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In dieser Arbeit werden versilberte Hochstrom-Steckverbindungen mit Kontaktelementen betrachtet, die in der Elektroenergieversorgung bei Belastung mit Fehlerströmen im Bereich von 24 µs bis 5 s eingesetzt werden. Am Flach- und Rundeinbau der Kontaktelemente werden Kurzschlussversuche im Bereich von (0,01…5) s durchgeführt. Der Kurzschlussstrom erwärmt die Steckverbindung und die Kontaktelemente innerhalb dieser Zeit auf mehrere 100 °C und führt zu einer thermisch aktivierten Schädigung. Dabei baut sich die Kontaktkraft durch Spannungsrelaxation zum Teil ab, und es kann zum Verschweißen der Mikrokontakte und Blasenbildung durch lokales Ablösen der Be-schichtung kommen. Bei einer zu starken Schädigung kann ein sicherer Betrieb der Steckverbindung nicht mehr si-chergestellt werden. Daher werden für die Mechanismen der Schädigung Grenzwerte festgelegt und eine maximale Belastung definiert. Ausgehend von den experimentellen Untersuchungen wird ein Berechnungsmodell auf Basis der Finiten-Elemente-Methode weiterentwickelt. Ein vereinfachtes Widerstandsmodell der Punktkontakte abhängig von Kontaktkraft und Kontakthärte bildet dabei das Verhalten der Mikrokontakte nach. Da das Verhalten der Kontakthärte bei starker Erwärmung im ms-Bereich nur unzureichend erforscht ist, werden aus Experimenten näherungsweise die benötigten Parameter bestimmt. Mit dem erweiterten Berechnungsmodell ist es möglich, die thermische Wirkung praktischer Kurzschlussversuche nachzubilden. Eine wesentliche Erkenntnis ist, dass die Höhe des Stoßstroms zu Beginn des Kurzschlusses einen entscheidenden Einfluss auf die maximale Erwärmung hat. Bei sehr hohen Stoßströmen am Anfang eines Kurzschlusses wird der Kontaktwiderstand stark reduziert. Für den weiteren Verlauf des Kurzschlusses entsteht in den Kontakten daher weniger Wärme, als wenn diese Reduktion nicht stattfindet. Das bedeutet, dass DC-Kurzschlüsse unter Umständen zu einer höheren thermischen Belastung und mechanischen Schädigung führen können als AC-Kurzschlüsse mit gleichem Effektivwert. Experimente bestätigen diese Theorie. Dies gilt allerdings nur, wenn der Stoßstrom nicht zum sofortigen Verschweißen der Kontakte führt. Anhand der Erkenntnisse aus den Experimenten und Berechnungen werden Empfehlungen für die Auslegung und die Prüfung von Hochstrom-Steckverbindungen gegeben. Es zeigte sich, dass das für Prüfungen oft verwendete I2t-Kriterium bei Steckverbindungen nur sehr eingeschränkt anwendbar ist. Die Kurzschlussdauer kann damit nur um ca. (13…17) % verändert werden, ohne dass sich die Beanspruchung in der Prüfung unzulässig ändert. Alternativ schlägt die Arbeit das Ixt-Kriterium vor. Dieses lässt es bei bekannter Geometrie der Steckverbindung zu, einen Prüfstroms in einem vielfach größeren Zeitbereich einzustellen und erzeugt dabei eine vergleichbare thermische Beanspruchung oder mechanische Schädigung. Ein Erwärmen der Steckverbindung auf die maximal zulässige Betriebstemperatur vor dem Kurzschluss, was bei-spielsweise bei einem Fehler im realen Betrieb stattfinden kann, hat einen vergleichsweise geringeren Einfluss auf die Erwärmung und die mechanische Schädigung. Hintergrund ist, dass die Vorerwärmung zu einer Reduktion der Kon-takthärte führt und damit große Kontaktflächen erzeugt, die einen geringen Kontaktwiderstand haben. Hierdurch entsteht weniger Verlustleistung, was die Erwärmung der Steckverbindung reduziert. Aus den gewonnen Erkenntnissen werden Empfehlungen für die Auslegung, Prüfung und die Modellierung des Kurz-schlussverhaltens von Steckverbindungen mit Kontaktelementen für die Elektroenergieversorgung abgeleitet. / In this thesis, silver plated plug-in connectors for electrical power supply under short time current load are investigat-ed. The duration of the short time or short circuit current load is between 24 µs and 5 s. Both flat and round model plug-in connectors are stressed with the short time current. This current heats the plug and socket as well as the contact elements by several hundred Kelvin, which can lead to thermally induced damages. These may include a reduction of the contact force, welding of the contact points and blistering of the coating. If the damage is too severe, safe operation at the rated continuous current may not be able after the short circuit. Thus, limiting loads are defined which ensure a safe operation. Based on the experiments, a finite element model is refined. A simplified model of contact points is used to imple-ment the contact behaviour. This model implements the overtemperature in the contacts, the contact hardness and the contact force into the calculation. In fact, few data for load in the range of milliseconds are available on this matter. Hence, experiments