Orientador: Jose Antonio Siqueira Dias / Dissertação (mestrado) - Universidade Estadual de Campinas, Faculdade de Engenharia Eletrica / Made available in DSpace on 2018-07-13T23:30:32Z (GMT). No. of bitstreams: 1 Sinhorim_GilmarJose_M.pdf: 2684958 bytes, checksum: 5cf939519d9c8f1a2c9205cf370a8499 (MD5) Previous issue date: 1991 / Resumo: Neste trabalho foi desenvolvida uma fonte de tensão programável, controlada por microcomputador, para utilização em sistemas automáticos de aquisição de dados usados na caracterização de circuitos integrados. A fonte desenvolvida tem capacidade para atingir tensões de 100 Volts (salda bipolar), com corrente de salda de até 30 mA. Os fundos de escala são selecionáveis por programação, sendo que, dentro de cada faixa de operação, a resolução da tensão de salda é de 12 bits / Abstract: Not informed. / Mestrado / Mestre em Engenharia Elétrica

Orientador : Carlos I.Z. Mammana / Dissertação (mestrado) - Universidade Estadual de Campinas, Faculdade de Engenharia de Campinas / Made available in DSpace on 2018-07-15T13:50:47Z (GMT). No. of bitstreams: 1 ReisFilho_CarlosAlbertodos_M.pdf: 2378439 bytes, checksum: 603e03dc99a6f745f5396ec2a9e348f4 (MD5) Previous issue date: 1978 / Mestrado

Orientador : Edmundo da Silva Braga / Tese (doutorado) - Universidade Estadual de Campinas, Faculdade de Engenharia Eletrica / Made available in DSpace on 2018-07-16T17:45:39Z (GMT). No. of bitstreams: 1 Tatsch_PeterJurgen_D.pdf: 5603453 bytes, checksum: 40261195b8c66f7bce35d36b326f4359 (MD5) Previous issue date: 1988 / Resumo: Neste trabalho é apresentado um estudo da viabilidade da oxidação do silício por plasma, em reator planar, como prcesso de baixa temperatura para a fabricação de circuitos integrados. No capítulo inicial coloca-se o contexto do trabalho assim como a sua proposiçao. No segundo capítulo apresenta-se uma descrição concisa da fenomenologia e do rnodelamento atinentes ao plasma utilizados no desenvolvimento do trabalho. No terceiro capítulo descreve-se sinteticamente a estrutura do sistema silício-dióxido de silício. O quarto capítulo versa sobre o projeto do reator planar utilizado e sobre os procedimentos experimentais aplicados na , preparação das amostras e na sua caracterização. As amostras foram oxidadas em plasmas de oxigênio e misturas de oxigênio e tetracloreto de carbono. O plasma foi analisado por espectrometria óptica e os filmes de óxido foram estudados através de medidas C-V de alta frequência, elipsometria e taxa de corrosão em reagente P. No último capítulo apresentam-se os resultados experimentais e sua análise. Obtiveram-se densidades efetivas de carga na faixa de 10 11 cm-2 e taxas de oxidação entre 0,4 nm min-l e 1,3 nm min-l, fortemente dependentes das condições do plasma. As medidas de espectrometria óptica mostram que o oxigênio atômico é a espécie principal envolvida no mecanismo da oxidação / Abstract: Not informed. / Doutorado / Doutor em Engenharia Elétrica

