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Untersuchung tiefer Stoerstellen in ZinkselenidHellig, Kay 28 March 1997 (has links) (PDF)
Das Halbleitermaterial Zinkselenid (ZnSe) wurde mit Deep
Level Transient Spectroscopy (DLTS) untersucht. Fuer planar
N-dotierte, MO-CVD-gewachsene ZnSe-Schichten auf p-GaAs
wurden vorwiegend breite Zustandsverteilungen, aber auch
tiefe Niveaus gefunden. In kristallin gezuechtetem,
undotiertem ZnSe wurden tiefe Stoerstellen nachgewiesen.
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Untersuchung tiefer Stoerstellen in ZinkselenidHellig, Kay 28 March 1997 (has links)
Das Halbleitermaterial Zinkselenid (ZnSe) wurde mit Deep
Level Transient Spectroscopy (DLTS) untersucht. Fuer planar
N-dotierte, MO-CVD-gewachsene ZnSe-Schichten auf p-GaAs
wurden vorwiegend breite Zustandsverteilungen, aber auch
tiefe Niveaus gefunden. In kristallin gezuechtetem,
undotiertem ZnSe wurden tiefe Stoerstellen nachgewiesen.
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Untersuchung tiefer Stoerstellen in Zinkselenid mittels thermisch und optisch stimulierter KapazitaetstransientenspektroskopieHellig, Kay 10 April 1997 (has links) (PDF)
In dieser Arbeit wurden tiefe Zentren in p-leitendem
Zinkselenid mittels Kapazitaetstransientenspektroskopie
untersucht. Es wurden Au/p-ZnSe/p-GaAs-Schichtstrukturen
verwendet
Mit Strom-Spannungs- und Kapazitaets-Spannungs-Messungen
erfolgte eine Vorcharakterisierung der Proben. Dies lieferte
Aussagen zu den bei kleinen Spannungen wirkenden Barrieren
des Schottky-Kontaktes und des Hetero¨uberganges und die
Bandkantenoffsets. Die effektiven Akzeptorkonzentrationen
im p-ZnSe wurden bestimmt.
Mit der DLTS wurden vier Loecher-Haftstellen in den
p-ZnSe-Schichten gefunden. Ihre thermischen
Aktivierungsenergien waren 0,40eV, 0,62eV, 0,83eV und
0,65eV.
Die Konzentration des tiefen Zentrums HT nimmt bei Temperung ¨uber 450~K
zu; moeglicherweise aufgrund einer Eindiffusion des als
Schottky-Kontakt dienenden Goldes.
Einfangmessungen fuer das Zentrum HT ergaben einen thermisch
aktivierten Einfang mit Multiphononenemission bei einer
Einfangbarriere von 0,46eV. Die Entropieaenderung bei der
Emission aus dem Zentrum HT wurde bestimmt. Die Emission aus
dem Zentrum HT laeuft schneller als der Einfang ab.
Moegliche Gruende dafuer werden diskutiert.
Mit Isothermalen Kapazitaetstransienten-Messungen und
Spannungsvariationen wurde das Emissionsverhalten des
tiefen Zentrums HT weitergehend untersucht.
Transparente Gold-Kontakte gestatteten eine Beeinflussung
der Emissionstransienten mittels Lichteinstrahlung durch
den Schottky-Kontakt.
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Untersuchung tiefer Stoerstellen in Zinkselenid mittels thermisch und optisch stimulierter KapazitaetstransientenspektroskopieHellig, Kay 10 April 1997 (has links)
In dieser Arbeit wurden tiefe Zentren in p-leitendem
Zinkselenid mittels Kapazitaetstransientenspektroskopie
untersucht. Es wurden Au/p-ZnSe/p-GaAs-Schichtstrukturen
verwendet
Mit Strom-Spannungs- und Kapazitaets-Spannungs-Messungen
erfolgte eine Vorcharakterisierung der Proben. Dies lieferte
Aussagen zu den bei kleinen Spannungen wirkenden Barrieren
des Schottky-Kontaktes und des Hetero¨uberganges und die
Bandkantenoffsets. Die effektiven Akzeptorkonzentrationen
im p-ZnSe wurden bestimmt.
Mit der DLTS wurden vier Loecher-Haftstellen in den
p-ZnSe-Schichten gefunden. Ihre thermischen
Aktivierungsenergien waren 0,40eV, 0,62eV, 0,83eV und
0,65eV.
Die Konzentration des tiefen Zentrums HT nimmt bei Temperung ¨uber 450~K
zu; moeglicherweise aufgrund einer Eindiffusion des als
Schottky-Kontakt dienenden Goldes.
