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Systém pro precizní 3D snímání spojitého povrchu nožní klenby / System for precise 3D capturing of the continues surface of the foot archFojtík, Tomáš January 2014 (has links)
This thesis deals with the development of the user interface for the application of the method Phase shifting profilometry. First deals with the theoretical approach of this method, and describes the process of image segmentation and data processing using morphological operations. In the practical part of the user interface is designed for acquiring and processing data received in Matlab.
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Modélisation en fonctionnelle de la densité atomique des transformations de phases dans le système Fe-C à basse température / Functional Modification of the Atomic Density of Phase Transitions in the Fe-C System at Low TemperaturesLavrskyi, Mykola 17 January 2017 (has links)
Cette thèse a été centrée sur l’étude de la formation d’une phase martensitique dans les aciersFe-Ni-C et sur la diffusion des atomes de carbone dans cette phase à basse température. Lamodélisation à l’échelle atomique a été utilisée. Pour décrire ces phénomènes, deux approchesont été développées: un modèle discret basé sur la théorie de la fonction de densité atomique(ADF) et une approche quasiparticulaire basée sur la théorie atomique de Fratons (AFT). Dansun premier temps, pour montrer l’universalité de notre approche, nous avons appliqué l'AFTpour modéliser la cinétique d'auto-assemblage des atomes initialement désordonnés à desstructures ordonnées complexes. Cette approche a ensuite été appliquée à l'étude detransformation austénite/martensite. Il a été montré que le germe de martensite se développecomme agrégat multivariant dans la matrice austénitique. En utilisant des figures de pôles etdes diagrammes de diffraction simulés, ces variants ont été identifiés et comparés aux donnéesexpérimentales. La diffusion du carbone dans la phase de martensite a été étudiée en utilisantla théorie ADF. Deux systèmes avec différentes propriétés élastiques, Fe-C et Fe-Ni-C, ont étéconsidérés. Il a été montré qu’au cours du premier stade de vieillissement, les atomes decarbone subissent une décomposition spinodale sur les interstices octaédriques du réseautétragonal centré de martensite et forment les zones riches en carbone. Ensuite, la morphologie«tweed-like» des zones riches en carbone est développée. Les résultats des simulations sontun bon accord avec les images expérimentales obtenues par sonde atomique tomographique.La relation entre une mise en ordre de Zener et la concentration des zones riches en carbone aété discutée. / This thesis examines the formation of martensite in Fe-Ni-C steels and the diffusion of carbonatoms in this phase at low temperatures. To achieve this goal the atomistic modeling have beenused. To describe these phenomena two different approaches were developed: a discretemodel based on the Atomic Density Function (ADF) theory and the quasiparticle approachesbased on the Atomic Fraton Theory (AFT). First, the AFT was tested to model a self-assemblykinetics of initially disordered systems to three different classes of ordered one: singlecomponent crystals with fcc and diamond structures, two component crystals with zinc-blendstructure, and polymers with single-strand and double-stranded helixes structures. Then thisapproach was applied to model austenite/martensite transformation. It was shown thatmartensite nucleus grows as multivariant aggregate in austenite matrix. Using pole figures andsimulated diffraction patterns these variants were identified and compared with the experimentaldata. The carbon diffusion in martensite phase was studied using ADF theory. Two systemswith the different elastic properties corresponding to the Fe-C and Fe-Ni-C systems wereconsidered. It was shown that during a first stage of aging the carbon atoms undergo a spinodaldecomposition on the octahedral interstices of bcc lattice and form the carbon-rich zones. Then"tweed-like" morphology of carbon-rich zones is developed. The simulations results are a goodagreement with experimental images obtained by atom probe tomography. The relationbetween Zener ordering and the concentration of carbon reach zones is discussed.
