The outset of the thesis was in answer to an underdevelopment in the research on integrated digital technologies in schools. The purpose of the thesis was to understand the activity system of using an integrated digital technology in a municipality’s school organization. The research questions regarded different perceptions between organizational levels, as well as contradictions in the activity system and the consequences of these contradictions. A qualitative approach was chosen, where interviews were conducted with seven personnel in the municipal school organization, both principals and development workers. In analyzes, an activity theoretical approach was used to expand the understanding of the activity system. Main findings included a detailed representation of perceptions of informants, as well as contradictions in the activity system. The contradictions were related to many components of the activity system with varying consequences to both organization and individual. Specifically, findings indicate that integrated digital technologies require certain institutional assumptions, and many difficulties and challenges are related to the intent of having many stakeholders of school organizations interacting in the same integrated technology.

The aim of this research project was to find out why the employees in the Middle East region, as a part of a large global company, did not use a project tracking information system. The research was conducted with a mixed method, starting with a qualitative study in order to gain an understanding of the problem and the current setting. Thereafter, hypotheses were tested with an e-survey sent out to the entire user group, which were around 350 persons. The outcome of the survey was surprisingly that the hypotheses, which were based on the United Theory of Acceptance and Use of Technology (UTAUT), were rejected. The findings in this study showed that if the user experiences a relative advantage with the system it has a positive effect on use as well as good data quality. This study has found that the opinions of colleagues and managers play a role on use and also the lack of integration. This research will serve as a base for future studies to investigate how the system is used and how it supports the business process. Furthermore, these findings contribute to the criticism on Technology Acceptance Model (TAM) and its successor.

Effective utilization of instructional technology can provide a valuable method for the delivery of a school program, and enable a teacher to individualize according to student needs. Implementation of such a program is costly and requires careful planning and adequate staff development for school personnel. This study examined the degree of commitment by Texas school districts to the use of the latest technologies in their efforts to revolutionize education. Quantitative data were collected by using a survey that included five informational areas: (1) school district background, (2) funding for budget, (3) staff, (4) technology hardware, and (5) staff development. The study included 137 school districts representing the 5 University Interscholastic League (UIL) classifications (A through AAAAA). The survey was mailed to the school superintendents requesting that the persons most familiar with instructional technology be responsible for completing the questionnaires. Analysis of data examined the relationship between UIL classification and the amount of money expended on instructional technology. Correlation coefficients were determined between teachers receiving training in the use of technology and total personnel assigned to technology positions. Coefficients were calculated between a district providing a plan fortechnology and employment of a coordinator for instructional technology. Significance was established at the .05 level. A significant relationship was determined between the total district budget and the amount of money allocated to instructional technology. There was a significant relationship between the number of teachers receiving training in technology and the number of personnel assigned to technology positions. A significant negative relationship was determined between the district having a long-range plan for technology and the employment of a full-time coordinator for one of the subgroups. An attempt was made to provide information concerning the effort by local school districts to provide technology for instructional purposes. Progress has been made, although additional funds will be required in order to realize the full potential of all technologies.

As tecnologias de Agricultura de Precisão - AP já são adotadas nas lavouras do Brasil, com técnicas cada vez mais produtivas, indispensáveis para garantir a liderança do país na produção agrícola. No entanto, não existem ainda estudos sobre a intensidade do uso das tecnologias de AP no país e dos condicionantes de sua adoção. O desafio central deste trabalho foi, então, investigar o processo de adoção e uso das tecnologias de AP alcançado pela indústria sucroalcooleira no Estado de São Paulo. Para tanto, foram utilizados dados primários, a partir do encaminhamento de questionário a todas as empresas do setor sucroalcooleiro paulista, com o objetivo de se conhecer, não só o grau de adoção e uso das tecnologias de AP, mas também aprofundar a discussão sobre o tema da AP na indústria sucroalcooleira. Assim, foram obtidas informações sobre as características das empresas, as fontes de informação para adoção, os impactos da AP nas empresas e os obstáculos encontrados às práticas de AP. Paralelamente, estimou-se um modelo econométrico lógite para verificar a influência das variáveis estudadas na probabilidade de adoção das tecnologias de AP. As principais conclusões deste trabalho sugerem que a adoção e uso dessas tecnologias trazem resultados positivos para as empresas, como por exemplo, a melhoria no gerenciamento, o aumento da produtividade, a redução dos custos, a minimização dos impactos ambientais e a melhoria da qualidade da cana. A análise econométrica mostrou que a probabilidade de adotar as tecnologias de AP é maior em ordem decrescente de importância, em usinas/destilarias de capital nacional, que fazem parte de um grupo empresarial, de orientação exportadora, de gestão profissional, e que utilizam maior percentual de fontes de financiamento próprio. / The technologies of Precision Agriculture - PA - are already a reality in crops throughout Brazil, using more and more productive techniques, crucial to ensure the country as the world leader in agriculture. However, there are not yet studies on the intensity of the use of PA technologies in Brazil and the determiners of their adoption. The main focus of this study was, therefore, to investigate the adoption process and the use of PA technologies in the sugarcane industry in São Paulo state. For that purpose, it was used primary data based upon a questionnaire submitted to all enterprises of the sugarcane sector in the state, aiming to figure out not only the adoption level and use of PA technologies in the sugarcane industry, but also to deepen the discussion about Precision Agriculture, obtaining therefore, more information regarding the characteristics of the enterprises, sources of information for the adoption of PA, the impact of PA technologies on the enterprise and the obstacles faced by the PA practices. In parallel, the econometric model logit was estimated to verify the influence of the variables studied on the probability for the adoption of the PA technologies. The main conclusions of this study suggest that the adoption for these technologies bring results to enterprises, such as improvement of management procedures, increase of productive, cost reduction, minimization of environmental impacts and improvement of sugarcane quality. The econometric analysis showed that the probability to adopt PA technologies is higher in decrescent order of importance in mills/distilleries of national capital, which are part of an export-driven group, of professional management and that use higher percentage of their own resources.

