Orientador : Nelson Castro Machado / Dissertação (mestrado) - Universidade Estadual de Campinas, Instituto de Matematica, Estatistica e Ciencia da Computação / Made available in DSpace on 2018-07-15T07:02:45Z (GMT). No. of bitstreams: 1 Liesenberg_HansKurtEdmund_M.pdf: 3279977 bytes, checksum: fec82be433aa5cd217e5e8df9ee9ef00 (MD5) Previous issue date: 1980 / Resumo: Não informado / Abstract: This paper presents a routing algorithm for printed circuit boards whose input is a description of the relative position of the components instead of the specific location of each component. Using two-layer boards with non-fixed dimensions the algorithm always defines all the desired connections. It is al so able to accept any component whose pins are on the boundary of a rectangle. The algorithm is non-cellular the connections are stablished macroscopically on a grid with a small number of rows and columns, where each component corresponds to an intersection. This approach yields great savings in memory space and computing time. The spacing between components is initially assumed unlimited, capable of supporting any number of connections. The actual number of connections in the macroscopic cells is determined by the algorithm and only then the final location of each component is established thus defining the dimensions of the board / Mestrado / Mestre em Ciência da Computação

Tese (doutorado) - Universidade Federal de Santa Catarina, Centro Tecnológico, Programa de Pós-Graduação em Engenharia Elétrica, Florianópolis, 2016. / Made available in DSpace on 2016-09-20T04:08:47Z (GMT). No. of bitstreams: 1 341917.pdf: 11904540 bytes, checksum: 8e0aee4d607f9a91d8e1f127eed2d4ab (MD5) Previous issue date: 2016 / O presente trabalho associa ao método de elementos finitos um modelo vetorial de histerese para a caracterização da não-linearidade de materiais ferromagnéticos. Tal modelo é diretamente associado às equações de campo, com formulação em potencial vetor magnético, por meio de um tensor de relutividade diferencial. A importância do modelo vetorial é justificada para a análise de transformadores e demais equipamentos sem entreferro, de motores de histerese e de dispositivos nas quais o fluxo remanente tem influência no comportamento do sistema, como por exemplo, no caso do motor de indução operando como gerador auto-excitado. Para uma modelagem completa do sistema composto pelo dispositivo eletromagnético e seus respectivos circuitos elétricos, considerou-se o acoplamento direto das equações de campo e circuitais. A presença de movimento mecânico também é contemplada. Dessa forma, contribui-se com um modelo matemático que se aproxima da real operação dos dispositivos, uma vez que considera simultaneamente: histerese magnética, circuitos elétricos externos e movimento mecânico.<br> / Abstract : This work associate to finite element method a vector hysteresis model for characterizing the nonlinearity of ferromagnetic materials. This model is directly associated to the field equations, with magnetic vector potential formulation, by means of a differential reluctivity tensor. The importance of the vector model is justified for the analysis of transformers and others equipments without air gap, hysteresis motors and devices in which the remnant flux has influence on the behavior of the system, for example, in the case of the induction motor operating as a self-excited generator. For a complete modeling of the system composed of the electromagnetic device and their electrical circuits, the direct coupling of field and electrical equations is considered. The mechanical movement is also taken into account. Thus, this work contributes to a mathematical model that approximates the actual operation of the devices, since it considers simultaneously: magnetic hysteresis, external electrical circuits and mechanical movement.

