Un des problèmes majeurs au cours de l'infection par le virus de l'immunodéficience humaine (VIH) est la persistance virale. En effet, bien qu'un traitement antirétroviral (ART) supprime la réplication virale, un rebond viral survient lors de l'arrêt de la ART, indiquant une dissémination virale précoce et l'absence d'une éradication complète du virus. Par conséquent, l'identification de la nature des cellules infectées et des tissus qui contribuent au rebond viral est cruciale afin de guérir de l'infection par le VIH. Dans le but d'identifier les cibles précoces du virus, celles qui contribuent à la persistance virale sous ART et au rebond viral à l'arrêt du traitement, nous avons utilisé un modèle d'infection expérimental du macaque rhésus (RM) par le SIVmac251. L'utilisation de ce modèle animal nous a permis d'analyser des organes difficilement accessibles chez l'homme. Ainsi, nous avons analysé ces réservoirs durant la primo-infection, sous ART précoce (initiée à 4 jours postinfection) et après l'interruption du traitement (ATi). À partir de ces animaux, différents tissus ont été étudiés comme la rate, les ganglions mésentériques, les ganglions axillaires/inguinaux, et l'intestin. Nous avons trié les sous-populations de cellules cibles du virus à savoir les cellules CD4 et les monocytes/macrophages par cytométrie en flux. Nous avons quantifié la charge virale plasmatique, ainsi que l'ADN viral, les transcrits d'ADN R-U5, et l'ARN viral associés aux cellules par qRT-PCR. Mes travaux ont permis de démontrer qu'en l'absence de ART, les sous-populations de cellules lymphocytaires CD4 et monocytaires contiennent des transcrits R-U5, de l'ADN et de l'ARN viral. De plus, ces cellules infectées sont aptes à produire du virus infectieux après stimulation. Nos résultats ont également démontré que les cellules Tfh et TEM sont les principales cibles du SIV. Par ailleurs, les cellules Tfh produisent davantage de virus après activation que les autres cellules. Au niveau tissulaire mes travaux ont montré que dans la rate la réplication virale s'effectue très tôt après infection comparativement à d'autres tissus comme les ganglions périphériques ou mésentériques. Nous avons détecté de l'ADN et de l'ARN viral dans ce compartiment dès le jour 7. Nous avons montré que la ART précoce, administrée au jour 4 post-infection, réduit considérablement l'inflammation, empêche efficacement la dissémination virale dans les monocytes, en revanche le virus persiste dans les lymphocytes T CD4 au niveau des ganglions mésentériques et de la rate, en particulier dans les cellules Tfh et TEM. L'interruption de la ART est associée à un rebond viral en moins de deux semaines, conduisant à la dissémination virale provenant fort probablement des cellules Tfh et TEM des tissus lymphoïdes viscéraux et ciblant à la fois les monocytes et les sous-populations de lymphocytes T. Ainsi, mes travaux ont permis de faire progresser la compréhension sur la dissémination virale précoce pour laquelle les tissus lymphoïdes viscéraux sont cruciaux dans le maintien des sanctuaires au sein desquels les cellules Tfh et TEM sont les principales cellules réservoirs. Afin de guérir de l'infection par le VIH, ces sanctuaires viraux devraient être ciblés par les nouvelles stratégies thérapeutiques. / One of the major problems during HIV infection is viral persistence. Although early antiretroviral therapy (ART) suppresses viral replication, ART discontinuation results in viral rebound, indicating early viral seeding and absence of eradication. Therefore, identification of the infected cells and tissues that contribute to viral rebound are crucial for HIV cure. In order to identify the early targets of the virus, those that contribute to viral persistence on ART and to viral rebound upon discontinuation of treatment, we used an experimental model of SIVmac251 infected rhesus macaques (RMs). This allowed us to analyze organs that are difficult to access in humans. We analyzed these reservoirs during the primary infection, under early ART (day 4 post infection) and after ART interruption (ATi). From these animals, different tissues were investigated such as spleen, mesenteric LNs, axillary/inguinal LNs, and intestine (colon, ileum, and jejunum parts). We sorted the target cell subsets of the virus including CD4 cells and monocytes by flow