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Projeto de inversor por fonte de tensão para motores trifasicos de indução tipo gaiola de esquilo

Sanchez, Victor Armando Bravo 21 January 1993 (has links)
Orientador: Jaime Szajner / Dissertação (mestrado) - Universidade Estadual de Campinas, Faculdade de Engenharia Eletrica / Made available in DSpace on 2018-07-18T05:10:29Z (GMT). No. of bitstreams: 1 Sanchez_VictorArmandoBravo_M.pdf: 8064529 bytes, checksum: 0a2288cc0dcb7fd93e053d837265adda (MD5) Previous issue date: 1993 / Resumo: Está em desenvolvimento no Laboratório de Engenharia de Computação e Automação Industrial (LCA) um protótipo de veículo autoguiado (AGV) controlado por computador. Este tipo de veículo tem diversas aplicações dentro de ambientes industriais automatizados onde se comunica com um computador supervisor para receber instruções e efetuar diversas tarefas no processo de produção. Sua aplicação pode ser também levada a outras atividades produtivas como no setor de minério, em ambientes de alto risco ou em atividades de exploração submarina de petróleo. o desenvolvimento deste tipo de veículo é complexo, necessitando do trabalho em equipe de vários grupos de desenvolvimento, integrando a utilização do conhecimento de técnicas em diversas áreas de Engenharia, o protótipo do AGV indicado é formado por um sistema de tração. sistema de direção, unidade controladora de tração e direção, sistema de aquisição de dados e unidade sensora. Os equipamentos desenvolvidos correspondentes aos sistemas de tração e direção têm as seguintes partes: inversor, placas de circuitos de comando com acoplamentos óptico e magnético, placas de circuitos de proteção contra sobretensões e curto-circuitos, e fonte auxiliar do tipo chaveado. Neste trabalho é apresentada a fundamentação teórica e metodologia usada na análise e elaboração do projeto de cada parte dos equipamentos envolvidos no sistema de acionamento, para os quais utilizaram-se pacotes de simulação; os resultados obtidos foram usados na fase inicial do projeto. São apresentados também os resultados experimentais, indicando-se os ajustes feitos em bancada. as limitações e as diversas mudanças feitas para obter o comportamento desejado nos equipamentos desenvolvidos / Abstract: Presently a prototype of an AGV (Automated Guided VehicIe) controlled b) computer is under development at LCA (Computer Engineering and Industrial Automation Laboratory) at UNICAMP. This type of vehicle has many applications in automated industrial environments where it can carry out several tasks related with the production processess. To do so it receives instructions from a supervlsory computer through a communication network. Its application can be extended to other productive activities like ln milling and at hazardous environments that offer high human life risks. It can also be used for submarine exploitation of petroleum. The development of such kind of vehicle is very complex and requires several groups of work since it involves many branches of Engineering knowledge. The AGV vehicle incorporates a traction system, a steering system, controI units for traction and steering, a data acquisition system and sensor units. The traction and steering systems developed are composed by the following parts: inverter, controller circuit boards with opto and magnetic couplers, overcurrent and overvoltage protection circuit board and auxiliary switching type power supplies. This work presents the theoretical fundaments and the methodology used in the analysis and design of each part of the equipment. Results of digital simulations were used at the first stage of the project. Finally the experimental results are presented showing the adjustments done at lab and the limitations and the solutions used to get the desired behavior of the prototype / Mestrado / Mestre em Engenharia Elétrica
