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1	Growth and Characterization of Carbon-Metal-Nanocomposite-Thin-Films and Self-Organized Layer Growth / Wachstum und Charakterisierung von Kohlenstoff-Metall-Nanokompositdünnfilmen und selbstorganisiertes Lagenwachstum Zutz, Hayo 29 April 2009 (has links) No description available. 530 Physik Mathematics and Computer Science Selbstorganisation Ionenstrahldeposition Multilagen Amorpher Kohlenstoff Kupfer Nickel Transmissionselektronenmikroskopie Gadolinium Self Organization Ion Beam Deposition Multilayers Amorphous Carbon Copper Nickel Transmission Electron Microscopy Gadolinium 33.68 RVI000 RTF400 RTF500
2	Self-Organized Formation of Metal-Carbon Nanostructures by Hyperthermal Ion Deposition / Selbstorganisierte Metall-Kohlenstoff Nanostrukturbildung bei der Deposition von Ionen jenseits thermischer Energien Hannstein, Inga Karolin 26 April 2006 (has links) Bei der quasi-simultanen Deposition massenselektierter Kohlenstoff- und Metallionen mit Energien jenseits thermischer Energien treten verschiedene Morphologien auf abhängig vom verwendeten Metall und den eingestellten Depositionsparametern. Die Abmessungen der auftretenden Strukturen liegen im Nanometerbereich. Die Materialien sind deshalb für zukünftige potentielle Anwendungen in verschiedenen Bereichen der Nanotechnologie von Interesse.Die vorliegende Arbeit beschäftigt sich mit der Strukturanalyse von kupfer-, silber-, gold- oder eisenhaltigen amorphen Kohlenstoffschichten. Dabei wurden unter anderem die Rutherford Rückstreuungsspektroskopie, die hochauflösende Transmissionselektronenmikroskopie und die energiedispersive Röntgenspektroskopie angewandt.Die dünnen Schichten weisen die folgenden Morphologien auf: Die kupferhaltigen Proben bestehen aus Kupfer-Nanopartikeln deren Durchmesser zwischen 3 und 9 nm variieren und gleichmäßig in der amorphen Kohlenstoffmatrix verteilt sind. Der mittlere Durchmesser steigt mit dem Kupfergehalt an. Die silberhaltigen Proben trennen sich in eine reine amorphe Kohlenstoffschicht mit Silberpartikeln an der Oberfläche. Sowohl die gold- wie auch die eisenhaltigen Schichten weisen eine Multilagenstruktur auf, wobei metallreiche Lagen mit erhöhter Partikeldichte durch amorphe Kohlenstofflagen voneinander getrennt sind. Die Lagenabstände sind im Falle der Gold-Kohlenstoffschichten bis zu ca. 15 nm, bei den Eisen-Kohlenstoffschichten um die 7 nm.Die Entstehung der verschiedenen Strukturen kann nicht auf herkömmlich Selbstorganisationseffekte, die auf Diffusion und Gleichgewichtsthermodynamik beruhen zurückgeführt werden. Stattdessen wurden ioneninduzierte Transportmechanismen, Sputtereffekte und die Stabilität kleiner Metallpartikel berücksichtigt, um die Strukturbildung zu modellieren.In der Literatur wurden in letzter Zeit ähnliche Multilagenstrukturen von Metall-Kohlenstoffschichten diskutiert, die durch Magnetronsputterdeposition hergestellt wurden. Erste Experimente wurden nun an einer RF Magnetronsputterdepositionsanlage durchgeführt um zu untersuchen, ob die zugrundeliegenden Mechanismen hier die gleichen sind wie im Falle der oben beschriebenen ionenstrahldeponierten Schichten. Bisher konnte jedoch keine Multilagenbildung bestätigt werden. 530 Physik Mathematics and Computer Science Selbstorganisation Ionenstrahldeposition Multilagen Amorpher Kohlenstoff Kupfer Silber Gold Eisen Self Organization Ion Beam Deposition Multilayers Amorphous Carbon Copper Silver Gold Iron 33.68 RVI000 RTF500
3	Phase formation processes in the synthesis of boron nitride thin films / Phasenbildungsprozesse bei der Synthese von dünnen Filmen aus Bornitrid Eyhusen, Sören 27 October 2005 (has links) No description available. 530 Physik Mathematics and Computer Science kubisches Bornitrid Ionenstrahldeposition Implantationsdefekte Dynamisches Ausheilen cubic boron nitride ion beam deposition implantation defects dynamic annealing 33.05 33.68 33.61 RVF 220: Ionenkristalle {Physik} RVC 850: Transporteigenschaften
4	Lanthanide Doped Wide Band Gap Semiconductors: Intra-4f Luminescence and Lattice Location Studies / Lanthanid-dotierte Halbleiter mit großer Bandlücke: Intra-4f Lumineszenz- und Gitterplatzuntersuchungen Vetter, Ulrich 15 July 2003 (has links) No description available. Mathematics and Computer Science Lanthanide Kathodoluminesznez intra-4f Elektronenübergänge Europium Thulium Gadolinium Halbleiter mit großer Bandlücke Aluminiumnitrid kubisches Bornitrid Siliziumkarbid Diamant dünne Schichten tetraedrischer amorpher Kohlenstoff Lichtemitter Starkniveau-Spektroskopie Kristallfeldanalyse Kathodolumineszenz Energiematrix Judd-Ofelt-Theorie Ionenimplantation massenselektierte Ionenstrahldeposition Emissionschanneling Gitterplatz Mössbauerspektroskopie radioaktive Lanthanidisotope 530 Physik lanthanides cathodoluminescence intra-4f electron transitions europium thulium gadolinium wide band gap semiconductors aluminum nitride cubic boron nitride silicon carbide diamond thin films tetrahedral amorphous carbon light emitters Stark level spectroscopy crystal field analysis energy matrix Judd-Ofelt theory ion implantation mass-selected ion beam deposition emission channeling lattice location Mössbauer spectroscopy radioactive lanthanide isotopes 33.60 33.30 33.07 33.06 33.43 33.72 RTF 400: Ionenimplantation {Physik} RTG 400: Anregung von Atomen atomare Energiezustände {Atomphysik} RRJ 000: Emissions- Absorptionsspektroskopie {Physik} RVQ 000: Halbleiter {Physik}

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