Global ETD Search

11	Ionenstrahlunterstütztes Wachstum von Zinn-dotierten Indiumoxid-Filmen / Ion beam assisted growth of tin-doped indium oxide films Thiele, Karola 26 March 2004 (has links) No description available. Mathematics and Computer Science Indium Zinn Oxid ITO dünne Schichten ionenstrahlunterstützte Deposition IBAD Mikrostruktur Wachstumsmechanismen elektrische Leitfähigkeit YBCO 530 Physik indium tin oxide ITO thin films ion beam assisted deposition IBAD microstructure growth mechanisms electrical conductivity YBCO 33.61 33.68 33.79 33.72 RVS 700: Mikrostruktur Gefüge- {Physik}
12	Benchmarking surface signals when growing GaP on Si in CVD ambients Döscher, Henning 26 November 2010 (has links) Diese Arbeit untersucht das Aufwachsen von dünnen GaP-Schichten auf Si(100)-Oberflächen mittels metallorganischer Gasphasenabscheidung (MOVPE) und die damit verbundene Entstehung von Antiphasendomänen (APDs). Die Vermessung der Si(100)-Substratoberfläche, der III-V/Si(100)-Grenzfläche und der abgeschiedenen GaP-Filme mit oberflächenempfindlichen Messverfahren dient der Etablierung APD-freier III-V-Heteroepitaxie auf Si(100). Die Präparation reiner Si(100)-Oberflächen frei von Sauerstoff in der MOVPE-Umgebung konnte durch Röntgenphotoelektronenspektroskopie (XPS) belegt werden. Vorwiegend doppelgestufte Substrate wurden sowohl auf 0.1°, 2° als auch 6° fehlorientierten Substraten erzielt. Im Widerspruch zu etablierten Ergebnissen im Ultrahochvakuum richteten sich die Dimere auf 0.1° und 2° Proben senkrecht zu den Doppelstufenkanten aus, vermutlich durch den Einfluss des Wasserstoffs in der MOVPE. Infrarotspektroskopie (FTIR) belegte eine Monohydridterminierung infolge der Präparation, während in-situ Reflexions-Anisotropie-Spectroskopie (RAS) zeigte, dass diese bei höheren Prozesstemperaturen nicht vorliegt. Für die GaP-Heteroepitaxie auf diesen Substraten wurde ein optisches in-situ Messverfahren für die quantitative Bestimmung des APD-Gehaltes entwickelt, welches auf dem eingehenden Verständnis der Rekonstruktionen von GaP(100), der assozierten RAS-Signaturen und dem mit Rastertunnelmikroskopie (STM) und Beugung niedrigenergetischer Elektronen (LEED) etablierten mikroskopischen Verständnis der Oberflächen beruht. Die APD-Quantifizierung mittels RAS wurde durch empirische Korrektur von Interferenzeffekten und optische Modellrechnungen, die auch Rückschlüsse auf die Grenzflächenanisotropie erlauben, deutlich verbessert. Der Abgleich mit unterschiedlichsten Mikroskopiemethoden, basierend auf niedrigenergetischen Elektronen (LEEM), Elektronentransmission (TEM) und Rasterkraftverfahren (AFM) bestätigt die erzielten Ergebnisse. / The present work investigates the growth of thin, pseudomorphic GaP films by metalorganic vapor phase epitaxy (MOVPE) on Si(100) surfaces by a variety of surface-sensitive methods and pays with specific attention to the substrate induced anti-phase disorder in this lattice matched model system for III-V/Si(100) heteroepitaxy. Thorough X-ray photoelectron spectroscopy investigations verified the preparation of clean Si(100) surfaces free of oxygen in the MOVPE ambient. Predominantly double-layer stepped Si(100) surfaces were obtained for 0.1°, 2°, and 6° misoriented substrates. In contrast to results established in ultra-high vacuum (UHV), double-layer steps with dimers oriented perpendicular to their edges were observed, which was attributed to the presence of hydrogen as a process gas in the MOVPE environment. A monohydride termination of Si(100) was determined after substrate preparation by Fourier-transform infrared spectroscopy (FTIR), while