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Projeto de circuitos eletronicos com estatistica

Silva Filho, Mario Vaz 17 June 1998 (has links)
Orientador: Alberto Martins Jorge / Tese (doutorado) - Universidade Estadual de Campinas, Faculdade de Engenharia Eletrica e de Computação / Made available in DSpace on 2018-07-26T07:22:06Z (GMT). No. of bitstreams: 1 SilvaFilho_MarioVaz_D.pdf: 8319871 bytes, checksum: 120b605cdaf82924dba11c4880707d21 (MD5) Previous issue date: 1998 / Resumo: Apresenta-se uma proposta de metodologia de projeto de circuitos eletrônicos, baseada no uso de programas de computador para simulação de circuitos e tratamento estatístico de dados, que busca garantir qualidade de produto no projeto. Se baseia em recursos computacionais da área de Física de Altas Energias, que possibilitam custo baixo, modularidade e adaptabilidade altas, e acesso livre ao software de projeto, possibilitando uma ampla gama de aplicações em ensino e desenvolvimento de projeto de circuitos. Isto é demonstrado no programa CPSPICE, criado para simulação de circuitos eletrônicos com estatística pelo método de Monte Carlo, para ser executado em computadores paralelos sob sistema operacional UNIX em comunicação segundo protocolo TCP/ IP. Utiliza as bibliotecas CPS ¿ Software para Processos Cooperativos, para tornar paralelos e cooperativos processos independentes, e CERNLIB, para a análise estatística de dados. E os programas SPICE, para a simulação de circuitos eletrônicos e PAW ¿ Physics Analysis Workstation, para análise e visualização gráfica dos resultados da simulação por Monte Carlo. Os resultados das simulações pelo SPICE são escritos em disco ou fitas magnéticas como arquivos de n-tuplas, para serem processados pelo programa HBOOK em modo ¿batch¿ ou interativamente pelo programa PAW ¿ Physics Analysis Workstation. Estes programas também permitem a documentação do projeto com alta qualidade gráfica. ...Observação: O resumo, na íntegra, poderá ser visualizado no texto completo da tese digital / Abstract: This thesis presents a circuit design methodology aimed to guarantee at design level the quality of production in a well-controlled environment. It is based on computer programs for circuit simulation and statistical data processing. The use of computational resources from High Energy ¿ HEP allows low cost, high modularity and adaptability, and free access to the software developed, opening a broad range of applications in teaching and circuit design. This is demonstrated with CPSPICE, our electronic circuit statistical simulation program developed to run in a parallel environment under UNIX operating system and TCP/ IP communications protocol using CPS ¿ Cooperative Processes Software. Also used are SPICE, an electronic circuit simulation program and CERNLIB software package, including PAW ¿ Physics Aalysis Workstation. CPSPICE simulates electronic circuits by Monte Carlo method, through several different processes running simultaneously SPICE in UNIX parallel computers or workstation farms. Data transfer between CPS processes for a modified version of SPICE2G6 is done by RAM memory, but can also be done through hard disk or tape files if no source files are available for the simulator, and for bigger simulation output files. Simulation results are written in a HBOOK file as n-tuples, to be examined by programs like HBOOK in batch mode or interactively by PAW ¿ Physics Analysis Workstation. ...Note: The complete abstract is available with the full electronic digital thesis or dissertations / Doutorado / Eletrônica, Microeletrônica e Optoeletrônica / Doutor em Engenharia Elétrica
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Estrutura Eletrônica de Impurezas Simples e Complexas Envolvendo Átomos Leves em GaAs / Electronic structure of simple and complex impurities involving light atoms in GaAs

