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Desenvolvimento de um circuito integrado para testabilidade de placas

Oliveira, Arthur Henrique Cesar de 30 July 1990 (has links)
Orientador: Carlos I. Z. Mammana / Dissertação (mestrado) - Universidade Estadual de Campinas, Faculdade de Engenharia Eletrica / Made available in DSpace on 2018-07-19T21:29:51Z (GMT). No. of bitstreams: 1 Oliveira_ArthurHenriqueCesarde_M.pdf: 7025042 bytes, checksum: 3e759451e891d3cdd003bc9ec441b62d (MD5) Previous issue date: 1990 / Resumo: Este trabalho de Mestrado em Engenharia Elétrica, trata do desenvolvimento de um circuito integrado modular para ser aplicado no projeto para testabilidade de placas eletrônicas digitais. E um CI programável que visa facilitar a implementação de Scan-Test e Self-Test nas placas. Os capítulos 1, 2 e 3 servem de subsídio para o trabalho, conceituando o problema-teste de circuitos 1ógicos, geração de vetores de teste e projeto para testabilidade. No capítulo 4 é apresentado o projeto do Circuito para Teste Integrado de Placas (CTIP), partindo da especificação, simulação, lay-out, até os testes de validação. No capítulo 5 apresentam-se as conclusões e um exemplo de aplicação do CTIP / Abstract: The subject of this Master in Electrical Engineering Thesis is the design of a modular integrated circuit to be used in board design for testability. This IC is programmable and aims to easy implementing PCBoard Scan and Self-Test. Chapters 1, 2 and 3 are subsides for the others, defining the logic circuits testing-problem, test vector generation and design for estability. Chapter 4 presents the design of the Board Testing IC CCTIP), from specification, through simulation, lay-out and testing. Chapter 5 presents conclusions and an application example / Mestrado / Mestre em Engenharia Elétrica
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Operadores aritméticos de baixo consumo para arquiteturas de circuitos DSP

Costa, Eduardo Antonio Cesar da January 2002 (has links)
Este trabalho tem como foco a aplicação de técnicas de otimização de potência no alto nível de abstração para circuitos CMOS, e em particular no nível arquitetural e de transferência de registrados (Register Transfer Leve - RTL). Diferentes arquiteturas para projetos especificos de algorítmos de filtros FIR e transformada rápida de Fourier (FFT) são implementadas e comparadas. O objetivo é estabelecer uma metodologia de projeto para baixa potência neste nível de abstração. As técnicas de redução de potência abordadas tem por obetivo a redução da atividade de chaveamento através das técnicas de exploração arquitetural e codificação de dados. Um dos métodos de baixa potência que tem sido largamente utilizado é a codificação de dados para a redução da atividade de chaveamento em barramentos. Em nosso trabalho, é investigado o processo de codificação dos sinais para a obtenção de módulos aritméticos eficientes em termos de potência que operam diretamente com esses códigos. O objetivo não consiste somente na redução da atividade de chavemanto nos barramentos de dados mas também a minimização da complexidade da lógica combinacional dos módulos. Nos algorítmos de filtros FIR e FFT, a representação dos números em complemento de 2 é a forma mais utilizada para codificação de operandos com sinal. Neste trabalho, apresenta-se uma nova arquitetura para operações com sinal que mantém a mesma regularidade um multiplicador array convencional. Essa arquitetura pode operar com números na base 2m, o que permite a redução do número de linhas de produtos parciais, tendo-se desta forma, ganhos significativos em desempenho e redução de potência. A estratégia proposta apresenta resultados significativamente melhores em relação ao estado da arte. A flexibilidade da arquitetura proposta permite a construção de multiplicadores com diferentes valores de m. Dada a natureza dos algoritmos de filtro FIR e FFT, que envolvem o produto de dados por apropriados coeficientes, procura-se explorar o ordenamento ótimo destes coeficientes nos sentido de minimizar o consumo de potência das arquiteturas implementadas.
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Projeto de circuitos integrados digitais utilizando-se de ferramentas computacionais de demonstração e profissional/