Magíster en Ciencias de la Ingeniería, Mención Eléctrica / Ingeniero Civil Eléctrico / Las simulaciones computacionales son un importante recurso para ayudar en el diseño y a entender el funcionamiento de dispositivos semiconductores de una forma rápida y económica, por lo que se han desarrollado diversas herramientas de simulación, tanto comerciales como libres. No obstante, diversos centros de investigación y universidades han optado por desarrollar programas propios, lo que les permite tener continuidad en el desarrollo, control y mayor entendimiento de los fenómenos simulados. Bajo esta misma idea, el presente trabajo tiene como objetivo desarrollar herramientas de simulación para materiales y dispositivos semiconductores, centrado principalmente en el problema en dos dimensiones, y que tenga la flexibilidad suficiente para propósitos prácticos de diseño y educacionales, sirviendo además como un punto de partida para trabajos futuros. Para cumplir el objetivo mencionado, se implementaron dos modelos clásicos de simulación: Arrastre-Difusión o DD (Drift-Diffusion) y Monte Carlo o MC (que resuelve la ecuacion de transporte de Boltzmann). Dichos modelos tienen diferentes grados de precisión, capacidades y costos computacionales, cubriendo así un gran rango de dispositivos y necesidades. Para ambos, se utilizó una malla no estructurada de Voronoi, para cuya generación se presenta un algoritmo basado en la triangulación de Delaunay, lo que permite la descripción de diversas topologías. Ambos modelos fueron incluidos en un mismo programa escrito en MATLAB, con una interfaz basada en archivos de texto de alto nivel que permite el uso casi indistinto entre uno u otro, característica que le da otorga una mayor flexibilidad y simpleza. La realización de distintas pruebas numéricas y comparaciones con la literatura y otras referencias, permitieron verificar el apropiado funcionamiento de los métodos y mostrar distintas características de éstos. En particular, para DD se constató la superioridad Newton-Raphson (NRM) sobre Gummel, y de el esquema de estabilización de Schaffeter-Gummel (SG) sobre Aguas Arriba. Para MC, se desarrollaron distintas técnicas para que el método fuese coherente con la malla no estructurada y topologías generalizadas. Además, se compararon DD y MC, mostrando sus diferencias en congruencia con la literatura. El modelo de DD implementado es resuelto usando Volumenes Finitos y el método de NRM, que otorga buenas características de convergencia. Para la estabilización, se utilizó la discretización de SG. Modelos básicos de movilidad, heterojunturas y condiciones de borde, fueron incluidos para extender la versatilidad del método y establecer ideas para futuras mejoras. El método de Monte Carlo implementado en esta instancia, incluye fuentes básicas de dispersión y utiliza bandas analíticas esféricas o elípticas con no-parabolicidad para electrones. En cambio, para huecos, sólo simples modelos parabólicos e isotrópicos fueron considerados. Finalmente, fueron señaladas las limitaciones más relevantes del programa y los posibles modelos para paliarlas. Esto, junto con el resto del trabajo, se espera que se constituyan como bases para futuros desarrollos y mejoras.

Orientador: Fujio Sato / Dissertação (mestrado) - Universidade Estadual de Campinas, Faculdade de Engenharia Eletrica e de Computação / Made available in DSpace on 2018-07-24T00:35:39Z (GMT). No. of bitstreams: 1 Mota_RenatoPinto_M.pdf: 6283619 bytes, checksum: d53e91590ef821333dc8720e48dd8528 (MD5) Previous issue date: 1998 / Resumo: Este trabalho descreve a implementação de um programa para cálculos de curtos-circuitos, tendo como objetivo facilitar os estudos e análises da proteção de sistemas elétricos. As principais características do programa são: determinação do estado pré-falta do sistema e inclusão dos efeitos dos seus elementos em derivação nos cálculos de curtos-circuitos; consideração dos efeitos dos acoplamentos mútuos de linhas paralelas; cálculos de curtos circuitos em linhas de transmissão; utilização do método do vetor esparso; cálculos de curtos-circuitos nas redes de média/baixa tensão e de fatores de aterramento; consideração do deslocamento angular dos transformadores e cálculos de fluxos de correntes de curtos-circuitos nos enrolamentos dos autotransformadores. O programa foi testado em vários sistemas, destacando-se dentre eles um trecho real do sistema da região sudeste brasileira de 138/69/13,8-11,95 kV, com 216 barras, 263 ramos e 98 linhas com acoplamentos mútuos e um sistema de EAT de 500/345/138 kV, com 28 barras, 60 ramos e 11 linhas com acoplamentos mútuos baseado em dados do sistema sul-sudeste brasileiro. ...Observação: O resumo, na íntegra, poderá ser visualizado no texto completo da tese digital / Abstract: This work describes the implementation of a software for short circuit calculations. Its objective is to facilitate the analysis and studies of electric systems protection. The main characteristics of the program consists: System pre fault state determination including shunt elements in the short circuit computation; parallel transmission lines mutual coupling assumptions; transmission lines short circuit calculations; utilization of the sparse vector method; short circuit computation for low/medium voltage network and grounding factors; consideration of transformers angular displacement and autotransformers windings short circuit current flows calculation. The software has been tested for several systems, including part of Southeast Brazilian region system of 138/69/13.8-11.95 kV, consisting of 216 busses, 263 lines and 98 lines with mutual coupling, and a 500/345/138 kV system, consisting of 28 busses, 60 lines and 11 lines with mutual coupling, based on the South-Southeast Brazilian system data. ...Note: The complete abstract is available with the full electronic digital thesis or dissertations / Mestrado / Mestre em Engenharia Elétrica

