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1	Designing novel Zn-MnO2 microbatteries with boosted energy density and reversibility Qu, Zhe 10 July 2024 (has links) As microfabrication techniques stepped into the millimeter and sub-sub-millimeter scale world, a large amount of microelectronics has been developed and even commercialized. Microbatteries are considered as the important components to continuously power microelectronics without interruption. Over past few decades, a great deal of research have been devoted into the development of microbatteries with high energy density, long cycling life and minimum footprint area. These researches mainly focus on the fabrication procedure, which contributes to reducing the footprint area. However, the battery chemistry investigation and optimization are always ignored, which have great impact on the microbatteries performances. How to take the battery chemistry into account when shrinking the size of microbatteries is a huge challenge. To take up the challenge, applying the energy-dense materials into the three-dimensional microstructures could be a direct strategy. Among different three-dimensional microstrucutres, Swiss-roll microtube was proven as an effective way to improve the energy density without influencing the electrochemical kinetics. As for the material choice, the Zn-MnO2 aqueous system with high theoretical capacity and safe working environment is a good candidate for microbatteries. More importantly, fabrication and modification of both the electrode and electrolyte is compatible with standard microfabrication process in the atmosphere. Based on this, Zn anode is modified by a photolithgraphable electrolyte with small-molecular stabilizer, while the MnO2 cathode is modified by the zincophilic binder. Then the Swiss-roll three-dimensional structure is elaborately designed through the strain-engineering rolled-up technology to accommodate the energy-dense and highly reversible materials. As the results, the gap between bulky and microscale batteries is successfully bridged. info:eu-repo/classification/ddc/621.3 ddc:621.3
2	Modellierung und Charakterisierung des elektrischen Verhaltens von haftstellen-basierten Flash-Speicherzellen Melde, Thomas 28 February 2012 (has links) (PDF) Im Rahmen dieser Arbeit werden haftstellen-basierte Speicherzellen als mögliche Alternative zum bestehenden Floating-Gate Konzept untersucht. Hierbei wird zunächst mittels Simulation und ausgewählten Messverfahren das Verständnis der Funktionsweise vertieft. Der darauffolgende Abschnitt befasst sich mit der Verbesserung der elektrischen Eigenschaften, basierend auf Änderungen der verwendeten Materialien und dem räumlichen Aufbau. Abschließend erfolgt die Untersuchung der Anwendbarkeit des Zellkonzeptes in hochdichten Zellenfeldern. nichtflüchtiger Speicher Halbleiter-Speicher MOSFET Flash MOSFET NAND nonvolatile memory charge trap floating gate tunneling metal gate high-k ddc:537 ddc:621.3 rvk:ZN 5640 rvk:ST 175 n-Kanal-FET Speicher MOS-Speicher Nichtflüchtiger Speicher Flash-Speicher Elektrischer Speicher Speicherzelle Speicherung Speicherschaltung Speicherkapazität Speicherelement Feldeffekttransistor MOS-FET
3	Modellierung und Charakterisierung des elektrischen Verhaltens von haftstellen-basierten Flash-Speicherzellen Melde, Thomas 01 September 2010 (has links) Im Rahmen dieser Arbeit werden haftstellen-basierte Speicherzellen als mögliche Alternative zum bestehenden Floating-Gate Konzept untersucht. Hierbei wird zunächst mittels Simulation und ausgewählten Messverfahren das Verständnis der Funktionsweise vertieft. Der darauffolgende Abschnitt befasst sich mit der Verbesserung der elektrischen Eigenschaften, basierend auf Änderungen der verwendeten Materialien und dem räumlichen Aufbau. Abschließend erfolgt die Untersuchung der Anwendbarkeit des Zellkonzeptes in hochdichten Zellenfeldern.:Kurzfassung Abstract 1 Einleitung 2 Grundlagen aktiver Halbleiterelemente 2.1 Die MOS-Struktur 2.2 Der MOS-Feldeffekt-Transistor 2.3 Nichtflüchtige Festkörperspeicher 2.4 Speicherarchitekturen 2.5 Charakterisierungsmethoden von Halbleiter-Speicherelementen 3 Defektbasierte Ladungsspeicherung in dielektrischen Schichten 3.1 Physikalische Grundlagen von Haftstellen 3.2 Betrachtung der vertikalen Ladungsverteilung mit Hilfe von Simulationen 3.3 Ableitung der vertikalen Ladungsverteilung aus Messungen 4 Elektrisches Verhalten einer haftstellen-basierten Speicherzelle 4.1 Auswirkung von inhomogen verteilter Ladung in der Speicherschicht 4.2 Auswirkungen von Al2O3-Topoxid auf das Zellverhalten 4.3 Auswirkung des Steuerelektrodenmaterials auf das Zellverhalten 4.4 Einfluss von Kanal- und Source/Drain-Dotierung 5 Integration in eine stark skalierte NAND Architektur 5.1 Auswirkung struktureller Effekte auf die Speicherzelle 5.2 Störmechanismen beim Betrieb von stark skalierten NAND-Speichern 6 Zusammenfassung und Ausblick 6.1 Zusammenfassung 6.2 Ausblick Danksagung Lebenslauf Symbol- und Abkürzungsverzeichnis Literaturverzeichnis info:eu-repo/classification/ddc/537 ddc:537 info:eu-repo/classification/ddc/621.3 ddc:621.3

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