Made available in DSpace on 2017-07-20T12:40:19Z (GMT). No. of bitstreams: 1 Karine Klider.pdf: 4696661 bytes, checksum: 1625309038e6d64e39214301b4f96f7b (MD5) Previous issue date: 2016-07-27 / Coordenação de Aperfeiçoamento de Pessoal de Nível Superior / In this study, we evaluated the optical and electrochemical properties of organic compounds of different types in order to analyze their potential for application active layer in photovoltaic devices. The work was divided into three parts. The first discloses the preparation and characterization of a derivative of 1,8-naphthalimide chromophore prepared from the reaction with a benzonitrile unit (also synthesized and characterized in this work). The BID-NB compound showed optical and electrochemical properties equivalent of the chromophore with optical and electrochemical band gap of 3.41 eV and 2.19 eV. Photovoltaic devices using bilayer architecture, constructed with the compound as the active layer, reached 0.9% of power conversion efficiency (PCE) and a current density at short circuit of 5.68 mA cm-2 by using the C70 fullerene as electron acceptor layer, and 1,8-diiodoocthane as additive in the solution for active layer deposition. The second part the work described the preparation of conjugated molecules (with electron donor acceptor characteristics) from the indigo dye modification by addiction of thiophene units. It was found that increasing number of thiophene units resulted in better opto-electrochemical properties. The molecule that showed the best behavior, DHT-IND, presented optical and electrochemical band gap of 1.64 and 1.45 eV respectively. Despite the low band gap value, the bulk heterojunction (BHJ) solar cell constructed with a 1: 3 mixture of DHT-IND and PC71BM as active layer, showed PCE of 0.7% and current density at short circuit of -4.59 mA cm-2. The fill factor (FF) was 26%. In the third part of this work we evaluated the photocurrent generation by the copolymer PPV/DCN-PPV formed by DCN-PPV chains attached to PPV chain. The evaluation performed as film deposited on a glass substrate containing ITO coated, which has exposed to a LED ilumination. After irradiation the copolymer generated current of A cm-2 (unstable), and -2 A cm-2 (stable). / Neste trabalho foram avaliadas as propriedades ópticas e eletroquímicas de deferentes compostos orgânicos, e analisar suas potencialidades para aplicação como camada ativa em dispositivos fotovoltaicos. Dividiu-se o trabalho em três partes. A primeira revelou a preparação e caracterização de um derivado do cromóforo 1,8-naftalimida, preparado a partir da reação com uma unidade de benzonitrila previamente preparada e caracterizada. O composto 4-(2-(1,3-dioxo-1H-benzo[de]isoquinolin-2(3H)-il)etoxi)-2,5-dimetilbenzonitrila, ou BID-NB, apresentou propriedades ópticas e eletroquímicas equivalentes às do cromóforo, com band gap óptico de 3,41 eV e eletroquímico de 2,19 eV. Dispositivos fotovoltaicos de bicamada foram construídos com o composto BID-NB como camada ativa, sendo que a eficiência máxima de conversão foi de 0,9% com uma densidade de corrente de curto circuito de -5,68 mA cm-2. O dispositivo que auferiu tais resultados foi construído com o fulereno elétron-aceptor C70, e com o auxilio do aditivo 1,8-diiodooctano na deposição da camada ativa. A segunda parte do trabalho consistiu da preparação de moléculas conjugadas do tipo doador/aceptor de elétrons, a partir da modificação do corante índigo com unidades de tiofenos. Constatou-se que o aumento da quantidade de unidades de tiofenos nas moléculas favoreceu suas propriedades opto-eletroquímicas. O composto 7,14-bis(3``,4`-diexil-[2,2`:5`,2``-tertiofen]-5-il)diindolo[3,2,1-de:3`,2`,1`-il][1,5]naftiridina-6,13-diona, ou DHT-IND, foi o que apresentou os menores valores de band gap óptico e eletroquímico, nos valores de 1,64 e 1,45 eV respectivamente. O dispositivo fotovoltaico de heterojunção, construído a partir da mistura 1:3 de DHT-IND e PC71BM como camada ativa, apresentou eficiência de conversão de 0,7% e densidade de corrente de -4,59 mA cm-2. Na terceira parte deste trabalho avaliou-se geração de fotocorrente em um copolímero formado por blocos de PPV ligados a blocos de DCN-PPV (PPV/DCN-PPV). A avaliação foi efetuada na forma de filme sobre um substrato de vidro contendo ITO, o qual foi exposto a iluminação de LED. O copolímero gerou corrente de até -4 A cm-2 (instável), e de -2 A cm-2 (estável) após iluminação.

