tais sistemas produzem acabamentos diferenciados: a partir da dissolução em presença de bases fortes, ocorre a dissolução por meio de reações de natureza anisotrópica e com o uso de soluções contendo fluoretos, a maior aplicação tecnológica é devida ao ataque químico isotrópico. O presente trabalho investigou o comportamento de superfícies de p-Si (100) em condições de circuito aberto e de polarização anódica em meios contendo fluoretos. Foram utilizadas soluções de NH4F de diferentes concentrações, pH e tipo de solvente (água e metanol). A partir dos testes realizados avaliou-se a taxa de dissolução do silício e a morfologia resultante foi observada. Os resultados obtidos mostram que a taxa de dissolução aumenta com a concentração de fluoretos na solução. Com relação ao pH, foi observado que o ataque em meios ácidos é mais intenso em profundidade, produzindo superfícies porosas para qualquer condição testada. O efeito do solvente foi mais pronunciado nos ensaios em que a amostra foi polarizada. Evidenciando-se, assim, a possibilidade de obtenção de diferentes acabamentos superficiais pelo controle das condições adequadas de composição do meio (concentração de fluoretos, pH e solvente). / The silicon surfaces preparation in microelectronical industry is carried out generally by processes involving one wet step with alcaline or fluoride solutions. Such systems cause different superficial structures: by dissolution in presence of strong alcalis involving reactions of anisotropic nature or by the use of fluoride solutions, whose the largest technological application is due to isotropic chemical etching. The present work investigated the behavior of p-Si (100) under open circuit and anodic polarization conditions in solutions containing fluoride. NH4F solutions with different concentrations, pH and solvent (water and methanol) were used. The silicon dissolution rate was evaluated based on the tests carried out and the surface morphology was observed. The results obtained shown that the silicon dissolution rate increases with the fluoride concentration in the solution. Regarding to pH, we noted that the etching in acid solutions is deeper than in alcaline solutions, this kind of etching resulting in the formation of porous layers on the surface to any condition investigated. The solvent effect was observed when the samples were polarized. The results become evident, therefore, the possibility to obtain different superficial structures by the contrai of suitable conditions of solution composition (fluoride concentration, solution pH and solvent).

Orientador: Vicente Roberto Dumke / Dissertação (mestrado) - Universidade Federal do Parana / Resumo: A implantação de altas doses de 0+ em cristais de silicio monocristalino provoca mudanças estruturais nestes. Estas alterações são evidenciadas pelo inchamento das regiões implantadas. Estudando a topografia das superfícies através de observações por microscopia óptica de interferência, conseguimos mapear as variações nas superfícies implantadas. Constatou-se assim, que o inchamento destas últimas está diretamente relacionado com a presença de uma camada enterrada de SiO2 . Efetou-se também acompanhamentos da topografia das superfícies implantadas, submetidas a tratamentos térmicos sequenciais, que permitiu determinar comportamentos diferentes em função da dose de implantação. / Abstract: The high dose O+ ion-implantation into monocrystal silicon produces structural changes. These alterations are evidenced by the swelling of the implanted area. The study of the surface topography by interference observations, permits to evaluate the expansion of the implanted regions. It is shown that the swelling of the implanted surface is strongly related with the presence of a buried Si 02 layer. It is also shown from the topographical observations of the implanted surface submitted to sequential thermal treatment, that the behaviour of these surfaces is oxygen dose dependent.