Muñoz, Walter Manuel Orellana 28 November 1997 (has links)
Apresentamos cálculos de primeiros princípios da geometria atômica, energia de formação e estrutura eletrônica para as impurezas substitucionais de oxigênio e nitrogênio em GaAs (\'O IND. aS1\'\'N IND.As \'e \'N IND. Ga\'). Também estudamos a geometria atômica e estrutura eletrônica dos complexos neutros formados pelas mesmas impurezas substitucionais e átomos de hidrogênio intersticial (\'O IND. As-H\',\'N IND. As-H\',\'N IND. Ga-H\', \'N IND. As-H IND.2\' e \'N IND. Ga-H IND 2\'). Nossos resultados para os centros \'O IND. As\'e \'N IND. Ga\', em diferentes estados de carga, mostram distorções Jahn-Teller as quais induzem estados de carga não estáveis, observando-se um comportamento U-negativo para cada centro. Entretanto para o centro \'N IND. As\' não foram observadas distorções. Em todos os sistemas estudados, as impurezas introduzem níveis profundos no gap. Para os complexos O-H e N-H foram encontradas várias configurações metaestáveis, correspondentes a diferentes posições de equilíbrio do átomo de hidrogênio, as quais apresentam energias entre 0.5 e 2.5 e V relativas à configuração estável. Na configuração estável do complexo \'O IND. As-H\', oxigênio não interage diretamente com hidrogênio, ligando-se a três gálios primeiros vizinhos. Entretanto para os complexos \'N IND. As-H\' e \'N IND. Ga\'-Hg\' é observada a formação de um dímero NH ligado à rede. Para os complexos N-\'H IND. 2\' também são encontradas várias configurações metaestáveis. O complexo\'N IND. As\'-\'H IND. 2\' apresenta uma configuração estável onde um dos hidrogênios forma o dímero NH, enquanto que o segundo fica ligado a um gálio primeiro vizinho, em simetria \'C IND. 3 v\'. Para o complexo \'N IND. Ga\'-\'H IND.2\' é observada a formação de uma molécula do tipo N\'H IND.2\', a qual também se liga à rede. As propriedades passivadora e ativadora do átomo de hidrogênio, como também sua interação com os níveis no gap, são discutidas para cada complexo / We report first-principles calculations of the electronic structure, atomic geometry and formation energy for the isolated oxygen and nitrogen substitutional impurities in GaAs (OA, NA, and Naa)· Also we performed electronic structure and atomic geometry calculations for the neutra! complexes formed by the same substitutional impurities and interstitial hydrogen atoms (O A,-H,NA,-H, Naa-H, Nk,-H2 and Naa-H2). Our results for the O ko and Naa centers for different charge states show Jahn-Telier distortions which induce unstable charge states, implying in a nega tive-U behaviour for each center. The NA-< center remains on-site for ali the charge states studied. Ali the substitutional impurity give rise deep leveis in the gap. For the 0-H and N-H complexes we found severa! metastable configurations related to different hydrogen equilibrium positions, with energies ranging from 0.5 to 2.5 eV relative to the stable configuration. The stable configuration for the O A,-H complex shows a weak interaction between oxygen and hydrogen, while for the NA,-H and Naa-H complexes it shows the formation of a N H dimer which is bonded to the lattice. For the N-H2 complexes we also found severa! metastable configuration. The stable configuration for the Nk,-H2 complex shows one H atom fonning a N H dimer wit.h nitrogen, while the second one bonds with a nearestneighbour Ga atom, in C3, symmetry. For the Naa·H2 complex we observed the formation o f a N H T like molecule ais o bonded to the lattice. The passivation and activation properties related to hydrogen atom and their interaction with the gap leveis are discussed.
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Desenvolvimento de sistemas portáteis de monitoramento eletroquímico. / Development of portables electrochemical monitoring systems.