Neste trabalho são apresentados resultados da caracterização estrutural e morfológica de filmes de oxinitreto de silício (SiOxNy) depositados pela técnica de deposição química a vapor assistida por plasma (PECVD) a baixa temperatura (320°C). O objetivo deste trabalho é relacionar a composição química de ligas amorfas de SiOxNy com suas propriedades ópticas, estruturais, morfológicas e mecânicas visando sua aplicação em dispositivos elétricos, optoeletrônica e microestruturas. A proposta é dar continuidade a trabalhos prévios desenvolvidos no grupo, que demonstraram a viabilidade de controlar a composição química e, como conseqüência, controlar as propriedades como o índice de refração, constante dielétrica e fotoluminescência de filmes de SiOxNy. As condições de deposição foram ajustadas de forma a obter dois tipos de material: filmes de SiOxNy de composição química controlável entre a do SiO2 e a do de Si3N4 e filmes de SiOxNy com composição rica em Si. O material foi caracterizado pelas técnicas de elipsometria, índice de refração por prisma acoplado, RBS (Rutherford Backscattering Spectroscopy), FTIR (Fourier Transform Infrared Spectroscopy), XANES (X-Ray Absorption Near Edge Spectroscopy) na borda K do Si, O e N, medida de stress residual e microscopia eletrônica de varredura (Scanning Electron Microscopy) e de transmissão (Transmission Electron Microscopy). Os resultados mostraram que os filmes com composição química intermediária entre a do SiO2 e a do Si3N4 apresentam arranjo estrutural estável com a temperatura, mantendo as ligações e a estrutura amorfa mesmo após tratamentos térmicos a 1000°C. Também fora demonstrada a possibilidade de obter um material com baixo stress residual e índice de refração ajustável entre 1,46 e 2, resultados ótimos para aplicações em MOEMS (micro-opto-electro- mechanical systems). Já nas amostras ricas em Si foi observada a formação de diferentes fases, sendo uma delas formada por aglomerados de Si e a outra por material constituído por uma mistura de ligações Si-O e Si-N. Este material apresenta a formação de nanocristais de Si, dependendo do conteúdo de Si e das condições do tratamento térmico, permitindo assim, sua aplicação em dispositivos emissores de luz. / In this work results on the morphological and structural characterization of silicon oxynitride (SiOxNy) films deposited by plasma enhanced chemical vapor deposition technique (PECVD) at low temperature (320°C) are presented. The main goal is to correlate the chemical composition of amorphous SiOxNy alloys to their optical, structural, morphological and mechanical properties intending applications on electrical, optoelectronic and micromechanical devices. The proposal is to continue previous research developed in this group, which demonstrated the possibility of tuning the chemical composition and, consequently, the SiOxNy films properties such as refractive index, dielectric constant and photoluminescence by the precise control of the deposition parameters. The deposition conditions were adjusted in order to obtain to material types, SiOxNy films with tunable chemical composition between SiO2 and Si3N4 and silicon-rich SiOxNy. The characterization was performed by elipsometry, refractive index by coupled prism, RBS (Rutherford Backscattering Spectroscopy), FTIR (Fourier Transform Infrared Spectroscopy), XANES (X-Ray Absorption Near Edge Spectroscopy) on K edge of Si, O and N, residual stress measurement and Scanning Electron Microscopy (SEM) and Transmission Electron Microscopy (TEM). The films with chemical composition between SiO2 and Si3N4 presented stable structural arrangement with temperature, maintaining the chemical bonds and the amorphous structure after high temperature annealing. Also the results demonstrated the possibility of producing a low residual stress material and an adjustable refractive index since in the 1.46 to 2 range, excellent result for MOEMS devices (micro-opto-electro- mechanical systems applications. For silicon rich-samples the formation of different phases was observed, one formed by Si clusters and other one by a mixture of Si-O and Si-N bonds. Depending on the Si content and on the annealing conditions this material can present nanocristals, results which allowed us to understand and to optimize this material for light emitting devices applications.

