A síntese, caracterização e propriedades de um novo compósito xerogel formado por óxido de vanádio e óxido de silício, com alta concentração de vanádio foi o objetivo deste trabalho. O compósito xerogel foi obtido mediante a formação de uma rede complexa envolvendo a condensação de polioxovanadato em meio aquoso com concomitante hidrólise e condensação de um alcóxido de silício. Conseqüentemente, este método possibilitou a obtenção de um material multicomponente homogêneo, no qual a rede Si O Si está interpenetrada com as cadeias poliméricas V-O- V e V-OH-V, promovendo uma solubilidade mútua, devido a formação de ligações cruzadas. Além disso, resultados experimentais apontam que, mesmo após a imobilização em matriz de sílica, a estrutura bi-dimensional, bem como as propriedades eletroquímicas do xerogel de pentóxido de vanádio são preservadas. A atividade catalítica do material obtido também foi avaliada na oxidação do cicloocteno e do estireno na fase líquida. O compósito xerogel V2O5/SiO2 obtido com tetraetiltrietóxisilano (TEOS), mediante catálise básica, o qual apresentou área superficial elevada (324 m2/g), e apresentou atividade catalítica em reações de oxidação do estireno e do cicloocteno na presença de PhIO como doador de oxigênio. Contudo, estes materiais apresentaram propriedades eletroquímicas inferiores as do xerogel de pentóxido de vanádio. Por outro lado, o comportamento eletroquímico óxido misto obtido com metiltrietóxisilano (MTES) é muito similar ao xerogel de V2O5; apresentando picos reversíveis ( par redox VV/IV: xe- + xLi+ + V2O5.nH2O ? LixV2O5.nH2O, em solução de LiClO4 0,1 mol.L -1 em acetonitrila). Além disso, a resposta eletroquímica á estável mesmo após sucessivos ciclos de oxidação e redução. Um aspecto interessante é que este compósito é formado por partículas esféricas de sílicas recobertas por xerogel de pentóxido de vanádio Neste contexto, pode-se afirmar que, o método empregado mostrou-se extremamente atrativo devido a sua simplicidade de realização, além de possibilitar um novo método de obtenção de materiais com potencial aplicação como dispositivos eletroquímicos, baterias, catalisadores e sensores químicos. / The synthesis, characterization and properties of new vanadium oxide silicon oxide composite xerogels with high vanadium content through formation of a complex network involving the condensation of polyoxovanadates in aqueous solution with concomitant hydrolysis and condensation of the silica alkoxide precursor have been the goal of this work. As a consequence, this procedure generated a homogeneous multicomponent material, in which Si-O-Si network is interpenetrated with V-V and V-OH-V polymeric chains, where a mutual \"solubility\" due to cross-links and entanglements was observed. In addition, the experimental data evidence that the vanadium pentoxide xerogel embedded in silica retains its bi-dimensional structure as well as its electrochemical properties. Besides, the catalytic activity of this material was evaluated in the oxidation of the cyclooctene and styrene in liquid phase. V2O5-SiO2 composite xerogels obtained from tetraethoxysilane under basic catalysis, present high surface area (324 m2/g) and have catalytic activities in alkene oxidation in the presence of PhIO as oxygen transfer agent and cyclooctene and styrene as substrates. However, these materials do not present a remarkable electrochemical property as evidenced by cyclic voltammetry. In contrast, the voltammetric behavior of the composites xerogel prepared with methyltriethoxysilane is quite similar to that found for V2O5 xerogel; showing reversible peaks (VV/IV redox pair: xe- + xLi+ + V2O5.nH2O LixV2O5.nH2O, in acetonitrile solutions containing 0.1 M LiClO4). Besides, the electrochemical response is stable under several successive redox cycles (over 50). An interesting feature is that is formed by silica spherical particles (4 to 8 micra) covered with V2O5 continuous polymeric network. Therefore, the synthetic approach applied in this study is extremely attractive due to its simplicity and can provide new strategies for tailoring new materials for electrochromic devices, batteries, catalysis and chemical sensing.