Juliana Lopes Cardoso 01 March 2007 (has links)
Este trabalho detalha o desenvolvimento de dois sistemas portáteis de detecção eletroquímica, desde sua construção até a aplicação das técnicas. As técnicas de detecção eletroquímica apresentam diversas vantagens, em relação a outros métodos de detecção, como boa sensibilidade, boa seletividade, ampla aplicabilidade e baixo custo de manutenção do equipamento. Neste trabalho foram aplicadas as técnicas de voltametria cíclica e voltametria por pulso diferencial. Os potenciostatos são os circuitos tipicamente utilizados para proceder a varredura de potencial em celas eletroquímicas, ao mesmo tempo em que fazem a leitura da corrente proveniente da reação. Estes circuitos geram tensão proporcional a corrente medida, através de amplificadores operacionais, cujo ganho é variado conforme a intensidade da corrente. Buscando conseguir um sistema sensível e seletivo foi desenvolvido um multipotenciostato, agregando quatro circuitos de potenciostato. As análises voltamétricas realizadas com esse sistema apresentaram resultados comparáveis a equipamentos comerciais, sendo limitados em correntes até unidades de micro-ampères. Visando atingir correntes ainda menores, desenvolveu-se um sistema que fosse menos influenciado por ruídos de diversas naturezas, isolando o circuito do potenciostato. Assim, utilizando um potenciostato opto-acoplado, foi possível detectar correntes da ordem de nano-ampères. Para a utilização destes potenciostatos foram utilizados dois tipos de interface. Utilizando sistemas de aquisição de dados comerciais e instrumentos virtuais, foi desenvolvida a interface de comunicação e controle do multipotenciostato. Buscando tornar todo o sistema de aquisição portátil, foi desenvolvido um sistema de aquisição microcontrolado dedicado, também interfaceado por instrumentos virtuais. Os sistemas desenvolvidos visam aplicações ambientais e biomédicas. / This work presents the development of two different portable electrochemical detection systems. Both systems are applicable in environment and biomedical areas. The electrochemical detection techniques have many interesting advantages, when compared to other detections techniques, such as good sensitivity, good selectivity, and low maintenance cost. The detections techniques used were cyclic voltammetry and differential pulse voltammetry. Potentiostats are circuits used to scan potential in electrochemical cells while acquire the reaction current. Those circuits convert the measured current into voltage by operational amplifiers, whose gain changes with the current intensity. In order to achieve a selective and sensitive system, it was developed a multipotentiostat, joining four potentiostat circuits. The analysis done with this system showed results comparable to commercial equipments, but limited to microampere currents. Intending to detect lower currents, it was developed a noise-protected system, isolating the potentiostat. Therefore, using an optic-coupled potentiostat, it was detected nano-ampère currents. Two different interfaces were used to control these potentiostats. Using commercial data acquisition systems and virtual instruments, it was implemented a control and data view multipotentiostat interface. Aiming a whole portable acquisition system, it has been developed a dedicated microcontrolled acquisition system with also a virtual instrument interface.
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ESTRUTURA ELETRONICA DE IMPUREZAS ISOLADAS DE BORO E DOS PARES DE IMPUREZAS BORO-SILICIO E METAL DE TRANSICAO-VACANCIA EM CRISTAL DE GaAs / Electron structure of boron-isolated impurities and pairs of boron-silicon and transition metal impurities - vacancy in \'GA\'AS\'

Franca, Ecio Jose 23 February 1996 (has links)
Apresentamos aqui resultados de propriedades eletrônicas relacionadas à defeitos complexos em GaAs. Os cálculos autoconsistentes da estrutura eletrônica foram feitos usando o método do espalhamento múltiplo X a junto com o modelo do aglomerado molecular e com os orbitais de superfície saturados com a esfera de Watson. / We repor! resu/ts for e/ectronic properties related to complex defects in GaAs. The self-consistent-fie/d electronic structure ca/culations were performed by using the multiplescattering X a method within framework of Watson-sphere-terminated molecular cluster model. We have simulated, first, the electronic states of the 26-atom clusters: 26Td/1As (tetrahedral interstitial As centered cluster), 26Td/1Ga (tetrahedral interslitial Ga cenlered clusle!) and 26C3v (trigonal cluster centered in the middle of a Ga-As bond).
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Desenvolvimento de sistemas portáteis de monitoramento eletroquímico. / Development of portables electrochemical monitoring systems.