Neste trabalho estudamos os efeitos polarônicos sobre um gás de elétrons quase bidimensional presente em heteroestruturas semicondutoras (heterojunções e poços quânticos de GaAs-AlGaAs) sob a ação de um campo magnético uniforme aplicado na direção perpendicular a interface, através de teoria de perturbação de segunda ordem. Calculamos a massa ciclotrônica considerando a interação elétron-fonon LO e os efeitos de blindagem e não parabolicidade da banda de condução do GaAs. Os resultados obtidos são comparados com recentes dados experimentais de ressonância ciclotronica e apresentam ótima concordância. Estudamos também a energia de ligação do estado fundamental de uma impureza hidrogenóide localizada no interior de um fio quântico retangular de GaAs envolvido por AlGaAs, como função das dimensões do fio para varias alturas das barreiras de variacional, usando várias formas para a função de onda tentativa do sistema. Consideramos também a contribuição polarônica a energia de ligação. Comparamos nossos resultados com recentes cálculos da energia de ligação, efetuados por outros autores. / In this work we study the polaronic effects on the two dimensional electron gas present in semiconductor heteroestructures (GaAs-AlGaAs heterojunctions and quantum wells) when a uniform magnetic field is applied perpendicular to the interface, using second order perturbation theory. By taking into account the effect of nonparabolicity and screening of the electron-fonon LO interaction the calculated effective mass is compared to the recent experimental date. Good agreement is found with available date. The binding energies of a hydrogenic impurity located in quantum well wires of GaAs surrounded by AlGaAs are calculated as a functions of the size of the wire for several values of the heights of the potential barriers and diferent positions of the impurity inside the wire. We follow a variational approach choosing several trial wave functions for the ground state. The polaronic contribution to the binding energy is considered. We compare our results with those previously obtained by other authors.

Utilizando métodos de primeiros princípios, baseados na Teoria do Funcional da Desidade, investigamos, de forma sistemática, problemas de interesse na física de semicondutores: (i) A liga SixGe1-x: observa-se um pequeno desvio da linearidade, para o parâmetro de rede da liga, em função da concentração, sendo que as distâncias entre átomos de Ge são as que mais variam. O comportamento de vacâncias nessa liga se mostrou intermediário entre o Ge e o Si, e a energia de formação (EF) das vacâncias variou entre 2,06 eV e 2,90 eV, dependendo da vizinhança dessa. Propusemos um modelo para a difusão de Ge nessa liga. O fato das vacâncias com mais átomos de Ge como vizinhos ter menor energia de formação, faz com que a difusão das vacâncias se dê por caminhos lembrando o Ge puro, ou seja, a tendência será de que os vizinhos dessa vacância sejam de Ge, para ligas ricas em Ge; (ii) Superfícies: estudamos a adsorção de monômeros e dímeros de Ge sobre Si (100). Verificamos que, para monômeros, podem existir diversos mínimos locais da superfície de energia potencial para a mesma posição (x, y) na superfície, cuja diferença está na inclinação dos dímeros da superfície perto deste átomo. Mostramos que isso pode ser identificado em imagens teóricas de STM (Scanning Tunelling Microscopy) e propomos que isso seja verificado experimentalmente. Este tipo de efeito também ocorre com dímeros, sendo que isso já foi observado experimentalmente, mas com uma interpretação errônea. Através do nosso estudo podemos propor uma estrutura mais condizente com as imagens experimentais. O comportamento de átomos e dímeros de Si e Ge perto de degraus também foi analisado. Devido à diferença no parâmetro de rede do Si e do Ge, mostramos que a adsorção se torna diferente quando somente dois átomos estão na superfície. Através desses resultados, propomos um modelo para explicar a reversão da rugosidade dos degraus durante o crescimento de Ge sobre Si(100); (iii) Impurezas de Mn em Si: analisamos o comportamento de impurezas de Mn no cristal de Si e sobre a superfície. No cristal, observamos que a EF de sítios intersticiais é menor do que os sítios substitucionais. Sobre a superfície, existe um sítio substitucional que possue a mesma EF de um sítio intersticial. Esse é um fato importante para o desenvolvimento de semicondutores ferromagnéticos à base de Si. Propomos um método para que esse fato seja verificado experimentalmente, através de imagens de STM. / Using ab initio methods, based on Density Functional Theory, we have systematically investigated problems of interest for semiconductor physics: (i)The SixGe1-x alloy: we observe a small bowing in the lattice parameter, as a function of concentration, and that a larger variation in interatomic distances occurs for Ge-Ge bonds. The behavior of vacancies in this alloy is intermediate between Si and Ge, with formation energies (EF) varying from 2,06 eV to 2,90 eV, depending on the neighborhood of the vacancy. We propose a model for the diffusion of Ge in this alloy. As the vacancy with four Ge atoms as first neighbors hás smaller formation energy, the diffusion of the vacancies Will take place along paths that resemble purê Ge, for Ge-rich alloys; (ii)Surfaces: we study the adsorption of Ge monomers and dimers on Si(100). For monomers, there are several local mínima of the potential energy surface, for the same (x, y) position in the surface, depending on the buckling of the surface dimers near the adatom. We show that this can be identified in theoretical STM (Scanning Tunelling Microscopy) images. This kind of effect also occurs for dimers, and hás already been observed experimentally, but with a wrong interpretation. Through our study, we propose a new structure for the experimental images. The behavior of Si and Ge atoms and dimers near steps is also analyzed. Due to the differencein the lattice parameter of Si and Ge, we show that the adsorption becomes different when only two atoms are in the surface. Through these results, we propose a model to explain the reversion of step roughness due to Ge deposition on Si(100); (iii)Mn impurities in Si: we analise the behavior of Mn impurities in bulk Si ando n the surface. For the bulk, we observe that EF is lower for intersititial than for substitutional sites. On the surface, there is a substitutional site that hás the same EF AS A INTESTITIAL ONE. This fact may be important to the development of Si based ferromagnetic semiconductors. A method is proposed to verify this fact experimentally, through STM images.