Orientador: Carlos Ignacio Zamitti Mammana / Dissertação (mestrado) - Universidade Estadual de Campinas, Faculdade de Engenharia Eletrica / Made available in DSpace on 2018-07-20T12:52:05Z (GMT). No. of bitstreams: 1 Oliveira_BernadeteAparecidadeLima_M.pdf: 7535472 bytes, checksum: e73e28ddffdc140006b4037f05f8fbef (MD5) Previous issue date: 1991 / Resumo: Esta dissertação trata a especificação de um sistema de auditoria de testabilidade de projetos de CI's digitais baseados em células. Situa a utilização de um sistema como esse no ciclo de projeto, descreve metodologias de projeto para testabilidade, particularmente os métodos de projeto com "scan", e as regras de testabilidade associadas que esse auditor deve verificar. Descreve características de ferramentas de apoio ao projeto de CIs, com enfoque especial às que são dirigi das à síntese com testabilidade ou à verificação de técnicas de projeto para testabilidade. Aproveitando as facilidades de implementação proporcionadas pelas características dos sistemas especialistas, é especificado um sistema baseado em verificação de regras constantes de uma base de conhecimento. É descrito o protótipo implementado e são comentados resultados de processamento de casos práticos. Considerando os resultados obtidos com o protótipo e as perspectivas do ambiente de projeto de CI's digitais são fornecidas conclusões sobre a validade de sistemas de verificação como o sistema especificado / Abstract: Not informed. / Mestrado / Mestre em Engenharia Elétrica

Orientador : Bernard Waldman / Dissertação (mestrado) - Universidade Estadual de Campinas, Faculdade de Engenharia Eletrica / Made available in DSpace on 2018-07-13T21:47:06Z (GMT). No. of bitstreams: 1 Araujo_GuidoCostaSouzade_M.pdf: 7097802 bytes, checksum: 3989d5131b3e9436f6f55fc6d620a10e (MD5) Previous issue date: 1990 / Resumo: Com a drástica diminuição das dimensões nas novas gerações de transistores MOS VLSI, um aumento considerável de efeitos dimensionais no comportamento destes dispositivos tem surgido. Isto traz como conseqüência imediata, a impossibilidade de utilização dos modelos clássicos analíticos no projeto e no estudo destes transistores. A proposta deste trabalho é a de desenvolver um simulador bidimensional para transistores MOSFET de canal curto, que permita uma caracterização precisa destes dispositivos em equilíbrio termodinâmico. Nesta situação, a influência de efeitos dimensionais sobre VT pode ser melhor estudada, possibilitando assim a obtenção de uma primeira aproximação para o projeto destes dispositivos / Mestrado / Mestre em Engenharia Elétrica