are used for an approximation of the required parameters. The refined model allows for a good correlation between experiments and calculated data. A key finding is that the magnitude of peak current at the beginning of the short circuit has a decisive influence on the maximum heating. In case of a very high peak current at the beginning of a short circuit, the contact resistance is greatly reduced. For the further course of the short-circuit, therefore, less heat is generated in the contacts than if this reduction did not take place. This means that DC short circuits can under certain circumstances lead to higher thermal stress and mechanical damage than AC short circuits with the same RMS value. This is only valid if the peak current does not heat the contact points up to their welding temperature. Experiments confirm this theory. Recommendations for the dimensioning and testing of high current connectors are given on the basis of the experi-ments and the calculations. It was shown that the I²t-criterion, which is often used for altering the test duration in recommended standards, can only be applied to a very limited extent. The short circuit duration can only be changed by about (13…17) % or otherwise the severity of the mechanical damage is likely to change as well. As an alternative, it is proposed to use the newly introduced Ixt-criterion. If the geometry of the connector is known, this criterion allows alternating the short circuit duration in a broader range without major changes in the severity of the test. In a real world application, short circuits may occur while the connectors are under heavy load, which means that at the beginning of the short time current, the connector is preheated. Tests showed that this has only a minor impact on the temperature rise and the mechanical damage of the contact elements. The reason for this behaviour is that, due to the preheating, the hardness of the contact material drops and the contact area is enlarged. This results in a comparatively lower contact resistance and less power loss is generated. This reduces the influence of the higher start-ing temperatures to a certain degree. On the basis of the findings, recommendations are derived for the design, testing and modelling of the short-circuit behaviour of connectors with contact elements for electrical power supply.

One of the challenging issues with the Microgrid is that the bidirectional power flow providedby the distributed generator (DG) which modify the fault current level. Furthermore, theinverter based-renewable energy source (IB-RES) limits the total fault current contributionto the grid due to its thermal capability. Since Microgrid should be able to operate in gridconnectedand islanded mode, protection strategies are needed to solve this challenging issue.By only having IB-RES and battery storage system, the fault condition and normaloperation cannot be distinguished. Apart from fault clearing issue, there is a consideration tostudy the fault isolation in the Microgrid under the limited fault current provided by IB-RES.To have fault isolation capability, the intelligent electrical device (IED) is needed. The firststep is to find a method that can detect a fault under the fault level modification constraint.This thesis presents a zero and negative sequence current protection to detect a fault.However, to make it selective, this protection will be applied directionally. It is common thatthe distribution grid has unbalanced load operation, thus providing zero and negativesequence component in the grid. To apply the directional zero and negative sequence currentprotection, the unbalanced load flow is simulated to distinguish the fault and normaloperation under unbalanced load condition.Safety and regulation are discussed briefly in this thesis. It is important that each of theIB-RES has fault ride-through (FRT) capability that follows a regulation. However, thisregulation is expected to have a coordination with the proposed protection in the Microgridso the reliability, selectivity, and sensitivity can be achieved in grid-connected and islandedmode. This thesis shows the coordination between fuses, IED, and inverter FRT capability.After providing a protection strategy, the adaptability of the proposed protection isassessed regarding of Microgrid expansion. The result shows that by applying the schemeand following the grading margin requirement that is presented in this thesis, the Microgridexpansion will not disrupt the proposed protection coordination. Since it is known that thedistribution grid is expanding its load capacity and microgeneration in continuous basis, it isconvenient that the proposed protection in the IED is expected to be adaptable, means that ithas a fixed IED setting when