Les travaux développés ici traitent de la mise en Suvre de techniques de protection et de linéarisation permettant aux modules d'amplification de puissance de répondre à toutes les contraintes de la téléphonie mobile que sont la robustesse, la linéarité, une très faible consommation, la miniaturisation et le coût. Dans une première partie, nous traitons de l'amélioration de la robustesse des amplificateurs de puissance RF vis-à-vis des désadaptations d'impédance induites par les variations d'environnement de l'antenne du téléphone portable. L'analyse des mécanismes de défaillance, des transistors HBT GaAs et HBT SiGe, nous mène à conclure à la nécessaire limitation du courant de l'étage final. Nous avons alors conçu un circuit de protection original, basé sur la détection précise du courant collecteur des transistors de puissance. De très faibles dimensions et monolithiquement intégrable, ce circuit n'altère ni la puissance de sortie, ni le rendement en puissance ajoutée lorsque l'amplificateur est nominalement chargé sur 50 Ohms. Un amplificateur de puissance RF intégrant ce dispositif a supporté tous les tests de robustesse jusqu'à des valeurs de VSWR supérieures à dix et pour des tensions de batterie supérieures à cinq volts. La simplicité et l'efficacité du circuit de détection de courant nous a conduit, dans un second temps, à envisager la conception d'un circuit de linéarisation monolithiquement intégrable sur un amplificateur de puissance RF, pour les standards EDGE et WCDMA. Le principe de linéarisation par injection d'enveloppe a alors été mis en Suvre grâce à une nouvelle topologie pour la détection de l'enveloppe du signal modulé. En raison de la très faible consommation en courant du dispositif innovant de linéarisation, il devient possible de s'affranchir du compromis linéarité/rendement en puissance ajoutée, intervenant généralement. Ce dispositif a été implémenté sur un amplificateur de puissance en technologie HBT SiGe. La Linéarité de l'amplificate ur a ainsi été améliorée de 12 dB à la puissance de sortie nominale, tout en maintenant constant le rendement en puissance ajoutée de l'amplificateur, même pour les faibles puissances de sortie (low power mode).

Cette thèse a pour objet l'étude du transport électronique dans les nanotubes de carbone monoparois par l'intermédiaire des fluctuations du courant. L'étude se place dans le cadre de la physique mésoscopique dans des conducteurs balistiques. Dans ce type de conducteur, plusieurs régimes diff´erents peuvent apparaître : blocage de Coulomb, transport modulé par les interférences quantiques, effet Kondo. Nous avons étudié les fluctuations du courant dans un régime d'interféromètre de type Fabry-Pérot électronique qui se présente comme une situation id´eale afin de sonder le régime où l'effet des interactions est faible. Les fluctuations du courant ont été analysées dans le formalisme de Landauer-Büttiker et nous obtenons une bonne correspondance entre la théorie et l'expérience. Nous avons ainsi observé la suppression du bruit dans les régimes de transmission unitaire et, par le biais des données combinées de la conductance et du bruit, nous avons pu déterminer les transmissions pour des canaux de conduction non dégénérés. Par ailleurs, le régime de l'effet Kondo a fait l'objet d'une étude dans laquelle nous avons observé des comportements universels dans la conductance et le bruit. Nous avons ajusté ces différentes grandeurs avec une théorie de bosons esclaves de champ moyen. Finalement, nous avons étudié une configuration de type Hanbury Brown et Twiss : un nanotube monoparoi sur lequel nous avons déposé un multiparoi qui nous sert de sonde afin d'injecter des électrons sur le conducteur.