Orientador: Armando Turtelli Junior / Dissertação (mestrado) - Universidade Estadual de Campinas, Instituto de Fisica Gleb Wataghin / Made available in DSpace on 2018-07-17T12:07:19Z (GMT). No. of bitstreams: 1 Vieira_SibeliusLellis_M.pdf: 2859885 bytes, checksum: 660982846a7ffabc5e196f9c7e4b4e5f (MD5) Previous issue date: 1987 / Resumo: Apresentamos neste trabalho um sistema de automatização de medidas em fotodensitometria microscópica. Basicamente, tais medidas se constituem em quantificar as relações entre a Intensidade de um feixe transmitindo a relação à Intensidade do feixe incidente em filmes de Raio-X. No processo de automatização, implementamos o hardware e o software de uma Interface inteligente, baseada no microprocessador Z80, cujo objetivo é controlar a aquisição de dados do Fotomicrodensitômetro. Além de controlar a aquisição e transmissão de dados, a Interface é responsável pelo comando do Motor de Passo acoplado ao equipamento. Tal sistema facilita a análise de dados dos filmes de Raio-X, bem como proporciona melhor resolução e confiabilidade às medidas / Abstract: Not informed. / Mestrado / Física / Mestre em Física

Orientador: Antonio Celso Fonseca de Arruda / Dissertação (mestrado) - Universidade Estadual de Campinas, Faculdade de Engenharia de Campinas / Made available in DSpace on 2018-07-17T19:40:31Z (GMT). No. of bitstreams: 1 Silva_MarioCesarda_M.pdf: 2669735 bytes, checksum: 44f3b313a1ea1627df138c52c58745df (MD5) Previous issue date: 1984 / Resumo: Foi projetado e construído um forno para o puxamento de monocristais de silício de até 5cm de diâmetro e 1,5kg. Trata-se de um equipamento composto por cinco sistemas básicos, a saber: de aquecimento, de acionamento, de refrigeração, de atmosfera inerte e de forno. Os critérios de projeto foram baseados em recentes trabalhos sobre os parâmetros do processo Czochralski. Este trabalho propiciou a avaliação do mercado nacional de bens e serviços para a fabricação de um equipamento Czochralski e a formação de recursos humanos na área de insumos materiais para a microeletrônica. O capítulo 1, de introdução, situa a importância e justificação deste trabalho. No segundo capítulo são relatados os diversos métodos de obtenção de cristais, bem como os aspectos básicos da teoria do processo Czochralski. O terceiro capítulo, com base no seu precedente, trata dos requisitos básicos de um equipamento Czochralski, e da metodologia empregada no seu projeto, e na sua construção. O quarto capítulo é reservada a apresentação do equipamento construído. No capítulo 5 são relatadas e comentadas as conclusões concernentes ao equipamento construído e ao processo de crescimento de cristais apreendido. / Abstract: A 5cm diameter and 1.5kg silicon single crystal pulling capable furnace was designed and constructed. The equipment is composed by five basic systems. These systems are heating, seed driving, water cooled refrigeration, inert atmosphere and furnace. The design criteria are based on recent papers about Czochralski process parameters. This work made possible the valuation of the Brazilian market's commodities and services in order to construct a Czochralski equipment and it made possible the formation of human resources in materials related on microelectronics. The first chapter justifies the importance of this work. The various obtention crystal methods and the Czochralski process theory are showed in second chapter. The third chapter treats on the basic requirements of a Czochralski equipment, based on second chapter, and it treats on design and construction methodology used. At the fourth chapter is reserved the constructed equipment apresentation. The conclusions about the constructed equipment and the crystal growing process apprehension are presented on the fifth chapter. / Mestrado / Mestre em Engenharia Mecânica

