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This thesis presents the fabrication of Sn-doped In2O3 nanostructures on a 50 nm thick SiN membrane and their characterization using monochromated electron energy loss spectroscopy (EELS). Rapidly annealed triangular structures of varying thicknesses (71 nm and 32 nm) and lengths (between 400 nm and 1200 nm) unveil a structural crystallization, as well as a blue-shift and narrowing of surface (first and second order modes) and bulk plasmon peaks as the free carrier concentration increases. Bulk peak positions shift from 515+/-39 meV to 628+/-36 meV for 71 nm thick triangles. The second order surface plasmon modes exhibit a greater blue-shift after annealing (93 meV) than the first order modes (36 meV), consistent with the trend found in boundary element method (BEM) simulations using ellipsometry data. The Richardson-Lucy (RL) deconvolution algorithm is employed to improve the effective energy resolution and reveal these surface plasmons as well as a substrate phonon at 100+/-19 meV. Low-loss EELS spectra for 32 nm thick triangles potentially show a blue-shifting bulk plasmon from 751+/-42 meV to 912+/-42 meV with decreasing triangle size. STEM imaging of the triangle structure cross-sections may show a clustering of oxygen vacancies and indium atoms that could be responsible for this blue-shift. Core-loss EELS spectra between 380-550 eV using the oxygen K-edge signal provide evidence of a change in the bonding across the ITO/SiN interface, although its effect on the electrical properties requires further investigation. / Thesis / Master of Applied Science (MASc) / The push towards smaller, faster electronic devices and sensing equipment has accelerated research into manipulating oscillating groups of electrons, or plasmons. So far, the building blocks of these next-generation systems use metals such as gold and silver; however, new materials must be explored for them to be commercially viable. Thin continuous films of transparent conductive oxides (TCOs) such as Sn-doped Indium Oxide (ITO) are already widely used in conventional silicon-based technologies, and in this work ITO nanostructures are fabricated to visualize their plasmonic response, in the hopes that they could be tailored towards plasmonic devices. The relationships between how these plasmons evolve with varying dimensions and the application of heat are explored using electron microscopy.

Kohlenstoffnanoröhren als eigenständige Modifikation des Kohlenstoffs sind zylindrische, aus mehreren Lagen Kohlenstoff aufgebaute Röhren, die über einen Hohlraum im Inneren verfügen. Bereits kurze Zeit nach ihrer Entdeckung, kam die Idee auf, Substanzen in diesen Hohlraum zu füllen. Durch den Einbau von Katalysatormaterial während der Synthese, ist bereits eine Vielzahl von Elementen als Füllmaterial zugänglich. Um jedoch nicht auf Elemente limitiert zu sein, die als Katalysator für die CNT-Synthese dienen, ist es möglich eine postsynthetische Füllung durchzuführen. Hier werden ungefüllte CNT geöffnet und anschließend, unter Ausnutzung der Kapillarkräfte, gefüllt. In der vorliegenden Arbeit wurden zunächst verschiedene Methoden zur Füllung untersucht. Neben lösemittelbasierten Methoden wurde mit Salzschmelzen, durch Gasphasentransport und durch Füllung mit einer kovalenten Präkursorverbindung gefüllt. Da metallische Partikel das Ziel waren, folgte im Anschluss an die Füllung mit Salzen, Salzlösungen, oder anderen Präkursoren jeweils eine Reduktion mit Wasserstoffgas bei erhöhten Temperaturen. Die Ergebnisse der Füllung wurden umfassend mittels Elektronenmikroskopie untersucht. Füllungsgrade wurden mittels Thermogravimetrie bestimmt. So konnten für zahlreiche Elemente eine geeignete Methode zur