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Contribution à la discrimination chirale à l'état solide et accès aux énantiomères pures par cristallisation / Contribution to Chiral Discrimination in the Solid State and Access to Pure Enantiomer via CrystallizationGendron, François-Xavier 29 June 2018 (has links)
Le besoin d’accès aux énantiomères purs a largement augmenté depuis les années 90. Les procédés ayant recours à la cristallisation sont souvent moins cher mais tout aussi efficace que les autres procédés. Deux études ont été réalisées dans cette thèse : -La première concerne l’amélioration d’un procédé déjà établi. En effet, l’efficacité de la Cristallisation Préférentielle (PC) de conglomérat est connue. Néanmoins, son application à des solutions solides images l’une de l’autre dans un miroir est plus complexe. Est présenté le premier exemple de PC réalisée sur un système à solution solide complète démixant à basse température : le sel d’hydrogénomaléate de baclofène (un API). De plus, il s’agit de la première preuve expérimentale d’un tel équilibre de phases et de PC de solutions solides dont les résultats sont comparables à la cristallisation préférentielle traditionnelle. -Le second sujet ne traite pas directement de la séparation d’énantiomère mais de prometteuses discriminations chirales ont été obtenues. Le diagramme d’équilibre de phases entre les compositions racémiques de deux couples d’atropoisomères a été étudié. Deux résultats en lien avec la discrimination chirale ont été établis : le premier est la possibilité de déracémiser un composé A initialement non-discriminé (composé racémique) à l’intérieur de la matrice d’un composé B discriminé (conglomérat). Le second est l’observation d’un nouveau type de chiralité : Chiralité Induite par Dissymmétrie de Distribution (CIDD). / The need for access to pure enantiomers has largely increased since the nineties. Processes using crystallization are often cheaper and as efficient as other processes. Thus, the improvement of existing techniques and the need for new processes are attractive for scientist and industry. Two studies have been performed in this thesis:The first one concerns the improvement of an existing technique. Indeed, conglomerate Preferential Crystallization efficiency is well known. Nonetheless, its application to mirror image partial solid solutions is more difficult. Here is presented the first example of PC performed on a complete solid solution at high temperature which shows a solid solutions demixion at low temperature: the baclofen hydrogenomaleate salt (an API). Moreover, it is the first experimental observation of such phase equilibria and PC of mirror image solid solutions whose results are comparable to classical PC. -The second topic did not involve directly enantiomer separation but promising chiral discriminations have been obtained. The phase diagram between the racemic composition of two couples of atropisomers has been defined. Beside multiples equilibria observed, two results concerning the chiral discrimination can be highlighted: the first one is the possibility to deracemize a compound A initially not discriminated (racemic compound) inside the matrix of a compound B (which forms a stable conglomerate). The second is the observation of a new kind of chirality: Chirality Induced by Dissymmetric Distribution (CIDD).
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Etude de l’élaboration de revêtements autocicatrisants pour le développement de matériaux robustes en condition nucléaire / Elaboration of self-healing coatings for the development of robust materials in nuclear conditionsOugier, Michaël 09 December 2019 (has links)
Dans le cadre des recherches menées sur l'amélioration de la résistance à l'oxydation des gaines de combustible en conditions accidentelles, des revêtements Cr-Al-C et Cr2AlC ont été développés dans ce travail. Dans la première partie, nous avons étudié le procédé HiPIMS afin de comprendre l'effet de différents paramètres de dépôt sur le plasma et les propriétés des films obtenus. Il en ressort que malgré un bombardement ionique plus intense, un apport supplémentaire d'énergie est requis pour obtenir un revêtement cristallin. Des recuits à partir de 500°C sous argon de systèmes Cr-Al-C tels que déposés permettent ainsi une cristallisation partielle des revêtements en Cr2AlC à une température suffisamment basse pour être compatible avec la métallurgie des alliages de zirconium. Dans un second temps, l'évaluation du comportement à haute température de ces deux types de revêtements, recuits ou non, a révélé un effet protecteur contre l'oxydation rapide du zirconium jusqu'à 1200°C en atmosphère oxydante grâce à la formation d'une couche d'oxyde continue. Cette couche est constituée d'un mélange d'alumine α et de chromine pour le revêtement de Cr-Al-C tandis que seule l'alumine α est présente pour le revêtement Cr2AlC dans les premiers instants de l'oxydation. Ensuite, en raison de l'appauvrissement en Al, les revêtements se dégradent en formant une couche intermédiaire résiduelle de carbure Cr7C3 servant de réservoir de Cr jusqu'à complète oxydation. Ces