Cardoso, Juliana Lopes 01 March 2007 (has links)
Este trabalho detalha o desenvolvimento de dois sistemas portáteis de detecção eletroquímica, desde sua construção até a aplicação das técnicas. As técnicas de detecção eletroquímica apresentam diversas vantagens, em relação a outros métodos de detecção, como boa sensibilidade, boa seletividade, ampla aplicabilidade e baixo custo de manutenção do equipamento. Neste trabalho foram aplicadas as técnicas de voltametria cíclica e voltametria por pulso diferencial. Os potenciostatos são os circuitos tipicamente utilizados para proceder a varredura de potencial em celas eletroquímicas, ao mesmo tempo em que fazem a leitura da corrente proveniente da reação. Estes circuitos geram tensão proporcional a corrente medida, através de amplificadores operacionais, cujo ganho é variado conforme a intensidade da corrente. Buscando conseguir um sistema sensível e seletivo foi desenvolvido um multipotenciostato, agregando quatro circuitos de potenciostato. As análises voltamétricas realizadas com esse sistema apresentaram resultados comparáveis a equipamentos comerciais, sendo limitados em correntes até unidades de micro-ampères. Visando atingir correntes ainda menores, desenvolveu-se um sistema que fosse menos influenciado por ruídos de diversas naturezas, isolando o circuito do potenciostato. Assim, utilizando um potenciostato opto-acoplado, foi possível detectar correntes da ordem de nano-ampères. Para a utilização destes potenciostatos foram utilizados dois tipos de interface. Utilizando sistemas de aquisição de dados comerciais e instrumentos virtuais, foi desenvolvida a interface de comunicação e controle do multipotenciostato. Buscando tornar todo o sistema de aquisição portátil, foi desenvolvido um sistema de aquisição microcontrolado dedicado, também interfaceado por instrumentos virtuais. Os sistemas desenvolvidos visam aplicações ambientais e biomédicas. / This work presents the development of two different portable electrochemical detection systems. Both systems are applicable in environment and biomedical areas. The electrochemical detection techniques have many interesting advantages, when compared to other detections techniques, such as good sensitivity, good selectivity, and low maintenance cost. The detections techniques used were cyclic voltammetry and differential pulse voltammetry. Potentiostats are circuits used to scan potential in electrochemical cells while acquire the reaction current. Those circuits convert the measured current into voltage by operational amplifiers, whose gain changes with the current intensity. In order to achieve a selective and sensitive system, it was developed a multipotentiostat, joining four potentiostat circuits. The analysis done with this system showed results comparable to commercial equipments, but limited to microampere currents. Intending to detect lower currents, it was developed a noise-protected system, isolating the potentiostat. Therefore, using an optic-coupled potentiostat, it was detected nano-ampère currents. Two different interfaces were used to control these potentiostats. Using commercial data acquisition systems and virtual instruments, it was implemented a control and data view multipotentiostat interface. Aiming a whole portable acquisition system, it has been developed a dedicated microcontrolled acquisition system with also a virtual instrument interface.
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Caos homoclínico no espaço dos parâmetros / Homoclinic chaos in the parameter space

Medrano-Torricos, Rene Orlando 26 November 2004 (has links)