A demanda por energia fotovoltaica vem aumentando a razão de mais de 20% ao ano no mercado internacional nos últimos dez anos. O silício com pureza entre 99,999% e 99,99999% é utilizado na fabricação de células fotovoltaicas. O silício metalúrgico tem pureza entre 98,5% e 99%. Este estudo visa investigar o refino a vácuo como um processo alternativo de menor custo para se obter o silício para células fotovoltaicas. Este processo pode remover o fósforo do silício, que é um dos elementos prejudiciais à célula fotovoltaica. Isso permitiria agregar valor à produção brasileira de silício metalúrgico, que alcança um preço de aproximadamente US$2,5 por quilo, enquanto o silício para células fotovoltaicas varia entre US$20 e 60 por quilo. Foram realizados experimentos de fusão em forno de indução a vácuo, variando parâmetros como temperatura, tempo e pressão. O teor de fósforo caiu de 33 ppm para cerca de 0,1 ppm e os resultados foram comparados com um modelo matemático da literatura. Conclui-se que o refino por este processo é tecnicamente viável. / The demand for photovoltaics is increasing at a ratio over 20 % per year in the international market in the last ten years. Silicon with purity of 99.999 % and 99.99999 % is used in the manufacture of photovoltaic cells. The purity of metallurgical silicon is between 98.5% and 99%. This study aims to investigate the vacuum refining process as a lower cost alternative to obtain silicon for photovoltaic cells. This process can remove phosphorus from silicon, which is a harmful element to the photovoltaic cell. This would add value to Brazilian production of metallurgical silicon, that reaches a price of approximately U.S.$ 2.5 per kilogram, while the silicon for photovoltaic cells varies between U.S.$ 20 and 60 per kilo . Melting experiments were performed in a vacuum induction furnace by varying such parameters as temperature, time and pressure. The phosphorus content dropped from 33 ppm to about 0.1 ppm and the results were compared with a mathematical model from literature. It is concluded that refining of this process is technically feasible.

Dissertação apresentada para obtenção do grau de Doutor, no Laboratório de Catálise e Materiais da Faculdade de Engenharia da Universidade do Porto, sob a orientação do Prof. Dr. José Inácio Ferrão de Paiva Martins

De acordo com a Norma CNEN-NN-2.02,1999, as instalações nucleares brasileiras devem usar sistemas de medição que permitem a determinação de seus inventários de materiais nucleares e também avaliar e verificar a qualidade de seus sistemas de medição por meio da participação dos laboratórios envolvidos em programas de intercomparação, além do uso de materiais de referência e materiais de referências certificado. Neste contexto, este estudo relata os esforços para assegurar o preparo e caracterização do primeiro material de referência para matriz de siliceto de urânio que visa garantir a qualidade do combustível nuclear produzido no Brasil. Foram investigados os teores de urânio, silício e impurezas em 8 amostras analisadas em triplicata para o estudo de homogeneidade e 12 amostras para o estudo de estabilidade. Foi utilizada a análise de variância para fornecer informações sobre a variabilidade em massa e o grau de não homogeneidade. A caracterização do material se deu por meio de um estudo comparativo entre 3 laboratórios independentes. A caracterização do material nuclear foi realizada aplicando a titulação potenciométrica por \"Davies & Gray/NBL\" para a determinação das concentrações de urânio, e a determinação gravimétrica para as concentrações de silício, métodos recomendados pela Agencia Internacional de Energia Atômica. O teor de impurezas foi determinado por espectrometria de emissão com fonte de plasma induzido (ICPOES), após separação previa da matriz. Comparativamente, foi aplicada a técnica de fluorescência de raios X com energia dispersiva (WDXRF). Foram considerados como valores certificados aqueles cujos resultados de concentração foram obtidos com incertezas expandidas relativas inferiores a 20 %. Esse limite foi escolhido como o adequado para o uso pretendido para o material de referência e para a determinação dos elementos na matriz nas condições desse estudo. / According to CNEN-NN-2.02.1999, Brazilian nuclear facilities must use measurement systems that allow the determination of their nuclear material inventories and also evaluate and verify the quality of their measurement systems through the participation of laboratories. Involved in intercomparison programs, in addition to the use of reference materials and certified reference materials. In this context, this study reports the efforts to ensure the preparation and characterization of the first reference material for uranium silicate matrix that aims to guarantee the quality of nuclear fuel produced in Brazil. Uranium, silicon and impurities contents were investigated in 8 samples analyzed in triplicate for the homogeneity study and 12 samples for the stability study. Variance analysis was used to provide information on mass variability and degree of inhomogeneity. The characterization of the material was made through a comparative study between 3 independent laboratories. The characterization of nuclear material was performed by applying potentiometric titration by \"Davies & Gray / NBL\" for determination of uranium concentrations and gravimetric determination for silicon concentrations, methods recommended by the International Atomic Energy Agency. The impurity content was determined by induced plasma source emission spectrometry (ICPOES) after prior matrix separation. By comparison, the energy dispersive X-ray fluorescence (WDXRF) technique was applied. Certified values were those whose concentration results were obtained with relative expanded uncertainties of less than 20%. This limit was chosen as appropriate for the intended use of the reference material and for the determination of elements in the matrix under the conditions of this study.