SiGe is a significant enabling technology for therealization of integrated circuits used in high performanceoptical networks and radio frequency applications. In order tocontinue to fulfill the demands for these applications, newmaterials and device structures are needed. This thesis focuseson new materials and their integration into heterojunctionbipolar transistor (HBT) structures as well as using devicesimulations to optimize and better understand the deviceoperation. Specifically, a SiGeC HBT platform was designed,fabricated, and electrically characterized. The platformfeatures a non-selectively grown epitaxial SiGeC base,in situdoped polysilicon emitter, nickel silicide,LOCOS isolation, and a minimum emitter width of 0.4 μm.Alternately, a selective epitaxy growth in an oxide window wasused to form the collector and isolation regions. Thetransistors exhibited cutoff frequency (fT) and maximum frequency of oscillation (fMAX) of 40-80 GHz and 15-45 GHz, respectively.Lateral design rules allowed the investigation of behavior suchas transient enhanced diffusion, leakage current, and theinfluence of parasitics such as base resistance and CBC. The formation of nickel silicide on polysiliconSiGe and SiGeC films was also investigated. The formation ofthe low resistivity monosilicide phase was shown to occur athigher temperatures on SiGeC than on SiGe. The stability of themonosilicide was also shown to improve for SiGeC. Nickelsilicide was then integrated into a SiGeC HBT featuring aselectively grown collector. A novel, fully silicided extrinsicbase contact was demonstrated along with the simultaneousformation of NiSi on thein situdoped polysilicon emitter. High-resolution x-ray diffraction (HRXRD) was used toinvestigate the growth and stability of SiGeC base layers forHBT integration. HRXRD proved to be an effective, fast,non-destructive tool for monitoring carbon out-diffusion due tothe dopant activation anneal for different temperatures as wellas for inline process monitoring of epitaxial growth of SiGeClayers. The stability of the SiGe layer with 0.2-0.4 at% carbonwhen subjected to dopant activation anneals ranging from1020-1100&#176C was analyzed by reciprocal lattice mapping.It was found that as the substitutional carbon increases theformation of boron clusters due to diffusion is suppressed, buta higher density of carbon clusters is formed. Device simulations were performed to optimize the DC and HFperformance of an advanced SiGeC HBT structure with low baseresistance and small dimension emitter widths. The selectivelyimplanted collector (SIC) was studied using a design ofexperiments (DOE) method. For small dimensions the lateralimplantation straggle has a significant influence on the SICprofile (width). A significant influence of the SIC width onthe DC gain was observed. The optimized structure showedbalanced fT/fMAXvalues of 200+ GHz. Finally, SOI BJT transistorswith deep trench isolation were fabricated in a 0.25μmBiCMOS process and self-heating effects were characterized andcompared to transistors on bulk silicon featuring deep trenchand shallow trench isolation. Device simulations based on SEMcross-sections and SIMS data were performed and the resultscompared to the fabricated transistors. Key words:Silicon-Germanium(SiGe), SiGeC,heterojunction bipolar transistor(HBT), nickel silicide,selectively implanted collector(SIC), device simulation, SiGeClayer stability, high resolution x-ray diffraction(HRXRD),silicon-on-insulator(SOI), self-heating.

No description available.

