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21	Diagnostika polovodičových materiálů metodou EBIC / Diagnostic of semiconductor materials by EBIC method Davidová, Lenka January 2017 (has links) Master´s thesis is focused on diagnostics of semiconductor materials by EBIC method (measuring of currents induced beam), determination of the lifetime of minority carriers, or their diffusion length. The theoretical part is aimed at the principle of scanning electron microscopy, the characteristic properties of the microscope and the signals generated by the interaction of the primary electron beam with the sample. The thesis describes a structure of semiconducting silicon, band models, types of lattice defects and doped of semiconductor structures. After that it is described the theory of calculation of the diffusion length of minority carriers in semiconductors of type N and P. The aim of the experiment part of the thesis is to measure the properties of the semiconductor structure by EBIC and determination of diffusion length and lifetime of minority charge carriers based on the measured data The aim of the experiment part of the thesis is to measure the properties of the semiconductor structure by EBIC and determination of diffusion length and lifetime of minority charge carriers on the basis of the measured data.
22	Electronic Transport in Functional Materials and Two-Dimensional Hole System Liu, Shuhao 01 June 2018 (has links) No description available. Low Temperature Physics Physics Condensed Matter Physics Halide perovskite Solar cell Scanning photocurrent microscopy Diffusion length Tin selenide Thermoelectric 2D material Chemical vapor deposition Two-dimensional hole gas GaAs quantum well Metallic state
23	Defekte im Bodenbereich blockerstarrten Solar-Siliziums Ghosh, Michael 24 June 2010 (has links) (PDF) Etwa die Hälfte aller Solarzellen weltweit wird aus blockerstarrtem Silizium hergestellt. Derartige Blöcke weisen in ihren Außenbereichen eine verringerte Diffusionslänge der Minoritätsladungsträger auf. Um die Ursache dafür im Fall des bodennahen Bereichs zu bestimmen wurden zwei Spezialblöcke (ein Block mit reduzierter Bor-Dotierung und ein Block mit Phosphor-Dotierung) - u. a. mittels DLTS und FTIR - auf Kristalldefekte untersucht. Zusätzlich zu Dotierelementen (B, P, Al, As) wurden im Bodenbereich folgende Defekte nachgewiesen: <u>Metalle</u>: Fe, Cr <u>Sauerstoffhaltige Defekte</u>: Interstitieller Sauerstoff, Thermische Donatoren (TD), O1, O2 <u>Stickstoffhaltige Defekte</u>: NN-Paar, NNO-Komplex, Shallow Thermal Donors (STD) <u>Ausgedehnte Defekte</u>: Versetzungen, Ausscheidungen, Korngrenzen. Die Verteilung der flachen Donatoren (P, TD, STD, As) und Akzeptoren (B, Al) bestimmt den Widerstandsverlauf im bodennahen Bereich des Phosphor dotierten Spezialblocks. Das dortige Diffusionslängenprofil kann im Rahmen der Shockley-Read-Hall-Statistik erst durch eine Erhöhung des Minoritätseinfangquerschnitts für das Cr-Niveau (Faktor 5) bzw. für das STD-Niveau (Faktor 10) nachgezeichnet werden. Eisen, Versetzungen und Korngrenzen haben hier keinen wesentlichen Einfluss. In den untersten Millimetern des Spezialblocks müssen weitere Defekte hinzukommen, die die Diffusionslänge zusätzlich reduzieren; Thermische Donatoren und O1 und eventuell Ausscheidungen kommen dazu in Frage. Die sinngemäße Übertragung der Konzentrationsverläufe aus den beiden Spezialblöcken auf einen Block mit einer produktionsüblichen Dotierung ([B]≈10<sup><small>16</small></sup>/cm<sup><small>3</small></sup>) ergibt, dass in diesem Fall verschiedene Defekte (TD, STD, CrB und FeB) einen Beitrag zur Diffusionslängenreduktion im bodennahen Blockbereich liefern. Silizium Blockerstarrung multikristallin Rekombination Lebensdauer Diffusionslänge Defekt Shockley-Read-Hall Statistik Thermischer Donator Shallow Thermal Donor Sauerstoff FeB DLTS FTIR Solarzelle silicon ingot multicrystalline recombination lifetime diffusion length defect Shockley-Read-Hall statistics Thermal Donor Shallow Thermal Donor oxygen FeB DLTS FTIR solar cell ddc:540 rvk:VN 6057 rvk:UQ 2400 rvk:VH 8021
24	Defekte im Bodenbereich blockerstarrten Solar-Siliziums: Identifikation, Verteilung und elektrischer Einfluss Ghosh, Michael 03 July 2009 (has links) Etwa die Hälfte aller Solarzellen weltweit wird aus blockerstarrtem Silizium hergestellt. Derartige Blöcke weisen in ihren Außenbereichen eine verringerte Diffusionslänge der Minoritätsladungsträger auf. Um die Ursache dafür im Fall des bodennahen Bereichs zu bestimmen wurden zwei Spezialblöcke (ein Block mit reduzierter Bor-Dotierung und ein Block mit Phosphor-Dotierung) - u. a. mittels DLTS und FTIR - auf Kristalldefekte untersucht. Zusätzlich zu Dotierelementen (B, P, Al, As) wurden im Bodenbereich folgende Defekte nachgewiesen: <u>Metalle</u>: Fe, Cr <u>Sauerstoffhaltige Defekte</u>: Interstitieller Sauerstoff, Thermische Donatoren (TD), O1, O2 <u>Stickstoffhaltige Defekte</u>: NN-Paar, NNO-Komplex, Shallow Thermal Donors (STD) <u>Ausgedehnte Defekte</u>: Versetzungen, Ausscheidungen, Korngrenzen. Die Verteilung der flachen Donatoren (P, TD, STD, As) und Akzeptoren (B, Al) bestimmt den Widerstandsverlauf im bodennahen Bereich des Phosphor dotierten Spezialblocks. Das dortige Diffusionslängenprofil kann im Rahmen der Shockley-Read-Hall-Statistik erst durch eine Erhöhung des Minoritätseinfangquerschnitts für das Cr-Niveau (Faktor 5) bzw. für das STD-Niveau (Faktor 10) nachgezeichnet werden. Eisen, Versetzungen und Korngrenzen haben hier keinen wesentlichen Einfluss. In den untersten Millimetern des Spezialblocks müssen weitere Defekte hinzukommen, die die Diffusionslänge zusätzlich reduzieren; Thermische Donatoren und O1 und eventuell Ausscheidungen kommen dazu in Frage. Die sinngemäße Übertragung der Konzentrationsverläufe aus den beiden Spezialblöcken auf einen Block mit einer produktionsüblichen Dotierung ([B]≈10<sup><small>16</small></sup>/cm<sup><small>3</small></sup>) ergibt, dass in diesem Fall verschiedene Defekte (TD, STD, CrB und FeB) einen Beitrag zur Diffusionslängenreduktion im bodennahen Blockbereich liefern. info:eu-repo/classification/ddc/540 ddc:540

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