Orientador: Nelson de Jesus Parada / Tese (doutorado) - Universidade Estadual de Campinas, Instituto de Fisica Gleb Wataghin / Made available in DSpace on 2018-07-14T19:30:08Z (GMT). No. of bitstreams: 1 Guimaraes_PauloSergio_D.pdf: 1880111 bytes, checksum: fd74f773a636d97c6a698466d0324131 (MD5) Previous issue date: 1979 / Resumo: Este trabalho tem um duplo objetivo. Em uma primeira parte desenvolver o método de cluster, variante cristalina, visando aplicá-lo ao estudo de cristais covalentes. Na segunda parte do trabalho o método é usado no estudo de um material iônico. São estudados, também, os efeitos causados sobre as bandas de energia deste material pela aplicação de pressão hidrostática. O material escolhido para a primeira parte do trabalho foi a GaSb. Para a segunda parte foi escolhido o CuCl. Foram obtidos resultados bastante interessantes para os dois tipos de material / Abstract: This work is composed of two distinct parts. In the first part we intend to develop the cluster method, crystaline variant, intending to study covalent crystals. In the second part the method is applied to the study of an ionic material. We also studied the effects of the application of hidrostatic pressure on the energy bands of the material. The compound used in the first part of this work was the GaSb. In the second part we used the CuCl. Many interesting results were obtained in both parts of this work / Doutorado / Física / Doutor em Ciências

Orientador: N.J. Parada / Dissertação (mestrado) - Universidade Estadual de Campinas, Instituto de Fisica Gleb Wataghin / Made available in DSpace on 2018-07-15T04:46:45Z (GMT). No. of bitstreams: 1 Moreira_FranciscoGeorgeBrady_M.pdf: 2047683 bytes, checksum: af6637cbab3e4b69986bdb1c6f98dbde (MD5) Previous issue date: 1974 / Resumo: Estudamos a aplicabilidade do método K.P semi-empírico de Cardona e Pollak aos semicondutores do grupo de compostos III - V, em particular ao GaP, e discutimos suas vantagens e desvantagens quando comparado com um cálculo de primeiros princípios APW - K.P. Por argumentos de simetria é mostrado a necessidade de se incluir no esquema de níveis no ponto G pelo menos um nível com simetria G12, qualquer que seja a tentativa de um cálculo semi-empírico , nas direções de simetria D, L e S. Para compostos III - V isto significa.que a mínima dimensão do hamiltoniano K.P é 11 x 11 com , 11 elementos de matriz diferentes de zero para serem variados. Além do mais os elementos de matriz de p são números complexos e o que é avaliável experimentalmente são os módulos destas quantidades. Por conseguinte, concluimos pela inaplicabilidade do método semi-empírico aos semicondutores III - V enquanto que a aplicação do método APw-K.P não muffin-tin é recomendada / Abstract: Not informed. / Mestrado / Física / Mestre em Física

Made available in DSpace on 2014-06-12T23:14:49Z (GMT). No. of bitstreams: 2 arquivo8685_1.pdf: 2609467 bytes, checksum: df3a1f7a23ceefd241ca386948713bc5 (MD5) license.txt: 1748 bytes, checksum: 8a4605be74aa9ea9d79846c1fba20a33 (MD5) Previous issue date: 2009 / A dosimetria de feixes de elétrons de alta energia utilizados em radioterapia é realizada atualmente com câmaras de ionização de placas paralelas. Entretanto, devido aos crescentes avanços nas técnicas de tratamento utilizadas, detectores com maior resolução espacial do que as câmaras de ionização são necessários. Os detectores semicondutores podem ser a melhor solução. Diodos com estrutura de múltiplos anéis de guarda têm sido desenvolvidos para aplicações em campos de alta radiação. Este tipo de diodo é mais resistente aos danos da radiação, e apresenta alto grau de pureza, excelentes características de resposta e pequenas dimensões. O objetivo deste trabalho foi caracterizar dois tipos de diodos, de baixo custo, para dosimetria de feixes de elétrons utilizados em radioterapia: o diodo CERN MGR, com múltiplos anéis de guarda e o diodo XRA-24, sem