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1	Annealing induced oxidation, transformation, and orientation with substrate of Zr thin film prepared by Ion Beam Deposition Hsieh, Tien-Yu 06 July 2005 (has links) Nanocrystalline £\-Zr condensates deposited by ion beam sputtering on the NaCl (100) surfaces and then annealed at 100 oC to 750 oC in air. The phases present were identified by transmission electron microscopy to be nanometer-size £\-Zr+ZrO¡B£\-Zr+ZrO+c-ZrO2¡Bc-ZrO2¡Bc-+t-ZrO2¡Bt-ZrO2¡Band t-+m-ZrO2 phase assemblages with increasing annealing temperature. The zirconia showed strong {100} preferred orientation due to parallel epitaxy with NaCl (100) when annealed between 150 oC and 500 oC in air. The c- and t-zirconia condensates also showed (111)-specific coalescence among themselves. The c- and/or t-ZrO2 formation can be accounted for by the small grain size, the presence of low-valence Zr cation and the lateral constraint of the neighboring grains. Zirconia Ion Beam Deposition preferred orientation
2	The Analysis of Ti Nano-Films Prepared by Ion Beam Deposition Chang, Han-yun 21 July 2005 (has links) Ti nano-films are deposited on a NaCl(001) single crystal substrate by ion beam sputtering from a Ti target, and then annealed. Ti crystallites on a NaCl(001) substrate with increase in the substrate temperature and annealing have the preferred orientation (1-101) and (0001). preferred orientation Ti nano-film ion beam deposition
3	Foundations of physical vapor deposition with plasma assistance Gudmundsson, Jon Tomas, Anders, André, von Keudell, Achim 30 November 2023 (has links) Physical vapor deposition (PVD) refers to the removal of atoms from a solid or a liquid by physical means, followed by deposition of those atoms on a nearby surface to form a thin film or coating. Various approaches and techniques are applied to release the atoms including thermal evaporation, electron beam evaporation, ion-driven sputtering, laser ablation, and cathodic arc-based emission. Some of the approaches are based on a plasma discharge, while in other cases the atoms composing the vapor are ionized either due to the release of the film-forming species or they are ionized intentionally afterward. Here, a brief overview of the various PVD techniques is given, while the emphasis is on sputtering, which is dominated by magnetron sputtering, the most widely used technique for deposition of both metallic and compound thin films. The advantages and drawbacks of the various techniques are discussed and compared. info:eu-repo/classification/ddc/530 ddc:530
4	Growth and Characterization of Carbon-Metal-Nanocomposite-Thin-Films and Self-Organized Layer Growth / Wachstum und Charakterisierung von Kohlenstoff-Metall-Nanokompositdünnfilmen und selbstorganisiertes Lagenwachstum Zutz, Hayo 29 April 2009 (has links) No description available. 530 Physik Mathematics and Computer Science Selbstorganisation Ionenstrahldeposition Multilagen Amorpher Kohlenstoff Kupfer Nickel Transmissionselektronenmikroskopie Gadolinium Self Organization Ion Beam Deposition Multilayers Amorphous Carbon Copper Nickel Transmission Electron Microscopy Gadolinium 33.68 RVI000 RTF400 RTF500
5	Self-Organized Formation of Metal-Carbon Nanostructures by Hyperthermal Ion Deposition / Selbstorganisierte Metall-Kohlenstoff Nanostrukturbildung bei der Deposition von Ionen jenseits thermischer Energien Hannstein, Inga Karolin 26 April 2006 (has links) Bei der quasi-simultanen Deposition massenselektierter Kohlenstoff- und Metallionen mit Energien jenseits thermischer Energien treten verschiedene Morphologien auf abhängig vom verwendeten Metall und den eingestellten Depositionsparametern. Die Abmessungen der auftretenden Strukturen liegen im Nanometerbereich. Die Materialien sind deshalb für zukünftige potentielle Anwendungen in verschiedenen Bereichen der Nanotechnologie von Interesse.Die vorliegende Arbeit beschäftigt sich mit der Strukturanalyse von kupfer-, silber-, gold- oder eisenhaltigen amorphen