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21	Conception, fabrication et caractérisation de transistors à effet de champ haute tension en carbure de silicium et de leur diode associée Chevalier, Florian 30 November 2012 (has links) (PDF) Dans le contexte des transports plus électriques, les parties mécaniques tendent à être remplacées par leurs équivalents électriques plus petits. Ainsi, le composant lui-même doit supporter un environnement plus sévère et de lourdes contraintes (haute tension, haute température). Les composants silicium deviennent alors inappropriés. Depuis la commercialisation des premières diodes Schottky en 2001, le carbure de silicium est le matériau reconnu mondialement pour la fabrication de dispositifs haute tension avec une forte intégration. Sa large bande d'énergie interdite et son fort champ électrique critique permettent la conception de transistors à effet de champ avec jonction (JFET) pour les hautes tensions ainsi que les diodes associées. Les structures étudiées dépendent de nombreux paramètres, et doivent ainsi être optimisées. L'influence d'un paramètre ne pouvant être isolée, des méthodes mathématiques ont été appelées pour trouver la valeur optimale. Ceci a conduit à la mise en place d'un critère d'optimisation. Ainsi, les deux grands types de structures de JFET verticaux ont pu être analysés finement. D'une part, la recherche d'une structure atteignant les tensions les plus élevées possible a conduit à l'élaboration d'un procédé de fabrication complexe. D'autre part, un souci de simplification et de stabilisation des procédés de fabrication a permis le développement d'un composant plus simple, mais avec une limite en tension un peu plus modeste. [SPI:OTHER] Engineering Sciences/Other Electronique Electronique de puissance Diode à barrière de Schottky Composant de puissance Carbure de silicium Modélisation par éléments finis - FEM Diode PIN Canal latéral Canal vertical JFET double grille
22	Investigating the universality of a semantic web-upper ontology in the context of the African languages Anderson, Winston Noël 08 1900 (has links) Ontologies are foundational to, and upper ontologies provide semantic integration across, the Semantic Web. Multilingualism has been shown to be a key challenge to the development of the Semantic Web, and is a particular challenge to the universality requirement of upper ontologies. Universality implies a qualitative mapping from lexical ontologies, like WordNet, to an upper ontology, such as SUMO. Are a given natural language family's core concepts currently included in an existing, accepted upper ontology? Does SUMO preserve an ontological non-bias with respect to the multilingual challenge, particularly in the context of the African languages? The approach to developing WordNets mapped to shared core concepts in the non-Indo-European language families has highlighted these challenges and this is examined in a unique new context: the Southern African languages. This is achieved through a new mapping from African language core concepts to SUMO. It is shown that SUMO has no signi ficant natural language ontology bias. / Computing / M. Sc. (Computer Science) Upper Ontology Suggested Upper Merged Ontology (SUMO) Tree comparison Ontology Resource Description Framework (RDF) Lexical semantics Semantic networks Language resources Open environment WordNet Extensible Mark-up Language (XML) African languages of Sub-Saharan Origin Proto-Bantu language 401.430285 Linguistic universals Semantic Web Semantics -- Data processing Ontologies (Information retrieval) Document markup languages Proto-Bantu language RDF (Document markup language)
23	Analýza a získávání informací ze souboru dokumentů spojených do jednoho celku / Analysis and Data Extraction from a Set of Documents Merged Together Jarolím, Jordán January 2018 (has links) This thesis deals with mining of relevant information from documents and automatic splitting of multiple documents merged together. Moreover, it describes the design and implementation of software for data mining from documents and for automatic splitting of multiple documents. Methods for acquiring textual data from scanned documents, named entity recognition, document clustering, their supportive algorithms and metrics for automatic splitting of documents are described in this thesis. Furthermore, an algorithm of implemented software is explained and tools and techniques used by this software are described. Lastly, the success rate of the implemented software is evaluated. In conclusion, possible extensions and further development of this thesis are discussed at the end.
24	Implementation of high voltage Silicon Carbide rectifiers and switches / Conception et réalisation de composants unipolaires en Carbure de Silicium Berthou, Maxime 18 January 2012 (has links) Nous présentons dans ce document, notre étude de la conception et la réalisation de VMOS et de diodes Schottky et JBS en carbure de silicium. Ce travail nous a permis d'optimiser et de fabriquer des diodes utilisant une barrière Schottky en Tungsten de différentes tenues en tension entre 1,2kV et 9kV. De plus, notre étude du VMOS nous a permis d'identifier la totalité des problèmes auxquels nous faisons face. Ainsi, nous avons pu améliorer ces composants tout en essayant de nouveaux designs tels que le VIEMOS et l'intégration monolithique de capteurs de temperature et de courant. / In this document, we present ou study about the conception and realization of VMOS and Schottky and JBS Diodes on Silicon Carbide. This work allowed us optimize and fabricate diodes using Tungsten as Schottky barrier on both Schottky and JBS diodes of different blocking capability between 1.2kV and 9kV. Moreover, our study of the VMOS, by considering the overall fabrication process, has permitted to identify the totality of the problems we are facing. Thusly we could ameliorate the devices and try new designs as the VIEMOS or the monolithic integration of temperature and current sensors. Electronique de puissance Diode à barrière de Schottky Semiconducteur VMOS Haute tension Carbure de silicium Semiconducteur VDMOS Haute température Electronique de commutation Convertisseur de haute tension Convertisseur sous haute température Power Electronics Schottky Barrier Diode Silicon Carbide High temperature Electronic Commutation High Voltage Converter High Temperature Converter 621.317 072

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