Mémoire de maîtrise--Histoire de l'art--Paris 4, 1991. / Bibliogr. p. 139-153.

DEA--Histoire de l'art--Paris 4, [1992]. / Bibliogr. p. 174-178.

Mém. de maîtrise--Histoire de l'art--Poitiers, 1999.

Texte remanié de: Dissertation--Philosophisch-historischen Fakultät--Universität Bern, 1996. / Bibliogr. p. 201-214.

Proefschrift--Universiteit Utrecht, 1998. / Mention parallèle de titre ou de responsabilité : Dutch art through prints : studies in reproductive printmaking in the second half of the seventeeth century... Résumé en anglais. Bibliogr. p. 191-207. Index.

Texte remanié de: Diss.--Fachbereich Kunst- und Kulturgeschichte--Hamburg--Universität Hamburg, 19.

Ce travail de thèse s'inscrit dans le cadre des recherches avancées pour l'élaboration de la grille en silicium amorphe, pour les applications CMOS sub-0,1 µm. Cette étude a été menée sur la plate-forme de gravure du CNET, équipée de différents outils de caractérisation installés in situ. Dans un premier temps, nous avons développé un procédé de gravure à base de HBr/O2 permettant d'assurer une bonne anisotropie de gravure tout en ne générant aucun perçage de l'oxyde de grille très mince (< 2 nm). Au cours de l'optimisation de ce procédé, nous avons observé une augmentation de l'épaisseur de l'oxyde de grille. Grâce à différentes techniques d'analyses, nous avons montré que cette augmentation d'épaisseur est due à une oxydation et une amorphisation partielle du substrat de silicium sous l'oxyde de grille. Le deuxième volet de ce travail a porté sur une étude physico-chimique de la couche de passivation formée sur les flancs de la grille. Cette couche permet d'assurer l'anisotropie de gravure en bloquant toute gravure latérale. Par des analyses XPS, nous avons montré qu'elle se forme dès l'étape de gravure principale. Elle est constituée d'un 'sous' oxyde de silicium bromé. Pendant l'étape de surgravure, cette couche se densifie par substitution du brome par des atomes d'oxygène. Nous avons également montré que sa formation dépend fortement de la chimie utilisée, de l'énergie des ions, de la durée de la surgravure et de la dilution en oxygène. Des observations au microscope électronique à transmission ont révélé que cette couche est plus épaisse au sommet qu'au pied de la grille, favorisant ainsi l'apparition de défaut sous forme d'encoche au pied de la grille, le 'notching'.

Le verre est un matériau prometteur qu'on retrouve dans de nombreuses applications en photonique et en optoélectronique. Au cours de la dernière décennie, un intérêt croissant a été porté sur ce matériau pour la fabrication de micro système électro-mécanique. Les méthodes conventionnelles de micro-usinage de verre sont trop lents, et l'ablation laser conduit à des fissures et une rugosité élevée. Dans ce contexte, le verre photosensible, tels que le Foturan(TM), offrent des avantages notables dans la fabrication de microstructures à deux ou trois dimensions. Pour aborder le problème de fabrication rapide de ces microstructures à faible rugosité, nous avons entrepris une étude de micro-usinage de Foturan(TM) avec un laser excimère ARF ([lambda] = 193 nm ). À notre connaissance, c'est la plus courte longueur d'onde laser jamais utilisée pour l'irradiation du Foturan(TM). Cette technique de micro-usinage se compose de trois grandes étapes: (1) Irradiation laser. (2) traitement thermique et, (3) gravure humide pour éliminer le volume de zones irradiés et recuit. En raison de la forte absorption optique à 193 nm, on s'attendait à ce qu'un meilleur contrôle pourrait être réalisé de l'usinage de la surface par rapport aux résultats précédemment obtenus avec des lasers excimère à 266 et 355 nm, ou avec des lasers femtoseconde. De plus, l'utilisation d'une technique de projection de masques permet l'irradiation de gaufres de dimension relativement importante. Nous avons démontré que la technique permet la fabrication de cratères avec une profondeur maximale ne dépassant pas 35 [micromètres]. Des cratères plus profond, jusqu'à 120 [micromètres], ont été fabriqués à la suite d'une série d'irradiation-recuit-gravure. mous avons fabriqué une série de structures complexes en 3D en utilisant la technique de projection de masques et le balayage du laser. La rugosité de surface des microstructures qui ont été fabriqués sont de l'ordre de 100 nm. Ce qui pourrait être réduits à moins de 10nm par la mise en oeuvre d'un post-traitement de recuit. Les résultats de cette étude ont indiqué clairement la faisabilité de l'utilisation du laser excimère à 193 nm combiné à la projection de masques pour la fabrication rapide de microstructures en verre photosensible en 3 D . Le méthode proposée devrait trouver des applications dans le domaine de la fabrication, par exemple, des dispositifs microfluidiques, ou des composantes spécialisés d'optoélectroniques.