Orientador: Antonio Carlos Busoli / Coorientador: Marcos Doniseti Michelotto / Resumo: O objetivo deste trabalho foi avaliar diferentes estratégias para o controle de Enneothrips flavens e Stegasta bosqueella no campo em dois anos consecutivos e semi-campo no ano de 2017/2018. No ano de 2016/2017, utilizou-se o delineamento experimental de blocos completos casualizados (DBC) em esquema fatorial 3 x 4, com quatro repetições, sendo o primeiro fator as três cultivares (Runner IAC 886, IAC 503 e IAC Top Verde) e segunda fator correspondente aos quatro tratamentos (1. testemunha; 2. aplicação de silício via foliar; 3. nível de controle (NC); 4. inseticida). Observou-se que o tratamento controle foi o que apresentou maior percentual de infestação, as notas mais altas de sintomas visuais das lesões e uma produtividade média de 3.500 kg ha-1. O tratamento com silício via foliar se comportou de forma semelhante ao tratamento controle, não diferindo desse tratamento. O tratamento NC foi o que apresentou melhor controle e produtividade, além de reduzir o número de aplicações na cultura e, o tratamento de pulverização de inseticidas pode controlar as duas pragas, apresentar notas de sintomas visuais de lesões menores, mas com uma produtividade inferior ao tratamento. O Runner IAC 886 mostrou-se mais suscetível a pragas e com baixa resposta aos tratamentos, apresentando produtividade relativamente menor. A cultivar IAC 503 apresentou percentuais de infestações e notas de sintomas intermediários e com produtividade acima de 3.500 kg ha-1. A cultivar IAC Top Verde apresentou ... (Resumo completo, clicar acesso eletrônico abaixo) / Abstract: The objective of this work was to evaluate different strategies for the control of Enneothrips flavens and Stegasta bosqueella in the field in two consecutive years and semi-field in the year 2017/2018. In the year 2016/2017, a randomized complete block design (DBC) was used in a 3 x 4 factorial scheme, with four replications, the first factor being the three cultivars (Runner IAC 886, IAC 503 and IAC Top Verde) and second factor corresponding to the four treatments (1. Witness; 2. Application of silicon via foliar; 3. Control Level (NC); 4. Insecticide). It was observed that the control treatment was the one that presented the most percentages of infestation, the highest notes of visual symptoms of injuries, and a mean productivity of 3,500 kg ha-1 . The silicon treatment via foliar behaved similar to the control treatment, not differing from this treatment. The NC treatment was the one that presented better control and productivity, besides reducing the number of applications in the crop and, the treatment of spray of insecticides can control the two pests, present notes of visual symptoms of minor injuries, but with a productivity inferior to treatment. Runner IAC 886 showed to be more susceptible to pests and with low response to treatments, presenting relatively lower productivity. The cultivar IAC 503 presented percentages of infestations and intermediate symptoms notes and with a productivity above 3,500 kg ha-1 . The cultivar IAC Top Verde showed percentages of high i... (Complete abstract click electronic access below) / Mestre