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<p>SiGe is a significant enabling technology for therealization of integrated circuits used in high performanceoptical networks and radio frequency applications. In order tocontinue to fulfill the demands for these applications, newmaterials and device structures are needed. This thesis focuseson new materials and their integration into heterojunctionbipolar transistor (HBT) structures as well as using devicesimulations to optimize and better understand the deviceoperation. Specifically, a SiGeC HBT platform was designed,fabricated, and electrically characterized. The platformfeatures a non-selectively grown epitaxial SiGeC base,<i>in situ</i>doped polysilicon emitter, nickel silicide,LOCOS isolation, and a minimum emitter width of 0.4 μm.Alternately, a selective epitaxy growth in an oxide window wasused to form the collector and isolation regions. Thetransistors exhibited cutoff frequency (f_T) and maximum frequency of oscillation (f_MAX) of 40-80 GHz and 15-45 GHz, respectively.Lateral design rules allowed the investigation of behavior suchas transient enhanced diffusion, leakage current, and theinfluence of parasitics such as base resistance and C_BC. The formation of nickel silicide on polysiliconSiGe and SiGeC films was also investigated. The formation ofthe low resistivity monosilicide phase was shown to occur athigher temperatures on SiGeC than on SiGe. The stability of themonosilicide was also shown to improve for SiGeC. Nickelsilicide was then integrated into a SiGeC HBT featuring aselectively grown collector. A novel, fully silicided extrinsicbase contact was demonstrated along with the simultaneousformation of NiSi on the<i>in situ</i>doped polysilicon emitter.</p><p>High-resolution x-ray diffraction (HRXRD) was used toinvestigate the growth and stability of SiGeC base layers forHBT integration. HRXRD proved to be an effective, fast,non-destructive tool for monitoring carbon out-diffusion due tothe dopant activation anneal for different temperatures as wellas for inline process monitoring of epitaxial growth of SiGeClayers. The stability of the SiGe layer with 0.2-0.4 at% carbonwhen subjected to dopant activation anneals ranging from1020-1100&#176C was analyzed by reciprocal lattice mapping.It was found that as the substitutional carbon increases theformation of boron clusters due to diffusion is suppressed, buta higher density of carbon clusters is formed.</p><p>Device simulations were performed to optimize the DC and HFperformance of an advanced SiGeC HBT structure with low baseresistance and small dimension emitter widths. The selectivelyimplanted collector (SIC) was studied using a design ofexperiments (DOE) method. For small dimensions the lateralimplantation straggle has a significant influence on the SICprofile (width). A significant influence of the SIC width onthe DC gain was observed. The optimized structure showedbalanced f_T/f_MAXvalues of 200+ GHz. Finally, SOI BJT transistorswith deep trench isolation were fabricated in a 0.25μmBiCMOS process and self-heating effects were characterized andcompared to transistors on bulk silicon featuring deep trenchand shallow trench isolation. Device simulations based on SEMcross-sections and SIMS data were performed and the resultscompared to the fabricated transistors.</p><p><b>Key words:</b>Silicon-Germanium(SiGe), SiGeC,heterojunction bipolar transistor(HBT), nickel silicide,selectively implanted collector(SIC), device simulation, SiGeClayer stability, high resolution x-ray diffraction(HRXRD),silicon-on-insulator(SOI), self-heating.</p>

Formål: Formålet med denne undersøgelse er at få viden om, og belyse fænomenet seksuel orienterings diskrimination (SOD), og få indsigt i hvordan homoseksuelle mænd, på en mandsdomineret arbejdsplads som det danske Forsvar, oplever SOD og hvilken betydning det har for dem. Desuden er hensigten at få viden om og indsigt i hvordan problematikker vedrørende SOD på en mandsdomineret arbejdsplads, som Forsvaret i Danmark kan imødegås og håndteres. Metode: Transskriberede semi-strukturede dybde interviews er anvendt som undersøgelsesredskab. Teoretisk udvælgelse, kodning, komparation og konceptualisering som beskrevet i ”Grounded Theory” er anvendt som analyseinstrument. Resultater: Ud fra analysen af data voksede en kernekategori og fire hovedkategorier frem, som tilsammen udgør kerneprocessen. Minoritetsstyrkeblev studiets kernekategori, som har sit udspring fra de fire hovedkategorier: Stressorer, Identifikation, Mestring og Miljø. Ud fra resultaterne voksede en Minoritesstyrkemodelfrem. Konklussion: Homoseksuelle mænd håndterer et komplekst udvalg af mestringsstrategier, som anvendes i forskellige situationer hvor diskriminering på baggrund af seksuel orientering finder sted. På