the grid is expanded. The analysis is performed by electrical transient analysis program (ETAP) and MatlabSimulink. The short circuit analysis, sequence-of-operation, and unbalanced load flow aresimulated by ETAP, while the protection stability is simulated by Matlab Simulink. / Ett problem som finns med microgrid är att de distribuerade produktionsgeneratorerna harett dubbelriktat effektflöde som modifierar felströmmen. Dessutom, inverterbaseradeförnyelsebara energikällor (IB-RES) begränsar det totala felströmsbidraget på grund av desstermiska kapacitet. Eftersom microgrids ska vara operativ vid både anslutning till externt nätsamt önätsdrift behövs skyddsstrategier för att kunna hantera fel, speciellt vid önätsdrift.Om endast IB-RES och batterilager används kan feldrift och normal drift inte särskiljas.Bortsätt från felhantering är det viktigt att studera felbortkoppling för microgrid underbegränsad felström som fås av IB-RES. För att kunna åstadkomma felbortkoppling behöveren IED (från engelskans Intelligent Electronic Device). Det första steget är att finna en metodför att kunna detektera fel under fel nivå modifiering. Denna avhandling tittar på att användanoll- och minusföljds ström sekvensskydd för att detektera fel. För att göra skyddet selektivtkommer det att titta på riktningen av effektflödet. I distributionsnät är det vanligt att haobalanserade laster vilket medför noll- och negativa sekvenskomponenter i nätet. För atttillämpa riktningsskydd för noll och negativ sekvens ström simuleras ett obalanserateffektflöde för att särskilja på feldrift och normal drift vid obalanserad last.Säkerhet och förordningar diskuteras kortfattat i denna avhandling. Det är viktigt att varjeIB-RES har en feltålighet som följer vissa förordningar. Denna förordning förväntassamordna det föreslagna skyddet i micronåt så att pålitlighet, selektivitet och känslighet kanåstadkommas vid nätanslutning och önätsdrift. Denna avhandling visar samordningen mellansäkringar, IED och feltåligheten för växelomriktare.Anpassningsförmågan för det föreslagna skyddet bedöms med avseende på expansion avmicrogrid. Resultatet visar att en expansion av ett microgrid inte kommer att störa denföreslagna samordningen om skyddsmetoden och tidsfördröjningskravet som presenteras idenna avhandling följs. Eftersom det är känt att distributionsnätet kommer att fortsätta ökasin lastkapacitet och mikrogenerering, är det lämpligt att skyddet förväntas varaanpassningsbart vilket innebär att det har en fast IED inställning när nätet expanderas.Analysen genomförs med mjukvarorna electrical transient analysis program (ETAP) ochMatlab Simulink. Kortslutningsanalysen, arbetssekvensen och obalanserad lastflödesimuleras av ETAP, medan skyddsstabiliteten simuleras av Matlab Simulink.

Transformers are essential for modern power distribution system. They are efficient and enable the voltages to be transformed up for transportation of electricity and back down for consumer use. The reliability of the transformer is affected by faults and fatigue of the copper. The bigger faults a transformer is subjected to, the shorter life time it will have due to damage to the winding and other parts of the transformer. This thesis investigates if it is possible to characterise the noise made from the windings during a short circuit fault or lightning strike, to see if it can be replicated and if transformers can be diagnosed with the help from the noise. Faults creates forces on the windings, these forces can be so great that the windings collide with each other and in worst case breaks. The sound sources that are interesting are the thermal expansion due to the current, the radial forces and the axial forces acting on the coil. Simulations were made in Comsol multiphysics to see how the currents and forces behaved in a winding. A simplified microphone circuit was built and tested to see if it could detect the noise made from the collisions in the coil. Two microphone types and amplifier circuits were tested to see which ones was most suited for the experiments. The microphone circuit was used to record the sound made from the coils when being compressed. An experiment with a capacitor bank sending a large current pulse through different coils and the noise made from the coil was recorded with a microphone circuit connected to an oscilloscope. The currents are recorded by a computer using the program Picoscope. The capacitor bank was charged to different voltages to get different current amplitudes. A microphone circuit was built and tested so it could detect the sound from the collision. Sound occured with a current pulse with an amplitude of 2 kA, and permanent deformation occured when the amplitude of the current pulse was 4.5 kA. The frequency content of the impact