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Modellierung und Charakterisierung des elektrischen Verhaltens von haftstellen-basierten Flash-Speicherzellen

Im Rahmen dieser Arbeit werden haftstellen-basierte Speicherzellen als mögliche Alternative zum bestehenden Floating-Gate Konzept untersucht. Hierbei wird zunächst mittels Simulation und ausgewählten Messverfahren das Verständnis der Funktionsweise vertieft. Der darauffolgende Abschnitt befasst sich mit der Verbesserung der elektrischen Eigenschaften, basierend auf Änderungen der verwendeten Materialien und dem räumlichen Aufbau. Abschließend erfolgt die Untersuchung der Anwendbarkeit des Zellkonzeptes in hochdichten Zellenfeldern.

Identiferoai:union.ndltd.org:DRESDEN/oai:qucosa.de:bsz:14-qucosa-84301
Date28 February 2012
CreatorsMelde, Thomas
ContributorsTechnische Universität Dresden, Fakultät Elektrotechnik und Informationstechnik, Prof. Dr.-Ing. Thomas Mikolajick, Prof. Dr.-Ing. Thomas Mikolajick, Prof. Dr.-Ing. habil. Dipl.-Math. B. Meinerzhagen
PublisherSaechsische Landesbibliothek- Staats- und Universitaetsbibliothek Dresden
Source SetsHochschulschriftenserver (HSSS) der SLUB Dresden
Languagedeu
Detected LanguageGerman
Typedoc-type:doctoralThesis
Formatapplication/pdf

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