Füllung mit metallischen Partikeln entwickelt werden. Im Falle der Füllung mit Zinn konnte zudem gezeigt werden, dass ein Zusammenhang zwischen der Dauer der Füllreaktion und dem Anteil an drahtartigen Nanostrukturen in den CNT, sowie ein Zusammenhang zwischen der eingesetzten Lösungskonzentration und dem Füllungsgrad besteht. Im weiteren Verlauf der Arbeit wurde die Synthese von intermetallischen Partikeln in CNT untersucht. Hierbei dienten die Systeme Nickel-Zinn und Cobalt-Zinn, die als vielversprechende Materialien im Einsatz als Anodenmaterial in Lithium-Ionen-Akkumulatoren diskutiert werden, als Modellsysteme. Zunächst wurde gezeigt, dass es nicht möglich ist, aus einem Gemisch des Zinnsalzes und des jeweiligen anderen Salzes erfolgreich intermetallische Partikel herzustellen. Mittels Pulverröntgendiffraktometrie (XRD) und energiedispersiver Röntgenspektroskopie (EDX) konnte gezeigt werden, dass lediglich Zinnpartikel in den CNT vorhanden waren. Schließlich konnte mit dem Verfahren der sequentiellen Füllung eine erfolgreiche Synthese intermetallischer Nanostrukturen bewerkstelligt werden. Hierbei wird die CNT zuerst mit einer Lösung von Zinnchlorid gefüllt und schließlich reduziert. Anschließend erfolgt eine weitere Füllung mit einem Nickel- bzw. Cobaltsalz und einer nachfolgenden Reduktion. Während dieser zweiten Reduktion erfolgt die Bildung der intermetallischen Nanostrukturen in den CNT. Mittels XRD konnte gezeigt werden, dass tatsächlich intermetallische Strukturen in der Probe enthalten sind und dass man zudem durch das Verhältnis der beiden eingesetzten Elemente (Zinn zu Nickel bzw. Cobalt) Einfluss auf die vorherrschende intermetallische Verbindung nehmen kann. Durch EDX-Linienscans und Elementkarten, die am Transmissionselektronenmikroskop angefertigt wurden, konnte nachgewiesen werden, dass einzelne, in den CNT befindliche Partikel, tatsächlich aus den beiden Elementen Zinn und Nickel bzw. Cobalt bestehen und somit intermetallisch sind. Ein erster Test des erhaltenen Materials aus CNT und intermetallischen Nickel-ZinnVerbindungen als Anodenmaterial konnte bereits durchgeführt werden. Die gemessene Kapazität lag bereits im Bereich von Graphit, welches üblicherweise als Anodenmaterial verwendet wird, könnte jedoch durch Erhöhung des Anteils der intermetallischen Verbindung noch weiter gesteigert werden.

In the course of the PhD thesis large area homogeneous strictly monolayer graphene films were successfully synthesized with chemical vapor deposition over both Cu and Si (with surface oxide) substrates. These synthetic graphene films were characterized with thorough microscopic and spectrometric tools and also in terms of electrical device performance. Graphene growth with a simple chemo thermal route was also explored for understanding the growth mechanisms. The formation of homogeneous graphene film over Cu requires a clean substrate. For this reason, a study has been conducted to determine the extent to which various pre-treatments may be used to clean the substrate. Four type of pre-treatments on Cu substrates are investigated, including wiping with organic solvents, etching with ferric chloride solution, annealing in air for oxidation, and air annealing with post hydrogen reduction. Of all the pretreatments, air oxidation with post hydrogen annealing is found to be most efficient at cleaning surface contaminants and thus allowing for the formation of large area homogeneous strictly monolayer graphene film over Cu substrate. Chemical vapor deposition is the most generally used method for graphene mass production and integration. There is also interest in growing graphene directly from organic molecular adsorbents on a substrate. Few studies exist. These procedures require multiple