cytometry. We quantified plasma viral load, as well as cell-associated viral DNA, R-U5 transcripts, and viral RNA by RT-PCR. My results show that, in the absence of ART, CD4 T and monocyte cell subsets harbor viral R-U5 transcripts, DNA and RNA. Furthermore, these infected cells are able to produce infectious virus after stimulation. Our results also demonstrated that TEM and Tfh cells are the main SIV target cells. Tfh cells produce more viruses than other cells after activation. Compared to mesenteric LNs and peripheral LNs, viral replication occurs rapidly in the spleen. Viral DNA and RNA are detected in this organ since day 7. We provided evidence that early ART, administered at day 4 post-infection, drastically reduced inflammation, efficiently prevents viral dissemination in monocytes, but the virus persisted in CD4 T cells in the mesenteric LNs and the spleen, particularly in Tfh and TEM cells. ART interruption led to viral rebound in less than 2 weeks, leading to viral dissemination most likely from Tfh and TEM cells in visceral lymphoid tissues and targeting both monocytes and T cell subsets. Thus, my work contributed to the understanding of early viral dissemination for which visceral lymphoid tissues are crucial in maintaining sanctuaries in which TEM and Tfh cells are the main viral reservoirs. In order to cure HIV infection, these viral sanctuaries should be considered when evaluating new treatment strategies.

No description available.

L'étude de la fiabilité représente un enjeu majeur de la qualification des technologies de l'industrie de la microélectronique. Elle est traditionnellement étudiée en suivant la dégradation des paramètres des transistors au cours du temps, qui sert ensuite à construire des modèles physiques expliquant le vieillissement des transistors. Nous avons fait le choix dans ces travaux d'étudier la fiabilité des transistors à l'échelle microscopique, en nous intéressant aux mécanismes de ruptures de liaisons atomiques à l'origine de la création des défauts de l'oxyde de grille. Nous avons tout d'abord identifié la nature des défauts et modéliser leurs dynamiques de capture de charges afin de pouvoir reproduire leur impact sur des mesures électriques complexes. Cela nous a permis de développer une nouvelle méthodologie de localisation des défauts, le long de l'interface Si-SiO2, ainsi que dans le volume de l'oxyde. La mesure des dynamiques de créations de défauts pour des stress de type porteurs chauds et menant au claquage de l'oxyde de grille nous a permis de développer des modèles de dégradation de l'oxyde, prédisant les profils de défauts créés à l'interface et dans le volume de l'oxyde. Nous avons enfin établi un lien précis entre l'impact de la dégradation d'un transistor sur la perte de fonctionnalité d'un circuit représentatif du fonctionnement d'un produit digital.L'étude et la modélisation de la fiabilité à l'échelle microscopique permet d'avoir des modèles plus physiques, offrant ainsi une plus grande confiance dans les extrapolations de durées de vie des transistors et des produits. / Reliability study is a milestone of microelectronic industry technology qualification. It is usually studied by following the degradation of transistors parameters with time, used to build physical models explaining transistors aging. We decided in this work to study transistors reliability at a microscopic scale, by focusing on atomic-bond-breaking mechanisms, responsible of defects creation into the gate-oxide. First, we identified defects nature and modeled their charge capture dynamics in order to reproduce their impact on complex electrical measurements degradation. This has allowed us developing a new methodology of defects localization, along the Si/SiO2 interface, and in the volume of the gate-oxide. Defects creation dynamics measurement, for Hot Carrier stress and stress conditions leading to the gate-oxide breakdown, has allowed us developing gate-oxide degradation models, predicting generated defect profiles at the interface and into the volume of the gate-oxide. Finally, we established an accurate link between a transistor degradation impact on circuit functionality loss.Reliability study and modeling at a microscopic scale allows having more physical models, granting a better confidence in transistors and products lifetime extrapolation.