Submitted by Maicon Juliano Schmidt (maicons) on 2015-04-06T13:05:21Z No. of bitstreams: 1 Sabrina Rossi de Oliveira.pdf: 1451424 bytes, checksum: 7eb1361bce401f0935c9bc7cef5c6cff (MD5) / Made available in DSpace on 2015-04-06T13:05:21Z (GMT). No. of bitstreams: 1 Sabrina Rossi de Oliveira.pdf: 1451424 bytes, checksum: 7eb1361bce401f0935c9bc7cef5c6cff (MD5) Previous issue date: 2012-03-29 / CAPES - Coordenação de Aperfeiçoamento de Pessoal de Nível Superior / O paradigma econômico atual está intimamente associado à dinâmica do desenvolvimento tecnológico. Assim, as atividades de Pesquisa e Desenvolvimento (P&D) adquirem um papel preponderante nesse contexto, tanto para o desempenho das firmas quanto para o desenvolvimento macroeconômico de regiões e países. Uma estratégia cada vez mais comum adotada pelas empresas como forma de operacionalizar suas pesquisas é formar parcerias colaborativas com universidades e centros de pesquisas. Uma iniciativa que se insere nesse contexto é o acordo firmado pela UNISINOS e a HT Micron com vistas ao desenvolvimento de uma infraestrutura científico-tecnológica destinada ao encapsulamento de semicondutores. Entretanto, pelo fato de não possuir uma tradição científica nesse campo, um desafio que se impõe à essa universidade é o desenvolvimento de sua capacidade de absorção de conhecimentos relativos à essa tecnologia. Dessa forma, o objetivo central dessa dissertação é explicar o processo de desenvolvimento da capacidade absortiva por parte de uma universidade no contexto de um projeto colaborativo de cunho tecnológico. A pesquisa apoiase na linha teórica que defende que o processo de desenvolvimento da capacidade absortiva está atrelado, por um lado, à influência exercida pelos determinantes dessa capacidade e, por outro, ao tipo de conhecimento a ser adquirido. A estratégia de pesquisa utilizada foi o estudo de caso único e os dados foram obtidos qualitativamente através de entrevistas semiestruturadas e consulta a fontes secundárias. Os resultados fornecidos pelo trabalho sugerem que a capacidade absortiva da UNISINOS pode ser aperfeiçoada através de ações que influenciem a base inicial de conhecimento relacionada ao projeto, os recursos humanos ligados a esse conhecimento, a estrutura organizacional e as relações interorganizacionais que possam fomentar esse aprendizado. Também se concluiu que as etapas iniciais do projeto, as quais envolvem tecnologias prontas para serem utilizadas, exigem que as ações adotadas sejam pontuais, possibilitando um rápido acesso ao conhecimento externo. Já as fases posteriores, as quais incluem o desenvolvimento de novos conhecimentos, pedem medidas cujos resultados sejam gerados ao longo do tempo e, dessa forma, construam uma capacidade de absorção capaz de prover a universidade com conhecimentos mais elaborados. / The current economic paradigm is closely associated with the dynamics of technological development. Thus, the activities of P & D acquire a leading role in this context, both for the performance of firms, and to the macroeconomic development of regions and countries. An increasingly common strategy adopted by companies as a way to operationalize their research is to form collaborative partnerships with universities and research centers. An initiative that is within this context is the agreement signed by UNISINOS and HT Micron with a view of developing a scientific-technological infrastructure intended for semiconductor encapsulation. However, because of not having a scientific tradition in this field, a challenge imposed to this university is developing its capacity to absorb knowledge regarding this technology. Thus, the main objective of this thesis is to explain the process of the absorptive capacity development for a university in the context of a collaborative project of a technological nature. The research is based on the theoretical line which argues that the process of developing the absorptive capacity is linked to, on the one hand, the influence exerted by the determinants of this capacity and, on the other hand, the type of knowledge to be acquired. The research strategy used was a single case study where the data was obtained qualitatively through semi-structured interviews and secondary sources that were consulted. The results from the study suggest that the absorptive capacity of the UNISINOS can be improved through actions that influence the initial base of knowledge related to the project, the human resources linked to this knowledge, the organizational structure and inter-organizational relationships that can foster this learning. It also concluded that the initial stages of the project, which involving technologies ready to be used, require that the actions taken are timely, enabling quick access to external knowledge. Having the posterior phases, which include development of new knowledge, demand measures whose results are generated over time, and thus build an absorption capacity capable of providing the university with more elaborate knowledge.