Orientador: Rege Romeu Scarabucci / Dissertação (mestrado) - Universidade Estadual de Campinas, Faculdade de Engenharia Eletrica / Made available in DSpace on 2018-07-18T13:58:04Z (GMT). No. of bitstreams: 1 Macedo_AleandroSoares_M.pdf: 13418102 bytes, checksum: 51775fc963f07392139034e3debdde87 (MD5) Previous issue date: 1993 / Resumo: Em 1988, o CCITT padronizou um novo método para multiplexação digital. O novo padrão chamado Hierarquia Digital Síncrona (HDS), possibilita maior eficiência no transporte dos sinais nas futuras redes de telecomunicações. O CCITT estabeleceu que os equipamentos HDS são compostos por blocos funcionais bem caracterizados, de tal modo que, pelo agrupamento desses vários blocos funcionais, obtém-se a funcionalidade completa. As funções dos equipamentos HDS são de crosconexão transversal, "add-drop" e de terminação de linha. O que define a função do equipamento é o arranjo e os tipos dos blocos funcionais que o compõem. A proposta do trabalho de tese é o desenvolvimento de modelos de circuitos lógicos para os blocos funcionais HDS. A ferramenta computacional utilizada é a linguagem VHDL que permite projetar circuitos lógicos através de sua descrição comportamental. Utiliza-se esta característica da linguagem para superar a complexidade dos modelos. Uma outra característica da linguagem, o projeto estrutural, permite fazer conexões entre os modelos desenvolvidos para os blocos funcionais e assim constituir modelos para equipamentos HDS. Da mesma forma, conexões entre modelos de equipamentos permitem constituir modelos para redes de equipamentos HDS. Através de um simulador VHDL, os modelos são validados ao nível de rede, ou seja, simula-se uma rede de equipamentos HDS constituídos pelos modelos desenvolvidos para os blocos funcionais HDS / Mestrado / Mestre em Engenharia Elétrica

Orientador : Jacobus W. Swart / Tese (doutorado) - Universidade Estadual de Campinas, Faculdade de Engenharia Eletrica / Made available in DSpace on 2018-07-18T13:53:57Z (GMT). No. of bitstreams: 1 Verdonck_PatrickBernard_D.pdf: 18440286 bytes, checksum: 3be31f1d7e48fc0452a7a3898433e08a (MD5) Previous issue date: 1993 / Resumo: Neste trabalho apresentamos o desenvolvimento de processos de "back-etch" para a formação de "plugs" e de processos para obter estruturas em tungstênio com paredes verticais. Ao mesmo tempo apresentamos o estudo dos mecanismos da corrosão de tungstênio por plasma. Neste trabalho usávamos principalmente dois tipos de equipamentos de corrosão por plasma. O primeiro tem a potência aplicada a uma frequência de 25 kHz, ao invés da tradicional 13,56 MHz. O segundo é do tipo reator com confinamento magnético. Em ambos os sistemas é possível obter corrosão química e corrosão induzida por bombardeamento iônico. Conseguimos obter bons processos de IIback-etch" em ambos os equipamentos. É possível obter estruturas de tungstênio com paredes verticais em ambos os equipamentos. Porém a seletividade de tungstênio para fotorresiste é sempre baixa, tipicamente 1:1. Portanto precisar-se-ia de um tipo de máscara especial para a corrosão de tungstênio quando este é usado como interconexão. A maioria dos mecanismos, como descritos na literatura foi confirmada neste trabalho. Onde há contradições na literatura, conseguimos determinar qual mecanismo é valido, como no caso de corrosão química, ou em quais circunstâncias qual mecanismo é válido, como no caso da formação e influência do óxido de tungstênio. Podemos também concluir que para a grande maioria dos processos, o mecanismo que limita a taxa de corrosão do tungstênio, é a chegada das espécies reativas na superfície da lâmina. Para os outros processos, há fortes indicações que a interação plasmatungstênio- resiste causa fenômenos que limitam a taxa de corrosão. As conclusões deste trabalho não são apenas válidas para os equipamentos estudados aqui, mas também para outros sistemas / Abstract: In this work, we present the development of processes to obtain a back etch process for plug formation in via holes and of processes to obtain tungsten structures with vertical walls. At the same time, the mechanisms behind the tungsten etching were studied. These studies were mainly performed in two different types of equipment. The first one is a system with power applied at 25 kHz, instead of the traditional 13.56 MHz. The second equipment is a magnetically confined reactor. In both systems it is possible to have chemical etching and bombardment enhanced etching. We were able to develop good back etch processes in both equipment. It is possible to obtain tungsten structures with vertical walls in both equipment, but the selectivity of the tungsten towards the resist is always low, typically 1:1. Therefore, one would need special mask structures or materiaIs for this type of etching of tungsten when it is used as an interconnect material ( e.g. as metal 1 ). Most of the mechanisms of the tungsten etching as reported in the literature were confirmed in this work. Where there are contradictions, mainly about the possibility of chemical etching of tungsten and the formation and influence on the etching of the tungsten oxide, we were able to draw one conclusion, e.g. that chemical etching is possible, or indicate in which circurnstances one mechanism is valid and in which circurnstances another mechanism is valid, as in the case of the etch delaying role of tungsten oxide. We could also conclude that the arrival of the active species at the surface of the wafer is the etch rate limiting step most processes. For other processes, we have strong indications that the interaction plasma-tungsten-resist induces some phenomena which limit the etch rate. And for some other processes the removal of the etch product can be indicated as the etch rate limiting step. These conclusions are not only valid for the systems studied in this work, but also for other types of equipment / Doutorado / Doutor em Engenharia Elétrica