Cette thèse se décompose en deux parties.Dans la première, nous nous intéressons au premier champ critique, Hc1, du titanate de strontium, que nous mesurons à l’aide d’un réseau de microsondes de Hall taillées dans un gaz bidimensionnel. La valeur du premier champ critique nous permet alors d’évaluer la densité superfluide à six différents dopages couvrant l’ensemble du dôme supraconducteur. À bas dopage, nous trouvons que celle-ci correspond à la densité de porteurs dans l’état normal tandis qu’au-delà du dopage optimal, celle-ci chute drastiquement. En plaçant nos résultats dans le contexte de la loi de Homes, nous voyons que cette chute s’explique par l’entrée dans la limite sale. Un fit multibande de Hc1(T), dans ce contexte semble également indiquer que la supraconductivité émerge de la bande la plus basse et est seulement induite dans les deux autres bandes.Dans la seconde partie, nous regardons l’évolution de la densité de porteurs, n, du cuprate Nd-LSCO. Nous mesurons ainsi six échantillons de dopages proches du point critique pseudogap, p*, via trois sondes de transport : effet Hall, résistivité et effet Seebeck. Nous trouvons que n chute de 1+p à p à l’entrée dans la phase pseudogap. En comparant les différentes sondes, nous montrons que cette chute est due à une reconstruction de la surface de Fermi et qu’il existe sûrement des poches d’électrons et de trous juste en dessous de p*. Ceci est en accord, entre autres, avec un scénario antiferromagnétique. Finalement, nous trouvons que la mobilité est inchangée à l’entrée dans la phase pseudogap et que les mesures de transports semblent insensibles à la divergence de la masse effective vue par chaleur spécifique. / This thesis consists of two parts.The first one is about the lower critical field of strontium titanate, measured thanks to an array of Hall micro-probes tailored in a 2D electron gas. The value of the lower critical field allows us to quantify superfluid density at six different dopings spreading all along the superconducting dome. At low doping, we find that it follows the normal state carrier density while it dramatically falls above optimal doping. Analyzing our results in the context of the Homes law, we understand that this drop is due to the entering into the dirty limit. A multiband fit Hc1(T) in this context seems to indicate that superconductivity is born in the lowest band and only induced in the two others.In the second part, we focus on the carrier density, n, of the cuprate Nd-LSCO. We measure six samples with doping close to the pseudogap critical point p*, thanks to three different transport probes : Hall effect, resistivity and Seebeck effect. We find that entering the pseudogap phase induces a drop in n from 1+p to p. The comparison of the different probes shows that this drop is due to a Fermi surface reconstruction and that both holes and electrons pockets may exist just under p*. This observation is consistent with an antiferromagnetic scenario. Finally, we find that mobility is not affected by the pseudogap and that transport measurements seems insensitive to the diverging effective mass as observed by specific heat.

Les travaux de recherche présentés dans cette thèse ont pour but l'étude et l'optimisation d'un système de communications à haut-débit sur lignes électriques, mettant en œuvre les techniques combinant l'OFDM et le CDMA. Cette étude s'inscrit dans un contexte d'exploitation de la boucle locale électrique pour l'accès à l'Internet domestique.<br /><br />La première partie du document est consacrée à l'étude des spécifications du système de communications. Un état de l'art sur les communications par courant porteur est tout d'abord proposé, accompagné d'une synthèse sur la structure du réseau des lignes électriques et les caractéristiques du canal de propagation. Les différents choix concernant le système à développer sont ensuite envisagés pour l'obtention de communications multiutilisateurs en liaison point-à-multipoint dans un environnement multicellulaire. La combinaison entre l'OFDM et le CDMA, appelée SS-MC-MA, est retenue et une structure de trame est proposée.<br /><br />La deuxième partie du document est dédiée à l'étude des procédés de synchronisation et d'estimation de canal. Les effets des erreurs de synchronisation sont en premier lieu identifiés et la tolérance du système aux défauts de rythme est spécifiée. La procédure de synchronisation du système est ensuite décrite et des algorithmes conjoints et innovants de synchronisation temporelle fine et d'estimation de canal sont proposés. Deux approches reposant sur une mise en œuvre de ces algorithmes dans le domaine fréquentiel et temporel sont alors comparées. <br /><br />La dernière partie traite, dans le cas de signaux SS-MC-MA, de l'allocation globale des différentes ressources du système, dans les cas mono- et multi-utilisateur avec une connaissance parfaite du canal à l'émission. Le principe des modulations adaptatives appliqué à la DMT est tout d'abord abordé et adapté au contexte de l'étude. En considérant une limitation de la densité spectrale de puissance d'émission, de nouveaux algorithmes d'allocation sont ensuite développés en mode SS-MC-MA. Il est alors démontré que la composante étalement permet une meilleure exploitation des énergies disponibles sur chaque sous-porteuse, et de transmettre alors un débit plus élevé que la DMT ou de rendre la communication plus robuste. Les nombreux résultats obtenus dans diverses configurations montrent que le système SS-MC-MA adaptatif proposé est plus performant que la DMT pour les réseaux CPL.