Braga, V. S. M. January 2014 (has links) (PDF)
Dissertação (Mestrado em Engenharia Elétrica) - Centro Universitário da Fei, São Bernardo do Campo, 2014
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Autoteste e correcção de não-linearidades de circuitos RF

Braga, Joana Azevedo January 2010 (has links)
Páginas numeradas: III-XIII, 15-129 / Tese de mestrado integrado. Engenharia Electrotécnica e de Computadores (Major Telecomunicações). Faculdade de Engenharia. Universidade do Porto. 2010
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Técnicas de auto-teste (BIST) e auto-reparação (BISR) para memórias RAM síncronas

Barroso, Alberto Rui Frutuoso January 2008 (has links)
Tese de mestrado integrado. Engenharia Electrotécnica e de Computadores - Major de Telecomunicações. Faculdade de Engenharia. Universidade do Porto. 2008
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Generation of reconfigurable circuits from machine code

Paulino, Nuno Miguel Cardanha January 2011 (has links)
Tese de mestrado integrado. Engenharia Electrotécnica e de Computadores. Telecomunicações. Universidade do Porto. Faculdade de Engenharia. 2011
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Um método para a optimização do projecto de circuitos lineares com subdivisão articulada multinível apropriado à programação em microcomputador

Ferreira, Franclim Fortunato January 1983 (has links)
Dissertação apresentada para obtenção do grau de Doutor na Faculdade de Engenharia da Universidade Porto, sob a orientação do Prof. Doutor Mário Lança
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Matriz de linha de transmissão tridimensional SCN- TD e FD contribuição ao desenvolvimento de ferramentas computacionais para campos eletromagnéticos / Three dimensional transmission line matrix SCN- TD and FD a contribution to the development of computational tools for electromagnetic fields