múltiplos anéis de guarda. As respostas dos diodos foram avaliadas em feixes de elétrons, com energias entre 5 e 15 MeV, através das medidas de repetibilidade e linearidade de resposta com a dose e da dependência com a energia, taxa de dose média, tamanho do campo de radiação e profundidade ao longo do eixo central do campo de radiação. Os resultados mostraram excelente repetibilidade, com coeficiente de variação inferior a 0,4%. Em relação à sensibilidade, foram observados valores 60.000 vezes maiores do que os observados para as câmaras de ionização Markus Advanced e PPC05, quando normalizada pelo volume sensível dos detectores. A dependência energética do diodo CERN MGR foi inferior a 2% para energias entre 10 e 15 MeV e a 7% para energias entre 5 e 9 MeV. Para o diodo XRA-24, a dependência energética foi inferior a 8,5% para as energias entre 8 e 12 MeV. A variação da resposta do diodo CERN MGR em função da taxa de dose média foi cerca de 0,2%. Os fatores de saída de campo medidos com o diodo CERN MGR concordaram dentro de 2% em relação aos medidos com a câmara de ionização. As curvas de porcentagem de dose profunda obtidas com os dois diodos possibilitaram a determinação do índice de qualidade dos feixes dentro de 1% em relação aos valores obtidos com a câmara de ionização. A partir deste estudo, conclui-se que os dois tipos de diodos, com e sem múltiplos anéis de guarda, são alternativas confiáveis e econômicas para a realização da dosimetria de feixes de elétrons aplicados em radioterapia. Eles podem ser utilizados na dosimetria de técnicas que necessitam de pequenos campos de radiação e para dosimetria in vivo

Orientador: Ioshiaki Doi / Dissertação (mestrado) - Universidade Estadual de Campinas, Faculdade de Engenharia Eletrica e de Computação / Made available in DSpace on 2018-08-08T01:34:23Z (GMT). No. of bitstreams: 1 Pinto_EmilioSergioMarinsVieira_M.pdf: 2911838 bytes, checksum: d0f5e53a1aaa54372eda0b11016226b6 (MD5) Previous issue date: 2006 / Resumo: Nesta dissertação estudamos a obtenção de nanocristais (NCs) de Ge pela técnica de LPCVD (Low Pressure Chemical Vapor Deposition), buscando otimizar as condições de processo que resultassem em NCs com características de tamanho, densidade por unidade de área e uniformidade de tamanhos, que são necessárias para aplicação em dispositivos de memórias de porta flutuante. Os NCs foram fabricados por processo de dois passos: 1) formação de núcleos de Si na superfície do SiO2, a partir de silana (SiH4); 2) crescimento de Ge sobre os núcleos de Si através de deposição de germana (GeH4). Realizamos ciclos de deposição e caracterização das amostras, e os parâmetros de processo: temperatura, pressão total, fluxos de silana e germana e tempo de deposição, foram alterados convenientemente, com base na literatura e nos resultados obtidos a cada ciclo de fabricação. As amostras foram caracterizadas quanto à morfologia, por microscopia de força atômica (AFM) e a estrutura dos NCs foi analisada por microscopia eletrônica de transmissão de alta resolução (HRTEM). Estudamos a influência dos parâmetros de processo nas características dos NCs e observamos tendências de aumento da densidade de NCs com a elevação da temperatura, pressão total e fluxo de SiH4 do passo 1. E, o tamanho dos NCs tendem a diminuir com a redução da temperatura, pressão total e tempo de deposição do passo 2. Os resultados mostram que com os parâmetros: 600 ºC / 5 Torr / 20 sccm de SiH4 / 20 seg. para a nucleação de Si e 550 ºC / 2 Torr / 5 sccm / 30 seg. para a deposição de Ge, é possível obter alta densidade de NCs por unidade área de 4x1010 NCs/cm2 com diâmetro médio de 19 nm e altura média de 4,5 nm / Abstract: In this thesis we studied the synthesis of Ge nanocrystals (NCs) by the LPCVD technique (Low Pressure Chemical Vapor Deposition). We looked for NCs with characteristics of sizes, density and uniformity of sizes that are necessary for