was within the audible spectrum. Possibly even higher frequencies than 20 kHz was present during the fault. The microphone had a bandwidth between 20-20000 Hz, which limits the frequencies that is picked up by the microphone. / Transformatorer är viktiga för det morderna elsystemet. Transformatorer är effektiva och tillåter spänningen att transformeras upp för transport vilket minimerar förlusterna i lendningarna och sedan ned igen för kunder. Tillförlitligheten av transformatorer blir påverkad av fel, felen kan orsaka utslitning av kopparen i lindningarna. Ju större fel som transformatorn blir utsatt för, ju kortare livstid får transformatorn på grund av skada på lindningarna eller andra delar av transformatorn. Denna avhandling undersöker om det är möjligt att karaterisera ljudet från transformator lindningar under ett kortslutningsfel eller blixtnedslag. Felströmmarna skapar krafter på lindningarna, dessa krafter kan vara så stora att lindningarna kolliderar med varandra och i värsta fall går lindningarna sönder. Några intressanta ljudkällor är termisk expansion av kopparen från strömmarna, den radiella kraften på spolen och den axiella kraften på spolen. Simuleringar gjordes i Comsol Multiphysics för att se hur strömmar och krafterna beter sig i transformator lindningarna. En mikrofonkrets byggdes och testades för att se om den kunde detektera ljudet från kollisionerna i spolen. Två olika mikrofontyper och två olika förstärkartyper testades för att se vilka som passade bäst för experimenten. Mikrofonkretsen användes för att spela in ljudet från spolarna. Experimenten gjordes med med hjälp av en kondensatorbank som genererar en strömpuls genom de olika lindningarna/spolarna och ljudet från spolarnas kompression var inspelade av mikrofonkretsen som var inkopplad till ett oscilloskop. Strömpulsen var sparad på datorn med programmet Picoscope. Kondensatorbanken var uppladdad med olika spänningar för att få strömpulser med olika amplituder. Experimenten gjordes på fyra olika spolar, en två varvs spole, en 19 varvs spole, en 40 varvs tätlindad spole och en deformerad 19 varvs spole, för att se om det var skillnad mellan kollisionerna. Ljud uppstod vid en strömpuls med amplituden 2 kA och permanent deformation uppstod vid 4.5 kA. Frekvensinnehållet från kollisionen befann sig inom det hörbara spektrumet. Det fanns möjligen frekvenser över 20 kHz, men mikrofonen hade en bandbredd mellan 20-20000 Hz vilket begränsar de upptagna frekvenserna.

Stator inter-turn short circuit (ITSC) faults are one of the common sources for induction machine failure affecting their reliable operation. In this thesis, a finite element (FE) model is developed to study the ITSC fault. The FE model is developed for a prototype induction machine that has the potential to emulate an ITSC fault in the stator. With the developed FE model of the prototype machine, a simulation study is performed to understand the behaviour of various electrical and magnetic quantities in time- and frequency-domain. The investigated quantities are potentially good signatures of the stator winding faults and they are therefore suitable to use in a condition monitoring system. The prototype machine with ITSC faults has been tested in an experimental setup and the results are compared to the simulation and also to analytical results. For the fault current it was found a good agreement between analytical results, FE simulations and experimental results. Moreover, the FE simulation results of the negative-sequence stator current amplitude present a minor mismatch with the analytical and experimental results. The reason for this mismatch is due to an inaccurate knowledge of the prototype machine geometrical parameters. / Kortslutning mellan varven i en asynkronmotors statorlindning (ITSC) är en av de vanligaste källorna för fel som påverkar dess drifttillförlitlighet. I detta examensarbete utvecklas en finit-element (FE) modell för att studera ITSC- fel. FE-modellen är utvecklad för en asynkronmotorprototyp som kan emulera ITSC-fel. Med den utvecklade modellen utförs en simuleringsstudie för att förstå beteendet hos olika elektriska och magnetiska egenskaper både i tids- och frekvensdomän. Dessa egenskaper är goda indikatorer av statorlindningsfel och kan därför med fördel användas i ett tillståndsövervakningssystem. Prototypmaskinen har testats experimentellt och de erhållna resultaten jämförs med FE-simuleringen och analysresultaten. Det analytiska resultatet, FEM- simuleringarna och den experimentella utvärderingen uppvisade god överrensstämmelse vad gäller felströmmen. Dock finns det en mindre avvikelse när det gäller amplituden hos statorströmmens negativa fasföljd. Orsaken till denna avvikelse är att prototypmaskinens geometri inte är helt känd.

