Living and thriving in a diverse culture has allowed me to appreciate all that people have to offer, regardless of where they come from. It is my intention to portray an individual cultural sensitivity, while celebrating the qualities that unite all people. The four elements that are common in my work are scenes of livelihood, religion, entertainment, and family. Though some people may strongly identify with one particular culture, I have had the privilege of being assimilated and accepted in to many. I intend to show my affection and appreciation for them all, through detailed drawings, bold use of color, and expressive photography.

Nature never ceases to amaze me with momentary observations of fluid energy: the purposeful curvature of a blue heron's neck; the pattern of water as it sweeps across a rock sculpted by that very motion; the changing light and shadows created as wind blows through tall grasses. The spark of beauty in these moments lies in the energy that causes this constant change. To capture this energy, either potential or kinetic, and embody it through textures and flow of mass, is my essential goal as an artist.

My art is about journeys, mapping, and layering. Two archetypal images in my work are the camel and the desert. Much of this imagery was inspired by my personal journey over the Sahara and into Western Africa. On another level, this journey connects to my metaphorical journey through life. As a printmaker, my art is very process oriented. Printmaking itself can be thought of as a kind of journey. My trip or the process is more important than the destination or the final result. Like the desert, my images are constantly shifting and transforming through the process of working. Printmaking with its alchemical overtones, layering, and unique surface qualities becomes a natural extension of my imagery.

Orientador: José Alexandre Diniz / Dissertação (mestrado) - Universidade Estadual de Campinas, Faculdade de Engenharia Elétrica e de Computação / Made available in DSpace on 2018-08-24T05:49:16Z (GMT). No. of bitstreams: 1 Santos_MarcosViniciusPuydingerdos_M.pdf: 6478260 bytes, checksum: 702c164c26bda0f3d93109290d6f74a1 (MD5) Previous issue date: 2013 / Resumo: Neste trabalho é apresentado o desenvolvimento do processo de obtenção de nanofios de silício (SiNW) para aplicações em dispositivos MOS tridimensionais utilizando as técnicas de Feixe Íons Focalizados com íons de Gálio (GaFIB) e Litografia por Feixe de Elétrons (EBL). O processo completo de fabricação foi desenvolvido para a obtenção de transistores sem junção baseados em nanofios (junctionless nanowire transistors, JNT), escolhidos devido à facilidade de processamento ¿ comparativamente a outros dispositivos, como FinFETs ¿ e à ausência de efeitos de canal curto e perfuração MOS (punchthrough). Lâminas de tecnologia SOI (Silicon on Insulator) foram utilizadas como substrato. GaFIB/SEM ¿ um sistema de duplo feixe acoplado a um microscópio eletrônico de varredura -, com resolução nominal de feixe iônico de 20 nm, foi utilizado para a definição dos nanofios de silício com dopagem local por íons de Gálio (p+ - SiNW) e deposição de dielétrico de porta de SiO2 e eletrodos de fonte, dreno e porta de Platina. Para deposição dos eletrodos metálicos e do dielétrico de porta foi utilizado feixe de elétrons disponível no SEM de modo a evitar implantação iônica extra e evitar o processo de sputtering dos nanofios de silício. As dimensões do comprimento (LFin) e altura (HFin) do nanofio, comprimento (LPorta) e largura (WPorta) da porta foram, respectivamente, 6 ?m, 15 nm, 1 ?m e 35 nm. O estudo da condução de corrente elétrica no p+-SiNW foi feito por medidas elétricas em dispositivos pseudo-MOS utilizando o dióxido de silício enterrado (BOX) da lâmina SOI como dielétrico de porta para controlar a corrente através do p+-SiNW. Curvas de corrente entre fonte e dreno (IDS) versus tensão entre a porta das costas da lâmina e fonte (VBGS) indicam regime de acumulação para o p+-SiNW. Curvas IDS versus VDS indicam que o dispositivo JNT opera como um resistor controlado