As tecnologias de Agricultura de Precisão - AP já são adotadas nas lavouras do Brasil, com técnicas cada vez mais produtivas, indispensáveis para garantir a liderança do país na produção agrícola. No entanto, não existem ainda estudos sobre a intensidade do uso das tecnologias de AP no país e dos condicionantes de sua adoção. O desafio central deste trabalho foi, então, investigar o processo de adoção e uso das tecnologias de AP alcançado pela indústria sucroalcooleira no Estado de São Paulo. Para tanto, foram utilizados dados primários, a partir do encaminhamento de questionário a todas as empresas do setor sucroalcooleiro paulista, com o objetivo de se conhecer, não só o grau de adoção e uso das tecnologias de AP, mas também aprofundar a discussão sobre o tema da AP na indústria sucroalcooleira. Assim, foram obtidas informações sobre as características das empresas, as fontes de informação para adoção, os impactos da AP nas empresas e os obstáculos encontrados às práticas de AP. Paralelamente, estimou-se um modelo econométrico lógite para verificar a influência das variáveis estudadas na probabilidade de adoção das tecnologias de AP. As principais conclusões deste trabalho sugerem que a adoção e uso dessas tecnologias trazem resultados positivos para as empresas, como por exemplo, a melhoria no gerenciamento, o aumento da produtividade, a redução dos custos, a minimização dos impactos ambientais e a melhoria da qualidade da cana. A análise econométrica mostrou que a probabilidade de adotar as tecnologias de AP é maior em ordem decrescente de importância, em usinas/destilarias de capital nacional, que fazem parte de um grupo empresarial, de orientação exportadora, de gestão profissional, e que utilizam maior percentual de fontes de financiamento próprio. / The technologies of Precision Agriculture - PA - are already a reality in crops throughout Brazil, using more and more productive techniques, crucial to ensure the country as the world leader in agriculture. However, there are not yet studies on the intensity of the use of PA technologies in Brazil and the determiners of their adoption. The main focus of this study was, therefore, to investigate the adoption process and the use of PA technologies in the sugarcane industry in São Paulo state. For that purpose, it was used primary data based upon a questionnaire submitted to all enterprises of the sugarcane sector in the state, aiming to figure out not only the adoption level and use of PA technologies in the sugarcane industry, but also to deepen the discussion about Precision Agriculture, obtaining therefore, more information regarding the characteristics of the enterprises, sources of information for the adoption of PA, the impact of PA technologies on the enterprise and the obstacles faced by the PA practices. In parallel, the econometric model logit was estimated to verify the influence of the variables studied on the probability for the adoption of the PA technologies. The main conclusions of this study suggest that the adoption for these technologies bring results to enterprises, such as improvement of management procedures, increase of productive, cost reduction, minimization of environmental impacts and improvement of sugarcane quality. The econometric analysis showed that the probability to adopt PA technologies is higher in decrescent order of importance in mills/distilleries of national capital, which are part of an export-driven group, of professional management and that use higher percentage of their own resources.