résultats ont également montré la perte d'une partie du réservoir d'Al par diffusion dans les alliages Zr. Une architecture multicouche a été développée pour limiter cette diffusion et ainsi prolonger la durée de vie du revêtement. L'ajout d'un intercalaire en Mo pour bloquer la diffusion d'Al dans le substrat s'est avéré peu concluant, le molybdène s'évaporant à haute température. Les systèmes base Cr-Al-C revêtus chrome, présentent quant à eux, un comportement amélioré par rapport aux revêtements monocouches. / This study aims to improve oxidation resistance of nuclear fuel claddings in accident conditions. In this context, Cr-Al-C and Cr2AlC coatings deposition and their behavior were studied. Firstly, we investigated the influence of HiPIMS process parameters on the properties of the plasma and the deposited films. Despite more intense ionic fluxes due to the HiPIMS process, coatings do not crystallize without an additional energy supply. Partially crystallized Cr2AlC thin films were obtained by a 500°C annealing of as-deposited Cr-Al-C coatings. This two-step process is a viable solution to protect nuclear claddings with Cr2AlC coating while maintaining the metallurgical properties of the zirconium-based substrates. Secondly, the assessment of the oxidation resistance of as-deposited and annealed coatings revealed significant protective effect against rapid oxidation under dry and wet air at high temperatures (up to 1200°C) owing to the formation of a continuous oxide layer. During the first stages of oxidation, this layer is made of α Al2O3 and Cr2O3 for as-deposited coating while only α-Al2O3 is present for the annealed one. Because of Al depletion, coatings later deteriorate and form a residual and porous intermediate chromium carbide (Cr7C3) layer which further fully oxidizes. It was shown that the inward diffusion of Al with Zr also accelerates the coating deterioration. To improve the oxidation resistance of these coatings, multilayered architectures were developed. Adding a molybdenum interlayer as diffusion barrier globally decreased the oxidation resistance of the coating. In contrast, topping Cr-Al-C and Cr2AlC with a Cr layer improved oxidation behavior over single-layer coatings.
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Chalcogenide of type I-V-VI₂ for thermoelectric applications / Chalcogénures de type I-V-VI₂ pour applications thermoélectriquesMitra, Sunanda 15 December 2016 (has links)
Ce travail de thèse porte sur une série d’échantillons de composition nominale AgBiSe2-xSx (avec x= 0 à 2), appartenant à la famille des chalcogénures ternaires de type I-V-VI₂. Les analyses structurales et thermiques ont mis en évidence une solution solide complète sans gap de miscibilité, et des transitions de phase pour toutes les compositions. Nous avons pu obtenir des composés monophasés à la fois des phases hexagonale et cubique, et notre étude de DRX en température à mis en évidence une phase rhomboédrique pour certaines compositions (x=1 à 2 dans AgBiSexS2-x). Les résultats de DSC ont confirmé la présence de transitions de phase pour toutes les compositions, avec un déplacement des températures de transition en fonction de la fraction de soufre/sélénium. Notre étude de DRX sous pression de l’échantillon AgBiSe₂ a montré une transition de phase induite par la pression d’une phase hexagonale à rhomboédrique puis cubique. Suite à cette observation, l’application d’une pression chimique, par la substitution de 30% du Bi par du Sb a été utilisée avec succès pour stabiliser la phase cubique pour toutes les compositions. Le dopage par Nb des échantillons substitués par l’antimoine l’a pas eu d’influence sur la nature des phases stables à l’ambiante en comparaison aux échantillons non dopés. Nous avons ensuite étudié l’influence du dopage sur les propriétés de transport. Les valeurs négatives de S pour toutes les compositions indiquent un comportement de semi-conducteur de type n dans la gamme (50-300K). Par ailleurs, nos mesures ont montré à a fois de très faibles valeurs de κ mais aussi une décroissance de ∣S∣ et ρ avec l’augmentation de la fraction de Nb. Ces résultats devraient permettre d’optimiser le facteur de puissance pour améliorer les valeurs de ZT. Enfin, une étude en collaboration avec une équipe chinoise a permis d’obtenir une valeur de ZT de 1.3 à 890K dans un composé AgPbmSnSe₂. / Here, we report on a series of samples with nominal compositions AgBiSe2-xSx (with x= 0 to 2) belonging to the class of ternary chalcogenides of type I-V-VI₂. The structural and thermal analysis result shows a complete solid solution without miscibility gap and phase transitions for all compositions. We have succeeded in obtaining single phase compounds, of both hexagonal and cubic phase, and the high temperature XRD study showed the rhombohedral phase too for selected compositions (x=1 to 2 in AgBiSexS2-x). The DSC results confirmed the presence of the phase transitions for all compositions, with a shift of the temperature of transition as a function of the sulfur/selenium fraction. The high pressure XRD investigation of the compound AgBiSe₂ showed a pressure induced phase