La présence de mémoires non volatiles dans les circuits Smartpower a rendu indispensable le test systématique de la rétention de données sur 100% des composants. L'application des tests classiques sur de forts volumes a pour inconvénient d'allonger la durée de test. Ce travail présente un nouveau test de rétention de données de mémoires non volatiles. Dans une première partie, nous avons dressé l'état de l'art des défauts intrinsèques et extrinsèques de ces mémoires ainsi que de leurs tests de fiabilité. Puis nous avons étudié sur un lot d'ingénierie la rétention de données de la mémoire par les voies classiques du vieillissement thermique pour des températures allant de l'ambiante à 300°C sur une période de 7000h. Cette étude nous a permis de discriminer entre cellules intrinsèques et extrinsèques pour valider un nouveau test en rétention de données, dont la durée est considérablement raccourcie par rapport au test thermique. Ce test se comptera en seconde après optimisation et pourra être implanté en production.

Le marché de l'électronique dans l'automobile est en constante augmentation. En effet, nos voitures embarquent de plus en plus d'électroniques pour améliorer notre confort, notre sécurité et même nos loisirs avec l'arrivée d'applications de type multimédia. À cela s'ajoute une nécessité pour ces fonctions de communiquer entre elles qui est toujours plus importante. Cela n'est pas sans conséquences pour les constructeurs et équipementiers de l'automobile qui assistent à un engorgement des faisceaux de câbles permettant l'échange de données entre les calculateurs, les capteurs et bien d'autres fonctions. De nouvelles architectures de réseaux et de calculateurs semblent alors nécessaires comme cela a été le cas il y a quelques années avec l'apparition des réseaux multiplexés comme le CAN et récemment le FlexRay. Dans ce travail de thèse, nous proposons d'étudier un nouveau type de réseau de communication qui ne nécessite pas l'ajout de nouveaux câbles et qui laisse présager des débits élevés: le courant porteur en ligne (CPL). Plus précisément, le CPL est un moyen de communication bien connu de l'Indoor qui permet d'utiliser le réseau électrique pour échanger des données. Ce type de réseau serait potentiellement intéressant pour des applications d'aide à la conduite et de multimédia. Dans une première partie, nous avons réalisé une étude de faisabilité qui a utilisé des modems dédiés aux communications CPL Indoor. Les standards HPAV et HD-PLC ont été testés et les résultats montrent des débits supérieurs à 10 Mbps. Ensuite, nous avons étudié plus spécifiquement le canal de propagation CPL à partir de mesures faites sur quatre véhicules. Cela nous a permis d'entreprendre une étude de caractérisation du canal: bande de cohérence, étalement des retards, bruit de fond et bruits impulsifs. Dans une deuxième partie, un travail de simulation a été réalisé afin d'étudier plus spécifiquement les performances d'une transmission multi-porteuse de type DMT. L'influence de la topologie, des points dans le réseau électrique ainsi que les scénarios (véhicule à l'arrêt, en fonctionnement, ...) ont été mis en évidence et ont confirmé les variations des débits de l'étude de faisabilité. Ensuite, nous avons cherché à optimiser deux paramètres importants dans le but de maximiser les débits: l'intervalle de garde et l'espacement entre porteuses. Il en ressort que nous pouvons augmenter l'espacement entre porteuses et réduire la taille de l'intervalle de garde comparé au standard HPAV. Enfin, nous montrons que la couche PHY d'un système CPL pour l'automobile doit être, comme l'Indoor, adaptative aux variations et à la diversité des canaux de propagation. Dans une dernière partie, nous présentons notre démonstrateur qui utilise une plateforme radio logicielle USRP2. Il est original dans sa réalisation car il permet de construire la couche PHY de manière logicielle sur un GPP. Ce principe offre une grande souplesse et la flexibilité nécessaire à un prototype. De premiers tests d'une communication CPL intra-véhicule confirment les résultats obtenus en simulation. Des mesures de débits atteignables, dans une bande de [0-12.5] MHz, ont été faites pour deux cas: voiture à l'arrêt et moteur allumé.