Kohlenstoffschichten. Dabei wurden unter anderem die Rutherford Rückstreuungsspektroskopie, die hochauflösende Transmissionselektronenmikroskopie und die energiedispersive Röntgenspektroskopie angewandt.Die dünnen Schichten weisen die folgenden Morphologien auf: Die kupferhaltigen Proben bestehen aus Kupfer-Nanopartikeln deren Durchmesser zwischen 3 und 9 nm variieren und gleichmäßig in der amorphen Kohlenstoffmatrix verteilt sind. Der mittlere Durchmesser steigt mit dem Kupfergehalt an. Die silberhaltigen Proben trennen sich in eine reine amorphe Kohlenstoffschicht mit Silberpartikeln an der Oberfläche. Sowohl die gold- wie auch die eisenhaltigen Schichten weisen eine Multilagenstruktur auf, wobei metallreiche Lagen mit erhöhter Partikeldichte durch amorphe Kohlenstofflagen voneinander getrennt sind. Die Lagenabstände sind im Falle der Gold-Kohlenstoffschichten bis zu ca. 15 nm, bei den Eisen-Kohlenstoffschichten um die 7 nm.Die Entstehung der verschiedenen Strukturen kann nicht auf herkömmlich Selbstorganisationseffekte, die auf Diffusion und Gleichgewichtsthermodynamik beruhen zurückgeführt werden. Stattdessen wurden ioneninduzierte Transportmechanismen, Sputtereffekte und die Stabilität kleiner Metallpartikel berücksichtigt, um die Strukturbildung zu modellieren.In der Literatur wurden in letzter Zeit ähnliche Multilagenstrukturen von Metall-Kohlenstoffschichten diskutiert, die durch Magnetronsputterdeposition hergestellt wurden. Erste Experimente wurden nun an einer RF Magnetronsputterdepositionsanlage durchgeführt um zu untersuchen, ob die zugrundeliegenden Mechanismen hier die gleichen sind wie im Falle der oben beschriebenen ionenstrahldeponierten Schichten. Bisher konnte jedoch keine Multilagenbildung bestätigt werden. 530 Physik Mathematics and Computer Science Selbstorganisation Ionenstrahldeposition Multilagen Amorpher Kohlenstoff Kupfer Silber Gold Eisen Self Organization Ion Beam Deposition Multilayers Amorphous Carbon Copper Silver Gold Iron 33.68 RVI000 RTF500
6	Phase formation processes in the synthesis of boron nitride thin films / Phasenbildungsprozesse bei der Synthese von dünnen Filmen aus Bornitrid Eyhusen, Sören 27 October 2005 (has links) No description available. 530 Physik Mathematics and Computer Science kubisches Bornitrid Ionenstrahldeposition Implantationsdefekte Dynamisches Ausheilen cubic boron nitride ion beam deposition implantation defects dynamic annealing 33.05 33.68 33.61 RVF 220: Ionenkristalle {Physik} RVC 850: Transporteigenschaften
7	Lanthanide Doped Wide Band Gap Semiconductors: Intra-4f Luminescence and Lattice Location Studies / Lanthanid-dotierte Halbleiter mit großer Bandlücke: Intra-4f Lumineszenz- und Gitterplatzuntersuchungen Vetter, Ulrich 15 July 2003 (has links) No description available. Mathematics and Computer Science Lanthanide Kathodoluminesznez intra-4f Elektronenübergänge Europium Thulium Gadolinium Halbleiter mit großer Bandlücke Aluminiumnitrid kubisches Bornitrid Siliziumkarbid Diamant dünne Schichten tetraedrischer amorpher Kohlenstoff Lichtemitter Starkniveau-Spektroskopie Kristallfeldanalyse Kathodolumineszenz Energiematrix Judd-Ofelt-Theorie Ionenimplantation massenselektierte Ionenstrahldeposition Emissionschanneling Gitterplatz Mössbauerspektroskopie radioaktive Lanthanidisotope 530 Physik lanthanides cathodoluminescence intra-4f electron transitions europium thulium gadolinium wide band gap semiconductors aluminum nitride cubic boron nitride silicon carbide diamond thin films tetrahedral amorphous carbon light emitters Stark level spectroscopy crystal field analysis energy matrix Judd-Ofelt theory ion implantation mass-selected ion beam deposition emission channeling lattice location Mössbauer spectroscopy radioactive lanthanide isotopes 33.60 33.30 33.07 33.06 33.43 33.72 RTF 400: Ionenimplantation {Physik} RTG 400: Anregung von Atomen atomare Energiezustände {Atomphysik} RRJ 000: Emissions- Absorptionsspektroskopie {Physik} RVQ 000: Halbleiter {Physik}

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