Submitted by William Justo Figueiro (williamjf) on 2015-07-09T21:40:27Z No. of bitstreams: 1 20b.pdf: 3176393 bytes, checksum: b85ec1ddba048cc511f230d9d7018d2c (MD5) / Made available in DSpace on 2015-07-09T21:40:27Z (GMT). No. of bitstreams: 1 20b.pdf: 3176393 bytes, checksum: b85ec1ddba048cc511f230d9d7018d2c (MD5) Previous issue date: 2013 / Nenhuma / O presente estudo teve como finalidade compreender a utilização da inteligência cultural em joint ventures internacionais em setores de alta tecnologia, tendo como estudo de caso a HT Micron, que nasceu da união do Grupo Parit, brasileiro, e da Hana Micron, sul-coreana, para compreensão dos passos realizados para a consolidação do negócio. A utilização da inteligência cultural ainda é um desafio para muitas pessoas e empresas, além de ser uma área pouco conhecida na academia, como aponta Livermore (2010), havendo um vasto campo de pesquisa a ser explorado e desenvolvido. Buscou-se apresentar uma série de informações sobre a empresa, avaliando os aspectos culturais envolvidos, a gestão intercultural e a inteligência cultural numa perspectiva melhor visualizada através do lado brasileiro da joint venture. Com base na fundamentação teórica, realizada através de pesquisa bibliográfica relacionada ao assunto, foi feito um estudo de caso exploratório, através de entrevistas e visitas pessoais a diferentes áreas da empresa e a pessoas que estiveram envolvidas na criação da empresa, desenvolvendo-se uma análise de conteúdo. A dissertação contextualiza sobre a área de semicondutores, descreve o processo de construção da joint venture HT Micron, apresenta como se dá a gestão intercultural na HT Micron e a utilização da inteligência cultural nesse contexto, além de sugerir um conjunto de recomendações nessa área para joint ventures internacionais, como a HT Micron. Como resultado da pesquisa, pode-se verificar que a empresa acaba por utilizar ações esporádicas para o desenvolvimento cultural, caracterizando uma baixa utilização de princípios de inteligência cultural na formação da joint venture, que poderiam ser melhor explorados no seu dia-a-dia. / The present study aimed to understand the use of cultural intelligence in international joint ventures in high-technology sectors, taking as case study the HT Micron, which was born from the union of the Brazilian Parit Group and South Korean Hana Micron to understand the steps performed to consolidate the business. The use of cultural intelligence still a challenge for many people and companies, as well as being an area little known in academy, as pointed Livermore (2010), with a wide field of research to be explored and developed. In this research was tried to provide a sequence of information about the company, assessing the cultural aspects involved in intercultural management and cultural intelligence, more visualized through the Brazilian side of the joint venture. Based on the theoretical reasons, performed through a literature research related to the subject, was created an exploratory case study, conducting interviews and personal visits to different areas of the company and people who were involved in the creation of the company, developing a content analysis. The theses contextualizes the semiconductor area, identifies the cultural aspects of the realization of the joint venture, shows how is the HT Micron in intercultural management and use of cultural intelligence, and suggest a set of recommendations in the area of cultural intelligence for international joint ventures as the HT Micron. As a result of the research can be seen that the company had sporadic actions in the cultural development, featuring a low utilization of the principles of cultural intelligence in the shaping of the joint venture, which could be better explored in the day-by-day operation.

