Orientador: Carlos I. Z. Mammana / Tese (doutorado) - Universidade Estadual de Campinas, Faculdade de Engenharia Eletrica / Made available in DSpace on 2018-07-15T04:04:01Z (GMT). No. of bitstreams: 1 ReisFilho_CarlosAlbertodos_D.pdf: 1725971 bytes, checksum: 58dc8ca90c5a7526f5065694cf0f56df (MD5) Previous issue date: 1982 / Resumo: Neste trabalho propomos uma técnica de projeto para minimização do coeficiente térmico de fontes de referência de tensão do tipo "célula de Bandgap de Brokaw". A curvatura típica observada na característica (Vr x T) dessas fontes é compensada, então, pela variação térmica, oposta à curvatura, da tensão residual de um amplificador operacional não convencional que polariza a célula. Na apresentação do trabalho propomos uma classificação das fontes de referências de Bandgap existentes e discutimos as diversas causas da típica curvatura. Para confrontar o que é proposto com a realidade atual, são mostrados os circuitos equivalentes que hoje representam o estado da arte. Implementando a técnica proposta são apresentados dois circuitos distintos um dos quais introduz a utilização de transistores PNPs - laterais como elementos de correção de curvatura / Abstract: Not informed / Doutorado / Doutor em Engenharia Elétrica

Orientador : Augusto Ruy de Oliveira Pinto / Dissertação (mestrado) - Universidade Estadual de Campinas, Faculdade de Engenharia de Campinas / Made available in DSpace on 2018-07-15T07:08:52Z (GMT). No. of bitstreams: 1 Gomes_AntonioNeves_M.pdf: 17096745 bytes, checksum: 7b1c7bce6708772381865d352abda062 (MD5) Previous issue date: 1982 / Resumo: Este trabalho faz parte de um programa amplo de desenvolvimento nacional no campo de transdutores resistivos, cuja tecnologia de construção é pouco conhecida no Brasil. Nele é apresentada uma sistemática completa para a construção de um determinado tipo de célula de carga, representando o primeiro passo dentro desse escopo maior. Partindo da escolha de uma concepção construtiva particular, deduziram-se as expressões te6ricas fundamentais que regem o funcionamento da célula de carga. Prosseguiu-se dimensionando e proporcionando todos as partes que compõem este transdutor de força. A parte experimental teve início na construção dos tópicos, um em aço ABNT 4340 e outro em ABNT 8640.Estudou-se o posicionamento. Colagem e interconexão elétrica dos extensômetros resistivos. Seguiu-se extensa fase de ensaios, visando o levantamento das características básicas dos protótipos, isto, sob ação normal de cargas de tração e compressão.Foram testados, também, os efeitos de esforços acidentais e ainda, daqueles provocados pelas variações de temperatura. Todos os resultados foram comparados para verificar a compatibilidade de emprego do aço 8640, em substituição ao material usado classicamente na construção de transdutores, que é o aço 4340 / Abstract: This work is part of research program that will try to develope the resistive transducer tecnology at a national level in Brazil. A systematic study concerning the design of a specific kind of load cell is presented, where the several theoretical expressions necessary to the understanding and cell design have been deduced.Two transducers have been constructed using both the standard ABNT 4340 and the ABNT 8640 steel and a detailed investigation was performed about the positioning and apropriated bonding process for the strain gages. Exaustive experimental work was carried out leading to the determination of the basic caracteristics and performance of the transducers. The bending moments, side load, torques and temperature effects were investigated. Finally a analysis of the results obtained has shown that the ABNT 8640 steel transduces presents good performance as compared with the standard ABNT 4340 steel one / Mestrado / Mestre em Engenharia Mecânica

Orientador: Ennio Peres da Silva / Dissertação (mestrado) - Universidade Estadual de Campinas, Instituto de Fisica Gleb Wataghin / Made available in DSpace on 2018-07-23T10:27:08Z (GMT). No. of bitstreams: 1 Gonzales_RolandoMoisesPerca_M.pdf: 3006291 bytes, checksum: 892bf945cbec7a5099dd9d7c25e5cee4 (MD5) Previous issue date: 1998 / Resumo: A utilização das energias renováveis como fontes de geração de energia, que no seu uso produzem relativamente menores problemas de poluição ambiental que as fontes não renováveis tradicionais, é um dos temas de consideráveis estudos para se melhorar as condições do meio ambiente que no presente vivemos, onde predomina amplamente o uso indiscriminado das fontes não renováveis como exploração do petróleo e todos seus derivados, uso da radiatividade, etc. A energia solar é uma dessas fontes renováveis, com seu potencial quase inesgotável de energia, que