applications in floating gate memory devices. To reach those characteristics we have optimized the process conditions. The NCs were fabricated by a process of two steps: 1) formation of Si nuclei on SiO2 surface, through the silane (SiH4) decomposition; 2) Ge growth on Si nuclei through germane (GeH4) deposition. We accomplished deposition cycles and characterization of the samples. The process parameters: temperature, total pressure, silana and germana flow and deposition time, were altered conveniently based on the literature and results obtained at each production cycle. The morphology of the samples was analyzed by atomic force microscopy (AFM) and the NCs structures were analyzed by high resolution transmission electron microscopy (HRTEM). We studied the influence of the process parameters in the NCs characteristics and we have observed tendencies of NCs density increase with rise of the temperature, total pressure and SiH4 flow of step 1. The NCs size tends to decrease with the reduction of temperature, total pressure and deposition time of step 2. The results show that with the parameters: 600 ºC / 5 Torr / 20 sccm de SiH4 / 20 sec. for the Si nucleation and 550 ºC / 2 Torr / 5 sccm / 30 sec. for the Ge deposition, it¿s possible to reach a high density of NCs (4x1010 NCs/cm2) with diameter of 19 nm and average height of 4,5 nm / Mestrado / Eletrônica, Microeletrônica e Optoeletrônica / Mestre em Engenharia Elétrica

Orientador: Newton Cesario Frateschi / Tese (doutorado) - Universidade Estadual de Campinas, Instituto de Fisica Gleb Wataghin / Made available in DSpace on 2018-08-03T14:45:12Z (GMT). No. of bitstreams: 1 MestanzaMunoz_SegundoNilo_D.pdf: 3025997 bytes, checksum: adbfe0c1ac2435a0b3e071825c80967f (MD5) Previous issue date: 2001 / Resumo: Esta tese visa a apresentar um claro entendimento de laseres de microcavidades não convencionais, desde a fabricação do dispositivo, otimização e avaliação de danos causados pelo plasma seco e caracterização dos dispositivos. Enfatizou-se mais nas características espaciais e espectrais de emissão de luz destes laseres, por meio dos estudos de Far-field e de análises espectral. Neste trabalho, mostramos pela primeira vez uma análise sobre o estudo do comportamento espectral de emissão em bilhares estádio Buminovich, mostrando uma forte supressão de modos ressonantes devido à interação entre órbitas scars (trajetórias periódicas em sistemas clássicos caóticos). Esta supressão de modos foi intensamente enfatizada pela injeção direcionada de portadores ao longo de um scar (losango), conseguido pela implantação iônica de He + . Finalmente, de maneira inédita, mostramos a estreita relação entre a deformação da cavidade e a presença de órbitas scars em bilhares estádio / Abstract: A comprehensive treatment of unconventional micro-cavity lasers is presented. We explore all aspects of the development of these devices, covering from device fabrication, modeling, optimization and damage evaluation of plasma etching techniques, to device characterization. Great emphasis is placed on the spatial ad spectral characteristics of laser emission. We present, for the first time, the spectral behavior of Buminovich billiards lasers, where strong resonant mode suppression is observed due to scar modes (periodical orbits from chaotic 2D billiard systems) interaction. This suppression is greatly enhanced by preferential carrier injection along a diamond scar, which is achieved by He + implantation. Finally, we show the close relationship between cavity border deformation and the presence of scar orbits I stadium billiards / Doutorado / Física / Doutor em Ciências