Submitted by Silvana Teresinha Dornelles Studzinski (sstudzinski) on 2015-11-24T11:51:02Z No. of bitstreams: 1 Ingridi Vargas Bortolaso_.pdf: 2642377 bytes, checksum: 0dd7f4daf1f04248961c15763bed5376 (MD5) / Made available in DSpace on 2015-11-24T11:51:02Z (GMT). No. of bitstreams: 1 Ingridi Vargas Bortolaso_.pdf: 2642377 bytes, checksum: 0dd7f4daf1f04248961c15763bed5376 (MD5) Previous issue date: 2015-03-20 / CAPES - Coordenação de Aperfeiçoamento de Pessoal de Nível Superior / A cooperação entre universidade-governo-empresa (UGE) contribui para o desenvolvimento da indústria. A partir dessa cooperação, é possível explorar uma lacuna teórica, como o alinhamento entre a visão baseada em recursos e a visão relacional, gerando proposições de pesquisa. Quando se trata de indústria de alta complexidade tecnológica, como a dos semicondutores, essa cooperação torna-se essencial para o sucesso. Com o objetivo de ampliar a compreensão sobre a cooperação UGE na indústria de semicondutores e, em especial, como os recursos compartilhados pela universidade, governo e empresa contribuem para o desenvolvimento da indústria de semicondutores, a presente tese buscou compreender os recursos da universidade, governo e empresa. Isso porque essa cooperação pode estar intimamente relacionada com recursos disponibilizados por cada organização. Além dos recursos de cada organização envolvida, esta tese também identifica as ações relacionais desenvolvidas entre UGE e os recursos resultantes dessas ações. A aplicação dos conceitos-chave da visão baseada em recursos, alinhada com a visão relacional, contribui para a compreensão dessa cooperação. A estratégia de pesquisa utilizada é o estudo de caso único com unidades incorporadas. Assim, foi realizada uma coleta de dados envolvendo múltiplas fontes de informações, tais como: entrevista semiestruturada, material audiovisual, documentos das organizações e relatórios. A análise do caso estudado permitiu a geração de proposições de pesquisa e a elaboração de um esquema conceitual com os elementos críticos necessários para o estabelecimento da cooperação entre UGE. Como elementos críticos, identificou-se: os recursos internos da organização, os recursos compartilhados na cooperação, a relação como recurso, a orientação empreendedora da universidade, o posicionamento do governo como um ator-chave da cooperação e a existência de capacidades latentes nas organizações, característica essencial para o estabelecimento da cooperação. O presente trabalho também apresenta as implicações práticas e teóricas identificadas no processo de cooperação estudado e menciona recomendações para a continuidade deste estudo. / Collaboration amongst university-government-industry (U-G-I) contributes to the development of infant industries. When it comes to industries of high technological complexity, such as segment of semiconductor, this cooperation becomes essential for their success. In order to enlarge our understanding involving the cooperation between university-government-firm in the semiconductor industry and, particularly, how the resources shared by them contribute to the development of the semiconductor industry, this dissertation tries to understand the resources of university, government and firm. This is because such cooperation may be closely related to the resources provided by each organization. In addition to the resources of each of the organizations involved, we also have identified relational actions developed between U-G-I and resulting resources of such actions. An application of the key concepts of the resource-based view, aligned with the relational view, contributed to the understanding of this cooperation. The research strategy used is the case study with embedded units only. Thus, we collected data involving multiple sources of information, such as semi-structured interviews, audiovisual material, organizations’ documents and reports. The analysis of the case study allowed generating research propositions and elaborating a conceptual framework with critical elements necessary to the establishing cooperation amongst U-G-I. As critical elements, we found internal resources of the organizations, resources shared at the cooperation, relation as resource, entrepreneurial direction of the university, the position of the government as a key actor of the cooperation, and the stocks of latent capacities in the organizations, which are essential to establish cooperation. The present study also presents the practical and theoretical implications involved in the process of cooperation studied and makes some recommendations for continuing this study.