pela porta. Por outro lado, a técnica EBL ¿ com resolução nominal do feixe eletrônico 2 nm ¿ foi utilizada para a fabricação de dispositivos JNT do tipo nMOS - com dopagem de Arsênio (n+-SiNW) por implantação iônica -, juntamente com o sistema de deposição a partir de fase química, ECR-CVV (Electron Cyclotron Ressonance) para a definição dos nanofios utilizando o sistema de corrosão por plasma RF e formação de dielétrico de porta. Eletrodos de fonte, dreno e porta de Titânio e Alumínio foram depositados pela técnica de sputtering. As dimensões de largura (W) e comprimento (L), assim como o número de nanofios dos transistores foram variados para permitir uma excursão de até 3 ordens de grandeza da corrente elétrica do dispositivo. As dimensões mínimas obtidas para o comprimento (LFin) e altura (HFin) do nanofio, comprimento (LPorta) e largura (WPorta) da porta foram, respectivamente, 10 ?m, 15 nm, 100 nm e 50 nm O tempo médio para fabricação de um dispositivo JNT utilizando o sistema FIB é de aproxi-madamente 2 dias e seu custo médio é estimado em US$ 4,000.00. Por outro lado, a fabricação do dispositivo utilizando a técnica EBL demanda maior tempo ¿ aproximadamente 10 dias ¿, contudo custando menos de uma ordem de grandeza do valor do FIB (aproximadamente US$ 150.00). Os resultados obtidos revelam que os métodos desenvolvidos nos sistemas FIB e EBL para fa-bricação de nanofios de silício para aplicações em nanoeletrônica são inovadores no Brasil e permitem avanços consistentes em nanofabricação. Esses processos, já calibrados, contribuirão para o desenvolvimento de novos processos, como, por exemplo, transistores do tipo FinFET ou dispositivos baseados em nanofios / Abstract: This work presents the development for obtaining silicon nanowires (SiNW) for applications in 3D MOS devices using Focused Ion Beam with gallium ions (GaFIB) and Electron Beam Lithography (EBL) techniques. The complete fabrication process was developed for obtaining junctionless nanowire-based transistors, chosen due to the simplicity of processing and to the absence of short channel and punchthrough effects. Silicon on Insulator (SOI) wafers were used as substrate. GaFIB/SEM - a dual beam system coupled to a scanning electron microscope -, with nominal resolution for the ionic beam of 20 nm, was used to define silicon nanowires and dope them locally by gallium ions (p+-SiNW), in addition to deposit SiO2 dielectric gate and Pt source, drain and gate electrodes. Metal electrodes and gate dielectric deposition were taken place with the electron beam available in the SEM to avoid extra ion implantation and prevent sputtering process of silicon nanowires. The dimensions obtained for the nanowire length (LFin) and high (HFin), gate length (LGate) and width (WGate) were, respectively, 6 ?m, 15 nm, 1 ?m e 35 nm. The study of the driving electric current through p+-SiNW was achieved by electrical measurements in the pseudo-MOS devices using the buried silicon dioxide (BOX) of the SOI wafer as gate dielectric to control the current through the p+-SiNW. Electrical current between source and drain (IDS) versus gate voltage between the back-gate and source (VBGS) curves indicate accumulation regime for the p+-SiNW. IDS versus VDS curves indicate that the JNT device operates as a gated resistor gate. Still, the EBL technique ¿ with nominal resolution for the electronic beam of 2 nm ¿ was used to fabricate nMOS JNT devices - with arsenic dopant (n+-SiNW) - along with ECR-CVC (Electron Cyclotron Resonance) chemical phase deposition plasma system, for defining the nanowires using RF plasma etching and formation of the gate dielectric. Titanium and aluminum source, drain and gate electrodes were deposited by sputtering. The dimensions of width (W) and length (L), as well as the number of nanowire transistors were varied to allow a range of up to 3 orders of the electrical current magnitude through the device. The minimum dimensions obtained for the nanowire length (LFin) and high (HFin), gate length (LGate) and width (WGate) were, respectively, 10 ?m, 15 nm, 100 nm e 50 