pode ser de grande utilidade em muitas aplicações entre as quais temos o aproveitamento fotovoltaico, aquecimento de água, etc. Para tais aplicações é preciso um estudo quantitativo e qualitativo da radiação solar, o qual permita conhecer-se as propriedades físicas desta, como a quantidade de radiação solar disponível numa determinada região, distribuições diárias e mensais; médias diárias, mensais, etc. Outra análise importante é aquela das perdas da irradiação solar por absorção e dispersão na camada da atmosfera terrestre permitindo-se determinar a quantidade de radiação líquida que atinge a superfície terrestre (quantidade útil nas aplicações solariméricas). Este trabalho trata da análise de algumas propriedades físicas da radiação solar na região de Campinas -SP, procurando determinar as distribuições de radiação solar diárias e mensais. Aqui também são propostos dois modelos semi-empíricos para determinar as perdas por absorção e dispersão na atmosfera terrestre da radiação solar, visando um estudo posterior no uso de sistemas fotovoltaicos na região / Abstract: The renewable energy utilization like sources of energy generation, whose use procure relatively a little problems about ambient pollution, than the traditionally no renewable sources is a subject of considerable studies to improve the environment conditions that on the present we live, whose great domains id the indiscriminate use of the no renewable sources like to petrol and its derivatives exploitation, radioactivity use, and so on. The solar energy is a of those renewable sources, with its production almost inexhaustible of energy, it can be of great utility in many applications, one of them is the photovoltaic available, water heating, etc. For these applications is necessary a quantitative and qualitative study of solar radiation, that will allow to know the physical properties of this, like to solar available radiation quantity, in determined region, daily and mensal distributions, daily and mensal means, etc. Other important analysis is the solar radiation dispersion and absorption losses in the atmospheric terrestrial layer allowing to determine the total radiation quantity that come to terrestrial surface (usual quantity at the solarimetric applications ). This work investigates about some physical properties of solar radiation on the Campinas.-SP region, trying to determine the mensal and daily solar radiation distributions. Here also are given semi-empirical models to determinate the absorption and dispersion losses in the terrestrial atmospheric of the solar radiation and visa a posterior study about photovoltaic systems use at the region / Mestrado / Física / Mestre em Física

Orientador : Alberto Martins Jorge / Tese (doutorado) - Universidade Estadual de Campinas, Faculdade de Engenharia de Campinas / Made available in DSpace on 2018-07-14T11:15:57Z (GMT). No. of bitstreams: 1 Corinna_Anne_D.pdf: 2984332 bytes, checksum: 0c9dd39365f5d63232414a20e3633f61 (MD5) Previous issue date: 1987 / Resumo: Inicialmente é dado um histórico das células solares de silício monocristalino. A partir de dados de energia solar, de pré-requisitos para a obtenção do efeito fotovoltáico e de considerações sobre o silício e processos atuais em microeletrônica, são estabelecidos os objetivos específicos para obtenção, caracterização e modelamento de uma célula solar simplificada. Esta é construída sobre silício P a partir de filmes de organosilicatos centrifugados à temperatura ambiente. A difusão é realizada simultaneamente para arsênio e boro, à 1050º e diversos tempos de difusão, originando homojunções fotovoltáicas tipo NPP+. As características essenciais são estudadas em células de 3 x 3 mm², sem camada antirefletora e com apenas um ponto de fio de 25 µm de alumínio como contato superior. É feito um modelamento através do qual podemos visualizar em cada camada, N, de depleção e P, a distribuição de minoritários resultante de geração, difusão e recombinação, assim como a corrente externa esperada em diferentes situações de absorção de fótons. O potencial destas células solares para desenvolvimento com a adição de novos processos pode ser estudado através das distribuições de minoritários e correntes totais em diversas condições de velocidade de recombinação. Em apêndice são dadas as bases da interação do campo eletromagnético com junções de silício formando uma célula solar e uma alternativa de modela mento para a camada N / Abstract: Initially we give a small historical development of monocrystalline silicon solar cells. Then, the photovoltaic effect, the available solar energy, the silicon material and our possibilities in microelectronic processing are studied to establish the scope of