Neste trabalho estudamos a dinâmica molecular e o empacotamento em semicondutores orgânicos com diferentes tamanhos de cadeias conjugada usando uma estratégia de multi-técnicas, em particular Ressonância Magnética Nuclear (RMN), espalhamento de Raios-X de alto ângulo (WAXS), Calorimetria Exploratória Diferencial (DSC), espectroscopia Raman e espectroscopias Ópticas de absorção UV-Vis e fluorescência. Nestes estudos utilizamos oligômeros de fluorenos, com 3, 5 e 7 unidades repetitivas e copolímeros multibloco conjugados/não-conjugados com as unidades conjugadas constituídas por unidades de fenileno de vinileno (PV) e as não-conjugadas formadas por unidades metilênicas. No estudo com oligômeros, foi mostrado que a capacidade e a forma de ordenamento das cadeias dependem do número de unidades repetitivas, com o Pentâmero possuindo uma tendência muito maior de cristalização. Essa conclusão foi suportada por cálculos teóricos ab-initio, que mostraram que a conformação de menor energia do pentâmero favorece as interações intercadeias e, portanto, o ordenamento de longo alcance. Os resultados referentes aos estudos de dinâmica molecular corroboraram essas características e mostraram que a ativação dos movimentos moleculares nas fases amorfas dos oligômeros são predominantemente dependentes dos comprimentos das cadeias oligoméricas, em concordância com o comportamento encontrado para as suas Tg´s. No estudo referente aos copolímeros multiblocos, foi encontrado que a presença dos grupos espaçadores alifáticos inibem a forte tendência de cristalização das unidades de PV, porém não impedem a agregação dessas unidades. Foi verificado que, a dispersão de tamanhos das unidades agregadas afeta fortemente as características de emissão dos copolímeros, onde a emissão nas cadeias maiores é privilegiada. No que diz respeito a dinâmica molecular, foi observado que a presença de movimentos na região alifática contribui para o aparecimento de processos de relaxação não radiativos o qual inibem a emissão dos copolímeros e provocam alargamento das bandas vibrônicas. Por fim, foi observado que movimentos isotrópicos das cadeias de PV são responsáveis pela transição vítrea dos copolímeros, sendo que as energias necessárias para ativar esses movimentos aumentam com o tamanho da cadeia. Portanto, de forma geral, nossos resultados indicam que mesmo em sistemas com comprimento de cadeias muito bem controlados, as fortes interações intermoleculares presentes em polímeros conjugados, podem tornar a morfologia em estado sólido desses sistemas bastante complexa, sendo que muitas das propriedades ópticas (e provavelmente também elétricas) são afetadas pela forma de empacotamento, desordem conformacional e térmica, além da própria constituição das cadeias. / In this dissertation we present a study of the molecular dynamics and packing in organics semiconductor with different conjugated chains lengths using a of multi-techniques approach, in particular, Nuclear Magnetic Resonance (NMR), Wide Angle X-ray Scattering (WAXS), Differential Scanning Calorimetry (DSC), Raman spectroscopy, UV-Vis absorption and fluorescence spectroscopy. The studies were carried-in fluorene oligomers with 3, 5 and 7 repeat units and multi-block conjugated/non-conjugated copolymers with the conjugated part formed by phenylene-vinylene units (PV) and the non-conjugated block formed by methylene units. Concerning the oligomers studies, it was shown that the ability of the chain to form ordered domains as well as the domain structure depend on the number of repeat units, with the pentamer having a higher tendency to crystallization. This conclusion was supported by theoretical ab-initio calculations, which showed that the pentamer conformation favors inter-chain interactions and therefore long-range ordering. The molecular dynamics studies support these characteristics and showed that the activation of molecular motions in oligomers amorphous phase are predominantly dependent on the oligomeric chain lengths, in agreement with the behavior observed for their glass transitions (Tg´s). In the study concerning the multi-block copolymers, it was found that presence of the aliphatic chains inhibit the strong tendency to crystallization of the PV units, but do not prevent their aggregation. It was found that the dispersion in aggregated units sizes strongly affects the copolymers emission, with the emission of larger chains being privileged. Regarding the molecular dynamics, we observed that the presence of motion on aliphatic region contributes to the appearance of non-radiative relaxation processes that inhibit the emission of the copolymers and produce broadening of the vibronic bands. Finally, we observed that isotropic motions of the PV chains are responsible for the copolymers glass transition and the energy required to activate these movements increase with length of the chain. In summary, our results indicate that even in systems with well controlled chains length, the strong intermolecular interactions present in conjugated polymers, can make the solid state morphology of these systems quite complex, which may affect many optical (and probably electric) properties are affected by the packaging structure, thermal and conformational disorder, in addition to the constitution of the chains composition.