Souza, João Antonio Assad de 30 June 2006 (has links)
Dissertação (mestrado)—Universidade de Brasília, Departamento de Engenharia Elétrica, 2006. / Submitted by mariana castro (nanacastro0107@hotmail.com) on 2009-09-24T20:56:36Z No. of bitstreams: 1 DISSERTACAO João Antonio Assad de Souza.pdf: 735717 bytes, checksum: 370d8fdf4c8c3ac9364e0e1db6244ffc (MD5) / Approved for entry into archive by Gomes Neide(nagomes2005@gmail.com) on 2011-02-02T12:06:06Z (GMT) No. of bitstreams: 1 DISSERTACAO João Antonio Assad de Souza.pdf: 735717 bytes, checksum: 370d8fdf4c8c3ac9364e0e1db6244ffc (MD5) / Made available in DSpace on 2011-02-02T12:06:06Z (GMT). No. of bitstreams: 1 DISSERTACAO João Antonio Assad de Souza.pdf: 735717 bytes, checksum: 370d8fdf4c8c3ac9364e0e1db6244ffc (MD5) Previous issue date: 2006-06-30 / O presente trabalho trata da modelagem de Cavidade Ressonante por Matriz de Linha de Transmissão (TLM) usando os conceitos de Nó Condensado Simétrico (SCN) nos domínios do tempo (TD) e da freqüência (FD) para simular o comportamento de campos eletromagnéticos no dispositivo. O trabalho começa com a modelagem do nó SCN que é composto por doze linhas de transmissão e doze portas. Estabelece a chamada Matriz de Espalhamento que dita as condições de propagação de um sinal no nó de acordo com as Equações de Maxwell[1,2]. A seguir, vários nós SCN são conectados para formar uma malha ou Matriz de Linha de Transmissão (TLM) tridimensional com o objetivo de estudar a transmissão de um sinal de um nó para o outro no domínio do tempo [1,2]. No domínio do tempo, há uma condição de estado transiente compreendido desde a excitação da malha por pulso de tensão em uma antena de entrada até a obtenção de pulso de tensão em uma antena de saída. Entre a excitação e a tensão de saída transcorre certo número de iterações ou intervalos de tempo necessários para que todos os nós sejam excitados e, pulsos na antena de saída sejam significativos. Estabelecido o mecanismo de propagação do pulso, uma cavidade ressonante é modelada por TLM – SCN no domínio do tempo e um algoritmo é desenvolvido para calcular as freqüências de ressonância da cavidade. O algorítmo é implementado em linguagem FORTRAN e o resultado é comparado com o obtido por cálculo literal. Após os resultados obtidos no domínio do tempo, o trabalho passa a enfocar TLM – SCN no domínio da freqüência [3,4]. A Matriz de Espalhamento e a Conexão entre os nós ocorrem de maneira semelhante ao do domínio do tempo, porém, as tensões na malha estão em regime de estado permanente. Portanto, no domínio da freqüência, as tensões já estão estabelecidas em todas as portas de todos os nós da malha e, não há mais considerações de tempo e sim de espaço. Em conseqüência, equações que relacionam as tensões fontes (excitação) com as tensões incidentes nos nós são obtidas em consonância com as Equações de Maxwell para o regime permanente. O sistema de equações é posteriormente escrito na forma matricial e um algoritmo computacional é desenvolvido para calcular as tensões em cada nó. A solução do sistema de equações é obtida pelos Métodos de Jacobi e do Gradiente Conjugado. Uma comparação de velocidade de convergência entre os dois métodos é realizada. Os resultados obtidos para uma cavidade ressonante preenchida com material dielétrico com um alto são mostrados em gráficos. Por fim, um comentário sobre os resultados é realizado e são apresentadas sugestões para trabalhos futuros. ____________________________________________________________________________ ABSTRACT / This work refers to the Transmission Line Matrix (TLM) modeling method by using concepts of Symmetrical Condensed Node (SCN) in the Time Domain (TD) and in the Frequency Domain (FD) to simulate electromagnetic fields in the device. The work begins by modeling the SCN node which is composed of twelve transmission lines and twelve ports. It establishes the so called Scattering Matrix which defines the conditions of signal propagation into the node and according to the Maxwell Equations [1,2]. Following that, several SCN nodes are all connected to create a net or a three-dimensional Transmission Line Matrix (TLM) with the purpose of studying the propagation of the signal from node to node in the time domain [1,2]. In the time domain, there is a transient state condition starting the excitation of the net by a pulse of voltage in the input antenna up to the acquisition of pulses in the output antenna. Under such conditions, a certain amount of iterations or time frames must be performed until the full excitation of the complete set of nodes and the acquisition of significant pulses at the output antenna. Once established the pulse propagation mechanism, a resonant cavity is modeled by TLM – SCN in the time domain and an algorithm is developed to calculate the frequencies of the resonant cavity. The algorithm is implemented in FORTRAN and its result is compared with the one obtained via literal calculus. After that, the analysis is moved to the TLM-SCN in the frequency domain [3,4,5,6]. The Scattering Matrix and the Connection among nodes occur in a similar way as in the time domain, however, the voltages in the net are in permanent steady state condition. Therefore, in the frequency domain, the voltages are all established in all ports of all nodes in the net and, there are only considerations for space instead of time. Consequently, the equations creating relationships between the source voltages (excitations) and the incident voltages in the nodes are all calculated according to the Maxwell Equations for the steady state. After that, a system of equations is written in a matrix shape and a computer algorithm is developed to calculate the voltages in each node, which is the solution of the system. The solution of the system of equations is obtained via the Jacobi and the Conjugated Gradient Methods. A comparison of the speed of convergence between the two methods is performed. The results for a resonant cavity filled with high _r dielectric material are highlighted in graphics. Finally, an analysis of results and suggestions for future TLM SCN researches are presented.
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Modelagem da tensão de Early em transistores MOS nos regimes de inversão fraca e moderada

Radin, Rafael Luciano January 2007 (has links)
Dissertação (mestrado) - Universidade Federal de Santa Catarina, Centro Tecnológico. Programa de Pós-Graduação em Engenharia Elétrica / Made available in DSpace on 2012-10-23T13:34:57Z (GMT). No. of bitstreams: 0 / Este trabalho apresenta um modelo compacto para a tensão de Early do transistor MOS em inversão fraca e moderada. Utilizando as equações do modelo ACM (Advanced Compact Mosfet Model) e incluindo os efeitos de canal curto relevantes como o DIBL e a modulação do comprimento das zonas de depleção de dreno e fonte, chega-se a um modelo compacto para a tensão de Early que proporciona aproximações úteis para o projetista de circuitos integrados. Para extração de parâmetros do modelo proposto foram feitas medidas experimentais em transistores de diversos comprimentos, níveis de inversão e tensões de dreno. As curvas traçadas de acordo com o modelo compacto e com parâmetros extraídos para dispositivos em tecnologia CMOS 0,35 m são comparadas às curvas experimentais. Os resultados obtidos comprovam a eficiência do modelo como uma aproximação para cálculos de primeira ordem.
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Study and design of CMOS RF power circuits and modulation capabilities for communication applications