Einfangmessungen fuer das Zentrum HT ergaben einen thermisch
aktivierten Einfang mit Multiphononenemission bei einer
Einfangbarriere von 0,46eV. Die Entropieaenderung bei der
Emission aus dem Zentrum HT wurde bestimmt. Die Emission aus
dem Zentrum HT laeuft schneller als der Einfang ab.
Moegliche Gruende dafuer werden diskutiert.
Mit Isothermalen Kapazitaetstransienten-Messungen und
Spannungsvariationen wurde das Emissionsverhalten des
tiefen Zentrums HT weitergehend untersucht.
Transparente Gold-Kontakte gestatteten eine Beeinflussung
der Emissionstransienten mittels Lichteinstrahlung durch
den Schottky-Kontakt.
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Growth, fabrication, and investigation of light-emitting diodes based on GaN nanowiresMusolino, Mattia 04 January 2016 (has links)
Diese Arbeit gibt einen tiefgehenden Einblick in verschiedene Aspekte von auf (In,Ga)N/GaN Heterostrukturen basierenden Leuchtdioden (LEDs), mittels Molekularstrahlepitaxie entlang der Achse von Nanodrähten (NWs) auf Si Substraten gewachsen. Insbesondere wurden die Wachstumsparameter angepasst, um eine Koaleszierung der Nanodrähte zu vermindern. Auf diese Weise konnte die durch die NW-LEDs emittierte Intensität der Photolumineszenz (PL) um einen Faktor zehn erhöht werden. Die opto-elektronischen Eigenschaften von NW-LEDs konnten durch die Verwendung von Indiumzinoxid, anstatt von Ni/Au als Frontkontakt, verbessert werden. Zudem wurde demonstriert, dass auch selektives Wachstum (SAG) von GaN NWs auf AlN gepufferten Si Substraten mit einer guten Leistungsfähigkeit von Geräte vereinbar ist und somit als Wegbereiter für eine neue Generation von NW-LEDs auf Si dienen kann. Weiterhin war es möglich, strukturierte Felder von ultradünnen NWs durch SAG und thermische in situ Dekomposition herzustellen. In den durch die NW-LEDs emittierten Elektrolumineszenzspektren (EL) wurde eine Doppellinenstruktur beobachtet, die höchstwahrscheinlich von den kompressiven Verspannungen im benachbarten Quantentopf, durch die Elektronensperrschicht verursachten, herrührt. Die Analyse von temperaturabhängigen PL- und EL-Messungen zeigt, dass Ladungsträgerlokalisierungen nicht ausschlaggebend für die EL-Emission von NW-LEDs sind. Die Strom-Spannungs-Charakteristiken (I-V) von NW-LEDs unter Vorwärtsspannung wurden mittels eines Modells beschrieben, in das die vielkomponentige Natur der LEDs berücksichtigt wird. Die unter Rückwärtsspannung aktiven Transportmechanismen wurden anhand von Kapazitätstransientenmessungen und temperaturabhänigigen I-V-Messungen untersucht. Dann wurde ein physikalisches Modell zur quantitativen Beschreibung der besonderen I-V-T Charakteristik der untersuchten NW-LEDs entwickelt. / This PhD thesis provides an in-depth insight on various crucial aspects of light-emitting diodes (LEDs) based on (In,Ga)N/GaN heterostructures grown along the axis of nanowires (NWs) by molecular beam epitaxy on Si substrates. In particular, the growth parameters are adjusted so as to suppress the coalescence of NWs; in this way the photoluminescence (PL) intensity emitted from the NW-LEDs can be increased by about ten times. The opto-electronic properties of the NW-LEDs can be further improved by exclusively employing indium tin oxide instead of Ni/Au as top contact. Furthermore, the compatibility of selective-area growth (SAG) of GaN NWs on AlN-buffered Si substrates with device operation is demonstrated, thus paving the way for a new generation of LEDs based on homogeneous NW ensembles on Si. Ordered arrays of ultrathin NWs are also successfully obtained by combining SAG and in situ post-growth thermal decomposition. A double-line structure is observed in the electroluminescence (EL) spectra emitted by the NW-LEDs; it is likely caused by compressive strain introduced by the (Al,Ga)N electron blocking layer in the neighbouring (In,Ga)N quantum well. An in-depth analysis of temperature dependent PL and EL measurements indicates that carrier localization phenomena do not dominate the EL emission properties of the NW-LEDs. The forward bias current-voltage (I-V) characteristics of different NW-LEDs are analysed by means of an original model that takes into account the multi-element nature of LEDs based on NW ensembles by assuming a linear dependence of the ideality factor on applied bias. The transport mechanisms in reverse bias regime are carefully studied by means of deep level transient spectroscopy (DLTS) and temperature dependent I-V measurements. The physical origin of the detected deep states is discussed. Then, a physical model able to describe quantitatively the peculiar I-V-T characteristics of NW-LEDs is developed.
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