Orientador: Carlos Alberto dos Reis Filho / Dissertação (mestrado) - Universidade Estadual de Campinas, Faculdade de Engenharia Eletrica / Made available in DSpace on 2018-07-18T14:05:35Z (GMT). No. of bitstreams: 1 Germanovix_Walter_M.pdf: 4356348 bytes, checksum: f977be7a83c04c863a401ab70550eb47 (MD5) Previous issue date: 1993 / Resumo: Transmissores de loop de corrente, alimentados por uma unidade central, são os meios mais usados para interfaceamento de sensores remotos e equipamentos de leitura de dados, de um sistema de controle de processo. Estes transmissores fornecem um condicionamento ¿in loco¿ do sinal produzido pelo sensor, estabelecendo uma relação linear entre o sinal do sensor e a corrente de loop. O transporte de informação, por meio da modulação de insensível às corrente, tem a vantagem de ser bastante interferênciais ambientais. Alem disso, a informação pode ser facilmente lida pela central que alimenta o transmissor. Normalmente, toda unidade remota, que consiste de um transmissor de loop de corrente e um sensor, é conectada individualmente a um equipamento de leitura de dados através de um par de fios. Consequentemente quando um numero grande de sensores é envolvido, uma grande quantidade de cabos convergem para a central, causando dificuldades para a expansão e manutenção do sistema. Este trabalho descreve uma técnica de endereçamento, específica para esta aplicação, utilização que permite a utilização de apenas um par de fios do qual compartilham diversas unidades remotas. Resultados de uma montagem experimental, que inclui uma linha de transmissão de 400 m, com três unidades remotas endereçáveis são apresentados / Abstract: Not informed. / Mestrado / Mestre em Engenharia Elétrica