Orientador: Jose Antonio Siqueira Dias / Dissertação (mestrado) - Universidade Estadual de Campinas, Faculdade de Engenharia Eletrica / Made available in DSpace on 2018-07-16T20:17:24Z (GMT). No. of bitstreams: 1 Silva_MarlyGuimaraesda_M.pdf: 5811416 bytes, checksum: db9914fbc0a77fc2ea804355b5265431 (MD5) Previous issue date: 1988 / Resumo: Os circuitos integrados analógicos de pequena e media complexidade podem, a exemplo dos circuitos digitais, ser confeccionados usando circuitos integrados semidedicados ("semi-custom"). Com esta técnica o projetista necessita apenas realizar as interconexões entre os dispositivos pré-difundidos na lâmina de silício. Entre as várias vantagens da utilização desta metodologia de projeto, podemos citar: baixo custo; rapidez na execução do projeto; rapidez na correção de algum eventual erro no projeto; rapidez na confecção do circuito integrado. Neste trabalho apresentamos o projeto de um "chip semi-custom" do tipo ¿array¿-analógico, em tecnologia bipolar, bem como o desenvolvimento de um suporte de C.A.D. dedicado ao "array"-analógico projetado. Este C.A.D., denominado "Array-Software", consiste de Editor Gráfico, Extrator de Interconexões, Verificador de Regras de Projeto a nível de metalização e Gerador de Padrões para cortes de máscara em Rubylith, compatível com o sistema usado no LED/UNICAMP. Por fim, analisamos os resultados obtidos nos ensaios de implementação de funções analógicas típicas, com o auxílio das ferramentas de projeto desenvolvidas / Abstract: Analog SSI and MSI Integrated Circuits. as the digital circuits, can be fabricated with semi-custom master-slíces. When using this technique, the design engineer needs only to make the ínterconnectíon of pre-diffused devices on the silicon wafer. Among the advantages of using this lmethodology. we can mention: low cost. fast design turn-around time. easy and quick correction of eventual mistakes. extremely fast processing turn-around for the IC. This work presents the design of an analog-array in bipolar technology and the development of a CAO suport for this master-slice. The CAO consists of a Graphics Editor, a Circuit Extractor,a Design Rule Checker and Pattern Generator, that is compatible with the Rubylith art-work generator system that is currently being used in the LED/UNICAMP. Finally, the results obtained with the complete design cycle with some typical analog cells implemented in the ànalog-array are discussed. / Mestrado / Mestre em Engenharia Elétrica

Orientador : Peter Jurgen Tatsch / Dissertação (mestrado) - Universidade Estadual de Campinas, Faculdade de Engenharia Eletrica / Made available in DSpace on 2018-07-18T14:19:46Z (GMT). No. of bitstreams: 1 Yoshioka_RicardoToshinori_M.pdf: 6898659 bytes, checksum: ea42ab9c000962d6c31534273494db00 (MD5) Previous issue date: 1992 / Resumo: Neste trabalho é apresentado um estudo sobre a decapagem por plasma de fotorresiste num reator tipo barril, sendo que o 02 e SF6 foram utilizados como gases de processo. Este estudo foi aplicado no processo de fabricação de pontes aéreas (air bridges). No capítulo I, apresenta-se uma introdução, onde é descrita a importância da decapagem por plasma. No capítulo II mostra-se como é o ambiente de plasma para a decapagem de diversos materiais, utilizados em microeletrônica. No capítulo 111 descrevem-se as principais características que podem ser obtidas nos processos de decapagem por plasma, e no capítulo IV, mostram-se os equipamentos normalmente utilizados. Neste capítulo dá se maior enfoque no reator tipo barril ou tubular, pois foi utilizado esse tipo de aparelho. No capítulo V comentam-se sobre os principais materiais e gases utilizados e no capítulo VI é detalhado o processo da decapagem do fotorresiste por plasma de 02 e gases fluorados. A parte experimental do trabalho é apresentada no capítulo VII. A aplicação da decapagem do fotorresiste por plasma de 02 e SF6 na fabricação de pontes aéreas é mostrada no capítulo VIII. Finalmente as perpectivas e as principais conclusões são apresentadas no capítulo IX. Os principais resultados obtidos neste trabalho são: - Observou-se um aumento da taxa de decapagem do fotorresiste quando se adicionou uma pequena porcentagem do gás SF6 ao plasma de 02 (entre 2% e 5% do fluxo total). - A detecção do ponto final, da decapagem com a mistura, por espectroscopia ótica, pode ser realizada como na decapagem de fotorresiste por plasma de 02. - Foi observado no microscópio ótico que Si e Si02 não sofreram ataques perceptíveis por plasma de 02 e SF6, caracterizando uma boa seletividade. - A utilização da mistura 02/SF6 possibilita a remoção rápida do fotorresiste na fabricação de pontes aéreas sem afetar o metal (AI) / Abstract: Not informed. / Mestrado / Eletrônica, Microeletrônica e Optoeletrônica / Mestre em Engenharia Elétrica