step reactions, and the graphene quality is limited due to small grain sizes. Therefore, a significantly simple route has been demonstrated. This involves organic solvent molecules adsorbed on a Cu surface, which is then annealed in a hydrogen atmosphere in order to ensure direct formation of graphene on a clean Cu substrate. The influence of temperature, pressure and gas flow rate on the one-step chemo thermal synthesis route has been investigated systematically. The temperature-dependent study provides an insight into the growth kinetics, and supplies thermodynamic information such as the activation energy, Ea, for graphene synthesis from acetone, isopropanol and ethanol. Also, these studies highlight the role of hydrogen radicals for graphene formation. In addition, an improved understanding of the role of hydrogen is also provided in terms of graphene formation from adsorbed organic solvents (e.g., in comparison to conventional thermal chemical vapor deposition). Graphene synthesis with chemical vapor deposition directly over Si wafer with surface oxide (Si/SiOx ) has proven challenging in terms of large area and uniform layer number. The direct growth of graphene over Si/SiO x substrate becomes attractive because it is free of an undesirable transfer procedure, necessity for synthesis over metal substrate, which causes breakage, contamination and time consumption. To obtain homogeneous graphene growth, a local equilibrium chemical environment has been established with a facile confinement CVD approach, inwhich two Si wafers with their oxide faces in contact to form uniform monolayer graphene. A thorough examination of the material reveals it comprises facetted grains despite initially nucleating as round islands. Upon clustering these grains facet to minimize their energy, which leads to faceting in polygonal forms because the system tends to ideally form hexagons (the lowest energy form). This is much like the hexagonal cells in a beehive honeycomb which require the minimum wax. This process also results in a near minimal total grain boundary length per unit area. This fact, along with the high quality of the resultant graphene is reflected in its electrical performance which is highly comparable with graphene formed over other substrates, including Cu. In addition the graphene growth is self-terminating, which enables the wide parameter window for easy control. This chemical vapor deposition approach is easily scalable and will make graphene formation directly on Si wafers competitive against that from metal substrates which suffer from transfer. Moreover, this growth path shall be applicable for direct synthesis of other two dimensional materials and their Van der Waals hetero-structures. / Im Zuge dieser Doktorarbeit wurden großflächige und homogene Graphen-Monolagen mittels chemischer Gasphasenabscheidung auf Kupfer- (Cu) und Silizium-(Si) Substraten erfolgreich synthetisiert. Solche monolagigen Graphenschichten wurden mithilfe mikroskopischer und spektrometrischer Methoden gründlich charakterisiert. Außerdem wurde der Wachstumsmechanismus von Graphen anhand eines chemo-thermischen Verfahrens untersucht. Die Bildung von homogenen Graphenschichten auf Cu erfordert eine sehr saubere Substratoberfläche, weshalb verschiedene Substratvorbehandlungen und dessen Einfluss auf die Substratoberfläche angestellt wurden. Vier Vorbehandlungsarten von Cu-Substraten wurden untersucht: Abwischen mit organischen Lösungsmitteln, Atzen mit Eisen-(III)-Chloridlösung, Wärmebehandlung an Luft zur Erzeugung von Cu-Oxiden und Wärmebehandlung an Luft mit anschließender Wasserstoffreduktion. Von diesen Vorbehandlungen ist die zuletzt genannte Methode für die anschließende Abscheidung einer großflächigen Graphen-Mono-lage