L'intégration de composants passifs sur silicium constitue l'une des voies envisagées pour répondre aux préoccupations de miniaturisation des systèmes électroniques radiofréquences. Une autre réponse à cette évolution est apportée par l'introduction de microsystèmes électromécaniques pour remplacer des fonctions électroniques. Ce projet explore une approche mixte afin d'intégrer simultanément les composants passifs et un MEMS résonant. Le procédé de fabrication des puces passives est le point de départ pour réaliser des résonateurs susceptibles de remplacer les quartz. Les travaux concernant trois types de structures sont détaillés dans cette thèse : des anneaux en aluminium avec des vibrations hors-plan, une géométrie tubulaire en silicium vibrant sur un mode de contour et des résonateurs carrés et circulaires en silicium monocristalIin fonctionnant sur un mode extensionnel. Le principe de fonctionnement y est expliqué, ainsi que le moyen de les réaliser sans avoir recours à un substrat SOI. La confrontation des mesures électriques avec différents modèles analytiques ou numériques a orienté les travaux vers une solution offrant de bonnes performances. Avec un facteur de qualité dépassant 50000 à une fréquence de 24 MHz, une résistance motionnelle de 2 kiloohms. et une puissance dissipée de 16 µ W pour une polarisation de 5 V, les derniers prototypes montrent le potentiel d'une telle approche / The integration of passive components on silicon is one of the solutions to meet the concerns of miniaturization of electronic radio frequency systems. Another response to these evolution is provided by the introduction of microelectromechanical systems to replace electronic functions. This project explores a mixed approach to simultaneously integrate passive components and MEMS resonant. The manufacturing process of passive chips is the starting point for making resonators as an alternative to quartz. Work on three types of structures are detailed in this thesis: aluminum rings with out-of-plan vibrations, a tubular geometry made of silicon vibranting on a contour mode and single-crystal silicon contour-mode resonators. The operating principle is explained, as weIl as the means to achieve them without resorting to a SOI substrate. The comparison between electrical measurements and various analytical or numerical models has guided the work towards a solution with good performance. With quality factor exceeding 50000 at a frequency of 24 MHz, motional resistance of 2 kiloohms. and power dissipation of 16 µW for a polarization of 5 V the latest prototypes show the potential of such an approach.

Dans le cadre de la thèse, l'étude porte sur le développement de microbatteries lithium tout solide, dans l'objectif d'alimenter les microsystèmes radiofréquences. On s'est intéressé particulièrement à la miniaturisation et à certains aspects de l'intégration de ces microbatteries. Une première étape a consisté à établir une étude physiochimique des couches actives, et particulièrement l'électrode positive en pentoxyde de vanadium (V2O5), et d'évaluer le comportement électrochimique de ce composé au sein de la microbatterie. Le suivi du matériau par différentes méthodes de caractérisation pendant la phase de croissance a permis l'observation de variations significatives de ses propriétés structurales et morphologiques. Une corrélation a été établie entre ces caractéristiques physiochimiques et le comportement électrochimique à la fois en électrolyte liquide et solide (V2O5/LiPON/Li). Un procédé de microfabrication a été ensuite proposé pour la miniaturisation des microbatteries. Le procédé comporte plusieurs briques technologiques faisant appel à la photolithographie et différentes techniques de gravure. Un protocole expérimental a été établi afin d'optimiser, qualifier et valider le développement de chaque brique technologique, et de rendre compte de la fonctionnalité des dépôts actifs après microfabrication. La conception de microbatteries a été finalement réalisée en se basant sur le cahier des charges du microsystème radiofréquence considéré et en tenant compte du procédé de microfabrication développé. / Within the context of this thesis, achieved works focuses on developing all solid state thin film microbatteries, with the aim of powering radio frequency microsystems (RF MEMS). It was particulary interested on the miniaturization and specific aspects of the integration of these microdevices. A first step xas related to physicochemical investigations on active layers. It has been particulary focused on the positive electrode of vanadium pentoxide (V2O5), so as to assess the electrochemical behaviour of this compound within the microbattery architecture. The monitoring of the material through several characterization techniques during the growth phases has allowed the observation of changes in its structural and morphological properties. A correlation was established between these physicochemical characteristics and the electrochemical behavior in both liquid and solid electrolyte configurations. A microfabrication process was then proposed for the miniaturization of microbatteries. The process involves several process blocks using photolithography and etching techniques. An experimental protocol has been established to optimize, qualify and validate the development of each process block, and investigate the functionality of deposited active layers after microfabrication steps. The design of microbatteries was finally achieved on the basis of the specifications of the selected RF MEMS and taking into account the developed global microfabrication process flow.