Nesta tese analisamos o comportamento dinâmico, no espaço elos parâmetros, ele duas versões elo circuito eletrônico Double Scroll, descritas por sistemas, não integráveis, de equações diferenciais lineares por partes. A diferença entre esses circuitos reside na curva característica ela resistência negativa, uma contínua e a outra descontínua. O circuito Double Scroll é conhecido por apresentar comportamento caótico associado à existência ele órbitas homoclínicas. Desenvolvemos métodos numéricos para identificar distintos atratores periódicos e caóticos nesses circuitos. Realizamos um estudo completo elas variedades que esses sistemas apresentam, onde demonstramos que o circuito descontínuo não pode formar órbitas homoclínicas. Desenvolvemos um método geral para obter órbitas homoclínicas e heteroclínicas em sistemas lineares por partes. Esse método foi utilizado no circuito contínuo para identificar famílias ele órbitas homoclínicas no espaço elos parâmetros. Fazemos um estudo teórico sobre as órbitas homoclínicas, baseado no teorema ele Shilnikov, e determinamos a lei ele escala geral que descreve as acumulações elas infinitas órbitas homoclínicas no espaço elos parâmetros. Utilizando o método ele detecção ele órbitas homoclínicas, comprovamos, em distintos tipos ele órbitas homoclínicas, a validade dessa lei para o circuito Double Scroll contínuo. Além do mais, através da geometria apresentada pelas famílias ele órbitas homoclínicas que identificamos e ela teoria que permitiu demonstrar a lei ele escala, mostramos a existência ele estruturas ele órbitas homoclínicas que explicam o cenário homoclínico do espaço elos parâmetros. Essas estruturas estão presentes em todos os sistemas para os quais o teorema ele Shilnikov se aplica. Finalmente, sugerimos três experimentos para verificar a existência dessas órbitas e a relação delas com a dinâmica elo sistema. / In this thesis we study the dynamic behavior, in the parameter space, of two versions of the Double Scroll electronic circuit, whose flows are represented by piecewise non integrable systems. The difference between these circuits is the characteristic curves of the negative resistance, one continuous and the other discontinuous. The Double Scroll circuit is known to present chaotic behavior associated to the existence of homoclinic orbits. We develop numerical methods to identify periodic and chaotic attractors in these circuits. We present a complete study of these systems manifolds and demonstrate that the discontinuous circuit cannot form homoclinic orbits. We develop a general method to obtain homoclinic and heteroclinic orbits in piecewise linear systems. This method was used in the continuous circuit to identify homoclinic orbit families in the parameter space. We develop a theoretical study about the homoclinic orbits based on the Shilnikov theorem, determining a general scaling law that describes the accumulations of the infinity homoclinic orbits in the parameter space. Using the detecting homoclinic orbits method, we show the validity of this law for the continuous Double Scroll circuit. Moreover, combining the geometry of the homoclinic or bit families with the scaling law, we show the existence of homoclinic orbits structures of the homoclinic orbits that explain the homoclinic scenario in the parameter space. These structures are present in all systems for which we can apply the Shilnikov theorem. Finally, we suggest three experiments to verify the existence of these orbits and their relation with the system dynamics.
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ESTRUTURA ELETRONICA DE IMPUREZAS ISOLADAS DE BORO E DOS PARES DE IMPUREZAS BORO-SILICIO E METAL DE TRANSICAO-VACANCIA EM CRISTAL DE GaAs / Electron structure of boron-isolated impurities and pairs of boron-silicon and transition metal impurities - vacancy in \'GA\'AS\'

Ecio Jose Franca 23 February 1996 (has links)
Apresentamos aqui resultados de propriedades eletrônicas relacionadas à defeitos complexos em GaAs. Os cálculos autoconsistentes da estrutura eletrônica foram feitos usando o método do espalhamento múltiplo X a junto com o modelo do aglomerado molecular e com os orbitais de superfície saturados com a esfera de Watson. / We repor! resu/ts for e/ectronic properties related to complex defects in GaAs. The self-consistent-fie/d electronic structure ca/culations were performed by using the multiplescattering X a method within framework of Watson-sphere-terminated molecular cluster model. We have simulated, first, the electronic states of the 26-atom clusters: 26Td/1As (tetrahedral interstitial As centered cluster), 26Td/1Ga (tetrahedral interslitial Ga cenlered clusle!) and 26C3v (trigonal cluster centered in the middle of a Ga-As bond).