Ziel dieser Arbeit ist die Entwicklung selektiver Si1-xCx-Prozesse, die eine mechanische Zugspannung im Kanal von NMOS-Transistoren erzeugen, und so durch eine gezielte Änderung der Bandstruktur die Elektronenbeweglichkeit und damit auch die Leistungsfähigkeit der Bauteile erhöhen soll. In der vorliegenden Arbeit werden die wichtigsten Fragestellungen zum Wachstum der Si1-xCx-Schichten näher beleuchtet. Dabei werden zwei Methoden zum Wachstum der Schichten charakterisiert. Neben einem disilanbasierten UHV-CVD-Verfahren wird ein LP-CVD-Verfahren unter der Verwendung von Trisilan herangezogen. Für beide Prozessvarianten konnten mithilfe einer zyklischen Prozessführung selektive, undotierte und in-situ phosphordotierte Abscheidungen realisiert werden. Es wird gezeigt, dass die Disilanprozesse aufgrund ihrer geringen Wachstumsraten einen hohen Anteil interstitiellen Kohlenstoffs bedingen. Durch FT-IR-Analyse konnte belegt werden, dass sich während des Wachstums Siliziumkarbid-präzipitate bilden, die das epitaktische Wachstum nachhaltig schädigen können. Erweiterte man das Wachstum infolge der Zugabe von German zum ternären System Si1-x-yCxGey (y=0,05…0,07) wurde ein starker Anstieg der Wachstumsraten festgestellt. Die Aktivierungsenergie für das epitaktische Wachstum sinkt durch die Zugabe von German und der substitutionelle Kohlenstoffgehalt kann erhöht werden. Es wird gezeigt, dass German nicht nur für die Unterstützung des Ätzprozesses hilfreich ist, sondern im LP-CVD-Verfahren zur Unterstützung des HCl-basierten Ätzprozesses dienen kann. Ein weiterer Schwerpunkt der Arbeit liegt in der Abscheidung und Charakterisierung in-situ phosphor-dotierter Schichten. Es wird nachgewiesen, dass Phosphor die Wachstumsrate erhöht und dass Phosphor und Kohlenstoff in Konkurrenz um substitutionelle Gitterplätze stehen. Phosphor ist außerdem auch die Spezies, für die die größte Anisotropie hinsichtlich des Einbaus auf Si(110) im Vergleich zu Si(001) beobachtet wurde: Je nach Prozessführung wird auf Si(110)-Ebenen nahezu doppelt so viel Phosphor eingebaut wie auf Si(001). Dieser Effekt ist insofern von großer Relevanz, als dass ein steigender Phosphoranteil auch die thermische Stabilität der Schichten herabsetzt. Die Relaxationsvorgänge basieren bei Si1-xCx-Schichten auf Platzwechselvorgängen substitutioneller Kohlenstoffatome zu interstitiellen Silizium-Kohlenstoff-Hanteldefekten unter der Bildung einer Leerstelle. Es wurde ein Modell vorgeschlagen, nach dem Phosphor durch die Entstehung von PV-Komplexen diese Reaktion begünstigt, wodurch die Relaxationsvorgänge beschleunigt werden. Infolge einer dreidimensionalen Atomsondenanalyse kann der Endzustand der Relaxation – die Bildung stöchiometrischen Siliziumkarbids – belegt werden. In-situ phosphordotierte Si1-xCx-Schichten mit ca. 4*1020 at/cm³ Phosphorgehalt und 1,8 at.% Kohlenstoff wurden erfolgreich in NMOS-Transistoren der 45 nm Generation integriert und mit ebenfalls im Rahmen der Dissertation entwickelten Si:P-Rezepten verglichen. Die höchste Leistungssteigerung von 10 % konnte durch die Kombination aus beiden Prozessen erzielt werden, bei dem auf die spannungserzeugende Si1-xCx-Schicht zur Senkung des Silizidwiderstandes eine Si:P-Kappe aufgebracht wird. Die Einprägung einer Zugspannung in den Transistorkanal wurde mittels Nano beam diffraction nachgewiesen und wurde auf Basis des piezoresistiven Modells mit SiGe-PMOS-Transistoren verglichen.