this work. Doping sources are obtained from organosilicate films deposited by centrifugation at ambient temperature. The diffusion process and parameters are studied and simultaneous diffusion of arsenium and boron at 1050º at several times is used to obtain photovoltaic homojunctions NPP+. Their essential characteristics are studied in cells of 3 x 3 mm² without antireflective coating and a point of aluminum wire of 25 µm diameter as upper contact. In chapter IV we model the devices giving means to determine in each layer, N, depletion and P, the minority carriers distribution resulting from generation, diffusion and recombination, and the external current expected in different photon absorption conditions. The potential development of these solar cells by addition of new processes can be studied through the distribution of minority carriers and total currents in several situations of recombination velocity. In the appendices the physical basis of interaction of eletromagnetic field with matter shaped in semiconductor junctions can be found, as well as an alternative modelling for the N+ layers effect on the total current / Doutorado / Doutor em Engenharia Elétrica

Orientador: Fernando Rogério de Paula / Banca: Haroldo Naoyuki Nagashima / Banca: Edna Regina Spada / Resumo: O alto custo na produção de células fotovoltaicas ainda é uma problemática para a utilização da energia solar como fonte de energia elétrica. Neste contexto, o trabalho realizado estuda a viabilidade do uso do dióxido de titânio como aceptor de elétrons em células fotovoltaicas híbridas. Neste estudo foi utilizando o polímero PFO (polidietilfluoreno) como doador de elétrons. Filmes de TiO 2 , eletrodepositados em diferentes potenciais, foram tratados termicamente para se obter a fase cristalográfica anatase. O surgimento desta fase foi monitorado por meio da técnica de difração de raios-X. Os resultados obtidos demonstraram que todos os filmes apresentaram a fase anatase a 600°C, porém para o maior potencial de eletrodeposição (-1,2 V), não foi possível detectar a presença de qualquer fase. No intuito de se determin ar a eficiência dos filmes eletrodepositados de TiO 2 como aceptor de elétrons, foram realizadas medidas de fluorescência utilizando o recurso da microscopia confocal de fluorescência de varredura laser (LSCM). Foi possível observar que o PFO, quando utilizado em conjunto com o TiO 2 , apresenta uma menor taxa de emissão quando comparado com o filme na ausência de TiO 2 . Esta diferença mostra que o filme de TiO 2 obtido neste trabalho está atuando efetivamente como um aceptor de elétrons. Neste trabalho também foi desenvolvido um novo método de síntese para a obtenção de pó de TiO 2 . As diferentes fases cristalográficas obtidas após tratamento térmico foram analisadas por difração de raios -X. Os resultados obtidos mostraram que a fase anatase foi obtida pura em 600°C com um tamanho de cristalito de 24 nm e a fase rutilo pura em 1000°C com um tamanho de cristalito de 55 nm. O tamanho do cristalito, assim como a estabilidade ... / Abstract: The high cost in the production of photovoltaic cells is still a problem for the solar energy usage as an electrical power source. In this context, the work studies the feasibility of using titanium dioxide as an electron acceptor in hybrid photovoltaic cells. In this study was used the polyfluorene (PFO) polymer as electron donor. TiO 2 films, electrodeposited at different potentials, were treated thermally to obtain anatase crystallographic phase. The phase evolution was monitored by X-ray diffraction. The results showed that all films had the anatase phase at 600°C, but for higher electrodeposition potential (-1.2 V), it was not possible to detect the presence of any phase. In order to determine the efficiency of electrodeposited TiO 2 films as electron acceptor, fluorescence measurements were performed using laser scanning confocal microscope (LSCM). It was possible to observe that the PFO when used in conjunction with TiO 2 has a lower emission rate as compared to film in the absence of the TiO 2 . This difference shows that the TiO 2 film obtained in this work is acting effectively as an electron acceptor. In this work has also been developed a new synthesis method for obtaining TiO 2 powder. The different crystallographic phases obtained after heat treatment were analyzed by X-ray diffraction. The results showed that the anatase phase was obtained pure at 600°C with a crystallite size of 24 nm and pure rutile phase at 1000°C with a crystallite size of 55 nm. The crystallite size, as well as the stability of the anatase phase was also studied as a function of the concentration of H 2 O 2 in solution. The crystallite size varied from 11 to 35 nm, for concentrations of 0.009 mol/L and 0.138 mol/L H 2 O 2 , respectively. When heat treated at 825°C the sample obtained with lower concentrations of H 2 O 2 and hence smaller crystallite size became completely into rutile phase, however, for the obtained sample with the highest ... / Mestre