O objetivo do trabalho, foi o desenvolvimento de uma metodologia de preparação de amostras de ZnO e Zn(1-X)Co(X)O de alta pureza baseada no processo químico sol-gel, e a análise das mesmas com a técnica de Correlação Angular γ-γ Perturbada (CAP). As técnicas de Difração de Raios X e Microscopia Eletrônica de Varredura também foram utilizadas para a caracterização das amostras. Além disso, foram produzidas amostras de Zn(1-X)Co(X)O na tentativa de observar comportamento ferromagnético à temperatura ambiente, através da variação da concentração de Co com diferentes atmosferas e temperaturas de tratamento. As medidas de CAP foram realizadas em um espectrômetro γ com quatro detectores de BaF2, que possibilita a aquisição simultânea de 12 espectros de coincidências γ-γ atrasadas. O núcleo de prova utilizado foi o 111In → 111Cd, que possui cascata γ de 172 - 245 keV populado no decaimento do 111In por captura eletrônica. Os campos hiperfinos foram medidos a partir do nível intermediário de energia de 245 keV do 111Cd com spin I = 5/2 e T1/2 = 85 ns. Os resultados mostram, que a metodolo- gia desenvolvida é adequada para a produção das amostras, fato que é comprovado pela concordância dos valores obtidos com os reportados na literatura. / The aim of this work was the development of high-purity ZnO and Zn(1-X)Co(X)O sample preparation methodology based on sol-gel chemical process, as well as the analysis of these samples by means of Perturbed Angular γ-γ Correlation technique (PAC). Also, X-ray Diffraction and Scanning Electron Microscopy were used to characterize the samples produced. In addition, Zn(1-X)Co(X)O samples were produced in an attempt to observe ferromagnetic behavior at room temperature, through the variation of Co concentration, with different atmospheres and annealing temperatures. The PAC measurements were performed in a BaF2 four-detector γ spectrometer, which allows simultaneous acquisition of 12 γ-γ delayed coincidence spectra. 111In→111Cd nuclear probe was used for these measurements, which has γ cascade of 172 - 245 keV populated in the decay of 111In by electron capture. The hyperfine fields were measured from the intermediate energy level of 245 keV in 111Cd with spin I = 5/2 and T1/2= 85 ns. The results show that the developed methodology is suitable for the production of these samples, which is evidenced by the agreement with values reported on literature.

[pt] As células solares de junções múltiplas detém os atuais recordes mundiais de eficiência de conversão fotovoltaica. Uma dificuldade técnica que existe nestes dispositivos é que a corrente destes dispositivos é limitada pela menor dentre as geradas por cada uma das junções. No caso da célula solar de junção tripla de InGaP/InGaAs/Ge, a célula padrão para aplicações espaciais, a limitação é na célula intermediária. Existe uma proposta de uso de poços quânticos na junção para aumentar a corrente produzida pela célula intermediária, sendo assim, as outras junções pn que compõem a célula tripla precisam ser redesenhadas para que haja um casamento de corrente. O presente trabalho tem como objetivo apresentar um design otimizado para a célula solar de InGaP que é a junção pn do topo. O intuito é encontrar uma estrutura otimizada para o casamento de corrente através de simulações e fabricar a célula solar. As amostras foram crescidas em um reator de deposição epitaxial de metalorgânicos em fase de vapor e os dados utilizados no crescimento das camadas, a saber: espessura e dopagem, foram obtidos a partir das simulações realizadas. Para verificação da qualidade ótica, estrutural e elétrica das camadas crescidas, foram feitos experimentos de fotoluminescência, difração de raio-x e efeito Hall. São apresentadas curvas de resistividade obtidas pelo método da linha de transmissão, curva de corrente-tensão e eletroluminescência que dão um diagnóstico da qualidade do dispositivo produzido. / [en] Multi-junction solar cells hold the current world records of photovoltaic conversion efficiency. A technical difficulty that exists in these devices is that the current of these devices is limited by the smaller of those generated by each of the joints. In the case of the triple junction solar cell of InGaP / InGaAs / Ge, the standard cell for spatial applications, the limitation is on the intermediate cell. There is a proposal to use quantum wells at the junction to increase the current produced by the intermediate cell, so the other pn junctions that make up the triple cell need to be redesigned to have a current match. The present work aims to present an optimized design for the InGaP solar cell which is the top pn junction. The intention is to find an optimized structure for the current matching through simulations and fabricate the solar cell. The samples were grown in a vapor phase epitaxial deposition reactor and the data used in the growth of the layers, namely thickness and doping, were obtained from the simulations. To verify the optical, structural and electrical quality of the grown layers, photoluminescence, x-ray diffraction and Hall effect experiments were performed. Resistivity curves obtained by the transmission line method, current-voltage curve and electroluminescence are presented, which give a diagnosis of the quality of the device produced.