L'émission de lumière est une puissante technique de localisation dans le domaine de l'analyse de défaillance des circuits intégrés. Depuis plusieurs années, elle est utilisée comme une technique capable de localiser et d'identifier des défauts émissifs, tels que les courants de fuites, en fonctionnement statique du composant. Cependant, l'augmentation d'intégration et des performances des circuits actuels implique l'apparition d'émissions de défauts dynamiques dus à l'utilisation de fréquences de fonctionnement de plus en plus élevées. Ces contraintes imposent une adaptation de la technique d'émission de lumière qui doit donc évoluer en même temps que l'évolution des circuits intégrés. C'est dans ce contexte que de nouveaux modes de détection, liés à l'émission de lumière, est apparu : PICA et TRE. Ainsi, les photons sont collectés en fonction du temps donnant ainsi une place importante à la technique par émission de lumière dynamique pour le debbug et l'analyse de défaillance en procédant à une caractérisation précise des défauts issus des circuits intégrés actuels. Pour répondre aux exigences dues à l'analyse du comportement dynamique des circuits intégrés, des méthodes ont été identifiées à travers la technique PICA et la technique d'émission en temps résolu connue sous le nom de technique mono-point TRE. Cependant, les techniques PICA et TRE sont exposées à un défi continu lié à la diminution des technologies et donc des tensions d'alimentation. Pour analyser des circuits de technologies futures à faible tension d'alimentation, il est nécessaire de considérer différentes approches afin d'améliorer le rapport signal sur bruit. Deux solutions sont présentées dans ce document : un système de détection optimisé et des méthodes de traitement de signal.

La durée de vie des porteurs minoritaires est l'un des principaux paramètres mesurés dans les semi-conducteurs et la décroissance de photoconductivité (PCD) l'une des méthodes les plus largement utilisées pour ce type de mesure. Aujourd'hui, grâce aux divers équipements automatisés, la mesure de durée de vie est devenue une caractérisation de routine qui permet de juger de la qualité d'un matériau dans tous les secteurs utilisant les semi-conducteurs. Cependant, l'utilisation de micro- et nano-matériaux dans l'industrie du photovoltaïque et de la microélectronique requière l'adaptation des techniques existantes (PCD, photoluminescence etc.). En effet, avec la réduction des dimensions (couches ultraminces telles que les couches épitaxiées, couches SOI « silicon on insulator », et nanostructures), l'influence de la surface (états d'interfaces, pièges, etc.) devient prépondérante. La présence des substrats utilisés pour les croissances ou report de couche de ces différentes structures perturbe également les mesures. Ceci rend difficile l'adaptation des méthodes de mesure de durée de vie classiques comme, par exemple, le déclin de photoconductivité. Au cours de cette thèse nous nous sommes attachés à adapter des techniques de caractérisation de durée de vie à des matériaux de faibles dimensions. Nous avons tout d'abord caractérisé des échantillons massifs et des couches épitaxiées d'une épaisseur de l'ordre de la dizaine de micromètres. Nous avons proposé une technique qui consiste à déterminer simultanément la durée de vie en volume et la vitesse de recombinaison en surface des porteurs minoritaires dans d'une couche épitaxiée, à partir de la mesure de l'intensité de photoluminescence. La méthode développée consiste à calculer le rapport de l'intensité de photoluminescence (RPL) mesurée à différentes longueurs d'onde et pour différentes puissances d'excitation. Ces rapports RPL expérimentaux sont ensuite comparés aux rapports RPL simulés, ce qui permet d'évaluer la vitesse de recombinaison en surface et le temps de vie en volume. Nous avons ensuite étudié des couches semi-conductrices ultraminces de l'ordre de la centaine de nanomètres dans des structures de type SOI (silicon on insulator). Après un rappel des méthodes de fabrication et de quelques-unes des utilisations, nous avons analysé les méthodes électriques existantes permettant de déterminer la qualité des substrats SOI. Cela nous a amené à proposer une nouvelle méthode de caractérisation apportant des solutions aux limitations de ces techniques. Cette méthode se base sur une mesure courant-tension sous obscurité et sous éclairement en configuration PSEUDO-MOSFET où le substrat de la structure SOI sert de grille du transistor et deux pointes déposées sur le film de silicium servent de source et drain. Nous avons appliqué cette nouvelle