Neste trabalho são apresentados os resultados obtidos com diodos resistentes a danos de radiação dos tipos fusão zonal padrão (FZ), fusão zonaI com difusão de oxigênio (DOFZ) e Czochralski magnético (MCz) em dosimetria de processamento por radiação gama. Estes dispositivos de junção p+-n-n+ foram manufaturados por Okmetic Oyj. (Vantaa, Finland) e processados no Centro de Microeletrônica da Universidade de Tecnologia de Helsinki no âmbito da colaboração RD50 do CERN. As sondas dosimétricas, baseadas nos dispositivos FZ, DOFZ and MCz, foram projetadas para operar sem tensão de polarização no modo de corrente direta como dosímetros on-line de radiação. As irradiações foram realizadas no Centro de Tecnologia das Radiações (CTR) no IPEN-CNEN/SP usando a fonte de 60Co (Gammacell 220 Nordion) com a taxa de dose de aproximadamente 2,4 kGy/h. A resposta em corrente de cada diodo foi medida em função do tempo de exposição em intervalos de dose desde 5 kGy até 50 kGy atingindo a dose total absorvida 275 kGy. Os resultados obtidos demonstraram um significante decréscimo da fotocorrente gerada em todos os dispositivos para doses totais absorvidas superiores a aproximadamente 25 kGy. Para reduzir este efeito, as amostras foram pré-irradiadas com raios gama do 60Co a uma dose de 700 kGy, para saturar a produção de armadilhas no volume sensível do diodo. Depois da pré-irradiação, apesar de serem menos sensíveis, todos os dispositivos apresentaram sinais de corrente estáveis mesmo para a dose total absorvida de 275 kGy. A fim de monitorar possíveis efeitos de danos de radiação VII produzidos nos diodos, as correntes de fuga e capacitância destes dispositivos foram medidas em função da dose total absorvida. As curvas de calibração dos dosímetros mostraram respostas quadráticas com coeficientes de correlação maiores do que 0,9999 para doses totais absorvidas de até 275 kGy. A comparação entre as respostas dosimétricas dos diodos estudados evidenciou que o melhor resultado foi obtido com o MCz que exibiu maiores sensibilidade e estabilidade do que os dispositivos FZ e DOFZ. No entanto, é importante notar que todos os diodos pré-irradiados podem ser utilizados como dosímetros em aplicações de processamento por radiação gama. / In this work we report on results obtained with rad-hard Standard Float Zone (FZ), Diffusion Oxygenated Float Zone (DOFZ) and Magnetic Czochralski (MCz) silicon diodes in gamma radiation processing dosimetry. These p+-n-n+ junction devices were manufactured by Okmetic Oyj. (Vantaa, Finland) and processed by the Microelectronics Center of Helsinki University of Technology in the framework of the CERN RD50 Collaboration. The dosimetric probes, based on FZ, DOFZ and MCz devices, were designed to operate without bias voltage in the direct current mode as on-line radiation dosimeter. The irradiations were performed in the Radiation Technology Center (CTR) at IPEN-CNEN/SP using a 60Co source (Gammacell 220 Nordion) with a dose rate around of 2.4 kGy/h. The current response of each diode was measured as a function of the exposure time in steps from 5 kGy up to 50 kGy to achieve a total absorbed dose of 275 kGy. The results obtained showed a significant decrease in the photocurrent generated in all devices for total absorbed doses higher than approximately 25 kGy. To reduce this effect, the samples were pre-irradiated with 60Co gamma rays at 700 kGy in order to saturate the trap production in the diodes sensitive volume. After pre-irradiation, despite of being less sensitive, all devices exhibited more stable photocurrent signals, even for total absorbed doses of 275 kGy. To monitor possible gamma radiation damage effects produced on the diodes, their dynamic leakage current and capacitance were measured as a function of the absorbed dose. IX The calibration curves of the dosimeters showed quadratic responses with correlation coefficient higher than 0.9999 for total absorbed dose up to 275 kGy. The comparison among the dosimetric response of the diodes studied evidenced that the best result was achieved with the MCz which exhibited higher sensitivity and stability than the FZ and DOFZ devices. However, it is important to note that all pre-irradiated diodes can be used as gamma dosimeters in radiation processing applications.