transition from hexagonal-to-rhombohedral-to-cubic phase. In this respect, chemical pressure with 30% Sb on the Bi site has been successfully applied to stabilize the cubic phase for all compositions. Nb doping in the Sb-substituted samples does not show any change in the phase behavior at RT in comparison with the undoped samples. The influence of doping on transport properties was analyzed. The negative value of S for all compositions indicates n-type semiconducting behavior over the range (50-300K). Further, the results not only shows very low value of κ but the ∣S∣ and ρ value also decreases for each composition from Nb fraction 0.02 to 0.04. This gives us the opportunity to optimize the power factor in order to improve the ZT value. At last, collaborative study with Chinese team showed that ZT of 1.3 at 890 K can be achieved for AgPbmSnSe2+m (m = 50).
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Techniques for Wideband All Digital Polar TransmissionJanuary 2019 (has links)
abstract: Modern Communication systems are progressively moving towards all-digital transmitters (ADTs) due to their high efficiency and potentially large frequency range. While significant work has been done on individual blocks within the ADT, there are few to no full systems designs at this point in time. The goal of this work is to provide a set of multiple novel block architectures which will allow for greater cohesion between the various ADT blocks. Furthermore, the design of these architectures are expected to focus on the practicalities of system design, such as regulatory compliance, which here to date has largely been neglected by the academic community. Amongst these techniques are a novel upconverted phase modulation, polyphase harmonic cancellation, and process voltage and temperature (PVT) invariant Delta Sigma phase interpolation. It will be shown in this work that the implementation of the aforementioned architectures allows ADTs to be designed with state of the art size, power, and accuracy levels, all while maintaining PVT insensitivity. Due to the significant performance enhancement over previously published works, this work presents the first feasible ADT architecture suitable for widespread commercial deployment. / Dissertation/Thesis / Doctoral Dissertation Electrical Engineering 2019
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Teachers' and learners' experiences of technology-based teaching and learning in the foundation phaseHannaway, Donna-Anne Mary January 2016 (has links)
Technology in this age is ubiquitous and is changing the way that individuals live, work and play. In line with this, South African education has to change regularly to meet the requirements set out by the Department of Basic Education, including the development of learning outcomes for the 21st century. This study therefore explored teachers' and learners' experiences of Technology-based Teaching and Learning (TbTL) in the Foundation Phase. Qualitative case study research methods such as photovoice, narratives, semi-structured interviews, opinion pieces and field notes were conducted within three cases in order to understand the experiences of TbTL in the Foundation Phase. Data were examined through a conceptual lens that was grounded in the Technological Pedagogical and Content Knowledge (TPACK) framework and yielded the following themes: technological tools, 21st century skills, Technology-based Teaching and Learning itself and mind the gaps. Finally, the novel, original contribution that this study makes is a framework for TbTL in the Foundation Phase. In essence this framework is relevant to understand teachers' and learners' experiences of the phenomenon of TbTL in the Foundation Phase. It is not a step-by-step guide as such but rather an indication of the core elements that are important to consider by any role players using TbTL in this phase. It is anticipated that using this framework as a guide to TbTL in the Foundation Phase will assist in creating teachers and learners who are digitally literate, lifelong learners with developed 21st century skills. / Thesis (PhD)--University of Pretoria, 2016. / Early Childhood Education / PhD / Unrestricted
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On the improvement of phase noise in wideband frequency synthesizersMunyai, Pandelani Reuben Mulalo January 2017 (has links)
Wireless communication systems are based on frequency synthesizers that generate carrier signals,
which are used to transmit information. Frequency synthesizers use voltage controlled oscillators
(VCO) to produce the required frequencies within a specified period of time. In the process of generating
frequency, the VCO and other electronic components such as amplifiers produce some unwanted
short-term frequency variations, which cause frequency instability within the frequency of
interest known as phase noise (PN). PN has a negative impact on the performance of the overall wireless
communication system. A literature study conducted on this research reveals that the existing PN
cancellation techniques have some limitations and drawbacks that require further attention.