Orientador: Renato de Mello Prado / Banca: Paulo Hercilio Viegas Rodrigues / Banca: Renato Fernandes Galdiano Júnior / Resumo: A produção comercial de orquídeas é uma atividade de destaque na floricultura mundial, entretanto há falta de informações sobre a adubação nitrogenada quanto às proporções de nitrato e amônio como fonte de nitrogênio e aplicação de elementos benéficos como o silício. O silício via foliar pode beneficiar e em excesso pode prejudicar o crescimento de orquídeas dependendo da fonte e da concentração do elemento na solução. O crescimento adequado das orquídeas epífitas depende da proporção entre amônio e nitrato utilizada como fonte de nitrogênio, entretanto, não há informações sobre o efeito a longo prazo. Portanto, foram desenvolvidos dois experimentos com duas orquídeas epífitas em cada experimento: Phalaenopsis Golden Peoker e Dendrobium Valentine. As plantas foram cultivadas em bandejas plásticas com Sphagnum seco e mantidas em casa de vegetação recebendo solução nutritiva nos primeiros seis meses, depois foram transplantadas para vasos plásticos (0,9L) individuais e aplicados os tratamentos. O experimento 1 foi em esquema fatorial 5x3, com cinco concentrações de Si (controle; 14,3; 28,6; 42,9 e 57,2 mmol L-1) e três fontes (ácido monossilícico, silicato de potássio e silicato de potássio e sódio) com cinco repetições e em delineamento inteiramente casualizado. Após 18 meses de aplicação de Si foram avaliados nos dois híbridos comerciais o acúmulo de: Si, C, N, P, K, Ca, Mg e S na parte aérea; teor de lignina e proteína e variáveis biométricas. No experiment... (Resumo completo, clicar acesso eletrônico abaixo) / Abstracts: The commercial production of orchids is a prominent activity in the world floriculture, however there is a lack of information regarding the management and recommendation of the fertilization regarding the proportions of nitrate and ammonium as a source of nitrogen and application of beneficial elements such as silicon. Foliar silicon may benefit and in excess may impair the growth of orchids depending on the source and the concentration of the element in the solution. The adequate growth of epiphytic orchids depends on the ratio of ammonium and nitrate used as a source of nitrogen, however, there is no information on the long-term effect. Therefore, two experiments were carried out with two epiphytic orchids in each experiment: Phalaenopsis Golden Peoker and Dendrobium Valentine. The plants were grown in plastic trays with dry Sphagnum and kept in a greenhouse receiving nutrient solution in the first six months, then transplanted to individual plastic vessels (0.9 L) and applied treatments. Experiment 1 was a 5x3 factorial scheme with five concentrations of Si (control: 14.3, 28.6, 42.9 and 57.2 mmol L-1) and three sources (monosilicic acid, potassium silicate and sodium potassium silicate) with five replicates and in a completely randomized design. After 18 months of application of Si, the accumulation of: Si, C, N, P, K, Ca, Mg and S in aerial part was evaluated in the two species; lignin and protein content and biometric variables. In experiment 2, the treatments were five proportions of nitrate / ammonium (0/100, 25/75, 50/50, 75/25, 100/0) with five replicates arranged in a completely randomized design. The sources of nitrate and ammonium were calcium nitrate and ammonium sulfate, respectively. After 12 months of the beginning of the treatments, when the plants were able to flowering, the accumulation of: N, P, K, Ca and Mg in... (Complete abstract click electronic access below) / Mestre

Orientador: Sérgio Antonio de Bortoli / Banca: Nilza Maria Martinelli / Banca: Elisângela de Souza Loureiro / Resumo: Este trabalho teve como objetivo avaliar a capacidade predatória, aspectos comportamentais, reprodutivos e estabelecer a curva de resposta funcional do predador O. insidiosus predando ovos e lagartas de primeiro ínstar de Diatraea sacchara/is, P/utella xy/ostella, Spodoptera frugiperda e Anticarsia gemmatalis, e ninfas de terceiro/quarto ínstar de Aphis gossypii. Além destas avaliações, observou-se alguns aspectos reprodutivos de O. insidiosus, todos em função das diferentes densidades de A. gossypii. Para as espécies estudadas o predador apresentou curva de resposta funcional tipo 11, mostrando uma tendência de estabilização nas densidades mais altas. A taxa de ataque foi de 42,16; 9,35 e 22,81 ovos/hora e o tempo de manipulação de 1,56; 1,91 e 1,74 horas, para S. frugiperda, A. gemmatalis e P. xy/ostella, respectivamente. Observou-se também uma baixa capacidade predatória do O. insidiosus sobre ovos de D. saccharalis, proporcionando valores quase nulos para taxa de ataque e tempo de manipulação. A taxa de ataque foi de 15,55; 18,06; 1,77 e 3,68 lagartas/hora, e