Orientador: Renato de Mello Prado / Coorientador: Priscila Lupino Gratão / Banca: Fábio César da Silva / Banca: Rogério Falleiros Carvalho / Resumo: O silicato de potássio é a fonte de silício (Si) mais empregada na aplicação foliar, havendo a necessidade de estudar fontes alternativas, e o papel que esse elemento benéfico pode ter na atenuação de estresses causados pela deficiência nutricional em plantas. O presente trabalho teve por objetivo avaliar a aplicação de fontes e concentrações de Si foliar, e com a fonte e a concentração escolhida, estudar a atuação do Si na mitigação de estresse por deficiência de manganês em sorgo granífero. Realizaram-se dois experimentos em cultivo hidropônico o experimento I, com aplicação de fontes e concentrações de Si em esquema fatorial 4x4, e no experimento II, a aplicação da fonte e concentração de Si escolhida, em esquema fatorial 3x2, ambos em blocos casualizados com três repetições. Ao final do experimento I, foram realizadas avaliações de crescimento, variáveis fisiológicas, acúmulo de Si na parte aérea e produção de grãos, e no experimento II, foram realizadas avaliações de crescimento, concentrações de malondialdeído, peróxido de hidrogênio, fotossíntese, acúmulo de Si, manganês e eficiência de uso do manganês na parte aérea. A aplicação foliar de fontes alternativas de Si incrementou o acúmulo de Si, refletindo nas trocas gasosas e na produção de grãos das plantas de sorgo. O maior acúmulo de Si, fornecido na forma radicular, mitiga o estresse por deficiência de manganês, devido à diminuição da peroxidação lipídica, favorecendo a fotossíntese e incrementando a matéria seca da... (Resumo completo, clicar acesso eletrônico abaixo) / Abstract: Potassium silicate is the source of silicon (Si) most used in foliar application, there being a need to study alternative sources, and the role that this beneficial element can play in the attenuation of stress caused by nutritional deficiency in plants. The objective of the present work was to evaluate the application of sources and concentrations of foliar Si, and with the source and concentration chosen, study the performance of Si in the mitigation of stress by manganese deficiency in grain sorghum. Two experiments were carried out in hydroponic cultivation, experiment I, with application of Si sources and concentrations in a 4x4 factorial scheme, and in experiment II, the application of the source and selected Si concentration, in a 3x2 factorial scheme, both in randomized blocks with three replicates. At the end of experiment I, were realized growth evaluations, physiological variables, Si accumulation in aerial part and grain production were performed, and in experiment II, were realized growth evaluations, concentrations of malondialdehyde, hydrogen peroxide, photosynthesis, Si accumulation, manganese and efficiency of manganese in aerial part. Foliar application of alternative sources of Si increased the accumulation of Si, reflecting the gas exchange and grain yield of sorghum plants. The greater accumulation of Si, provided in the form root, mitigate stress manganese deficiency, due to the decrease of lipid peroxidation, favoring photosynthesis and increasing the dry matter of the plants. Foliar application from sources nanosilica, stabilized sodium and potassium silicate, and potassium silicate at the concentration 1,0 g L-1 of Si is more indicated per providing the largest accumulations of Si with increases in physiology and in the production of grains, and the application of Si in the root form was more effect... (Complete abstract click electronic access below) / Mestre

Orientador: Fernando Broetto / Banca: Marcelo de Almeida Silva / Banca: Marcelo Leonardo / Resumo: O gênero Eucalyptus vem se expandindo devido uma série de fatores que tem favorecido o plantio de várias de suas espécies. Dentre alguns fatores, os mais relevantes, estão relacionados a alta produtividade, a expansão e o direcionamento para novos investimentos de empresas que utilizam a madeira como matéria prima nas indústrias. A deficiência hídrica pode acarretar vários impactos sobre o desenvolvimento da planta. Com isso, sabemos que o silício (Si) é um elemento que pode minimizar os efeitos dessa deficiência. O objetivo do estudo foi examinar os efeitos fisiológicos e metabólicos causados pela deficiência hídrica em clones de eucaliptos tolerantes e sensíveis a este estresse e o papel do Si aplicado via foliar na tolerância à deficiência hídrica. Os clones foram cultivados em estufa agrícola, com monitoramento das relações hídricas além do estudo de trocas gasosas, análise de crescimento, e respostas das atividades enzimáticas. O experimento foi em esquema fatorial triplo (lâminas x clones x aplicação de Si), constituído por 8 tratamentos e 4 repetições. As lâminas de irrigação (100% da necessidade hídrica da cultura e 50% da necessidade hídrica da cultura), dois clones de eucalipto (ECO 103 e AEC 144) e plantas com e sem aplicação de Si. Com os resultados obtidos, observou-se que a aplicação de silício via foliar não reverteu os efeitos fisiológicos provocados pela deficiência hídrica moderada, independentemente dos demais fatores combinados no ensaio. E conclui-se que ... (Resumo completo, clicar acesso eletrônico abaixo) / Abstract: The genus Eucalyptus has been expanding due to a series of factors that have favored the planting of several of its species. Among some factors, the most relevant are related to high productivity, expansion and targeting for new investments of companies that use wood as raw material in industries. Water deficiency can have several impacts on the development of the plant. With this, we know that silicon (Si) is an element that can minimize the effects of this