Orientador: Newton Cesário Frateschi / Dissertação (mestrado) - Universidade Estadual de Campinas, Instituto de Fisica Gleb Wataghin / Made available in DSpace on 2018-08-14T11:19:53Z (GMT). No. of bitstreams: 1 Jarschel_PauloFelipe_M.pdf: 3096320 bytes, checksum: f09830dd682d577e43058480d256c5a1 (MD5) Previous issue date: 2009 / Resumo: A radiação eletromagnética em Terahertz (THz) situa-se na faixa de 1012 Hz, com comprimentos de onda associados variando de 30 µm até 3 mm. É possível então usar esta radiação para investigar propriedades físicas de materiais que requerem uma definição desta ordem. Além de aplicações na espectroscopia, estes comprimentos de onda são capazes de penetrar em papel, tecidos, pele e até neblina atmosférica, gerando um grande interesse em sistemas de segurança, medicina e aviação 1. Neste trabalho será apresentado o desenvolvimento de emissores de Terahertz baseados em SI-GaAs (GaAs Semi-Isolante), incluindo uma discussão detalhada da teoria desta emissão, descrição dos processos de fabricação e resultados obtidos de várias amostras. Esta antena consiste em eletrodos interdigitados depositados no topo de um substrato, de forma similar a fotodetectores MSM 2. A principal diferença entre estes dois dispositivos é que no emissor é feita uma segunda metalização,"opaca " e acima da anterior, separada por uma camada isolante de Si3N4. O princípio físico básico envolvido neste dispositivo é a emissão de radiação por cargas aceleradas. A idéia é que pares elétron-buraco sejam gerados por um laser de femtossegundo incidente na amostra, que se movem rapidamente entre os eletrodos, devido à tensão aplicada. Para obter a máxima eficiência de absorção, a camada isolante também serve como anti-refletora para o laser. A segunda metalização possui um papel essencial, pois ela garante que todos os portadores são acelerados no mesmo sentido, possibilitando então a interferência construtiva no campo distante (Far-Field) 3. Considerando a grande dificuldade de obtenção de lasers com pulsos de femtossegundos no período deste trabalho, utilizamos nosso dispositivo para a geração de ondas na faixa de MHz a partir de um laser pulsado eletronicamente, para verificação do princípio. Muito boa concordância entre nossa simulação e as medidas foi obtida. No entanto, deve-se observar que as propriedades da onda gerada neste caso são mais dependentes do pulso óptico em si do que da velocidade do dispositivo. De toda forma, o resultado mostra que o princípio de geração de ondas de rádio a partir de pulsos ópticos foi demonstrado com sucesso com nosso dispositivo. / Abstract: Terahertz electromagnetic radiation (THz) is situated around 1012 Hz in the electromagnetic wave spectrum, with associated wavelengths varying from 30 µm to 3 mm. It is possible then to use this radiation to investigate physical properties of materials that requires a definition of this order. Besides spectroscopy applications, these wavelengths are capable of penetrating deep into paper, skin, clothes, and even atmospheric fog, generating a great interest in using it for security systems, medicine and aviation¹. In this work, the development of Terahertz emitters based on photoconductive SI-GaAs (Semi-Insulator GaAs) will be presented, including a detailed discussion on the theory of this emission, description of the fabrication processes and results obtained from various samples. This antenna consists on interdigitated finger electrodes deposited on the top of a substrate, similar to MSM Photodetectors². The main difference between these two devices is that on our emitter,a second "opaque " metallization is done on top of the previous,separated by a Si3N4 dielectric layer. The basic physical concept involved in this device is radiation emission from accelerated charges. The idea is to generate electron-hole pairs by an incident femtosecond laser, which rapidly move between the electrodes, due to the bias voltage applied. To have maximum absorption efficiency, the insulating layer also serves as an anti-reflective coating for the pump laser. The second metallization plays an essential role, for it ensures that all carriers are accelerated in the same direction, thus