nm. The average time for the fabrication of one single JNT device using FIB system is 2 days, with the average cost of US$ 4,000.00. Still, the device fabrication using EBL technique is longer ¿ approximately 10 days ¿, however it costs less than one order of magnitude compared to FIB (approximately US$ 150.00). These results show that the methods developed for FIB and EBL systems for fabrication of silicon nanowires for applications in nanoelectronics are innovative in Brazil and allow consistent advances in nanofabrication. These processes, now calibrated, will contribute to the development of new processes, for example, FinFET transistors based on nanowires / Mestrado / Eletrônica, Microeletrônica e Optoeletrônica / Mestre em Engenharia Elétrica

Made available in DSpace on 2016-03-15T19:43:28Z (GMT). No. of bitstreams: 1 Jose Luiz Solsona Silva.pdf: 2867940 bytes, checksum: ce6e8fd4e1f49f24772273cae3aa952a (MD5) Previous issue date: 2009-02-03 / Fundo Mackenzie de Pesquisa / The relationship between the artist's work and the development of the lithograph technique invented by Aloys Senefelder in 1795 they come in the several ways found by the professional tape recorders and artists of the time, to produce an impression form with quality and fidelity. Like this the evolution of the lithograph with the introduction of photographic procedures for the obtaining in the impression way (the lithographic stone) as well as the consequent improvement of the visual quality of the printed papers in relation to the reproduction of the reference original is a visible fact in elapsing of the work. The abbreviation confrontation of Chéret and Lautrec demonstrates, in a certain way, the confrontation in two ways of producing a lithographic form. Chéret is extremely technician in the elaboration of the drawings and of the texts that composed the project he became the reference of the Advertising Poster in the history of the communication. Lautrec, in search of the valorization of the artist's sign, produced with their spontaneity impression forms and it is the model of the plastic artist's performance in the production of commercial works of great communicational impact. It is believed, the artists' involvement with the development of a system of impression of the Graphic Industry, it can raise studies about the real possibilities of the graphic processes. It is noticed, in elapsing of the history of the movements of art plastic surgeries, that the graphic artist's vision or designer went very important for the technological development of the current Graphic Industry. / A relação entre o trabalho do artista e o desenvolvimento da técnica de litografia, inventada por Aloys Senefelder, em 1795, apresentam-se nas várias maneiras encontradas pelos gravadores profissionais e artistas da época, para produzir uma forma de impressão com qualidade e fidelidade. Assim, a evolução da litografia com a introdução de procedimentos fotográficos para a obtenção da forma de impressão (a pedra litográfica), bem como a conseqüente melhoria da qualidade visual dos impressos em relação à reprodução do original de referência, é um fato visível no decorrer do trabalho. O breve confronto de Chéret e Lautrec demonstra, de certa forma, o enfrentamento de duas maneiras de produzir uma forma litográfica. Chéret, extremamente técnico na elaboração dos desenhos e dos textos que compunham o projeto, tornou-se a referência do Cartaz Publicitário na história da comunicação. Lautrec, em busca da valorização do gestual do artista, produziu com espontaneidade suas formas de impressão e é o modelo da atuação do artista plástico na produção de trabalhos comerciais de grande impacto comunicacional. Acredita-se, o envolvimento dos artistas com o desenvolvimento de um sistema de impressão da Indústria Gráfica, possa suscitar estudos sobre as reais possibilidades dos processos gráficos. Percebe-se, no transcorrer da história dos movimentos de artes plásticas, que a visão do artista gráfico ou designer foi muito importante para o desenvolvimento tecnológico da Indústria Gráfica atual.