méthode de caractérisation de la durée de vie des porteurs de charge à un substrat SOI et avec l'aide de la simulation numérique, nous avons pu expliquer les phénomènes de recombinaison aux interfaces et extraire les paramètres associés. Enfin, la dernière partie de ce travail de thèse concerne l'étude des nanofils pour des applications photovoltaïques. Dans les nanofils, le rapport surface sur volume augmente considérablement ce qui entraîne une diminution de la durée de vie effective due à l'augmentation de l'influence des surfaces. Le fonctionnement des cellules solaires à base de nanofils que nous avons étudiées est très dépendant de la qualité des interfaces. Nous avons analysé ces cellules grâce à la méthode RRT (« Reverse Recovery Transient ») basée sur la proportionnalité qui existe entre la quantité de charges stockées dans les régions neutres des jonctions pn polarisées et la durée de vie des porteurs minoritaires. Ce type de structure étant assez complexe, nous avons utilisé des simulations numériques pour analyser les phénomènes de recombinaison au sein de la cellule solaire et extraire les densités de défauts aux interfaces. / The minority carrier lifetime is one of the main parameters used to analyse the semiconductors quality and photoconductivity decay (PCD) is one of the most widely used lifetime characterization method. Thanks to the variety of automated equipment that has developed, lifetime measurement has become a routine technique to assess the quality of semiconductors. However, the micro and nano materials used in the photovoltaic and microelectronics industry require an adaptation of the existing methods (PCD, photoluminescence etc.). Indeed, with reduced dimensions (epitaxial layers, SOI “Silicon on Insulator”, nanostructures and nanowires), the influence of the surface (interface states density, traps, etc.) becomes predominant. The presence of the substrates used for the material growth or for the layer transfer can also influence the measures. Consequently traditional methods of lifetime measurement are difficult to apply to low dimensional materials. This thesis is focused on the measurement of minority carrier lifetime in micro and nano materials (bulk, epitaxial layer, silicon on insulator and nanowires) with a special emphasis on the adaptation of the characterization tools to the material thickness. We have studied first bulk samples and epitaxial layers (with thicknesses around 50µm) by photoluminescence. We have developed a method to determine simultaneously the bulk lifetime and the surface recombination velocity using room temperature photoluminescence measurement. The procedure consists in measuring the photoluminescence intensity ratio at different incident laser wavelengths and power. These photoluminescence ratios are then compared with analytical simulations, which allow us to evaluate the surface recombination velocity and the bulk lifetime. We have then investigated SOI (Silicon on insulator) structures with ultrathin semiconductor layers of the order of 100 nanometers. After a brief description of the manufacturing methods and of some of their uses, we have analyzed the existing electrical methods used to evaluate the quality of SOI substrates. This led us to propose a new characterization method to overcome the limitations of these techniques. This method is based on a current-voltage measurement in the dark and under illumination called PSEUDO-MOSFET (the substrate of the SOI structure serves as the transistor gate and the two contact points deposited on the silicon film are used as the source and drain). We applied this new method to characterize the lifetime of a SOI substrate and with the help of numerical simulation, we were able to explain the recombination mechanism associated with interfaces and extract the parameters. Finally, the last chapter concerns the study of nanowires for photovoltaic applications. In the nanowires, the surface to volume ratio greatly increases leading to a decrease of the effective lifetime due to the increased influence of the surfaces. In this chapter, we have studied the minority carrier lifetime in core-shell nanowire-based solar cells under dark conditions with a purely electrical approach called reverse recovery transient (RRT). This method is based on storage time measurement which depends essentially on the amount of stored charges in the biased junction and can be used to calculate the minority carrier lifetime. Numerical simulations have also been done to explain the measurements and to validate the theory and the hypotheses used for parameter extraction.