Orientador : Marco-Aurelio De Paoli / Tese (doutorado) - Universidade Estadual de Campinas, Instituto de Quimica / Made available in DSpace on 2018-07-28T21:41:27Z (GMT). No. of bitstreams: 1 Nogueira_AnaFlavia_D.pdf: 5806228 bytes, checksum: a74f1abc102353eaff50bcc81563bd78 (MD5) Previous issue date: 2001 / Doutorado

Orientador : Alaide Pellegrini Mammana / Dissertação (mestrado) - Universidade Estadual de Campinas, Faculdade de Engenharia de Campinas / Made available in DSpace on 2018-07-15T09:12:23Z (GMT). No. of bitstreams: 1 Santos_PauloVentura_M.pdf: 4119197 bytes, checksum: 48cda145caac6efc4ef22925b72258ad (MD5) Previous issue date: 1982 / Resumo: Investigamos, neste trabalho, os filmes finos transparetes e condutores de dióxido de estanho (sn02),formados pela oxidação de vapores ricos em 'tetrac10reto de estanho sobre a superfície aquecida (300°C a 450°C) de substratos de vidro e quartzo; e as heterojunções fotovoltáicas obtidas pela deposição destes filmes sobre substratos monocrista1inos de silício. Estudamos a resistividade, a transmitância óptica e o índice de refração dos filmes em função da temperatura dos substratos durante a deposição e da concentração de antimônio introduzida como dopante, com o objetivo de diminuir a resistividade. Tais investigações permitiram determinar as condições de deposição para obtenção de filmes com baixa resistividade e alta transmitância óptica, para o emprego em heterojunções. As heterojunções de Sn02/Si foram construídas sobre silício tipos n e p, com diferentes resistividades. Mediram-se as características I x V com e sem ilumina ção, as características 10g I x V em função da temperatura e as características C x V para diferentes frequências do sinal de medida. As melhores células solares foram do tipo Sn02/Si-n, que apresentaram sob condiçoes AMl densidade de corrente de curto-circuito em torno de 30 ma/cm2, tensão de circuito aberto superior a 400 mV, eficiência de 6% e boa resposta espectral, especialmente para comprimentos de onda curtos. O princípal mecanismo de condução de corrente direta identificado nestas heterojunções foram os processos de recombinação e tunelamento em múltiplas etapas, através de estados na banda proibida do silício. Em altas correntes diretas surgem efeitos de resistência série, que atribuimos à presença de camadas isolantes de óxido,de silício na interface sno2/Si. Nas heterojunções de sn02/Si-p, por outro lado, observamos forte supressão de fotocorrente e nelas a eficiência sob condições AMl é inferior a 0,1%. O comportamento da corrente com a temperatura nestas heterojunções é semelhante ao observado em dispositivos meta1-iso1ante-semicondutor com alta densidade de estados de interface / Abstract: Not informed / Mestrado / Mestre em Engenharia Elétrica

Orientador: Teófilo Miguel de Souza / Banca: Márcio Acud Mercelino / Banca: Osiris Canciglieri Junior / Resumo: Uma das alternativas à utilização de combustíveis fósseis é a energia solar, obtida pelo uso de painéis fotovoltaicos. A existência de diferenças diárias, sazonais e regionais na distribuição espectral da luz do sol pode produzir variações na capacidade de produção de energia dos painéis. O objetivo deste trabalho é verificar como a geração de energia de células fotovoltaicas varia em função dos diferentes comprimentos de onda do espectro da luz solar, quando as células estão submetidas a condições reais de operação. Este trabalho possui caráter experimental. Dois painéis fotovoltaicos policristalinos idênticos foram montados lado a lado. Oito diferentes filtros de cor, com curvas conhecidas de distribuição espectral, foram instalados sobre um dos painéis e foi registrada a quantidade de energia gerada por cada painel ao longo do dia. Cada filtro permite apenas a passagem de uma determinada faixa de comprimentos de onda da luz solar. Foi calculada a eficiência relativa de cada filtro, dada pela relação entre a quantidade de energia gerada pelo painel com filtro e a gerada pelo painel sem filtro, de referência. Os resultados indicam que os painéis produzem mais energia na faixa do vermelho, com eficiência relativa de 23,83%, sendo, portanto, mais sensíveis à radiação nesta faixa de comprimentos de onda. Por outro lado, ocorre uma redução da resposta do painel na faixa do verde e azul, apresentando eficiências de 19,15% e 21,58% respectivamente. Isso mostra que painéis fotovolt... (Resumo completo, clicar