IGBTs are today’s most important power-semiconductor switches in the field of medium and high power ranges. The good controllability of this device with a voltage source is advantageous. The following work investigates the IGBT at short-circuit and surge-current condition. A particular focus is put on the IGBT’s feedback on the gate-control circuit. Special modes during the short circuit are measured and explained. For example the self-turn-off mechanism during short circuit and the collector-emitter voltage-clamping capability during fast short-circuit turn-off. Measurements are done at high-voltage IGBT chips and press-pack devices. The complete IGBT output characteristic up to the breakdown point is measured. Additionally, the short circuit is investigated at the parallel and series connection of IGBTs. Supporting semiconductor simulations of a high-voltage IGBT model, that was specially constructed for this work, analyse the internal behaviour during the mentioned conditions. The impact of different IGBT designs on the short-circuit ruggedness and breakdown behaviour is shown. Solutions for protecting the device from destruction during overload condition are presented. Measurements and simulations explain the surge-current capability of an IGBT and demonstrate the benefit for the application. / IGBTs gehören zu den wichtigsten Halbleiter-Leistungsbauelementen im mittleren und oberen Leistungsbereich. Die einfache Ansteuerbarkeit durch eine Spannungsquelle ist dabei von großem Vorteil. Nachfolgende Untersuchungen beschäftigen sich mit dem IGBT-Kurzschluss und -Stoßstrom. Ein besonderes Augenmerk wird auf die Rückwirkung des IGBTs auf den Ansteuerkreis gelegt. Spezielle IGBT Modi werden gemessen und erklärt. Hierzu zählen zum Beispiel der Self-Turn-Off Mechanismus während des Kurzschlusses und die selbständige Kollektor-Emitter Spannungsbegrenzung während schnellen Kurzschlussabschaltens. Hierfür werden Messungen an Hochspannungs-IGBT Chips und Press-Pack IGBTs durchgeführt. Des Weiteren wird das komplette Ausgangskennlinienfeld des IGBTs vermessen und das Kurzschlussverhalten in der Parallel- und Reihenschaltung untersucht. Halbleitersimulationen eines Hochspannungs-IGBT Modells zeigen das interne IGBT Verhalten und unterstützen die Analyse der Messungen. Der Einfluss unterschiedlicher IGBT Designs in Bezug auf die Kurzschluss-Robustheit und das Durchbruchverhalten wird aufgezeigt. Möglichkeiten zum Schutz des IGBTs vor Zerstörung werden erörtert. Messungen und Simulationen zeigen die gute Stoßstromfestigkeit von IGBTs bei erhöhter Gatespannung auf. Davon kann die komplette Anwendung profitieren.

This master’s thesis engages in project of outgoing transformer unit for the photovoltaic power station. It describes project and its design documentation what conducts to practising of construction. It has compared investing to more expansive transformer what has lower loss. It describes charges of operation’s transformer in twenty years. It leads project of cable low voltage. It compares whether is better to use aluminium or cupric cables. Project is led with respect for investment costs and minimum of operation loss.

IGBTs are today’s most important power-semiconductor switches in the field of medium and high power ranges. The good controllability of this device with a voltage source is advantageous. The following work investigates the IGBT at short-circuit and surge-current condition. A particular focus is put on the IGBT’s feedback on the gate-control circuit. Special modes during the short circuit are measured and explained. For example the self-turn-off mechanism during short circuit and the collector-emitter voltage-clamping capability during fast short-circuit turn-off. Measurements are done at high-voltage IGBT chips and press-pack devices. The complete IGBT output characteristic up to the breakdown point is measured. Additionally, the short circuit is investigated at the parallel and series connection of IGBTs. Supporting semiconductor simulations of a high-voltage IGBT model, that was specially constructed for this work, analyse the internal behaviour during the mentioned conditions. The impact of different IGBT designs on the short-circuit ruggedness and breakdown behaviour is shown. Solutions for protecting the device from destruction during overload condition are presented. Measurements and simulations explain the surge-current capability of an IGBT and demonstrate the benefit for the application. / IGBTs gehören zu den wichtigsten Halbleiter-Leistungsbauelementen im mittleren und oberen Leistungsbereich. Die einfache Ansteuerbarkeit durch eine Spannungsquelle ist dabei von großem Vorteil. Nachfolgende Untersuchungen beschäftigen sich mit dem IGBT-Kurzschluss und -Stoßstrom. Ein besonderes Augenmerk wird auf die Rückwirkung des IGBTs auf den Ansteuerkreis gelegt. Spezielle IGBT Modi werden gemessen und erklärt. Hierzu zählen zum Beispiel der Self-Turn-Off Mechanismus während des Kurzschlusses und die selbständige Kollektor-Emitter Spannungsbegrenzung während schnellen Kurzschlussabschaltens. Hierfür werden Messungen an Hochspannungs-IGBT Chips und Press-Pack IGBTs durchgeführt. Des Weiteren wird das komplette Ausgangskennlinienfeld des IGBTs vermessen und das Kurzschlussverhalten in der Parallel- und Reihenschaltung untersucht. Halbleitersimulationen eines Hochspannungs-IGBT Modells zeigen das interne IGBT Verhalten und unterstützen die Analyse der Messungen. Der Einfluss unterschiedlicher IGBT Designs in Bezug auf die Kurzschluss-Robustheit und das Durchbruchverhalten wird aufgezeigt. Möglichkeiten zum Schutz des IGBTs vor Zerstörung werden erörtert. Messungen und Simulationen zeigen die gute Stoßstromfestigkeit von IGBTs bei erhöhter Gatespannung auf. Davon kann die komplette Anwendung profitieren.