am effektivsten. Die chemische Gasphasenabscheidung ist die am meisten verwendete Methode zur Massenproduktion von Graphen. Es besteht aber auch Interesse an alternativen Methoden, die Graphen direkt aus organischen, auf einem Substrat adsorbierten Molekülen, synthetisieren konnen. Jedoch gibt es derzeit nur wenige Studien zu derartigen alternativen Methoden. Solche Prozessrouten erfordern mehrstufige Reaktionen, welche wiederrum die Qualität der erzeugten Graphenschicht limitieren, da nur kleine Korngrößen erreicht werden konnen. Daher wurde in dieser Arbeit ein deutlich einfacherer Weg entwickelt. Es handelt sich dabei um ein Verfahren, bei dem auf einer Cu-Substratoberfläche adsorbierte, organische Lösungsmittelmoleküle in einer Wasserstoffatmosphäre geglüht werden, um eine direkte Bildung von Graphen auf einem sauberen Cu-Substrat zu gewahrleisten.Der Einfluss von Temperatur, Druck und Gasfluss auf diesen einstufigen chemothermischen Syntheseweg wurde systematisch untersucht. Die temperaturabhängigen Untersuchungen liefern einen Einblick in die Wachstumskinetik und thermodynamische Größen, wie zum Beispiel die Aktivierungsenergie Ea, für die Synthese von Graphen aus Aceton, Isopropanol oder Ethanol. Diese Studien untersuchen außerdem die Rolle von Wasserstoffradikalen auf die Graphensynthese. Weiterhin wurde ein verbessertes Verständnis der Rolle von Wasserstoff auf die Graphen-synthese aus adsorbierten, organischen Lösungsmitteln erlangt (beispielsweise im Vergleich zur konventionellen thermischen Gasphasenabscheidung). Die direkte Graphensynthese mittels chemischer Gasphasenabscheidung auf Si-Substraten mit einer Oxidschicht (Si/SiOx ) ist extrem anspruchsvoll in Bezug auf die großflächige und einheitliche Abscheidung (Lagenanzahl) von Graphen-Monolagen. Das direkte Wachstum von Graphen auf Si/SiOx -Substrat ist interessant, da es frei von unerwünschten Übertragungsverfahren ist und kein Metall-substrat erfordert, welche die erzeugten Graphenschichten brechen lassen können. Um ein homogenes Graphenwachstum zu erzielen wurde durch den Kontakt zweier Si-Wafer, mit ihren Oxidflachen zueinander zeigend, eine lokale Umgebung im chemischen Gleichgewicht erzeugt. Diese Konfiguration der Si-Wafer ist nötig, um eine einheitliche Graphen-Monolage bilden zu können. Eine gründliche Untersuchung des abgeschiedenen Materials zeigt, dass trotz der anfänglichen Keimbildung von runden Inseln facettierte Körner erzeugt werden. Aufgrund der Bestrebung der Graphenkörner ihre (Oberflächen-) Energie zu minimieren, wird eine Facettierung der Körner in polygonaler Form erzeugt, was darin begründet liegt, dass das System idealerweise eine Anordnung von hexagonal geformten Körnern erzeugen würde (niedrigster Energiezustand). Der Prozess ist vergleichbar mit der sechseckigen Zellstruktur einer Bienenstockwabe, welche ein Minimum an Wachs erfordert. Dieser Prozess führt auch zu einer nahezu minimalen Gesamtkorn-grenzlänge pro Flächeneinheit. Diese Tatsache zusammen mit der hohen Qualität der resultierenden Graphenschicht spiegelt sich auch in dessen elektrischer Leistungsfähigkeit wider, die in hohem Maße mit der auf anderen Substraten gebildeten Graphenschichten (inklusive Cu-Substrate) vergleichbar ist. Darüber hinaus ist das Graphenwachstum selbstabschliessend, wodurch ein großes Parameterfenster für eine einfache und kontrollierte Synthese eröffnet wird. Dieser Ansatz zur chemischen Gasphasenabscheidung von Graphen auf Si- Substraten ist leicht skalierbar und gegenüber der Abscheidung auf Metallsubstraten konkurrenzfähig, da keine Substratübertragung notig ist. Darüber hinaus ist dieser Prozess auch für die direkte Synthese anderer zweidimensionalen Materialien und deren Van-der-Waals-Heterostrukturen anwendbar.