A new PN correction technique based on the combination of least mean square (LMS) adaptive filtering
and single-loop single-bit Sigma Delta (SD) modulator is proposed. The new design is also based
on the Cascaded Resonator Feedback (CRFB) architecture. The noise transfer function (NTF) of the
architecture was formulated in way that made it possible to stabilize the frequency fluctuations within
the in-band (frequency of interest) by locating its poles and zeros within the unit circle.
The new design was simulated and tested on a commercially available software tool called Agilent Advanced Design System (ADS). Simulation results show that the new technique achieves better
results when compared with existing techniques as it achieves a 104 dB signal-to-noise (SNR), which
is an improvement of 9 dB when compared with the existing technique accessed from the latest
publications. The new design also achieves a clean signal with minimal spurious tones within the inband
with a phase noise level of -141 dBc/Hz (lower phase noise level by 28 dBc/Hz) when compared
with the existing techniques. / Thesis (MEng)--University of Pretoria, 2017. / Electrical, Electronic and Computer Engineering / MEng / Unrestricted
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Investigation of ternary ΑlΙnΝ and quaternary ΑlGaΙnΝ alloys for high electron mobility transistors by transmission electron microscopy / Analyse d’alliages ternaire et quaternaire (Al, Ga, In)N pour application aux transistors à haute mobilité électronique par microscopie électronique en transmissionBen ammar, Hichem 01 December 2017 (has links)
Les semi-conducteurs III-V à base d’azote et leurs alliages possèdent des propriétés remarquables et sont largement étudiés depuis les années 90. En comparaison à d'autres semi-conducteurs III-V, Les alliages de type ; AlGaN, InGaN et AlInN, ont leurs bandes interdites, directes, du lointain ultra-violet au proche infrarouge. Ainsi, ils sont appropriés pour de nombreuses applications dans des domaines tant civils que militaires tout en montrant de meilleures performances. De plus, l'alliage quaternaire AlGaInN montre des propriétés intéressantes car il peut être épitaxié soit avec un paramètre de maille ou une polarisation ou une bande interdite accordé au GaN. De plus, avec AlInN, ces deux alliages pourraient, à terme, remplacer les barrières conventionnelles AlGaN/GaN pour les applications aux Transistors à Haute Mobilité Électroniques (HEMT) grâce à des performances supérieures prouvées théoriquement.Dans ce travail, nous avons étudié les alliages AlInN et AlGaInN dont la croissance a été faite par épitaxie en phase vapeur d’organométalliques (MOVPE). Pour cela, la microscopie électronique en transmission a été notre principal outil de caractérisation. Le but était de caractériser les défauts et les mécanismes de croissance pendant la MOVPE. Dans cette optique, l'incorporation de gallium dans la barrière en raison de la géométrie de la chambre de croissance menant à un alliage quaternaire a été étudiée. Le contrôle du taux de gallium est réalisé soit par un processus de nettoyage entre les épitaxies soit par les conditions de croissance. Les défauts ont été ensuite différenciés comme extrinsèques et intrinsèques. En effet, les dislocations et les domaines d'inversion dans le GaN produisent des défauts extrinsèques, tandis que, les « pinholes » non connectés aux dislocations et les « hillocks » responsables de la rugosité de surface sont définis comme intrinsèques. Les origines des défauts intrinsèques dépendent fortement des propriétés physiques des composés parents binaires. Ces dégradations systématiques sont observées même lorsque les conditions de croissance sont optimisées et quand la composition du film mince est changée ou son épaisseur augmentée.Notre travail propose des mécanismes différents pour expliquer les processus de dégradation pour les différents défauts observés et constitue donc un pas en avant pour la réalisation de HEMT à base de AlInN et AlGaInN de meilleure qualité. / Group III-Nitrides and their alloys exhibit outstanding properties and are being extensively investigated since the 90’s. In comparison to other III-V semiconductors, III-nitrides (AlGaN, InGaN, and AlInN) cover from deep ultraviolet (UV) to near infrared (IR) across the visible range of wavelengths. Thus, they are suitable for numerous applications both in civilian and military fields showing higher performances. Moreover, the quaternary alloy AlGaInN shows versatile properties as it can grow either lattice or polarization or bandgap matched to GaN. Alongside to AlInN, these two alloys are expected to replace conventional AlGaN/GaN High Electron Mobility