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Estrutura Eletrônica de Impurezas Simples e Complexas Envolvendo Átomos Leves em GaAs / Electronic structure of simple and complex impurities involving light atoms in GaAs

Walter Manuel Orellana Muñoz 28 November 1997 (has links)
Apresentamos cálculos de primeiros princípios da geometria atômica, energia de formação e estrutura eletrônica para as impurezas substitucionais de oxigênio e nitrogênio em GaAs (\'O IND. aS1\'\'N IND.As \'e \'N IND. Ga\'). Também estudamos a geometria atômica e estrutura eletrônica dos complexos neutros formados pelas mesmas impurezas substitucionais e átomos de hidrogênio intersticial (\'O IND. As-H\',\'N IND. As-H\',\'N IND. Ga-H\', \'N IND. As-H IND.2\' e \'N IND. Ga-H IND 2\'). Nossos resultados para os centros \'O IND. As\'e \'N IND. Ga\', em diferentes estados de carga, mostram distorções Jahn-Teller as quais induzem estados de carga não estáveis, observando-se um comportamento U-negativo para cada centro. Entretanto para o centro \'N IND. As\' não foram observadas distorções. Em todos os sistemas estudados, as impurezas introduzem níveis profundos no gap. Para os complexos O-H e N-H foram encontradas várias configurações metaestáveis, correspondentes a diferentes posições de equilíbrio do átomo de hidrogênio, as quais apresentam energias entre 0.5 e 2.5 e V relativas à configuração estável. Na configuração estável do complexo \'O IND. As-H\', oxigênio não interage diretamente com hidrogênio, ligando-se a três gálios primeiros vizinhos. Entretanto para os complexos \'N IND. As-H\' e \'N IND. Ga\'-Hg\' é observada a formação de um dímero NH ligado à rede. Para os complexos N-\'H IND. 2\' também são encontradas várias configurações metaestáveis. O complexo\'N IND. As\'-\'H IND. 2\' apresenta uma configuração estável onde um dos hidrogênios forma o dímero NH, enquanto que o segundo fica ligado a um gálio primeiro vizinho, em simetria \'C IND. 3 v\'. Para o complexo \'N IND. Ga\'-\'H IND.2\' é observada a formação de uma molécula do tipo N\'H IND.2\', a qual também se liga à rede. As propriedades passivadora e ativadora do átomo de hidrogênio, como também sua interação com os níveis no gap, são discutidas para cada complexo / We report first-principles calculations of the electronic structure, atomic geometry and formation energy for the isolated oxygen and nitrogen substitutional impurities in GaAs (OA, NA, and Naa)· Also we performed electronic structure and atomic geometry calculations for the neutra! complexes formed by the same substitutional impurities and interstitial hydrogen atoms (O A,-H,NA,-H, Naa-H, Nk,-H2 and Naa-H2). Our results for the O ko and Naa centers for different charge states show Jahn-Telier distortions which induce unstable charge states, implying in a nega tive-U behaviour for each center. The NA-< center remains on-site for ali the charge states studied. Ali the substitutional impurity give rise deep leveis in the gap. For the 0-H and N-H complexes we found severa! metastable configurations related to different hydrogen equilibrium positions, with energies ranging from 0.5 to 2.5 eV relative to the stable configuration. The stable configuration for the O A,-H complex shows a weak interaction between oxygen and hydrogen, while for the NA,-H and Naa-H complexes it shows the formation of a N H dimer which is bonded to the lattice. For the N-H2 complexes we also found severa! metastable configuration. The stable configuration for the Nk,-H2 complex shows one H atom fonning a N H dimer wit.h nitrogen, while the second one bonds with a nearestneighbour Ga atom, in C3, symmetry. For the Naa·H2 complex we observed the formation o f a N H T like molecule ais o bonded to the lattice. The passivation and activation properties related to hydrogen atom and their interaction with the gap leveis are discussed.
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Conversor CC-CC ZVS em ponte completa para aplicação em máquinas de soldagem processo eletrodo revestido /

Santos, Alexandre José Araujo dos, 1969-, Peres, Adriano, 1969-, Oliveira, Sérgio Vidal Garcia, 1974-, Universidade Regional de Blumenau. Programa de Pós-Graduação em Engenharia Elétrica. January 2010 (has links) (PDF)
Orientador: Adriano Peres. / Co-orientador: Sérgio Vidal Garcia Oliveira. / Dissertação (mestrado) - Universidade Regional de Blumenau, Centro de Ciências Tecnológicas, Programa de Pós-Graduação em Engenharia Elétrica.

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