Les recherches sur les nanocristaux semiconducteur (NCs) ont conduit à des résultats scientifiques fascinants, spécialement pour l'application en dispositifs optoelectroniques. Afin de répondre à certaines exigences comme des coûts mineurs, des gains d'efficacité, des composants respectueux de l'environnement, etc., des nouvelles méthodes sont explorées: dans les procédés en solution, dans l'ingénierie de bande et des niveaux d'énergie. En particulier, la méthode de synthèse peut influencer les propriétés optoélectroniques. Par conséquent, une meilleure compréhension des facteurs complexes pendant la synthèse entraînera une amélioration des performances.La microscopie électronique avancée fournit un moyen précis de recueillir des informations sur la morphologie, la structure cristalline et la composition chimique des matériaux avec une résolution spatiale au niveau atomique. La première partie de cette thèse traite de la synthèse et de la préparation des échantillons pour la microscopie électronique à transmission en haute résolution (HRTEM).La deuxième partie traite du mécanisme de croissance des NCs Cu2ZnSnS4 synthétisés par une méthode colloïdale. La morphologie et la stoechiométrie des intermédiaires de réaction extraits après différents intervalles de temps sont déterminés par HRTEM et analyse dispersive en énergie (EDS).Deux méthodes complémentaires, la diffraction par nanofaisceau d’électrons en précession (NPED) et la microscope électronique en transmission par balayage à haute résolution avec imagerie en champ sombre avec détecteur annulaire à grand angle (HRSTEM-HAADF) permettent une profonde caractérisation de la structure cristalline.En outre, la structure cristalline de NCs CsPbBr3 est résolue avec simulations de STEM-HAADF. Cet approche peut différencier entre structures cristallines cubiques et orthorhombiques, impossible avec techniques de diffraction traditionnelles. Enfin, l'influence des méthodes de synthèse sur la morphologie et sur la structure cristalline de NCs CuFeS2 pour applications dans le domaine de la thermoélectricité est analysée par HRTEM. / The investigations of semiconductor nanocrystals (NCs) led to fascinating scientific results in optoelectronic devices. In order to fulfill certain requirements, i.e. cheaper costs, higher efficiencies, environmental friendly components etc., new methods are explored in solution-processing, band gap and energy level engineering. Particularly, the method of synthesis can alter the optoelectronic properties. Therefore, a better understanding of the intricate factors during synthesis will lead to improved performances. Advanced electron microscopy provides a precise way to gather information about morphology, crystal structure and chemical composition of materials with a spatial resolution down to the atomic level. The first part of this thesis deals with the optimization of the synthesis and sample preparation for high resolution transmission electron microscopy (HRTEM).The second part deals with the growth mechanism of Cu2ZnSnS4 NCs synthesized by a colloidal method. The morphology and stoichiometry of the samples extracted after different time intervals are characterized by HRTEM and electron dispersion spectroscopy (EDS). Two complementary methods, Nanobeam Precession Electron Diffraction (NPED) and High Resolution Scanning Transmission Electron Microscopy by High Angle Annular Dark-Field Imaging (HRSTEM-HAADF), provide an in-depth crystal structure characterization.Moreover, the crystal structure of CsPbBr3 NCs is solved by probing STEM-HAADF simulations. This approach is able to differentiate cubic and orthorhombic crystal structures, which is otherwise impossible by diffraction techniques. Finally, the influence of synthesis methods on the morphology and crystal structure of CuFeS2 NCs is investigated by HRTEM for thermoelectric applications.

L’accroissement des performances des accumulateurs Li-ion sur les 25 dernières années découle principalement de l’optimisation de leurs composants inactifs. Aujourd’hui, l’urgence environnementale impose de développer de nouveaux matériaux actifs d’électrode pour proposer la prochaine génération d’accumulateur qui participera à la transition énergétique. A cet effet, le silicium pourrait avantageusement remplacer le graphite des électrodes négatives à moyen terme. Cependant la rétention de capacité des électrodes de silicium est mise à mal par l’expansion volumique que le matériau subit lors sa réaction d’alliage avec le lithium, qui mène à la déconnexion des particules de Si et à une réduction continue de l’électrolyte. Une compréhension de ces phénomènes de vieillissement à l’échelle de la nanoparticule est nécessaire à la conception d’électrodes de silicium viables. Pour ce faire, la technique STEM-EELS a été optimisée de manière à s’affranchir des problèmes d’irradiation qui empêchent l’analyse des matériaux légers d’électrode négative et de la Solid electrolyte interface (SEI), grâce à l’analyse des pertes faibles EELS. Un puissant outil de cartographie de phase est obtenu et utilisé pour mettre en lumière la lithiation cœur-coquille initiale des nanoparticules de silicium cristallin, la morphologie hétérogène et la composition de la SEI, ainsi que la dégradation du silicium à l’issue de cyclages prolongés. Enfin, un modèle de vieillissement original est proposé, en s’appuyant notamment sur un effort de quantification des