Madureira, Heider Marconi Guedes 15 June 2015 (has links)
Tese (doutorado)—Universidade de Brasília, Faculdade de Tecnologia, Departamento de Engenharia Elétrica, 2015. / Submitted by Tania Milca Carvalho Malheiros (tania@bce.unb.br) on 2015-11-25T14:15:51Z No. of bitstreams: 1 2015_HeiderMarconiGuedesMadureira.pdf: 5121422 bytes, checksum: c46aa43235067724c36f180036a158a7 (MD5) / Approved for entry into archive by Raquel Viana(raquelviana@bce.unb.br) on 2016-01-15T20:12:43Z (GMT) No. of bitstreams: 1 2015_HeiderMarconiGuedesMadureira.pdf: 5121422 bytes, checksum: c46aa43235067724c36f180036a158a7 (MD5) / Made available in DSpace on 2016-01-15T20:12:43Z (GMT). No. of bitstreams: 1 2015_HeiderMarconiGuedesMadureira.pdf: 5121422 bytes, checksum: c46aa43235067724c36f180036a158a7 (MD5) / This work presents the study, design and measurement of RF circuits aiming communication applications. The need for flexible and reconfigurable RF hardware leads to the need of alternative transmitter architectures. In the center of this innovative architecture, there is the power oscillator. This circuit is composed of a power amplifier in a positive feedback loop so it oscillates. As the circuit under study is mainly composed of a power amplifier, a study on power amplifier is mandatory. Modern CMOS technologies impose difficulties in the efficient RF generation due to low breakdown voltages. In order to reduce the voltage stress on the transistors, waveform-engineering techniques are used leading to the use of class EF2. The design and measurement of a class EF2 power amplifier and power oscillator are shown. The circuits were implemented in standard STMicroelectronics 0.13um CMOS. Correct behavior for the circuits was obtained in measurement, leading to a first implementation of class EF2 in RF frequencies. From a system perspective, the proposed architecture is shown to be flexible and able to generate different modulations without change in the hardware. Reconfigurability is shown not only in modulation but also in output power level. The limitations of this architecture are discussed and some mathematical modeling is presented. / Dans lère des systèmes de communication multi-standards, le besoin des circuits en radio fréquence (RF) flexibles et réconfigurables pousse l’industrie et l’academie à la recherche d’architectures alternatives d’émetteurs et récepteurs RF. Dans cette thèse, nous nous intéréssons aux émetteurs RF fléxibles. Nous présentons une architecture basée sur l’utilisation d’un oscillateur de puissance composé dt’un amplificateur de puissance dans une boucle de rétroaction positive. Pour des raisons de compatibilité avec des circuit numériques et dans le but de minimiser les coûts de fabrication, nous avons choisi la technologie CMOS. Ce choix impose des difficultés de concéption de circuits en RF à cause des faibles tensions de claquage. Cette contrainte de concéption nous a motivé à choisir la classe EF2 pour l’amplificateur de puissance afin de réduire le stress de tension sur les transistors. Nous présentons la concéption de cet amplificateur de puissance de classe EF2 ainsi que l’oscilateur de puissance. Nous validons cette architecture avec une implémentation en technologie CMOS 0.13um de STMicroelectronics. Nous démontrons le bon comportement par mesure et tests du circuit fabriqué. Ce circuit répond aux contraintes de fléxibilité de modulation et de puissance de sortie pouvant donc être utilisée pour différents standards de communications. Les limitations inhérentes de cette architecture sont discutées et une modélisation mathématique est présentée.

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