trods af de negative minoritetsstressorer, som homoseksuelle mænd i den danske Forsvar erfarer, så udviser informanterne en unik Oplevelse af sammenhæng; Meningsfuldhed; Begribelighedog Håndterbarhed, hvilket leder til Minoritetsstyrke. For at forskningen skal være til gavn for hele befolkningen, så gøres i denne undersøgelse opmærksom på nødvendigheden af at inkludere spørgsmål om seksuel orientering i folkesundhedsvidenskabelig forskning. En inkluderende personale politik, undervisning vedrørende HBT personers vilkår og rekrutteringskampagner specielt rettet mod homoseksuelle, medføre større kompetence blandt alle på arbejdspladsen. Studiet har vist at arbejdet, med at forebygge diskriminering på baggrund af seksuel orientering, kræver en multistrategisk indsats på tværfagligt, intersektorielt niveau og et salutogent perspektiv uden at placere alt ansvar på det enkelte individ / Aim: This study aimed to improve knowledge about and illuminate the phenomenon of sexual orientation discrimination (SOD), particularly as perceived by homosexual men in a male-dominated workplace such as the Danish Armed Forces. We also sought to increase understanding of how such discrimination affects those individuals. Moreover, wesought to increase knowledge about and highlight the challenges and problems regarding SOD in the context of coping strategies. Method: We used transcribed semi-structured in-depth interviews as our survey tool. To analyze our results, we used open, axial, and selective coding, as described in grounded theory. Results: Data analysis allowed us to identify minority power (MP) as a core variable. Further, MP is sourced in the four main categories: stressors, coping, environment, and identity, which are elements of the core process. The MP model that emerged from our results illustrates the core process. Conclusion: The study shows that homosexual men use a complex range of coping strategies in different situations where SOD occurs. Despite the negative minority stressors experienced by homosexual men in the Danish Armed Forces, the subjects showed a unique sense of coherence—meaningfulness, comprehension, and manageability—that leads to MP. To benefit the entire population, this study emphasized the need to include questions about sexual orientation in public health research. The study shows that training about the special social conditions for the LGBT population, a diversity policy, and recruitment campaigns aimed at homosexuals result in greater competence among all individuals in the workplace. Preventing discrimination based on sexual orientation requires a salutogen perspective and multifactorial strategy on an intersectorial and interdisciplinary level without placing all responsibility on the individual / <p>ISBN 978-91-85721-72-6</p>

Ce travail de thèse concerne les circuits ultra-rapides pour la conversion analogique numérique performante en technologie bipolaire à hétérojonctions sur substrat Indium Phosphore (TBDH/InP). L'étude s'intéresse à la fonction principale qui est l'échantillonnage blocage. Elle a été menée par simulation de l'ensemble des blocs composant cette fonction. En particulier une étude extensive des cœurs des circuits Echantillonneurs/Bloqueurs a été effectuée pour différents paramètres électriques pour aboutir à des valeurs optimales réalisant un compromis entre la bande passante la résolution et la linéarité.Des architectures de circuits Echantillonneurs/Bloqueurs (E/B) avec ou sans l'étage d'amplification à gain variable ont été conçues, optimisées, réalisées et caractérisées et des performances à l'état de l'art ont été obtenues : des circuits E/B de bande passante supérieure à 50 GHz et cadencées à 70 Gs/s ont été réalisés pour les applications de communications optiques et des circuits de bande passante supérieure à 16 GHz cadencés à (2-8) Gs/s ont été réalisés pour la transposition de fréquence. / This thesis concerns the design of high speed circuits in Indium phosphide heterojunction Bipolar technology for High performance analog to digital conversion (ADC).The study focuses on the Track and Hold block (THA) which is the main function of the ADC. The study was conducted by simulating all blocks of the THA circuit. In particular, an extensive study of the THA main block was performed for various electrical parameters to achieve optimal conditions in order to obtain a good tradeoff between resolution bandwidth and linearity. THA architectures circuits with or without Voltage Gain Amplifier stage were designed, optimized and characterized. High THA performances were achieved: THA circuit with a bandwidth greater than 50 GHz at 70 Gs/s were achieved for optical communications and circuits of bandwidth more than16 GHz at (2-8 GS /s) have been realized for down conversion operation.