Les constructions d'infrastructures linéaires de transport sont de plus en plus contraintes par la traversée de terrains aux caractéristiques mécaniques médiocres, pouvant mener à des tassements importants où à la formation de fontis en base de l'ouvrage. Un renforcement géosynthétique peut alors être mis en œuvre sur cavités potentielles ou en renforcement de plateforme de transfert de charges sur inclusions rigides. L'objectif de cette thèse CIFRE (Conventions Industrielles de Formation par la Recherche) menée dans le cadre du projet de recherche FUI (Fond Unitaire Interministériel) GéoInov est de mieux appréhender le fonctionnement de ces ouvrages renforcés par géosynthétique afin d'en optimiser le dimensionnement. Dans le cadre de la thèse, différentes expérimentations en vraie grandeur ont permis d'appréhender le comportement cinématique et mécanique des renforcements géosynthétiques dans le cas d'effondrements localisés sous un remblai granulaire non cohésif ou une couche de sol traité, et dans le cas des renforcements des plateformes de transfert de charges sur inclusions rigides. Une importante base de données expérimentales a ainsi été constituée. Des simulations numériques discrètes des expérimentations sur cavités et inclusions rigides ont été menés afin de préciser le rôle des renforcements et des mécanismes mis en jeu dans ces structures renforcées. Dans le cas des effondrements localisés, la calibration du modèle à partir des données expérimentales a permis de préciser les mécanismes de transferts de charges au sein du remblai, la géométrie de la distribution de contrainte sur le renforcement géosynthétique et les mécanismes de rupture pour le cas des sols traités. Au final, la combinaison des approches expérimentales et numériques a abouti à une meilleure compréhension de certains mécanismes de transfert de charges ce qui a permis d'apporter des améliorations aux méthodes de dimensionnement analytiques que ce soit pour le cas des remblais granulaires non cohésifs ou pour le cas d'une couche de sol traité renforcé. Des avancées et un enrichissement des codes de calcul ont été également réalisés notamment par l'intégration des grilles de renforcement. / Constructions of transport infrastructures more and more occurs in areas where soils have rather low mechanical characteristics, leading to considerable settlements or the formation of voids. Geosynthetic reinforcements then provide a technical solution over sinkholes or within a load transfer platform over rigid inclusions. This CIFRE (French Research Education by Industrial Convention) PhD is lead as part of the French FUI (Inter-Ministry Fund) research project GeoInov. The purpose is to get better understanding of the mechanical behaviour of geosynthetic-reinforced structures in order to optimise their design. During this thesis, different full-scale experimentations enabled to understand the kinematic and mechanical behaviour of geosynthetic reinforcements over sinkholes under a non-cohesive embankment or a treated soil layer, or geosynthetic-reinforced load transfer platforms over rigid inclusions. Thus a consequent experimental data base was built. The experimentations were then simulated using discrete numerical models in order to specify the role of the geosynthetic reinforcement and mechanical mechanisms within the reinforced structures. For sinkholes, the numerical model could be fitted with experimental data, which enabled to point out load transfer mechanisms within the embankment, the of the load distribution on the geosynthetic reinforcement and failure mechanisms for the case of reinforced treated soil layers. Finally, the combined experimental and numerical approaches lead to a better understanding of some aspects of load transfers within the embankment, which enabled to optimise analytical design methods for geosynthetic reinforcements within a non-cohesive embankment or a treated soil layer overlying a void. Progresses were also made and discrete calculation codes enriched by the integration of geogrids.