deficiency. The objective of the study was to examine the physiological and metabolic effects caused by water deficiency in tolerant and stress - sensitive eucalyptus clones and the role of Si applied by foliar tolerance to water deficiency. The clones were cultivated in an agricultural greenhouse, with monitoring of water relations besides the study of gas exchange, growth analysis, and responses of enzymatic activities. The experiment was a triple factorial scheme (slides x clones x Si application), consisting of 8 treatments and 4 replicates. The irrigation slides (100% of the water requirement of the crop and 50% of the water requirement of the crop), two eucalyptus clones (ECO 103 and AEC 144) and plants with and without Si application. That foliar silicon application did not reverse the physiological effects caused by moderate water deficiency, independently of the other factors combined in the trial. It was concluded that the induction of moderate water deficiency in eucalyptus plants varied according to the clone studied and the time of exposure to stress. Key words: vegetal ... / Mestre

O trabalho aborda o desenvolvimento e implantação de um processo de recozimento conjugado com campo magnético induzido. Para este trabalho foi escolhido como material o FeSi, ABNT NM71-2000/ 35F 420M com GNO (Grão-Não-Orientado) devido ao baixo custo de obtenção das peças e também por ser um material de fácil aquisição no mercado. O processo tem como benefício minimizar as perdas magnéticas produzidas pelo corte convencional na borda das chapas elétricas. Para realizar o processo o sistema é composto de um forno, enrolamento de indução e fonte de alimentação. Os parâmetros utilizados no tratamento térmico situam-se na faixa de temperatura de aquecimento até 910ºC e uma indução magnética mínima na faixa de 80 até aproximadamente 1,5 T. Para melhorar as propriedades magnéticas de forma contundente na região deformada buscou-se através do recozimento conjugado com campo induzido um alinhamento dos domínios, ou seja, uma ordenação dos “spins” que juntamente com a elevação de temperatura tenderam a ter um mesmo sentido, facilitando de maneira significativa à passagem do fluxo magnético, propriedade importante para o desempenho dos núcleos das máquinas elétricas. Para avaliar o desempenho do processo, chapas do mesmo material foram cortadas por eletroerosão a fio, onde o perfil do corte permitiu um fluxo magnético uniforme e constante. O efeito do processo de recozimento com indução de campo magnético foi medido conforme determina a norma, ou seja, utilizando o “Quadro de Epstein” para chapas elétricas. Os resultados foram correlacionados com os dados obtidos a partir do uso do ferro-silício, ABNT NM71-2000/35F 420M, com as mesmas condições de uso e testes de laboratório. Do ponto de vista científico, uma das contribuições deste trabalho, está na influência da indução de campo magnético durante o tratamento térmico das amostras, pois é possível verificar um ganho nas propriedades magnéticas apresentadas. Este trabalho permite afirmar que é possível desenvolver e melhorar as propriedades magnéticas em ferro silício com alto desempenho e também sugerir que outras aplicações, onde seja necessário aumento do desempenho magnético, este processo possa ser aplicado. / This work presents and discusses the development and application of an annealing process together with the induced magnetic field. For this study development, the chosen material is the iron silicon, ABNT NM71-2000/ 35F 420M, due to the low trading costs and eases of purchase on the market. The process has the benefit of minimizing magnetic losses produced by conventional cutting the edge of the hot plates. To carry out the process system consists of a furnace, induction coil and power supply. The parameters used in the heat treatment are in the range of heating temperature to 910 ° C and a minimum magnetic induction in the range of about 80 to 1.5 T. The challenge of this work was in the fact that structure changes in the silicon iron, allied to inclusions of non-magnetizable materials, modify for worse the performance of magnetic cores. To obtain a structure that the magnetic field could permeate, the silicon iron alloys were selected to eliminate, at most, the presence of non-magnetizable materials, and only then consider a heat treatment process with magnetic induction to make the material suitable for use in cores of electrical machines. To improve the magnetic properties, an alignment of dipoles of the material, through induced magnetic field during annealing was intended. Annealing with induced magnetic field was carried out, observing the performance of the initial magnetic permeability of the samples, and subsequently measured with field saturation equipment. The results were correlated with the obtained data from the use of the FeSi, ABNT NM71-2000/35F 420M, with the same conditions of use and laboratory tests. From the scientific point of view, one of the contributions of this work is the influence of induced magnetic field during the heat treatment of the samples, since it was possible to verify a significant gain in the magnetic properties of the cores electrical machines during the performance tests. As a result of this work, the possibility of using annealing with magnetic induction was presented as a way to increase the permeability of a material with high carbon content, in this particular case, the silicon iron. This work suggests that it is possible to develop and improve the magnetic properties of iron and silicon with high performance also suggest that other applications where necessary increase in magnetic performance, this process can be applied.

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