Les transistors rapides actuels présentent un retard lorsqu’ils fonctionnent à très hautes fréquences ou en régime transitoire rapide. Cet effet est appelé effet non quasi-statique (NQS). Dans cette thèse, l’effet NQS est analysé de manière concise de façon à être directement implanté dans les modèles de composant pour les bibliothèques de circuit en utilisant le langage standard VerilogA. Les mécanismes physiques à la base de l’effet NQS sont évalués dans le domaine de fonctionnement petit signal et les résultats sont comparés aux travaux déjà publiés. S’agissant du modèle standard bipolaire HICUM, les effets NQS latéraux et verticaux sont examinés séparément à partir du même modèle, en régime de fonctionnement transitoire et fréquentiel grâce à un sous-circuit dédié au calcul de la phase du signal. A partir de ce sous-circuit, la modélisation compacte avec HICUM est comparée aux données issues de mesures et issues de simulation amont. Enfin, un nouveau sous-circuit calculant l’excès de phase est proposé pour prendre mieux en compte les effets non quasi-statiques dans les transistors bipolaires. / Modern high speed (RF) transistors encounter certain delay while operated at high frequency or under fast transient condition. This effect is named as Non Quasi Static (NQS) effect. In the current work, NQS effect is analyzed in a concise manner so that it can be readily implemented in a compact model using the VerilogA description language. The basic physics behind this effect is investigated in small signal domain and the results are compared with the published work. In popular bipolar model HICUM lateral and vertical NQS are examined separately and uses the same model for both transient and AC operation which requires an additional minimum phase type sub circuit. Compact modeling with HICUM model is performed in both measurement and device simulated data. At last, an improved excess phase circuit is proposed to model the NQS effect.

Ces travaux de thèses présentent un protocole expérimental d’évaluation de la fiabilité des transistors bipolaire à double hétéro-jonction submicroniques sur substrat InP. Les mécanismes de défaillances observés ont été mis en évidence grâce à ce protocole qui présente trois étapes : activation, détection et localisation des mécanismes de défaillance. Les tests de vieillissement accéléré ont été réalisés sur les TBH de structure hexagonale avec une base en InGaAs ou en GaAsSb ainsi que les structures TLM. Grâce à l’analyse électrique via la modélisation compacte, nous établissons les premières hypothèses sur l’origine physique des mécanismes de dégradation. Pour les transistors avec une base InGaAs, par exemple, les mécanismes de défaillance mis en évidence sont localisés:- A la périphérie d’émetteur entrainant ainsi une augmentation du courant de base pour VBE<0,6 V pour les tests sous contrainte thermique ainsi que sous contraintes thermique et électrique.- A la jonction base-émetteur, provoquant l’augmentation du courant de base et de collecteur respectivement pour VBE>0,6 V et 0.2<VBE<0,8 V.- Au niveau du contact ohmique d’émetteur, entrainant une dégradation des courants pour VBE>0,8 V. Cette diminution du courant est plus visible sur le courant de collecteur.Ces hypothèses ont été validées avec l’analyse physique 2D avec le logiciel TCAD Sentaurus. Des signatures électriques similaires ont été observées dans la bibliographie par de plusieurs auteurs. / This work presents the implementation of an experimental procedure to evaluate the failure mechanisms of submicron Heterojunction Bipolar Transistor on InP substrate. This procedure presents 3 steps: activation, detection and localization of the failure mechanisms. The accelerated aging tests have been used to active the failure mechanisms on hexagonal shape HBTs with InGaAs or GaAsSb base together with TLM. Due to the electrical analysis through the compact modelling, we established the first hypothesis about the origin of the failure mechanisms. For example, on InGaAs HBT, the failure mechanisms observed are located:- At the emitter sidewall. This mechanism leads to the increase of the base current for VBE<0.6 V- At the base-emitter junction leading to the increase of base and collector current for VBE>0,6 V and 0.2<VBE<0,8 V respectively.- And the ohmic contact layer leading to the collector current decrease for VBE>0.8 V.These hypotheses were validated by 2D physical simulation using TCAD Sentaurus. The same electrical signatures of the failure mechanisms are observed in literature.