mesures STEM-EELS sur un grand nombre de nanoparticules. / Over the last 25 years, the performance increase of lithium-ion batteries has been largely driven by the optimization of inactive components. With today’s environmental concerns, the pressure for more cost-effective and energy-dense batteries is enormous and new active materials should be developed to meet those challenges. Silicon’s great theoretical capacity makes it a promising candidate to replace graphite in negative electrodes in the mid-term. So far, Si-based electrodes have however suffered from the colossal volume changes silicon undergoes through its alloying reaction with Li. Si particles will be disconnected from the electrode’s percolating network and the solid electrolyte interface (SEI) continuously grows, causing poor capacity retention. A thorough understanding of both these phenomena, down to the scale of a single silicon nanoparticle (SiNP), is critical to the rational engineering of efficient Si-based electrodes. To this effect, we have developed STEM-EELS into a powerful and versatile toolbox for the study of sensitive materials and heterogeneous systems. Using the low-loss part of the EEL spectrum allows us to overcome the classical limitations of the technique.This is put to use to elucidate the first lithiation mechanism of crystalline SiNPs, revealing Li1.5Si @ Si core-shells which greatly differs from that of microparticles, and propose a comprehensive model to explain this size effect. The implications of that model regarding the stress that develops in the crystalline core of SiNPs are then challenged via stress measurements at the particle scale (nanobeam precession electron diffraction) for the first time, and reveal enormous compressions in excess of 4±2 GPa. Regarding the SEI, the phase-mapping capabilities of STEM-EELS are leveraged to outline the morphology of inorganic and organic components. We show that the latter contracts during electrode discharge in what is referred to as SEI breathing. As electrodes age, disconnection causes a diminishing number of SiNPs to bear the full capacity of the electrode. Overlithiated particles will in turn suffer from larger volumes changes and cause further disconnection in a self-reinforcing detrimental effect. Under extreme conditions, we show that SiNPs even spontaneously turn into a network of thin silicon filaments. Thus an increased active surface will compound the reduction of the electrolyte and the accumulation of the SEI. This can be quantified by summing and averaging STEM-EELS data on 1104 particles. In half-cells, the SEI volume is shown to increase 4-fold after 100 cycles without significant changes in its composition, whereas in full cells the limited lithiation performance understandably leads to a mere 2-fold growth. In addition, as the operating potential of the silicon electrodes increases in full cells – potential slippage – organic products in the SEI switch from being carbonate-rich to oligomer-rich. Finally, we regroup these findings into an extensive aging model of our own, based on both local STEM-EELS analyses and the macro-scale gradients we derived from them as a whole.

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Diese Arbeit befasst sich mit einer umfangreichen Charakterisierung des Bruchverhaltens von amorph/kristallinen Multilagen (ZrO2/Ti) mit Schichtdicken kleiner als 100nm. Das Bruchverhalten wird systematisch in Abhängigkeit der Schichtdicke der kristallinen Komponente untersucht.  Die Bruchversuche werden senkrecht und parallel zu den Grenzflächen durchgeführt. Diese werden dabei in-situ in einem Transmissionselektronenmikroskop durchgeführt um zusätzlich Informationen bezüglich der mikrostrukturellen Veränderungen während des Rissprozesses zu erlangen.  Der in dieser Arbeit realisierte Bruchversuch zeichnet sich dadurch aus, dass ein Riss kontrollierbar durch das Material getrieben werden kann und zusätzlich die Größe der plastischen Zone direkt sichtbar und zugänglich gemacht wird. Weiterhin können kritische Energiefreisetzungraten anhand der Bildanalyse der Bruchversuche bestimmt werden. Dabei hat sich gezeigt, dass das Bruchverhalten auf der Nanoskala erst über die kombinierte Betrachtung von Energiefreisetzungsraten und der ablaufenden mikrostrukturellen Prozesse während des Bruchs charakterisiert werden kann.  In der Geometrie parallel zu den Grenzflächen wird für die dickeren Titan-Schichtdicken beobachtet, dass sich der Riss in den Titan-Schichten ausbreitet, was anhand der Festigkeitsverhältnisse der einzelnen Schichten und Grenzflächen erklärt werden kann. Lediglich für sehr kleine Titan-Schichtdicken zeigt sich eine Abweichung vom Risspfad hin zur Ausbreitung entlang der Grenzflächen. Auch die quantitativen Energiefreisetzungsraten zeigen ein längenskalenabhängiges Verhalten, welches durch die Festigkeiten der Titan-Schichten sowie durch die Größe der plastischen Zone erklärt werden kann. In der Geometrie der Rissausbreitung senkrecht zu den Grenzflächen zeigt sich das zu erwartende Bruchverhalten. Der Riss breitet sich über die Grenzflächen hinweg aus und in duktilen Titan-Schichten kann eine Rissbrückenbildung beobachtet werden. Bruchversuche in einer Gasatmosphäre bestätigen, dass der Risspfad durch eine Gasatmosphäre beeinflusst werden kann und somit für das gezielte Versagen von Grenzflächen oder auch Materialien in Kompositstrukturen genutzt werden könnte.