Les travaux présentés dans cette thèse se focalisent sur l'étude de l’effet de dégradations des composants de puissance, plus particulièrement au niveau de l’environnement proche des puces (métallisations, connexions, brasures puces/DCB), sur le comportement électrique et thermique des puces ainsi que de leur assemblage. Pour ce faire nous avons cherché à étudier la répartition des courants et des températures à la surface de la puce à l’aide d’un modèle électrothermique 2D distribué. Nous avons aussi évalué l’effet de la dégradation des brasures dans le volume de l’assemblage, à l’aide cette fois d’un modèle thermique relié à la constitution de l’assemblage. La première partie de cette thèse consiste à mettre en place un modèle électrothermique distribué de puce MOSFET, qui tient compte à la fois du caractère distribué de la dissipation de la puissance et du couplage électrothermique en régime transitoire. Ce modèle électrothermique s’appuie sur un modèle électrique aux variables d’états et un modèle thermique par éléments finis couplé au modèle électrique. Les modèles électriques et thermiques ont été développés respectivement sous Matlab et sous CAST3M, et le couplage des deux modèles a été fait sous Simulink. Dans une deuxième partie, pour la validation des résultats des températures et pour l’analyse de l’effet du vieillissement et des dégradations (sur la distribution et la dynamique de température de la surface supérieure de la puce), une méthodologie de mesure rapide de température et un banc expérimental pour thermographie infrarouge ont été mis en place. Les difficultés rencontrées lors des mesures thermiques IR sous variation rapide de la température nous ont poussé à envisager d’autres méthodes d’analyse thermique. Enfin, nous avons cherché à évaluer la réponse impulsionnelle du composant testé en estimant, par des simulations thermiques, la fonction de transfert dans le domaine fréquentiel à l’aide du logiciel COMSOL Multiphysics. Nous avons également étudié la pertinence de modèles RC équivalents (réseau RC de Cauer). Ces modèles ont ensuite été utilisés pour rendre compte de différents modes de dégradation notamment cette fois au niveau des couches de brasures entre puce et DCB et entre DCB et semelle. Mots clef : Modules de puissance à semi-conducteur, Vieillissement, Métallisation, Modélisation électrothermique, Court-circuit, Distribution de courant et de température, Problème inverse, Caméra IR, Réseaux de Cauer. / The work presented in this thesis focus on the study of the effect of degradation of power components, especially at the near environment of chips (metallization, connections, solder chips / DCB), on the electrical and thermal behavior of the chips and their assembly. As a consequence, we studied the distribution of currents and temperatures on the chip surface with a 2D electrothermal distributed model. We also evaluated the effect of solder degradation in the volume of the assembly. Firstly, we developed an electrothermal distributed model of the MOSFET chip, which takes into account both the distributed power dissipation and the electrothermal coupling transient. This electrothermal model is based on an electrical model of state variables and thermal finite element model coupled to the electric model. Electrical and thermal models were developed respectively in Matlab and CAST3M whereas the two models coupling was done in Simulink . In the second part, to validate the results of temperatures and to analyze the effect of ageing and degradation on the distribution and dynamics of temperature of the upper surface of the chip, methodology rapid temperature measurement and an experimental bench for infrared thermography were established. The difficulties encountered in IR thermal measurements with rapid temperature change led us to consider other thermal analysis methods. Eventually, we assessed the impulse response of the tested component by estimating with thermal simulations, the transfer function in the frequency domain using the COMSOL Multiphysics software. Moreover we evaluated the relevance of RC equivalent models (RC Cauer network). These models were then used to account for different modes of degradation this time especially on the solder layer between the chip and DCB and between the DCB and sole. Keywords: Power Modules semiconductor, Ageing, Metallization, electrothermal modeling, Short Circuit, Power and temperature distribution, inverse problem, IR Camera, Cauer networks.