Transistors (HEMT) barriers as higher performances have been theoretically demonstrated.In this work, we have studied AlInN and AlGaInN grown by metal organic vapor phase epitaxy (MOVPE) using mainly TEM. The aim was to characterize defects and the MOVPE growth alloying process. In this instance, the gallium incorporation in the barrier due to the geometry of the growth chamber leading to a quaternary alloy was studied. The control of the gallium content is achieved by a cleaning process between runs or by the growth condition. Defects were then differentiated as extrinsic and intrinsic. In this way, dislocations and inversion domains from the GaN buffer layer generate extrinsic defects, while, pinhole not connected to dislocations and individual hillocks responsible of surface roughening are termed as intrinsic. The origins of the latter defects depend strongly on the physical mismatches of the end-binary compound. These systematic degradations happen also with optimized growth conditions as soon as the nominal composition is changed and/or the thickness is increased.Our work proposes different mechanisms to explain defects generation processes which constitutes a forward step for higher quality HEMTs.
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Digital instrumentation for the measurement of high spectral purity signals / Instrumentation numérique pour la mesure de signaux de haute pureté spectraleCardenas Olaya, Andrea 06 July 2018 (has links)
Les progrès sur la technologie électronique pendant les dernières années avaient permis l’utilisation des techniques numériques dans la métrologie de temps et fréquence où bas bruit et haute précision sont nécessaires. Ces techniques génèrent systèmes plus flexibles pour l’implémentation et pour la configuration. De cette façon, c’est possible d’obtenir systèmes de mesure avec capacités étendues, fonctionnalités ajoutées et plus facile ad utiliser.Les convertisseurs analogique-numérique (ADCs) et numérique-analogique (DACs), considérée comme l’interface avec le monde analogique, représentent la limite de la performance du système en termes de bruit. De plus, en général, les plateformes commerciales basées sur FPGA sont cadencées par un oscillateur à quartz dont précision et stabilité de fréquence ne sont pas adapté pour plupart des applications de temps e fréquence. Dans ce cas, c’est possible d’utiliser le Phase Locked Loop (PLL) intégré dans la FPGA pour générer l’horloge du système à partir d’une référence de fréquence externe. Cependant, en considérant que le bruit de phase du PLL pourrait dégrader la stabilité de la référence et ainsi limiter la performance d’entier système, le PLL devient un composant critique pour l’instrumentation numérique. L’information disponible actuellement dans la littérature décrit en détail les spécifications de ces composants a offset de fréquence loin de la porteuse. Cependant, l’information proche à la porteuse est une préoccupation plus importante pour les applications de temps et fréquence.Dans ce cadre, ma thèse de doctorat est concentrée sur l’étude des limitations des composants critiques de l’instrumentation numérique pour la métrologie de temps et fréquence. L’objectif est de caractériser le bruit introduit par ces composants et ainsi obtenir un modèle que permettra de prédire leurs effets sur une application spécifique. On propose une méthode pour extraire les paramètres des modelés lequel est testé et validé sur la plateforme commercial Red Pitaya. Cette plateforme est une open source embedded system dont résolution et vitesse (14 bit, 125 MSps) sont raisonnablement proche de l’état de l’art des ADCs et DACs (16 bit, 350 MSps or 14 bit, 1 GSps/3GSPs) et c’est potentiellement suffisant pour l’implémentation de un instrument complet. Les résultats de la caractérisation conduisent aux limitations de la plateforme et donnent une directrice pour le design de l’instrument.Basé sur les résultats obtenus de la caractérisation du bruit, l’implémentation de un instrument numérique pour le transfert de fréquence par fibre optique est été réalisée sur la plateforme Red Pitaya. Dans ce projet, une implémentation numérique pour la détection et compensation du bruit de phase induit par la fibre est proposé. Sur la base des résultats de la caractérisation, il était prévu une limitation de la mesure du bruit de phase donnée par le PLL. Les premières mesures de cette implémentation ont été réalisées sur un lien de fibre de 150 km + 150 km placées dans les mêmes câbles entre l'INRiM (Turin) et le Laboratoire Souterrain de Modane (LSM) à la frontière Italie-France. A partir de ces résultats, le bruit introduit par le système numérique a été vérifié en accord avec