This master thesis deals with researching the structure of embedding resin in the Low-Voltage Transmission Electron Microscope (LV TEM). Further, it focuses on researching the surface morphology by the Atomic Force Microscope (AFM) and by the Scanning Electron Microscope (SEM). The principle of each of the microscopes is explained ? the contrast formation and construction of the LV TEM in particular. In the conclusion the evaluation of the effect of the surface structure of the embedding resin on the image contrast in the LV TEM and the analysis of the minimalization of its effect on the final image is given.

CoordenaÃÃo de AperfeiÃoamento de Pessoal de NÃvel Superior / Neste trabalho, aluminas mesoporosas dopadas com CeO2, MgO, ZrO2 ou La2O3 demonstraram que a estrutura dos sÃlidos influenciou no comportamento de desativaÃÃo de catalisadores na reforma seca do metano. Os sÃlidos foram caracterizados atravÃs de difraÃÃo de raios-X, anÃlise quÃmica, espectroscopia Raman, reduÃÃo termoprogramada, anÃlises texturais e termogravimÃtrica, microscopia eletrÃnica de transmissÃo e alta resoluÃÃo, antes e apÃs os testes catalÃticos. NÃquel, platina ou rutÃnio foram dispersos sobre os suportes porosos CeO2-Al2O3, ZrO2-Al2O3, MgO-Al2O3 e La2O3-Al2O3, formando distintas fases. Os catalisadores contendo rutÃnio ou platina foram em geral mais ativos na reforma seca do metano quando comparados aqueles contendo nÃquel, devido a maior dispersÃo das espÃcies de PtOx ou Ruo dispersas sobre MgAl2O4 ou CeAlO3. A resistÃncia à degradaÃÃo fÃsica dos sÃlidos contendo platina ou rutÃnio conduziu a um efeito do promotor para a formaÃÃo de espÃcies de carbono lÃbeis. Sobre o catalisador Ru/MgO-Al2O3, as nanopartÃculas de Ruo dispersas em MgAl2O4 foram mais acessÃveis as molÃculas de metano e diÃxido de carbono, apesar de serem as fontes para a formaÃÃo de carbono amorfo, grafite e nanotubos de carbono. / Mesoporous alumina doped with CeO2, MgO, ZrO2 or La2O3 demonstrated that the solid structure influenced on the deactivation behaviour of the catalysts in dry reforming of methane. Solids were characterized by X-ray diffraction, chemical analysis, Raman spectroscopy, termoprogrammed reduction, textural and thermogravimetric analyses and transmission electron microscopy, before and after the catalytic test. Nickel, ruthenium or platinum dispersed on porous CeO2-Al2O3, ZrO2-Al2O3, MgO-Al2O3 and La2O3-Al2O3 resulted in the formation of distinct phases. Catalysts possessing ruthenium or platinum were more active than the nickel counterparts due to the better dispersion of PtOx or Ruo on MgAl2O4 and CeAlO3 phases. The elevated resistance of ruthenium or platinum against physical degradation led to a promoting effect to labile carbon formation. Over Ru/MgO-Al2O3 catalyst, Ruo nanoparticles dispersed on MgAl2O4 were almost certainly accessible to methane and carbon dioxide molecules and the source supporting for the formation of such amorphous reactive carbon, graphite and carbon nanotubes, as well.