acesso eletrônico abaixo) / Abstract: Solar energy is an alternative to fossil fuels. It can be obtained through the use of photovoltaic panels. There are daily, seasonal and regional differences in the spectral energy distribution of sunlight that can result in variations in the energy production capacity of the panels. The objective of this study is the verification of the photovoltaic cell's response to different wavelengths of the sunlight's spectrum, under real operating conditions. This is an experimental study. Two identical polycrystalline photovoltaic modules were mounted sideby-side. Eight different color filters, each one with a specific spectral distribution curve, were installed above one of the panels and the daily generated energy of each panel was registered. Each color filter allows just a specific wavelength range of solar spectrum to pass through it. The relative efficiency of each filter was calculated; it is given by the relation between the energy generated by the solar panel with filter and the solar panel without filter. The results indicate that the panels produce more power in the red range (with a relative efficiency of 23.83%) and therefore they are more sensitive to radiation at this wavelength range. Also, the panel's response is reduced in the color ranges of green and blue, with efficiency of 19.15% and 21.58%, respectively. This shows that photovoltaic panels do not respond uniformly to sunlight. Infrared radiation, which leads to an increased temperature, plays an important role in the total energy production. The relative efficiency of infrared filter is 13.56%. It can be concluded that crystalline silicon photovoltaic modules do not respond uniformly to sunlight. Photovoltaic panels are able to produce energy not only with visible light but also with nonvisible wavelengths, being infrared an important component of solar spectrum. The spectral responses under real operating conditions / Mestre

Made available in DSpace on 2016-06-02T19:12:13Z (GMT). No. of bitstreams: 1 3843.pdf: 6995027 bytes, checksum: 87d410f278fa527332c995d76f561275 (MD5) Previous issue date: 2005-12-08 / Universidade Federal de Sao Carlos / In the present work a prototype of a low angle laser light scattering was developed and installed in an extruder in order to operate in real time. The equipment was built by the research group of which the author is member, and low cost pieces were used when it was permitted. It was consisted of a laser beam which passes through the molten flow and a detector system formed by 64 photocells radially disposed to quantify the transmitted scattered beam. The molten flow used in this work was consisted of a PP matrix with a dispersed phase constituted of polymer (PA6, PS) or ceramic powder (TiO2, Al2O3). The resulting LALLS graphics showed dependence with second phase type. The signal from the detector is much stronger when ceramic powder was used. A dependence with the concentration was observed as well, as this factor affects the number of particles directly. The interpretation of the results was based on the considerations of Mie s theory, which correlates refraction indexes differences, particle size and concentration of the dispersed phase with the occurrence of single and multiple scattering. The measurements were all taken in the transient state, where the second phase is added in the polymer flow in the form of a pulse, and its behaviour is quantified in the extruder exit by the LALLS detector. Even when operating under severe conditions, like extrusion pressures (around 11 MPa) and temperatures (240°C or above), the detector showed enough sensibility to quantify the scattered light generated even by the blends used in this work. / Nesta dissertação desenvolveu-se um protótipo de detector de espalhamento de LASER de baixo ângulo instalado na extrusora para operação em tempo real. O equipamento foi construído inteiramente pelo grupo de pesquisa do qual o autor faz parte privilegiando-se o baixo custo dos componentes. Constitui de um feixe de laser atravessando um fluxo de polímero fundido e um sistema detector formado por 64 fotocélulas posicionadas radialmente, para a quantificação da intensidade do feixe espalhado transmitido. O fluxo fundido usado constituiu-se por uma matriz de PP com uma segunda fase dispersa do tipo polimérica (PA6, PS) ou uma carga cerâmica (TiO2 e Al2O3). As curvas de espalhamento de LASER mostraram-se dependentes do tipo da segunda fase sendo que as medidas com fase dispersa cerâmica mostram sinal muito mais intenso. Também tem-se uma forte dependência da concentração da segunda fase pois esta afeta diretamente o número de partículas. A interpretação dos resultados de espalhamento se baseou nas considerações da teoria de Mie que correlacionam diferença de índice de refração, concentração, tamanho de partícula com a ocorrência do espalhamento e particularmente o espalhamento múltiplo. As medidas foram feitas todas em regime transiente, onde a segunda fase é adicionada no fluxo fundido na forma de um pulso, sendo seu comportamento quantificado pelo detector na saída da extrusora em tempo real. O detector mesmo operando em condições severas nas faixas de temperatura e pressão típicas da extrusão, ou seja, da ordem de 11 MPa e 240°C mostrou ser robusto e ter sensibilidade suficiente para quantificar o espalhamento das blendas poliméricas modelos utilizadas