les résultats de la caractérisation. Additionnel tests et améliorations seront effectués pour avoir un système capable d’être utilisé sur le lien italien pour la fréquence et le temps de Turin à Florence qui est longue de 642 km et à son extension dans le reste de l'Italie prévue dans le prochain avenir.Actuellement, une plateforme plus performante est en cours d'évaluation, à travers les techniques et concepts développés au cours de la thèse. Ce projet a pour but l’implémentation d'un phasemètre à l’état de l’art de la technologie dont l'architecture est basée sur le DAC. La caractérisation du DAC est en cours de développement et les mesures préliminaires sont également rapportées ici. / Improvements on electronic technology in recent years have allowed the application of digital techniques in time and frequency metrology where low noise and high accuracy are required, yielding flexibility in systems implementation and setup. This results in measurement systems with extended capabilities, additional functionalities and ease of use.The Analog to Digital Converters (ADCs) and Digital to Analog Converters (DACs), as the system front-end, set the ultimate performance of the system in terms of noise. Moreover, most commercial platforms based on FPGA are clocked by quartz oscillators whose accuracy and frequency stability are not suitable for many time and frequency applications. In this case, it is possible to take advantage of the internal Phase Locked Loop (PLL) for generating the internal clock from an external frequency reference. However, the PLL phase noise could degrade the oscillator stability thereby limiting the entire system performance becoming a critical component for digital instrumentation. The information available currently in literature, describes in depth the features of these devices at frequency offsets far from the carrier. However, the information close to the carrier is a more important concern for time and frequency applications.In this frame, my PhD work is focused on understanding the limitations of the critical blocks of digital instrumentation for time and frequency metrology. The aim is to characterize the noise introduced by these blocks and in this manner to be able to predict their effects on a specific application. This is done by modeling the noise introduced by each component and by describing them in terms of general and technical parameters. The parameters of the models are identified and extracted through the corresponding method proposed accordingly to the component operation. This work was validated by characterizing a commercially available platform, Red Pitaya. This platform is an open source embedded system whose resolution and speed (14 bit, 125 MSps) are reasonably close to the state of the art of ADCs and DACs (16 bit, 350 MSps or 14 bit, 1 GSps/3GSPs) and it is potentially sufficient for the implementation of a complete instrument. The characterization results lead to the noise limitations of the platform and give a guideline for instrumentation design techniques.Based on the results obtained from the noise characterization, the implementation of a digital instrument for frequency transfer using fiber link was performed on the Red Pitaya platform. In this project, a digital implementation for the detection and compensation of the phase noise induced by the fiber is proposed. The beat note, representing the fiber length variations, is acquired directly with a high speed ADC followed by a fully digital phase detector. Based on the characterization results, it was expected a limitation in the phase noise measurement given by the PLL. First measurements of this implementation were performed using the 150 km-long buried fibers, placed in the same cables between INRiM and the Laboratoire Souterrain de Modane (LSM) on the Italy-France border. The two fibers are joined together at LSM to obtain a 300 km loop with both ends at INRiM. From these results the noise introduced by the digital system was verified in agreement with characterization results. Further test and improvements will be performed for having a finished system which is intended to be used on the Italian Link for Frequency and Time from Turin to Florence that is 642-km long and to its extension in the rest of Italy that is foreseen in the next future.Currently, a higher performance platform is under assessment by applying the tools and concepts developed along the PhD. The purpose of this project is the implementation of a state of the art phasemeter whose architecture is based on the DAC. The DAC characterization is under development and preliminary measurements are reported here.
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