o tempo de manipulação de 2,13; 1,32; 0,86 e 1,99 horas para S. frugiperda, A. gemmatalis, D. saccharalis e P. xy/ostella, respectivamente. Para A. gossypii a taxa de ataque foi de 0,10 pulgão/hora e tempo de manipulação de 1, 82 h. O predador passou de 3,10 a 4,08 h se alimentando de seiva no nectário foliar do algodoeiro, não tendo a densidade da presa influência direta sobre esse comportamento. A proporção de postura por fêmea foi crescente até 10 ninfas, enquanto a proporção do número de ovos por postura aumentou com o aumento de presas disponíveis. / Abstract: The aim of this research was to evaluate the predatory capacity, behavior aspects and to establish O. insidiosus functional response curve preying Diatraea saccharalis, P/utella xy/ostella, Spodoptera frugiperda and Anticarsia gemmatalis eggs and first instar larvae, and Aphis gossypii third/fourth instar nymphs. By these evaluations it was observed some reproductive aspects of O. insidiosus, in function of A. gossypii different densities. The functional response type 11 was observed for ali species, showing a tendency of stability in the highest densities. The attack rate was 42.16, 9.35 e 22.81 eggs/hour and the handling time 1.56, 1.91 e 1.74 hours for S. frugiperda, A. gemmatalis and P. xy/ostella, respectively. It was also verified a low predatory capacity of O. insidiosus on D. saccharalis eggs, with almost null values for attack rate and handling time, making them despicable. The attack rate was 15.55,18.06,1.77 and 3.68Iarvae/hour, and the handling time 2.13, 1.32,0.86 e 1.99 hours for S. frugiperda, A. gemmatalis, D. saccharalis and P. xy/ostella, respectively. For A. gossypii the attack was 0.10 aphid/hour and the handling time 1.82 h. The predator teal on cotton sap and foliar nectary for 3.10 to 4.08 h, and there was no straight influence of the prey on this behavior. The egg-Iaying by female was crescent, until 10 nymphs, while the egg rate by egg-Iaying increased as the number of preys increased. / Mestre

A preparação de superfícies de silício na indústria microeletrônica é feita por processos que, geralmente, envolvem uma etapa por via úmida com soluções alcalinas ou contendo fluoretos. Tais sistemas produzem acabamentos diferenciados: a partir da dissolução em presença de bases fortes, ocorre a dissolução por meio de reações de natureza anisotrópica e com o uso de soluções contendo fluoretos, a maior aplicação tecnológica é devida ao ataque químico isotrópico. O presente trabalho investigou o comportamento de superfícies de p-Si (100) em condições de circuito aberto e de polarização anódica em meios contendo fluoretos. Foram utilizadas soluções de NH4F de diferentes concentrações, pH e tipo de solvente (água e metanol). A partir dos testes realizados avaliou-se a taxa de dissolução do silício e a morfologia resultante foi observada. Os resultados obtidos mostram que a taxa de dissolução aumenta com a concentração de fluoretos na solução. Com relação ao pH, foi observado que o ataque em meios ácidos é mais intenso em profundidade, produzindo superfícies porosas para qualquer condição testada. O efeito do solvente foi mais pronunciado nos ensaios em que a amostra foi polarizada. Evidenciando-se, assim, a possibilidade de obtenção de diferentes acabamentos superficiais pelo controle das condições adequadas de composição do meio (concentração de fluoretos, pH e solvente). / The silicon surfaces preparation in microelectronical industry is carried out generally by processes involving one wet step with alcaline or fluoride solutions. Such systems cause different superficial structures: by dissolution in presence of strong alcalis involving reactions of anisotropic nature or by the use of fluoride solutions, whose the largest technological application is due to isotropic chemical etching. The present work investigated the behavior of p-Si (100) under open circuit and anodic polarization conditions in solutions containing fluoride. NH4F solutions with different concentrations, pH and solvent (water and methanol) were used. The silicon dissolution rate was evaluated based on the tests carried out and the surface morphology was observed. The results obtained shown that the silicon dissolution rate increases with the fluoride concentration in the solution. Regarding to pH, we noted that the etching in acid solutions is deeper than in alcaline solutions, this kind of etching resulting in the formation of porous layers on the surface to any condition investigated. The solvent effect was observed when the samples were polarized. The results become evident, therefore, the possibility to obtain different superficial structures by the contrai of suitable conditions of solution composition (fluoride concentration, solution pH and solvent).