Orientador: José Alexandre Diniz / Dissertação (mestrado) - Universidade Estadual de Campinas, Faculdade de Engenharia Elétrica e de Computação / Made available in DSpace on 2018-08-21T10:50:41Z (GMT). No. of bitstreams: 1 Silva_AudreyRoberto_M.pdf: 3023922 bytes, checksum: ee750f675d01f2b3ceebd5d74149b16e (MD5) Previous issue date: 2012 / Resumo: Este trabalho apresenta o desenvolvimento de células fotovoltaicas de junção n+/p em substratos de Si com processos de fabricação totalmente compatíveis com a tecnologia CMOS (Complementary Metal Oxide Semiconductor). Os processos compatíveis desenvolvidos neste trabalho sao as técnicas: i) de texturização da superfície do Si, com reflexao da superficie texturizada de 15% obtida com a formação de micro-pirâmides (alturas entre 3 e 7 ?m), utilizando-se solução alcalina de NH4OH (hidróxido de amônia), que e livre da contaminação indesejável por íons de Na+ e K+ quando se utiliza soluções tradicionais de NaOH e de KOH, respectivamente, e ii) de deposição ECR-CVD (Electron Cyclotron Resonance - Chemical Vapor Deposition) da camada antirrefletora (ARC) de SiNX (nitreto de silício), que e executada em temperatura ambiente, portanto pode ser feita apos a finalização da célula sem danificar trilhas metálicas e alterar a profundidade da junção n+/p. A caracterização desta camada ARC mostrou que o nitreto tem índice de refração de 1,92 e refletância mínima de 1,03%, o que e um excelente resultado para uso em células solares (ou fotovoltaicas). Foram fabricadas cinco series de células fotovoltaicas, utilizando-se a texturização com NH4OH e a camada antirrefletora de nitreto de Si. Em quatro series utilizou-se o processo de implantação de íons de fósforo (31P+), com posterior recozimento, para a formação da região n+, enquanto que na quinta serie foi utilizado o processo de difusão térmica. As eficiências máximas para as células fabricadas são de 9% e de 12%, respectivamente, para as células feitas utilizando os processos de implantação e de difusão térmica, indicando que a implantação de íons causa danos na rede cristalina do silício, que o posterior recozimento não consegue corrigir, o que reduz a eficiência da célula / Abstract: This work presents the development of photovoltaic cells based on n+/p junction in Si substrates, with fully compatible fabrication processes with CMOS technology. The compatible processes, which are developed in this study, are the techniques: i) of Si surface texturing, with the textured surface reflection of 15% obtained by the formation of micro-pyramids (heights between 3 and 7 ?m) using NH4OH (ammonium hydroxide) alkaline solution, which is free of undesirable contamination by Na + and K + ions, when NaOH and KOH traditional solutions are used, respectively, and ii) of the ECR-CVD (Electron Cyclotron Resonance - Chemical Vapor Deposition) deposition of SiNx (silicon nitride) anti-reflective coating (ARC), which is carried out at room temperature and can be performed after the end of cell fabrication without damage on metallic tracks and without variation of n+/p junction depth. The ARC coating characterization presented that the silicon nitride has a refractive index of 1.92 and a minimum reflectance of 1.03%, which is an excellent result for application in solar (or photovoltaic) cells. Five series of photovoltaic cells were fabricated, using the NH4OH solution texturing and the silicon nitride antireflective coating. In the first four series, phosphorus (31P+) ion implantation process, with subsequent annealing to get the region n+, was used, while, in the fifth series was used the thermal diffusion process. The maximum efficiency values are of 9% and 12%, respectively, for cells, which were fabricated using the ion implantation and thermal diffusion processes, indicating that the ion implantation damages the silicon crystal lattice and the subsequent annealing cannot rectify, which reduces the cell efficiency / Mestrado / Eletrônica, Microeletrônica e Optoeletrônica / Mestre em Engenharia Elétrica