Orientadores: Yukio Ishikawa, Carlos Ignacio Mammana / Dissertação (mestrado) - Universidade Estadual de Campinas, Faculdade de Engenharia de Campinas / Made available in DSpace on 2018-07-19T09:03:38Z (GMT). No. of bitstreams: 1 Baranauskas_Vitor_M.pdf: 2427981 bytes, checksum: 807fec11c80b9dc781ff24ca5783b046 (MD5) Previous issue date: 1979 / Resumo: Os circuitos integrados são geralmente construidos em camadas de silício crescidas pela redução do tetracloreto de silício (SiCl4) com hidrogênio sobre substratos de silício. (formula). O tetracloreto de silício para esta aplicação deve ter pureza elevada devido a influência desta nas propriedades eletricas do sil ício produzido. Neste trabalho descrevemos o método de obtenção deste material a partir da cloração direta de silicio metalurgico (~98% Si) e posterior purificação. (formula) Tanto o cloro quanto o silício de grau metalurgico empregados são materias primas nacionais de custo relativamente baixo. O refino do tetracloreto de silício foi feito por adsorção e destilações sucessivas. A identificação do composto foi realizada por espectroscopia de massa e de infravermelho.As camadas de silício produzidas a partir deste tetracloreto apresentaram condutividade tipo P e a medida de resistividade por quatro pontas indicou uma concentração líquida de impurezas eletricamente ativas da ordem de 10 ppb. Mediante a construção de diodos com estas lâminas e medida da característica capacitância versus tensão reversa (C-V),o resultado da,concentração de impurezas foi confirmado. Para fins de comparação os mesmos processos e caracterizações foram realizados com tetracloreto de silicio importado não se notando diferenças significativas. O tetracloreto de silício produzido, com dopagem da ordem de 1014 atomos de purezas/cm3 pode ser convenientemente empregado par a construção de vários tipos de circuitos integrados e outros dispositivos particulares como fibras opticas, celulas solares, etc. / Abstract: Not informed. / Mestrado / Mestre em Engenharia Elétrica

Orientador: Jose Antonio Siqueira Dias / Dissertação (mestrado) - Universidade Estadual de Campinas, Faculdade de Engenharia Eletrica / Made available in DSpace on 2018-07-19T16:00:39Z (GMT). No. of bitstreams: 1 Leite_RogerioLara_M.pdf: 681548 bytes, checksum: 4d0c0a495d19d9b6c369eb38102a2ce4 (MD5) Previous issue date: 1994 / Resumo: Este trabalho comenta alguns aspectos importantes do teste automático de um cir­ cuito integrado digital. Apresenta os principais tipos de testes elétricos realizados por um equipamento automático de teste, comentando as diferenças dos testes dependendo da tecnologia do componente, nas diversas fases da vida de um circuito integrado digital. São descritos, de forma suscinta, os principais mecanismos de falhas em CI's digitais e são apresentadas as principais medições elétricas necessárias para avaliar o desempenho de um circuito integrado. Descrevemos também o equipamento automático de teste (ATE) e sua linguagem de programação, comentando como esta máquina é im­portante para testar circuitos integrados digitais. O trabalho termina com dois programas de teste reais, escritos em Pascal, comentando os resultados das medições de cada programa / Abstract: This work comments some important aspects of the digital integrated circuit auto­matic test. It presents the most common electrical tests done by an Automatic Test Equipment - ATE. The test differences depending on chip technology in the various steps of the integrated circuit life are commented. The main IC's digital faults and failures mechanisms are commented in a introductory way. The principal electrical measurements necessary to estimate the performance of an digital IC¿s presented. The architecture and the language of the ATE is presented , discussing how this machine is important to test digital integrated circuits. The work ends with two real test programs, written in Pascal commenting the results of the measurements of each test program / Mestrado / Mestre em Engenharia Elétrica