Ziel dieser Arbeit ist die Entwicklung selektiver Si1-xCx-Prozesse, die eine mechanische Zugspannung im Kanal von NMOS-Transistoren erzeugen, und so durch eine gezielte Änderung der Bandstruktur die Elektronenbeweglichkeit und damit auch die Leistungsfähigkeit der Bauteile erhöhen soll. In der vorliegenden Arbeit werden die wichtigsten Fragestellungen zum Wachstum der Si1-xCx-Schichten näher beleuchtet. Dabei werden zwei Methoden zum Wachstum der Schichten charakterisiert. Neben einem disilanbasierten UHV-CVD-Verfahren wird ein LP-CVD-Verfahren unter der Verwendung von Trisilan herangezogen. Für beide Prozessvarianten konnten mithilfe einer zyklischen Prozessführung selektive, undotierte und in-situ phosphordotierte Abscheidungen realisiert werden. Es wird gezeigt, dass die Disilanprozesse aufgrund ihrer geringen Wachstumsraten einen hohen Anteil interstitiellen Kohlenstoffs bedingen. Durch FT-IR-Analyse konnte belegt werden, dass sich während des Wachstums Siliziumkarbid-präzipitate bilden, die das epitaktische Wachstum nachhaltig schädigen können. Erweiterte man das Wachstum infolge der Zugabe von German zum ternären System Si1-x-yCxGey (y=0,05…0,07) wurde ein starker Anstieg der Wachstumsraten festgestellt. Die Aktivierungsenergie für das epitaktische Wachstum sinkt durch die Zugabe von German und der substitutionelle Kohlenstoffgehalt kann erhöht werden. Es wird gezeigt, dass German nicht nur für die Unterstützung des Ätzprozesses hilfreich ist, sondern im LP-CVD-Verfahren zur Unterstützung des HCl-basierten Ätzprozesses dienen kann. Ein weiterer Schwerpunkt der Arbeit liegt in der Abscheidung und Charakterisierung in-situ phosphor-dotierter Schichten. Es wird nachgewiesen, dass Phosphor die Wachstumsrate erhöht und dass Phosphor und Kohlenstoff in Konkurrenz um substitutionelle Gitterplätze stehen. Phosphor ist außerdem auch die Spezies, für die die größte Anisotropie hinsichtlich des Einbaus auf Si(110) im Vergleich zu Si(001) beobachtet wurde: Je nach Prozessführung wird auf Si(110)-Ebenen nahezu doppelt so viel Phosphor eingebaut wie auf Si(001). Dieser Effekt ist insofern von großer Relevanz, als dass ein steigender Phosphoranteil auch die thermische Stabilität der Schichten herabsetzt. Die Relaxationsvorgänge basieren bei Si1-xCx-Schichten auf Platzwechselvorgängen substitutioneller Kohlenstoffatome zu interstitiellen Silizium-Kohlenstoff-Hanteldefekten unter der Bildung einer Leerstelle. Es wurde ein Modell vorgeschlagen, nach dem Phosphor durch die Entstehung von PV-Komplexen diese Reaktion begünstigt, wodurch die Relaxationsvorgänge beschleunigt werden. Infolge einer dreidimensionalen Atomsondenanalyse kann der Endzustand der Relaxation – die Bildung stöchiometrischen Siliziumkarbids – belegt werden. In-situ phosphordotierte Si1-xCx-Schichten mit ca. 4*1020 at/cm³ Phosphorgehalt und 1,8 at.% Kohlenstoff wurden erfolgreich in NMOS-Transistoren der 45 nm Generation integriert und mit ebenfalls im Rahmen der Dissertation entwickelten Si:P-Rezepten verglichen. Die höchste Leistungssteigerung von 10 % konnte durch die Kombination aus beiden Prozessen erzielt werden, bei dem auf die spannungserzeugende Si1-xCx-Schicht zur Senkung des Silizidwiderstandes eine Si:P-Kappe aufgebracht wird. Die Einprägung einer Zugspannung in den Transistorkanal wurde mittels Nano beam diffraction nachgewiesen und wurde auf Basis des piezoresistiven Modells mit SiGe-PMOS-Transistoren verglichen.

本研究係針對資本額在四仟萬以下之海外廠商台灣技術移公司作問卷調查 ，調查的地區包括中國大陸、泰國、越南、菲律賓、韓國等開發中國家， 探討台灣產業的技術發展過程、台灣中小企業的技術移轉方式、技術價值 認定、以及技術移轉成敗的關鍵因素。研究發現得到下列結論：一.台灣 技術移轉廠商在台灣經營時間愈久，海外技術愈易成功，顯見基礎穩固公 司較易成功。二.以獲取技術利潤為動機的台灣廠商，技術移轉失敗率較 高。三.海外控股比例愈高的台灣廠商，技術移轉的成功率愈高。四.對海 外經營層愈重視的廠商，技術移轉的成功率愈高。五.對海外法律愈重視 的廠商，技術移轉的成功率愈高。六.移轉對象為海外產品代理商或上下 游廠商，技術移轉的成功率愈高。七.台灣廠商技術移轉前有先從事產品 輸出的廠商，技術移轉的成功率較高。八.具有市場面控制能力的台灣廠 商，技術移轉的成功率較高。九.台灣廠商事前能簽定技術移轉協議書且 經過地主國法律保護，技術移轉成功率較高。十.資本力愈高的台灣廠商 ，技術移轉成功率較高。