allowing constructive interference on the far-field³. Giving the unavailability of a femtosecond laser for this work, we have used our device to generate radio waves in the MHz range using an electronically driven laser source. Very good agreement between our simulation and the results was obtained. One should note that in this case the emitted radiation is more dependent upon the optical pulse shape than the device speed itself. Nevertheless, our results show we have successfully demonstrated the generation of radio waves from optical pulses using our device. / Mestrado / Física da Matéria Condensada / Mestre em Física

Orientador: Carlos Alberto dos Reis Filho / Dissertação (mestrado) - Universidade Estadual de Campinas, Faculdade de Engenharia Eletrica / Made available in DSpace on 2018-07-20T15:37:07Z (GMT). No. of bitstreams: 1 Acco_EdsonSantos_M.pdf: 4956105 bytes, checksum: d305e485880ebd44f862df629fbf1542 (MD5) Previous issue date: 1994 / Resumo: Este trabalho apresenta um estudo teórico-experimental sobre o fenômeno de injeção de carga, que ocorre em circuitos a capacitores chaveados durante a transição de abertura das chaves analógicas MOS. Inicialmente é feita uma análise teórica sobre esse fenômeno, abordando as estratégias reportadas até então, para minimizar o efeito de injeção de carga. Um estudo sobre a formação de cargas no canal do transistor MOS é apresentado. Comprovam-se, experimentalmente, as curvas teóricas que a literatura apresenta. É apresentada, tanibém, uma proposta para equiparticionar a injeção de carga que, entretanto, não pode ser caracterizada devido ao não funcionamento do CI implementado no PMUCMOS.5. Finalmente, apresenta-se um circuito experimental bastante consistente que corrige o erro causado pela injeçào de carga introduzida pela chave MOS / Mestrado / Mestre em Engenharia Elétrica

Filmes finos automontados (FFA) por adsorção física, compostos por polímeros orgânicos e nanopartículas de semicondutores inorgânicos são considerados um processo barato e não-poluente de deposição, que permite obter filmes com elevada organização molecular. Neste trabalho, o principal objetivo foi produzir e caracterizar FFA, através da técnica camada por camada (LbL), bem como avaliar o potencial de aplicação destes sistemas para a produção de hidrogênio (H2) através da quebra da molécula da água por irradiação solar. Foram depositados três conjuntos diferentes de filmes, onde o sistema catiônico e o número de camadas depositadas (40) foram comuns aos três tipos de FFA. O sistema catiônico foi composto pelas soluções aquosa do policátion hidrocloreto de polialilamina (PAH) e coloidal do semicondutor inorgânico seleneto de cádmio (CdSe). Os sistemas aniônicos foram compostos pelas soluções aquosas do poliânions orgânicos poli(ácido acrílico) (PAA) e poli-(3,4-etilenodioxitiofeno):poli(ácido estirenosulfônico) (PEDOT:PSS) e coloidal do semicondutor fotoativo óxido de titânio (TiO2 P25 e TiO2 STS-100). Análises dos FFA realizadas por perfilometria revelaram que as espessuras dos filmes automontados são da ordem nanométrica. Através do espectro de refletância difusa observou-se bandas de absorção na região do ultravioleta próximo à região do visível e, através da cromatografia, foi determinado a taxa média de produção H2. O sistema com o maior valor da taxa de produção de H2 – (PAH + CdSe)/(PEDOT:PSS + TiO2 STS-100) – foi otimizado em 120 camadas. Na avaliação da contribuição do tipo de nanopartícula do semicondutor para a geração de H2, os resultados de cromatografia indicaram que a combinação de (CdSe + TiO2 STS-100) promove um aumento de 75% desta geração quando comparado ao FFA composto somente pelo semicondutor TiO2 STS-100. / Coordenação de Aperfeiçoamento de Pessoal de Nível Superior, CAPES. / The self-assembled films (SAF) by physical adsorption, compounds of organic polyelectrolytes and inorganic semiconductor nanoparticles are considered