Submitted by Erika Demachki (erikademachki@gmail.com) on 2016-09-02T17:15:13Z No. of bitstreams: 2 Dissertação - Luciene Alves de Lacerda - 2016.pdf: 6989495 bytes, checksum: 6ae9d774e20b0c7857687d2dcfc17a9d (MD5) license_rdf: 0 bytes, checksum: d41d8cd98f00b204e9800998ecf8427e (MD5) / Approved for entry into archive by Erika Demachki (erikademachki@gmail.com) on 2016-09-02T21:12:52Z (GMT) No. of bitstreams: 2 Dissertação - Luciene Alves de Lacerda - 2016.pdf: 6989495 bytes, checksum: 6ae9d774e20b0c7857687d2dcfc17a9d (MD5) license_rdf: 0 bytes, checksum: d41d8cd98f00b204e9800998ecf8427e (MD5) / Made available in DSpace on 2016-09-02T21:12:52Z (GMT). No. of bitstreams: 2 Dissertação - Luciene Alves de Lacerda - 2016.pdf: 6989495 bytes, checksum: 6ae9d774e20b0c7857687d2dcfc17a9d (MD5) license_rdf: 0 bytes, checksum: d41d8cd98f00b204e9800998ecf8427e (MD5) Previous issue date: 2016-03-31 / This dissertation aims to think the picture and the body as a way to build a poetics that speaks to the dual concept of matrix, which is a possibility of establishing time frames coming from the direction of the imager body and expressive spaces perceptions of the subject / object artist and researcher, senses builder. From the body of ideas as poetic space we draw a path of trials with the titled dry lithography technique, alternative printing technique that refers to the subversion of traditional techniques, because it seeks to establish dialogues between the technique and its materialities bringing to the body element, questioning him in clippings and paths that overlap from one image to another, such as leather, fabrics film, an intimate walk towards the time and the place called body, which permeate the "speeches" and "truths" of society and culture . The materials used for this research were materials discarded by consumer society and information, such as offset plates, which in the recent past were a generating surface images now reused to generate new images; skins; films; tissues; voile; paraffins; stone; instruments for drawing; papers of varying textures, with the intention to provoke, evoke bodily surfaces memories. The weights on the use of diverse materials such as propellants contemporary and relevant reflections to the immense universe of images producer; sensitive body concept understood in its phenomenological relation between subject and object; reflection on the research methodology in visual poetics; and poetic concepts in physical space and the folds, which put us in an opportunity to make connections with dry lithography technique called, were the main theoretical framework that guided the construction of this research. / A presente dissertação de mestrado visa pensar a gravura e o corpo como formas de construir uma poética que dialoga com o duplo conceito de matriz, quais sejam como possibilidade de instaurar temporalidades advindas do sentido do corpo gerador de imagens e espaços expressivos de percepções do sujeito/objeto artista e pesquisador, construtor de sentidos. A partir das ideias de corpo como espaço poético traçamos um percurso de experimentações com a técnica intitulada litografia a seco, técnica de impressão alternativa que remete à subversão das técnicas tradicionais, pois busca estabelecer diálogos entre a técnica e suas materialidades trazendo como elemento o corpo, problematizando-o em recortes e caminhos que se sobrepõem de uma imagem à outra, como peles, películas tecidos, num passeio íntimo em direção ao tempo e ao lugar chamado corpo, onde perpassam os “discursos” e “verdades” da sociedade e da cultura. Os materiais utilizados para a realização desta pesquisa foram materiais descartados pela sociedade de consumo e informação, como as placas offset, que no passado recente foram uma superfície geradora de imagens, agora, reaproveitadas para gerar novas imagens; peles; películas; tecidos; voal; parafinas; pedra; instrumentos para desenhar; papéis de texturas variadas, com a intenção de provocar, evocar lembranças de superfícies corpóreas. As ponderações sobre o uso de materiais diversificados como propulsores de reflexões contemporâneas e pertinentes ao imenso universo produtor de imagens; o conceito de corpo sensível compreendido em sua relação fenomenológica entre sujeito e objeto; a reflexão sobre a metodologia de pesquisa em poéticas visuais; e os conceitos de poética no espaço corpóreo e as dobras, as quais nos colocam em oportunidade para fazer conexões com a técnica chamada litografia a seco, foram os principais aportes teóricos que guiaram a construção desta pesquisa.