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Showing 1 to 2 of 2 (0.091 seconds)Spelling suggestions: "subject:"speicherkapazität"" "subject:"speicherkapazitäten""
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Modellierung und Charakterisierung des elektrischen Verhaltens von haftstellen-basierten Flash-SpeicherzellenMelde, Thomas 28 February 2012 (has links) (PDF)
Im Rahmen dieser Arbeit werden haftstellen-basierte Speicherzellen als mögliche Alternative zum bestehenden Floating-Gate Konzept untersucht. Hierbei wird zunächst mittels Simulation und ausgewählten Messverfahren das Verständnis der Funktionsweise vertieft. Der darauffolgende Abschnitt befasst sich mit der Verbesserung der elektrischen Eigenschaften, basierend auf Änderungen der verwendeten Materialien und dem räumlichen Aufbau. Abschließend erfolgt die Untersuchung der Anwendbarkeit des Zellkonzeptes in hochdichten Zellenfeldern.
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Modellierung und Charakterisierung des elektrischen Verhaltens von haftstellen-basierten Flash-SpeicherzellenMelde, Thomas 01 September 2010 (has links)
Im Rahmen dieser Arbeit werden haftstellen-basierte Speicherzellen als mögliche Alternative zum bestehenden Floating-Gate Konzept untersucht. Hierbei wird zunächst mittels Simulation und ausgewählten Messverfahren das Verständnis der Funktionsweise vertieft. Der darauffolgende Abschnitt befasst sich mit der Verbesserung der elektrischen Eigenschaften, basierend auf Änderungen der verwendeten Materialien und dem räumlichen Aufbau. Abschließend erfolgt die Untersuchung der Anwendbarkeit des Zellkonzeptes in hochdichten Zellenfeldern.:Kurzfassung
Abstract
1 Einleitung
2 Grundlagen aktiver Halbleiterelemente
2.1 Die MOS-Struktur
2.2 Der MOS-Feldeffekt-Transistor
2.3 Nichtflüchtige Festkörperspeicher
2.4 Speicherarchitekturen
2.5 Charakterisierungsmethoden von Halbleiter-Speicherelementen
3 Defektbasierte Ladungsspeicherung in dielektrischen Schichten
3.1 Physikalische Grundlagen von Haftstellen
3.2 Betrachtung der vertikalen Ladungsverteilung mit Hilfe von Simulationen
3.3 Ableitung der vertikalen Ladungsverteilung aus Messungen
4 Elektrisches Verhalten einer haftstellen-basierten Speicherzelle
4.1 Auswirkung von inhomogen verteilter Ladung in der Speicherschicht
4.2 Auswirkungen von Al2O3-Topoxid auf das Zellverhalten
4.3 Auswirkung des Steuerelektrodenmaterials auf das Zellverhalten
4.4 Einfluss von Kanal- und Source/Drain-Dotierung
5 Integration in eine stark skalierte NAND Architektur
5.1 Auswirkung struktureller Effekte auf die Speicherzelle
5.2 Störmechanismen beim Betrieb von stark skalierten NAND-Speichern
6 Zusammenfassung und Ausblick
6.1 Zusammenfassung
6.2 Ausblick
Danksagung
Lebenslauf
Symbol- und Abkürzungsverzeichnis
Literaturverzeichnis
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