an inexpensive process and non-pollutant deposition that gives films with high molecular organization. The aim of this work was to fabricate and characterize SAF via the layerby- layer technique (LbL) and evaluate the potential application of these systems to produce hydrogen (H2) by water splitting technique by solar radiation. In this work were deposited three different sets of films. The cationic system and the number of deposited layers (40) are common to all three types of SAF. The system was composed by the cationic aqueous solution of polycation polyallylamine hydrochloride (PAH), and colloidal inorganic semiconductor cadmium selenide (CdSe). The anionic systems were comprised of aqueous solutions of organic polyanions poly(acrylic acid) (PAA) and poly (3,4-ethylenedioxythiophene):poly(styrenesulfonate) (PEDOT: PSS) and colloidal photoactive semiconductor titanium oxide (TiO2 P25 and TiO2 STS-100). Analysis of SAF by profilometry revealed that the thickness of the self-assembled films are of nanometer order; by diffuse reflectance spectrum observed absorption bands in the near ultraviolet region and the visible region and through the chromatography was given the average H2 production. The system with the highest value of H2 production rate - (PAH + CdSe) / (PEDOT: PSS + TiO2 STS-100) - was optimized at 120 layers. In the evaluation of the contribution of the type semiconductor nanoparticle for the generation of H2 results chromatography indicated that the combination of (CdSe + TiO2 STS-100) promotes an increase of 75% from this generation as compared to SAF only composed by the semiconductor TiO2 STS -100.

Orientador: Stephenson Caticha-Ellis / Dissertação (mestrado) - Universidade Estadual de Campinas, Instituto de Fisica Gleb Wataghin / Made available in DSpace on 2018-07-16T05:40:08Z (GMT). No. of bitstreams: 1 Suzuki_CarlosKenichi_M.pdf: 15940056 bytes, checksum: 0572edba1b6f432f9793afe69b360e81 (MD5) Previous issue date: 1974 / Resumo: Não informado / Abstract: Not informed. / Mestrado / Física / Mestre em Física

Orientador: Sigmar M. Deckmann / Dissertação (mestrado) - Universidade Estadual de Campinas, Faculdade de Engenharia de Campinas / Made available in DSpace on 2018-07-17T12:41:49Z (GMT). No. of bitstreams: 1 Silva_JorgeEdwinBenavides_M.pdf: 2541771 bytes, checksum: 45643eb29bfb34374f775c1ac766d45b (MD5) Previous issue date: 1986 / Resumo: O objetivo deste trabalho é contribuir para a redução do problema das flutuações de tensão, responsáveis pelo efeito de cintilação luminosa. A solução consiste no controle rápido do fluxo de potência reativa, utilizando um compensador estático baseado em reator controlado por tiristores (RCT). São propostos e desenvolvidos dois esquemas de controle, direto e realimentado, sendo possível também combinar as vantagens de ambos, mediante o controle híbrido são processados em forma discreta no tempo, os sinais de tensão, corrente e ângulo, obtidos de uma carga variável. Com a implementação de um equipamento experimental foram obtidos resultados que permitem concluir que os critérios estabelecidos e os métodos utilizados são apropriados para a redução eficiente das flutuações de tensão. / Abstract: The goal of this work is to contribute for the reduction of the voltage fluctuation problem producing lamp-flicker. The solution is obtained by a fast control of reactive power flow, using thyristor controlled reactor based static compensators. Both, feedback and feedforward control schemes are proposed, and through hybrid control is it possible to take advantage of the two control methods. Voltage, current and angle information of a variable load perturbation are processed in a discrete time way. With the experimental equipment implementation, results where obtained showing that the adopted criteria and the used methods lead to a suitable voltage fluctuation reduction. / Mestrado / Mestre em Engenharia Elétrica