reflectance anisotropy spectroscopy (RAS) showed the absence of hydrogen termination at higher temperatures. Optical in situ spectroscopy was established as a method for the quantitative evaluation of anti-phase disorder in GaP heteroepitaxy based on a detailed understanding of the GaP(100) surface reconstructions, of the development of the corresponding RAS signatures, and of the associated surface structure studied by scanning tunneling microscopy (STM) and low-energy electron diffraction (LEED). The in situ RAS quantification was greatly improved by empirical correction of thin film interference and optical model calculations, which also enable extraction of the GaP/Si(100) interface anisotropy. The characterization was supported by benchmarking to atomic force microscopy (AFM) and transmission electron microscopy (TEM) results as well as to low energy electron microscopy (LEEM), which was used for surface sensitive visualization of anti-phase domains on a mesoscopic length scale. metall-organische Gasphasenabscheidung Anti-Phasen-Unordnung GaP(100) Si(100) MOVPE RAS XPS LEED STM LEEM polar on non-polar interface metal-organic vapor phase epitaxy anti-phase disorder GaP(100) Si(100) MOVPE RAS XPS LEED STM LEEM 530 Physik 29 Physik, Astronomie UP 3120 UQ 2160 ddc:530
13	Dimensionseffekte in Halbleiternanodrähten / Dimensional Effects in Semiconductor Nanowires Stichtenoth, Daniel 23 June 2008 (has links) No description available. 530 Physik Mathematics and Computer Science Nanodraht Zinkoxid Photolumineszenz Ionenimplantation Leuchtzentren Dotierung nanowire zinc oxide photoluminescence ion implantation color center doping 33.61 33.07 33.72 RVQ 000: Halbleiter {Physik}
14	Untersuchung der lokalen strukturellen und elektronischen Eigenschaften von Fe-GaAs Schottky-Kontakten mit atomar aufgelöster Raster-Tunnel-Mikroskopie in Querschnittsgeometrie / Investigation of the structural and local electronic properties of Fe-GaAs Schottky contacts with atomically resolved Scanning Tunneling Microscopy in Cross-sectional configuration Winking, Lars-Helge 29 January 2009 (has links) No description available. 530 Physik Mathematics and Computer Science STM STS Querschnittsgeometrie Fe GaAs idealer Schottky-Kontakt Bandlückenzustände Barrierenhöhe FEM-Simulation spitzeninduzierte Bandverbiegung STM STS Cross-sectional Fe GaAs ideal Schottky contact gap-states barrier heigt FEM simulation tip-induced band bending 33.05 33.61 33.68 RVQ 475: Halbleiter-Randschichten p-n-Übergänge {Physik: Elektrische magnetische und optische Eigenschaften}
15	Structural and optical impact of transition metal implantation into zinc oxide single crystals and nanowires / Strukturelle und optische Auswirkungen derÜbergangsmetallimplantation in ZnO Einkristalle und Nanodrähte Müller, Sven 30 March 2009 (has links) No description available. 530 Physik Mathematics and Computer Science Nanodraht Zinkoxid Photolumineszenz Kathodolumineszenz Ionenimplantation Leuchtzentren Dotierung Übergangsmetalle Eisen Nickel Mangan Kobalt Vanadium interstitieller Sauerstoff interstitielles Zink grünes Lumineszenzband rot-gelbes Lumineszenzband intra-3d Lumineszenz Zweiphasen Raman Röntgenbeugung nanowire zinc oxide photoluminescence cathodoluminescence ion implantation color center doping transition metals iron nickel manganese cobalt vanadium interstitial oxygen interstitial zinc green luminescence band red-yellow luminescence band intra-3d-shell luminescence secondary phases raman X-ray diffraction 33.07 33.61 33.72 RVC 520: Gitterschwingungen RVQ 000: Halbleiter {Physik}

Page generated in 0.0609 seconds