Orientador: Ivanil Sebastião Bonatti / Tese (doutorado) - Universidade Estadual de Campinas, Faculdade de Engenharia Eletrica / Made available in DSpace on 2018-07-18T21:28:08Z (GMT). No. of bitstreams: 1 Silva_AlexandreCesarRodriguesda_D.pdf: 7276095 bytes, checksum: d0608097ff65b897c2a32b4352060fab (MD5) Previous issue date: 1993 / Resumo: Este trabalho trata do problema de simplificação de funções booleanas e da redução de estados, em máquinas de estados finitos, modelando-os como um problema de programação matemática. Na minimização lógica, os implicantes são gerados aplicando-se o algoritmo do consenso numa árvore binária que representa a função booleana. A cobertura mínima é obtida resolvendo-se um problema de programação linear inteira 0 e 1, cuja função objetivo é a soma ponderada de todos os implicantes primos e as restrições correspondem a soma dos implicantes primos que cobrem cada mintermo da função. Na minimização de funções booleanas com múltiplas saídas o problema de cobertura mínima pode ser modelado como um problema matemático não linear dependendo do critério de otimização utilizado. o método de geração de classes de compatibilidades máximas foi utilizado para a redução de estados. A função objetivo é formulada como a soma das classes primas sujeita às restrições de cobertura e fechamento. Uma vez formulado como um problema de programação matemática, a minimização de funções booleanas e a redução de máquinas de estados se abrem para as novas técnicas desenvolvidas nessa área de pesquisa / Abstract: This work proposes a method of dealing with the problem of boolean function minimization and finite state machine reduction by modeling each of them as a mathematical programming problem. In the logic minimization, prime implicants are generated by applying the consensus algorithm in the binary decision tree that represents a boolean function. A minimal cover can then be obtained by solving an integer linear program with objective function as a weighing sum of prime implicants whose constraints are the sums of prime implicants covering each minterm. In a multiple-output boolean function minimization, a minimal cover problem may be modelled as a non-linear mathematical problem depending on the specific optimization criterion that is used. The method of generating the maximal compatibility classes has been used for the state reduction phase. The objective function is formulated as the sum of the prime classes, and the constraints are due to restrictions of covering and closure. Once formulated as a mathematical programming problem, the boolean function minimization and the state machine reduction are opened to the new techniques that have been developed in this research area / Doutorado / Doutor em Engenharia Elétrica

Orientador: Francisca Aparecida de Camargo Pires / Dissertação (mestrado) - Universidade Estadual de Campinas, Faculdade de Engenharia Elétrica / Made available in DSpace on 2018-07-19T19:04:56Z (GMT). No. of bitstreams: 1 Galan_CarladeFreitas_M.pdf: 5024291 bytes, checksum: 50f2cffdc8bf1beff0f2ec53872f5be5 (MD5) Previous issue date: 1994 / Resumo: Este trabalho tem por objetivo o desenvolvimento de uma ferramenta didática, baseada em circuitos integrados para a simulação analógica de linhas de transmissão. Os resultados obtidos proporcionam uma análise quantitativa das tensões e correntes presentes ao longo de uma linha de transmissão. Realizar uma Simulação Analógica de uma Linha de Transmissão requer a escolha do modelo para representá-la e dispor dos parâmetros estimados da mesma. Neste sentido, foi feito um estudo das Linhas de Transmissão com a finalidade de determinar o modelo a ser implementado. Assim como, realizou-se um estudo das configurações possíveis de serem obtidas através de Amplificadores Operacionais. Na implementação foram consideradas as relações entre as equações dos parâmetros da linha s das aplicações com operacionais, fazendo-se uma analogia, bem como, uma equivalência das grandezas envolvidas na Linha de Transmissão e no hardware desenvolvido. Para implementar o circuito proposto, utilizou-se como exemplo três linhas reais, do sistema ANDE/ITAIPU, sendo uma curta, uma média e uma longa. Os resultados foram verificados através de cálculos analógicos e simulações no software SPICE íd2, tanto das linhas reais como do circuito projetado. Tais resultados mostraram-se adequados aos propósitos iniciais deste presente trabalho / Abstract: The main goal of this work was the development of a didatic tool, based on integrated circuits, for the analog simulation of transmission lines. The obtained results allow for a quantitative analysis of the currents and voltages along the line. Initially, a study of transmission line models were carried out. As the circuit was implemented with operational amplifiers based cells, this components and its basic configurations were also analysed. The basic idea of the circuit, was to simulate each transmission line equation by a suitable operational amplifier based circuit, in wich the mathematical relation between output and input voltages were the same of the equation being represented. The units of the quantities being represented were scaled to be compatible with the voltage levels present at the simulating circuit. To test the circuit, comparisons were made between circuit analysis, SPICE simulations and the results provided by the circuit for three real lines, a short, a medium and a long one, chosen from the ANDE/ITAIPU system. Good concordancy were achieved for all cases and the circuit has considered to have fulfilled the initial proposal of the project / Mestrado / Mestre em Engenharia Elétrica